JPS6128112A - 三相高電圧制御装置 - Google Patents
三相高電圧制御装置Info
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- JPS6128112A JPS6128112A JP14986384A JP14986384A JPS6128112A JP S6128112 A JPS6128112 A JP S6128112A JP 14986384 A JP14986384 A JP 14986384A JP 14986384 A JP14986384 A JP 14986384A JP S6128112 A JPS6128112 A JP S6128112A
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- Japan
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、三相高電圧制御装置に係り、特に、高電圧波
形の過渡現象を極力押さえ、かつ、高電圧発生装置の鉄
心の偏磁化が防止でき、また、調整の容易な三相高電圧
投入機構を備えた高電圧制御装置に関するものである。
形の過渡現象を極力押さえ、かつ、高電圧発生装置の鉄
心の偏磁化が防止でき、また、調整の容易な三相高電圧
投入機構を備えた高電圧制御装置に関するものである。
一次側制御方式の三相Ｘ線高電圧制御装置において、そ
の高電圧投入方法としては、従来、（１）三相を同時投
入し、ある一つの相のみ一定期間制動抵抗を入れる方式
と、（２）単相で投入し一定期間制動抵抗りの一相も導
入させて三相運転とする方式とがある。そのうち、前者
の（１）の方式では、Ｘ線負荷条件により制動抵抗の抵
抗値および制動時間をこまかく切り替える必要があるた
め、その制御回路も複雑となり、調整も容易ではない。
の高電圧投入方法としては、従来、（１）三相を同時投
入し、ある一つの相のみ一定期間制動抵抗を入れる方式
と、（２）単相で投入し一定期間制動抵抗りの一相も導
入させて三相運転とする方式とがある。そのうち、前者
の（１）の方式では、Ｘ線負荷条件により制動抵抗の抵
抗値および制動時間をこまかく切り替える必要があるた
め、その制御回路も複雑となり、調整も容易ではない。
また、大電流を直接制御しなけれはならないという問題
がある。また、後者の（２）の方式においても、三相運
転に移行する点が理論上は単相投入後９０°の点が最適
となるが、実際には高圧系の浮遊容量、電源設備のイン
ピーダンス等の影響を受けて多少のずれが生じるため調
整が難しくなり、特に、後述する逆位相投入を行う場合
には各回の投入相が異なるため、各相のインピーダンス
の差の影響を受けて調整が極めて困鼎になるという問題
がある。
がある。また、後者の（２）の方式においても、三相運
転に移行する点が理論上は単相投入後９０°の点が最適
となるが、実際には高圧系の浮遊容量、電源設備のイン
ピーダンス等の影響を受けて多少のずれが生じるため調
整が難しくなり、特に、後述する逆位相投入を行う場合
には各回の投入相が異なるため、各相のインピーダンス
の差の影響を受けて調整が極めて困鼎になるという問題
がある。
次に、高電圧発生装置の偏磁化防止方法としては、撮影
の前にあらかじめ直流磁化を与え、その磁化を打ち消す
方向で投入する方式と、前回の終γ相を検出して記憶し
２、その磁化を打ち消す方向で投入する方式とがあり、
前者は偏磁化の防１ヒはほぼ完全にできるが、そのため
には機構が複雑となり、また、調整個所も増え、特に、
不用なＸ線が放射されるという問題点がある。また、後
者は構造は簡略化できるが、特定の撮影時間では偏磁化
が完全に防止できないという問題点がある。
の前にあらかじめ直流磁化を与え、その磁化を打ち消す
方向で投入する方式と、前回の終γ相を検出して記憶し
２、その磁化を打ち消す方向で投入する方式とがあり、
前者は偏磁化の防１ヒはほぼ完全にできるが、そのため
には機構が複雑となり、また、調整個所も増え、特に、
不用なＸ線が放射されるという問題点がある。また、後
者は構造は簡略化できるが、特定の撮影時間では偏磁化
が完全に防止できないという問題点がある。
本発明の目的は、一次側制御方式の三相高電圧制御装置
において、過渡現象によるオーバーシュートを押さえて
高電圧波形リップルを改善し５、また、高電圧発生装置
の鉄心の偏磁化防止機構も安価で調整が容易にできる技
術を提供することにある。
において、過渡現象によるオーバーシュートを押さえて
高電圧波形リップルを改善し５、また、高電圧発生装置
の鉄心の偏磁化防止機構も安価で調整が容易にできる技
術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、一次側制御方式の三相電高圧制御装置におい
て、過渡現象によるオーバーシュート防止方法゛として
は、単相投入後三相へ移行する方式を採用して回路構成
を簡略化したものであり、毎回各線に流れる電流に制限
を加えながら線間電圧Ｕ−Ｖ、Ｗ−Ｕ、Ｖ−Ｗのそれぞ
れの零位相もしくは略零位相で順次投入し、過渡現象に
よるオーバーシュートを防止し、かつ、調整個所をなく
したものである。
て、過渡現象によるオーバーシュート防止方法゛として
は、単相投入後三相へ移行する方式を採用して回路構成
を簡略化したものであり、毎回各線に流れる電流に制限
を加えながら線間電圧Ｕ−Ｖ、Ｗ−Ｕ、Ｖ−Ｗのそれぞ
れの零位相もしくは略零位相で順次投入し、過渡現象に
よるオーバーシュートを防止し、かつ、調整個所をなく
したものである。
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
。
。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図乃至第３図は、本発明の一実施例の三相Ｘ線高電
圧制御装置を説明するための図であり。
圧制御装置を説明するための図であり。
第１図は、その三相Ｘ線高電圧制御装置の主回路の概略
構成を宗す回路図、第２図は、第１図に示す主回路の三
相高電圧投入制御装置の構成を示す回路図、第３図は、
第２図の三相高電圧投入制御装置の動作を説明するため
のタイムチャートである。
構成を宗す回路図、第２図は、第１図に示す主回路の三
相高電圧投入制御装置の構成を示す回路図、第３図は、
第２図の三相高電圧投入制御装置の動作を説明するため
のタイムチャートである。
第１図乃至第３図において、Ｕ−Ｖ’、Ｖ−Ｗ。
Ｗ−Ｕはそれぞれ線間電圧、ｌは三相電源、Ｓ＋。
Ｓ２．Ｓ３は電源スィッチ、５ＣＲ−Ｕ、５ＣＲ−Ｖ、
ＳＣ，Ｒ−Ｗ、５ＣＲ−Ｘ、５ＣＲ−Ｙ及び５ＣＲ−Ｚ
は主回路開閉用サイリスタであり、サイリスタ５ＣＲ−
Ｕとサイリスタ５ＣＲ−Ｘ、サイリスタ５ＣＲ−Ｖとサ
イリスタ５ＣＲ−Ｙ、サイリスタ５ＣＲ−Ｗとサイリス
タ５ＣＲ−Ｚはそれぞれ逆並列に接続されている。２は
高電圧発生装置、ＩＰＣ乃至９ＰＣはフォトカプラ、３
は零位相検出記憶回路、ＩＮＴは信号反転用インバータ
、３Ａは微分回路、ＩＣはコンデンサ、ＩＲは抵抗、ｌ
Ｄはダイオード、ｌ５ＣＲ乃至ＳＣ，ＲＬ２はサイリス
タ、３Ｂは遅延回路、ｖＣＣは定電圧、Ａ乃至Ｆは信号
入出力端子である。
ＳＣ，Ｒ−Ｗ、５ＣＲ−Ｘ、５ＣＲ−Ｙ及び５ＣＲ−Ｚ
は主回路開閉用サイリスタであり、サイリスタ５ＣＲ−
Ｕとサイリスタ５ＣＲ−Ｘ、サイリスタ５ＣＲ−Ｖとサ
イリスタ５ＣＲ−Ｙ、サイリスタ５ＣＲ−Ｗとサイリス
タ５ＣＲ−Ｚはそれぞれ逆並列に接続されている。２は
高電圧発生装置、ＩＰＣ乃至９ＰＣはフォトカプラ、３
は零位相検出記憶回路、ＩＮＴは信号反転用インバータ
、３Ａは微分回路、ＩＣはコンデンサ、ＩＲは抵抗、ｌ
Ｄはダイオード、ｌ５ＣＲ乃至ＳＣ，ＲＬ２はサイリス
タ、３Ｂは遅延回路、ｖＣＣは定電圧、Ａ乃至Ｆは信号
入出力端子である。
ａ乃至ｆは高電圧投入相の零位相タイミング信号、ＯＲ
は高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ乃至ｆを入力
するオア（ＯＲ）ゲート回路、ＸＳＴは撮影開閉信号、
４はアンド（ＡＮＤ）ゲート回路、５は撮影タイマ回路
、６はＳＣＲゲート制御回路である。
は高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ乃至ｆを入力
するオア（ＯＲ）ゲート回路、ＸＳＴは撮影開閉信号、
４はアンド（ＡＮＤ）ゲート回路、５は撮影タイマ回路
、６はＳＣＲゲート制御回路である。
次に１本実施例の動作を説明する。
第１図乃至第３図におイテ、Ｕ−Ｖ、Ｖ−Ｗ。
Ｗ−Ｕの各線間電圧をフォトカプラＩＰＣ，２ＰＣ，３
ＰＣで絶縁した信号として検出し、零位相検出記憶回路
３により零位相タイミングパルスが作られる。この時、
撮影開閉信号ＸＳＴがくるまでの間は、サイリスタｌ５
ＣＲ乃至６ＳＣＲのカソードはロー（Ｌ ｏ ｗ）電位
になっており、導通可能な状態になっている。いま、サ
イリスタｌ５ＣＡＲのゲートに高電圧投入相の零位相タ
イミング信号ａが送られたとすると、サイリスタＩ Ｓ
ＣＲは導通状態となり、サイリスタｌ５ＣＲのアノード
はロー（Ｌｏｗ）電位となる。したがって、ダイオード
を通して接続されている信号入出力端子Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ
、、Ｆの各点も全てロー（Ｌ ｏ ｗ）電位となり、高
電圧投入相の零位相タイミング信号す乃至ｆの零位相タ
イミングパルスは発生せず、高電圧投入相の零位相タイ
ミング信号ａのみが発生している。よって、高電圧投入
相の零位相タイミンク信号ａ乃至ｆの論理和（ＯＲ）を
オアゲート回路ＯＲで取って、撮影タイマ回路５の入力
となっている高電圧投入相の零位相タイミング信号とし
て、この場合、高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ
の零位相タイミングパルスのみが現われることになり、
撮影開閉信号ＸＳＴが実際に撮影タイマ回路５に伝えら
れるのは、この高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ
のタイミングパルスに同期して行われる。そして、撮影
タイマ回路５が動作し、所定の撮影時間信号を発生する
と、サイリスタｌ５ＣＲ乃至６ＳＣＲのカソードがハイ
（Ｈｉ ｇ ｈ）電位となり、全てのサイリスタは非導
通となる。このサイリスタｌ５ＣＲ乃至６ＳＣ，Ｒが５
次に導通可能となるのは、撮影タイマ回路５の動作が終
了して一定の時間が経過（遅れ）した後であり、その後
、最初にくる高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ乃
至ｆの零位相タイミングパルスにより、サイリスタｌ５
ＣＲ乃至６ＳＣＲのいづれか一つが魂通し、前述した例
と同様に他の５個のサイリスタは非導通の状態に保たれ
る。
ＰＣで絶縁した信号として検出し、零位相検出記憶回路
３により零位相タイミングパルスが作られる。この時、
撮影開閉信号ＸＳＴがくるまでの間は、サイリスタｌ５
ＣＲ乃至６ＳＣＲのカソードはロー（Ｌ ｏ ｗ）電位
になっており、導通可能な状態になっている。いま、サ
イリスタｌ５ＣＡＲのゲートに高電圧投入相の零位相タ
イミング信号ａが送られたとすると、サイリスタＩ Ｓ
ＣＲは導通状態となり、サイリスタｌ５ＣＲのアノード
はロー（Ｌｏｗ）電位となる。したがって、ダイオード
を通して接続されている信号入出力端子Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ
、、Ｆの各点も全てロー（Ｌ ｏ ｗ）電位となり、高
電圧投入相の零位相タイミング信号す乃至ｆの零位相タ
イミングパルスは発生せず、高電圧投入相の零位相タイ
ミング信号ａのみが発生している。よって、高電圧投入
相の零位相タイミンク信号ａ乃至ｆの論理和（ＯＲ）を
オアゲート回路ＯＲで取って、撮影タイマ回路５の入力
となっている高電圧投入相の零位相タイミング信号とし
て、この場合、高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ
の零位相タイミングパルスのみが現われることになり、
撮影開閉信号ＸＳＴが実際に撮影タイマ回路５に伝えら
れるのは、この高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ
のタイミングパルスに同期して行われる。そして、撮影
タイマ回路５が動作し、所定の撮影時間信号を発生する
と、サイリスタｌ５ＣＲ乃至６ＳＣＲのカソードがハイ
（Ｈｉ ｇ ｈ）電位となり、全てのサイリスタは非導
通となる。このサイリスタｌ５ＣＲ乃至６ＳＣ，Ｒが５
次に導通可能となるのは、撮影タイマ回路５の動作が終
了して一定の時間が経過（遅れ）した後であり、その後
、最初にくる高電圧投入相の零位相タイミング信号ａ乃
至ｆの零位相タイミングパルスにより、サイリスタｌ５
ＣＲ乃至６ＳＣＲのいづれか一つが魂通し、前述した例
と同様に他の５個のサイリスタは非導通の状態に保たれ
る。
次に、撮影タイマ回路５の他方の出力は、インバータＩ
ＮＴで反転されてＳＣＲゲート制御回路６に送られ、サ
イリスタ７ＳＣＲ乃至１．２ＳＣＲが導通可能な状態と
なる。いま、前述した例と同様に初期にサイリスタｌ５
ＣＲがオン（ＯＮ）Ｌ。
ＮＴで反転されてＳＣＲゲート制御回路６に送られ、サ
イリスタ７ＳＣＲ乃至１．２ＳＣＲが導通可能な状態と
なる。いま、前述した例と同様に初期にサイリスタｌ５
ＣＲがオン（ＯＮ）Ｌ。
ており、零位相タイミング信号ａのみが発生している場
合を考える。サイリスタ７ＳＣＲ乃至１２ＳＣＲが導通
可能となった時、各サイリスタのゲートに高電圧投入相
の零位相タイミング信号がくれば、実際にサイリスタは
オンする。この時、最初にくるパルスは高電圧投入相の
零位相タイミング信号ａであり、この高電圧投入相の零
位相タイミング信号ａはサイリスタ７ＳＣＲ及びｔｏｓ
ｃＲのゲートにのみ送られるため、フォトカプラ４ＰＣ
及び７ＰＣのみがオンし、第１図に示す主回路開閉用サ
イリスタのうち、サイリスタ５ＣＲ−Ｕ及び５ＣＲ−Ｙ
のみが導通する。また、引き続いてくる高電圧投入相の
零位相タイミング信号ｆのタイミングパルスでサイリス
タ５ＣＲ＝Ｚが導通し、高電圧投入相の零位相タイミン
グ信号Ｃのタイミングでサイリスタ５ＣＲ−Ｖも導通し
て完全な三相運転になる。
合を考える。サイリスタ７ＳＣＲ乃至１２ＳＣＲが導通
可能となった時、各サイリスタのゲートに高電圧投入相
の零位相タイミング信号がくれば、実際にサイリスタは
オンする。この時、最初にくるパルスは高電圧投入相の
零位相タイミング信号ａであり、この高電圧投入相の零
位相タイミング信号ａはサイリスタ７ＳＣＲ及びｔｏｓ
ｃＲのゲートにのみ送られるため、フォトカプラ４ＰＣ
及び７ＰＣのみがオンし、第１図に示す主回路開閉用サ
イリスタのうち、サイリスタ５ＣＲ−Ｕ及び５ＣＲ−Ｙ
のみが導通する。また、引き続いてくる高電圧投入相の
零位相タイミング信号ｆのタイミングパルスでサイリス
タ５ＣＲ＝Ｚが導通し、高電圧投入相の零位相タイミン
グ信号Ｃのタイミングでサイリスタ５ＣＲ−Ｖも導通し
て完全な三相運転になる。
すなわち、Ｕ−Ｖ、Ｖ−Ｗ、Ｗ−Ｕ（７）各線間電圧を
フォトカプラーＩＰＣ，２ＰＣ，３ＰＣで絶縁された信
号として検出し、零位相検出記憶回路３により零位相タ
イミングパルスが作られる。
フォトカプラーＩＰＣ，２ＰＣ，３ＰＣで絶縁された信
号として検出し、零位相検出記憶回路３により零位相タ
イミングパルスが作られる。
そして、撮影用ハンドスイッチなどにより撮影開始信号
ＸＳＴが送られると、零位相検出記憶回路３により予め
記憶された投入すべき線間電圧の零位相タイミング信号
が撮影タイマ回路５に送られる。この信号が撮影タイマ
回路５により受は付けられたという信号と、零位相タイ
ミング信号とのＡ Ｉ’ｊＤを取りＳＣＲゲート制御回
路６へ送られる。ＳＣＲゲート制御回路６ではこの信号
をそれぞれに対応する主回路開閉用サイリスタにのみ送
る。したがって、三相の各線は完全な導通状態にはなら
ず、逆並列につながれた主回路開閉用サイリスタの内の
一方のみが導通状態となり、電流の向きに制限が加えら
れる。ただし、これはもちろん投入初期のみであって、
三相運転に移行した後は、三相の線間電圧図を見ても明
らかなように、逆並列の主回路開閉用サイリスタか同時
に導通する期間が存在し、各線は見かけ上完全な導通状
態になっている。
ＸＳＴが送られると、零位相検出記憶回路３により予め
記憶された投入すべき線間電圧の零位相タイミング信号
が撮影タイマ回路５に送られる。この信号が撮影タイマ
回路５により受は付けられたという信号と、零位相タイ
ミング信号とのＡ Ｉ’ｊＤを取りＳＣＲゲート制御回
路６へ送られる。ＳＣＲゲート制御回路６ではこの信号
をそれぞれに対応する主回路開閉用サイリスタにのみ送
る。したがって、三相の各線は完全な導通状態にはなら
ず、逆並列につながれた主回路開閉用サイリスタの内の
一方のみが導通状態となり、電流の向きに制限が加えら
れる。ただし、これはもちろん投入初期のみであって、
三相運転に移行した後は、三相の線間電圧図を見ても明
らかなように、逆並列の主回路開閉用サイリスタか同時
に導通する期間が存在し、各線は見かけ上完全な導通状
態になっている。
また、撮影タイマ回路５からの終了信号により、零位相
検出記憶回路３により、次回の投入相を記憶し、逆位相
投入を行っている。
検出記憶回路３により、次回の投入相を記憶し、逆位相
投入を行っている。
以上説明したように、本願において開示された新規な技
術手段によれば、以下に述るような効果を得ることがで
きる。
術手段によれば、以下に述るような効果を得ることがで
きる。
（１）三相の各線間電圧の零位相を検出し、この検出信
号により三相の各線に流九る電圧の向きに制限を加えな
がら順次投入して、管電圧投入時の過渡現象によるオー
バーシュートを押さえるようにしたので、電源、高圧系
のインピーダンスの影響を受けにくくすることができる
。
号により三相の各線に流九る電圧の向きに制限を加えな
がら順次投入して、管電圧投入時の過渡現象によるオー
バーシュートを押さえるようにしたので、電源、高圧系
のインピーダンスの影響を受けにくくすることができる
。
（２）前記（１）により、調整も不要にすることができ
る。
る。
（３）前記（１）により、回路構成が安価に組める逆位
相投入方式と組み合わせても、各線のインピーダンスの
影響を受けにくくすることができる。
相投入方式と組み合わせても、各線のインピーダンスの
影響を受けにくくすることができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものでなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものでなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
例えば、前記実施例では、偏磁化の防出方法としては、
逆位相投入方式を採用したが、もちろん直流磁化方式と
組み合わせることもできる。ただし、逆位相投入のよう
に投入相が毎回異なる場合には、前記実施例の方式がそ
の効果を顕著に現わす。
逆位相投入方式を採用したが、もちろん直流磁化方式と
組み合わせることもできる。ただし、逆位相投入のよう
に投入相が毎回異なる場合には、前記実施例の方式がそ
の効果を顕著に現わす。
第１図乃至第３図は、本発明の一実施例の三相Ｘ線高電
圧制御装置を説明するための図であり、第１図は、その
三相Ｘ線高電圧制御装置の主回路の概略構成を示す回路
図、第２図は、第１図に示す主回路の三相高電圧投入制
御装置の構成を示す回路図、第３図は、第図の三相高電
圧投入制御装置の動作を説明するためのタイムチャート
である。 図中、１−・・三相電源、５ＣＲ−Ｕ、ＳＣ：Ｒ−Ｖ。 ５ＣＲ−Ｗ、５ＣＲ−Ｘ、５ＣＲ−Ｙ、５ＣＲ−Ｚ・・
・主回路開閉用サイリスタ、２・・・高電圧発生装置、
３・・・零位相検出記憶回路、４・アントゲ−１−回路
、５・・・撮影タイマ回路、６・・・ＳＣＲゲー１−制
御回路である。
圧制御装置を説明するための図であり、第１図は、その
三相Ｘ線高電圧制御装置の主回路の概略構成を示す回路
図、第２図は、第１図に示す主回路の三相高電圧投入制
御装置の構成を示す回路図、第３図は、第図の三相高電
圧投入制御装置の動作を説明するためのタイムチャート
である。 図中、１−・・三相電源、５ＣＲ−Ｕ、ＳＣ：Ｒ−Ｖ。 ５ＣＲ−Ｗ、５ＣＲ−Ｘ、５ＣＲ−Ｙ、５ＣＲ−Ｚ・・
・主回路開閉用サイリスタ、２・・・高電圧発生装置、
３・・・零位相検出記憶回路、４・アントゲ−１−回路
、５・・・撮影タイマ回路、６・・・ＳＣＲゲー１−制
御回路である。
Claims (1)
- （１）一次側制御方式の三相高電圧制御装置において、
三相の各線間電圧の零位相を検出する線間電圧検出手段
と、該線間電圧検出手段の出力にもとずいて三相の各線
に流れる電圧の向きに制限を加えながら順次投入する高
電圧投入手段を具備したことを特徴とする三相高電圧制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149863A JPH0746290B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 三相高電圧制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149863A JPH0746290B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 三相高電圧制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128112A true JPS6128112A (ja) | 1986-02-07 |
| JPH0746290B2 JPH0746290B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15484297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59149863A Expired - Lifetime JPH0746290B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 三相高電圧制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746290B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538753A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-26 | Chino Works Ltd | Threeephase power regulator circuit |
| JPS5399445A (en) * | 1977-02-14 | 1978-08-30 | Toshiba Corp | Three-phase ac power unit |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP59149863A patent/JPH0746290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538753A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-26 | Chino Works Ltd | Threeephase power regulator circuit |
| JPS5399445A (en) * | 1977-02-14 | 1978-08-30 | Toshiba Corp | Three-phase ac power unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746290B2 (ja) | 1995-05-17 |
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