JPS61281432A - 蛍光ランプの製造方法 - Google Patents
蛍光ランプの製造方法Info
- Publication number
- JPS61281432A JPS61281432A JP12154585A JP12154585A JPS61281432A JP S61281432 A JPS61281432 A JP S61281432A JP 12154585 A JP12154585 A JP 12154585A JP 12154585 A JP12154585 A JP 12154585A JP S61281432 A JPS61281432 A JP S61281432A
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- Japan
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- lamp
- getter
- gas
- heated
- mercury
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- Pending
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は蛍光ランプの製造方法に係り、特に排気管封切
後のバルブ内の吸蔵不純ガスの除去方法に関する。
後のバルブ内の吸蔵不純ガスの除去方法に関する。
（発明の技術的背景〕
従来、チタンなどのゲッタ金属を封装した蛍光ランプバ
ルブを排気し、始動ガスと水銀とを充填して排気管を封
切する製造方法が知られている。
ルブを排気し、始動ガスと水銀とを充填して排気管を封
切する製造方法が知られている。
また、一方、チタンなどのゲッタ金属と水銀との金属間
化合物を封装した蛍光ランプバルブを排気し、始動ガス
を充填して排気管を封切後金属間化合物を加熱してゲッ
タ金属と水銀とに分解する製造方法も知られている。
化合物を封装した蛍光ランプバルブを排気し、始動ガス
を充填して排気管を封切後金属間化合物を加熱してゲッ
タ金属と水銀とに分解する製造方法も知られている。
そうして、製造の最終段階においてエージングと称して
５〜１０分間強制点灯を行ない、点灯時の熱によって管
内各部に吸蔵されていた不純ガスを放出させ、これを残
留した微量の不純ガスとともにゲッタ金属に吸収させて
除去し、かつ電極を活性化してランプ特性を安定させて
いる。
５〜１０分間強制点灯を行ない、点灯時の熱によって管
内各部に吸蔵されていた不純ガスを放出させ、これを残
留した微量の不純ガスとともにゲッタ金属に吸収させて
除去し、かつ電極を活性化してランプ特性を安定させて
いる。
〔背景技術の問題点Ｊ
排気管封切後のランプには往々にして管内各部に大量の
不純ガスが吸蔵されていることがあり、この不純ガスは
エージングの温度ではわずかじか放出されず、大部分が
吸蔵されたままで製品となり、長期点灯中栓々に放出さ
れて水銀と結合して黒化の原因となり、あるいは始動特
性やランプ電圧を悪化させ、時には早期不点灯の原因に
もなる。
不純ガスが吸蔵されていることがあり、この不純ガスは
エージングの温度ではわずかじか放出されず、大部分が
吸蔵されたままで製品となり、長期点灯中栓々に放出さ
れて水銀と結合して黒化の原因となり、あるいは始動特
性やランプ電圧を悪化させ、時には早期不点灯の原因に
もなる。
本発明は排気管封切後のランプ内に吸蔵された不純ガス
を効果的に放出させて除去できる蛍光うンプの製造方法
を提供することを目的とする。
を効果的に放出させて除去できる蛍光うンプの製造方法
を提供することを目的とする。
ゲッタを封装した排気管封切後のランプを加熱処理して
吸蔵不純ガスを放出させ、その後の冷却過程においてエ
ージングして、放出された不純ガスを管内に再吸収され
る前にゲッタに吸収させて除去することにより、長期点
灯しても不純ガスを放出しないようにすることである。
吸蔵不純ガスを放出させ、その後の冷却過程においてエ
ージングして、放出された不純ガスを管内に再吸収され
る前にゲッタに吸収させて除去することにより、長期点
灯しても不純ガスを放出しないようにすることである。
本発明の詳細をＦＬＲ１１０形蛍光ランプを例にし１図
のフローチャートによって説明する。
のフローチャートによって説明する。
まず、蛍光膜を形成したガラスバルブと、フィラメント
電極およびゲッタ金属と水銀との金属間化合物（以下水
銀放出ゲッタと称する。）を装着したマウントステムと
を用意する。
電極およびゲッタ金属と水銀との金属間化合物（以下水
銀放出ゲッタと称する。）を装着したマウントステムと
を用意する。
ついで、バルブの両端にマウントステムを封止し、つい
でバルブを加熱して脱ガスしながら排気し、かつ電極を
活性化する。そうして、充分に排気されたら始動ガスを
充填して排気管を封切して封切したランプを得る。
でバルブを加熱して脱ガスしながら排気し、かつ電極を
活性化する。そうして、充分に排気されたら始動ガスを
充填して排気管を封切して封切したランプを得る。
つぎに、水銀放出ゲッタを高周波加熱して水銀とゲッタ
とに分解する。このとき発生した水銀は放電用水銀とな
り、ゲッタはゲッタ作用を回復する。
とに分解する。このとき発生した水銀は放電用水銀とな
り、ゲッタはゲッタ作用を回復する。
つぎに、このランプを加熱炉に入れてランプ全体を１０
０〜１８０℃に約３分間加熱し、ランプ内各部の吸蔵不
純ガスを充分に放出させる。そうして、炉から取出した
ランプを自然冷却を行いその冷却途中過程たとえば６０
℃から３０’Ｃに冷却する間に約３分間エージングして
放出された不純ガスをゲッタに吸収させ、かつ電極を活
性化してランプ特性を安定にして製品にする。
０〜１８０℃に約３分間加熱し、ランプ内各部の吸蔵不
純ガスを充分に放出させる。そうして、炉から取出した
ランプを自然冷却を行いその冷却途中過程たとえば６０
℃から３０’Ｃに冷却する間に約３分間エージングして
放出された不純ガスをゲッタに吸収させ、かつ電極を活
性化してランプ特性を安定にして製品にする。
しかして、上述の加熱処理によって放出された不純ガス
はランプ各部が冷却するに従ってランプ内に再吸収され
る。この再吸収の多い部材は通常、バルブ内壁、蛍光体
、電子放射性物質などである。
はランプ各部が冷却するに従ってランプ内に再吸収され
る。この再吸収の多い部材は通常、バルブ内壁、蛍光体
、電子放射性物質などである。
しかして、この再吸収は温度を一定にしておいても飽和
するまでにかなりの時間を要するので、上述のように冷
却する過程においてニーソングすれば、放出された不純
ガスが再吸収される間もなくゲッタで吸収除去すること
ができ、上述のランプ内各部材に再吸収される量を最小
限に抑制することができる。したがって、この方法によ
って得られたランプは長期点灯中に不純ガスをほとんど
放出することがなく、したがって黒化が少なく、かつ始
動電圧が低く、放電電圧の上昇も少ない。
するまでにかなりの時間を要するので、上述のように冷
却する過程においてニーソングすれば、放出された不純
ガスが再吸収される間もなくゲッタで吸収除去すること
ができ、上述のランプ内各部材に再吸収される量を最小
限に抑制することができる。したがって、この方法によ
って得られたランプは長期点灯中に不純ガスをほとんど
放出することがなく、したがって黒化が少なく、かつ始
動電圧が低く、放電電圧の上昇も少ない。
ちなみに、本発明方法によって１５０℃で３分間加熱し
てガス放出させたランプを自然冷却させ、６０℃に達し
たとき点灯して冷却を続けながら３分間エージングした
ものは２０個の平均始動電圧が２６５■であった。これ
に対し、ランプを加熱してガス放出をすることなく常温
で３分間エージングする従来方法によるものは２０個の
平均始動電圧が２７３ｖであった。この試験結果からも
本発明方法によって著しくランプの品質が向上したこと
が証明された。
てガス放出させたランプを自然冷却させ、６０℃に達し
たとき点灯して冷却を続けながら３分間エージングした
ものは２０個の平均始動電圧が２６５■であった。これ
に対し、ランプを加熱してガス放出をすることなく常温
で３分間エージングする従来方法によるものは２０個の
平均始動電圧が２７３ｖであった。この試験結果からも
本発明方法によって著しくランプの品質が向上したこと
が証明された。
しかして、上述の封切後のランプのガス放出の加熱温度
を１００℃〜１８０℃の範囲に設定した理由は。
を１００℃〜１８０℃の範囲に設定した理由は。
１８０℃を超えた場合は放出された不純ガスの量が多す
ぎてエージングの始動が困難になるためであす、反対に
１００℃に達しない場合は不純ガスが充分に放出されな
いため吸蔵不純ガスを充分に除去できないためである。
ぎてエージングの始動が困難になるためであす、反対に
１００℃に達しない場合は不純ガスが充分に放出されな
いため吸蔵不純ガスを充分に除去できないためである。
また、エージングの点灯開始時の温度は４０〜７０’Ｃ
の範囲が適当で、 ７０”Ｃを超えると水銀蒸気圧が高
すぎてエージングの始動が困難であり１反対に４０℃よ
り低いと不純ガスが管内部材に再吸収されて充分に除去
できないためである。
の範囲が適当で、 ７０”Ｃを超えると水銀蒸気圧が高
すぎてエージングの始動が困難であり１反対に４０℃よ
り低いと不純ガスが管内部材に再吸収されて充分に除去
できないためである。
しかして、エージングは自然冷却の過程において行なう
場合のほか、加熱や強制冷却などの手段によって冷却速
度を人為的に調整してもよく、たとえばエージング中６
０”Ｃに保ってもよい、ただし、ガス放出させたランプ
をいったん４０’Ｃより低温に冷却したのち再度６０℃
に加熱してエージングしても本発明の効果は余り期待で
きない。
場合のほか、加熱や強制冷却などの手段によって冷却速
度を人為的に調整してもよく、たとえばエージング中６
０”Ｃに保ってもよい、ただし、ガス放出させたランプ
をいったん４０’Ｃより低温に冷却したのち再度６０℃
に加熱してエージングしても本発明の効果は余り期待で
きない。
なお、前述の実施例は水銀放出ゲッタを封装した蛍光ラ
ンプについて説明したが、本発明は液状の水銀を充填し
て封切した蛍光ランプにも適用でき、この場合はマウン
トステムに予めチタンなどのゲッタを装着しておけばよ
い、また、ゲッタはチタンのほかジルコンなど既知の他
のものでもより）。
ンプについて説明したが、本発明は液状の水銀を充填し
て封切した蛍光ランプにも適用でき、この場合はマウン
トステムに予めチタンなどのゲッタを装着しておけばよ
い、また、ゲッタはチタンのほかジルコンなど既知の他
のものでもより）。
本発明の蛍光ランプの製造方法はゲッタを封装した蛍光
ランプを加熱処理して吸蔵不純ガスを放出させ、その後
の冷却過程においてこのランプをエージングして放出さ
れた不純ガスをゲッタによって除去するので、長期点灯
中にも管内各部材から不純ガスが放出されることが少な
く、したがって不純ガスによる管壁黒化、始動特性の低
下、放電電圧の上昇あるいは早期不点灯などが激減した
。
ランプを加熱処理して吸蔵不純ガスを放出させ、その後
の冷却過程においてこのランプをエージングして放出さ
れた不純ガスをゲッタによって除去するので、長期点灯
中にも管内各部材から不純ガスが放出されることが少な
く、したがって不純ガスによる管壁黒化、始動特性の低
下、放電電圧の上昇あるいは早期不点灯などが激減した
。
図面は本発明の蛍光ランプの製造方法を説明するフロー
チャートである。
チャートである。
Claims (1)
- ゲッタを封装した排気管封切後のランプを加熱処理して
吸蔵不純ガスを放出させ、その後の冷却過程においてこ
のランプをエージングして上記放出された不純ガスを上
記ゲッタによって除去することを特徴とする蛍光ランプ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12154585A JPS61281432A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 蛍光ランプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12154585A JPS61281432A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 蛍光ランプの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281432A true JPS61281432A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14813896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12154585A Pending JPS61281432A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 蛍光ランプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112601484A (zh) * | 2018-09-10 | 2021-04-02 | 奥林巴斯株式会社 | 热侵袭观察装置、内窥镜系统、热侵袭观察系统、热侵袭观察方法 |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP12154585A patent/JPS61281432A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112601484A (zh) * | 2018-09-10 | 2021-04-02 | 奥林巴斯株式会社 | 热侵袭观察装置、内窥镜系统、热侵袭观察系统、热侵袭观察方法 |
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