JPS61281573A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61281573A JPS61281573A JP12244785A JP12244785A JPS61281573A JP S61281573 A JPS61281573 A JP S61281573A JP 12244785 A JP12244785 A JP 12244785A JP 12244785 A JP12244785 A JP 12244785A JP S61281573 A JPS61281573 A JP S61281573A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- cap layer
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ装置に関する。
〔発明の背景〕）へ
近年、ダブルへテロ接合を有する半導体レー・ザ装置は
、レーザビームプリンタ、あるいは光・ファイバ通信シ
ステムの光源として有望視され・ている。
、レーザビームプリンタ、あるいは光・ファイバ通信シ
ステムの光源として有望視され・ている。
従来、この種の半導体レーザ装置は、一般に・・：液相
エピタキシャル成長法等を用いて、次の様゛に作られて
いた。すなわち、活性層を挟む２つの光閉込め層とキャ
ップ層とを半導体基板上に連続的に成長させた後、前記
キャップ層及び半導体基板の表面上に、全面にわたって
金属電極□を１、真空蒸着法等を用いて形成する。しか
る後、所定の共振器長及び幅（５００３ｍＸ４００μｍ
）で襞−シ、半導体レーザ装置ができ上がる（例え。
エピタキシャル成長法等を用いて、次の様゛に作られて
いた。すなわち、活性層を挟む２つの光閉込め層とキャ
ップ層とを半導体基板上に連続的に成長させた後、前記
キャップ層及び半導体基板の表面上に、全面にわたって
金属電極□を１、真空蒸着法等を用いて形成する。しか
る後、所定の共振器長及び幅（５００３ｍＸ４００μｍ
）で襞−シ、半導体レーザ装置ができ上がる（例え。
ば、特開昭５５−１０８．７９１号公報、特公昭５．９
−２５５９９号公報が挙げられる）。 ｌ
１１しかしながら、上記従来技術において、キヤ・ツブ
層及び半導体基板の電極には、約１〜２μｍ厚のＡｕ電
極が用いられているため、伸開時にＡｕ電極の７部が垂
れ下がり、伸開面に接触することがしばしば発生する。
−２５５９９号公報が挙げられる）。 ｌ
１１しかしながら、上記従来技術において、キヤ・ツブ
層及び半導体基板の電極には、約１〜２μｍ厚のＡｕ電
極が用いられているため、伸開時にＡｕ電極の７部が垂
れ下がり、伸開面に接触することがしばしば発生する。
特に、活性層上に成長ｌ・させた光閉込め層とキャップ
層との層厚の合計は。
層との層厚の合計は。
高々３〜４μｍ程度であるので、電気的には両室、極間
が短絡状態となり、半導体レーザ、装置としての機能を
果たさないという重大な欠点を一有していた。これが半
導体レーザの生産において、。
が短絡状態となり、半導体レーザ、装置としての機能を
果たさないという重大な欠点を一有していた。これが半
導体レーザの生産において、。
歩留りを低下させる一つの原因となっていた。
本発−の目的は、上記従来技術の欠点をなく 。
し、良好な電気的、光学的特性を発揮し、しかも製造容
易で高品質を有する構成の半導体レー。
易で高品質を有する構成の半導体レー。
ザ装置を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、半導体基板とキ
ャタブ層の表面に、少ｔｃ くとも２種４以上の異なる
金属からなる多層電極を設け、前ｌｌｌ記ヤヤップ層表
面の多層電極の内、少ｔｃ、、くとも１層以上を残して
所定の幅で除去するよってした点に特徴がある。
ャタブ層の表面に、少ｔｃ くとも２種４以上の異なる
金属からなる多層電極を設け、前ｌｌｌ記ヤヤップ層表
面の多層電極の内、少ｔｃ、、くとも１層以上を残して
所定の幅で除去するよってした点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図面は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を、ＧａＡ
ＪＡｓ系結晶の例をとって示した斜視図であり、１ ハ
ｎ形Ｑａ Ａｓ基板、２はｎ形Ｇａ ＡＪ−Ａｓ光閉込
ミ層、乙はｎ形またはＰ形ＧａＡＪＡｓ活性、１゜層、
４はＰ形ＧａＡＪＡ−ｓ光閉込め層、５はｎ形Ｑａ４ｓ
キャップ層、６は電極容易層、７は多層霜：極である。
ＪＡｓ系結晶の例をとって示した斜視図であり、１ ハ
ｎ形Ｑａ Ａｓ基板、２はｎ形Ｇａ ＡＪ−Ａｓ光閉込
ミ層、乙はｎ形またはＰ形ＧａＡＪＡｓ活性、１゜層、
４はＰ形ＧａＡＪＡ−ｓ光閉込め層、５はｎ形Ｑａ４ｓ
キャップ層、６は電極容易層、７は多層霜：極である。
同図において、先ず、ｎ形ＧａＡｓ基板１上に、ｎ形Ｇ
ａＡＪＡｓ光閉込め層２と、ｎ形またはＰ形・ＧａＡＬ
Ａｓ活性層３と、Ｐ形ＧａＡＪＡｓ光閉込メ層４と、ｎ
形Ｑ ａ Ａ Ｊ−キャップ層５とな、一般に良く知ら
れた液相エピタキシャル成長法、あるいは気相成長法等
を用いて連続的に積層する。しかる後、ｎ形ＧａへＳキ
ャップ層５を貫き、Ｐ形ｌ・・ＧａＡＪＡｓ光閉込め層
４の一部に達する深さの所定の幅を有する電極容易層６
を、周知の熱拡散法を用いて、例えば亜鉛を拡散して形
成する。その後、ｎ形ＧａＡｓ基板１の表面と、ｎ形Ｇ
ａＡｓキーｙッ・ブ層５の表面に、少なくとも２種以上
の異なる１金属を真空蒸着法等を用いて全面に形成し、
電極７となす。例えば、ｎ形ＧａＡｓ基板１の表面にハ
Ａｕ−Ｇｅ ／Ｎ ｉ ／Ａｕを、ｎ形ＱａＡｓキヤ、
プ層５の表面にはＣｒ ／ Ａ ｕを連続的に形成する
。
ａＡＪＡｓ光閉込め層２と、ｎ形またはＰ形・ＧａＡＬ
Ａｓ活性層３と、Ｐ形ＧａＡＪＡｓ光閉込メ層４と、ｎ
形Ｑ ａ Ａ Ｊ−キャップ層５とな、一般に良く知ら
れた液相エピタキシャル成長法、あるいは気相成長法等
を用いて連続的に積層する。しかる後、ｎ形ＧａへＳキ
ャップ層５を貫き、Ｐ形ｌ・・ＧａＡＪＡｓ光閉込め層
４の一部に達する深さの所定の幅を有する電極容易層６
を、周知の熱拡散法を用いて、例えば亜鉛を拡散して形
成する。その後、ｎ形ＧａＡｓ基板１の表面と、ｎ形Ｇ
ａＡｓキーｙッ・ブ層５の表面に、少なくとも２種以上
の異なる１金属を真空蒸着法等を用いて全面に形成し、
電極７となす。例えば、ｎ形ＧａＡｓ基板１の表面にハ
Ａｕ−Ｇｅ ／Ｎ ｉ ／Ａｕを、ｎ形ＱａＡｓキヤ、
プ層５の表面にはＣｒ ／ Ａ ｕを連続的に形成する
。
尚、多層電極を成す最上層を除く各層の層厚は、１゜３
・ 最上層に比較して薄く、０．１〜０２μｍ程度とする。
・ 最上層に比較して薄く、０．１〜０２μｍ程度とする。
しかる後、ｎ形ＧａＡ３キャップ層５の表面に設けた多
層電極のうち少なくとも１層以上を残して所定の幅（１
０〜２０μｍ程度）を有し、格子状に除去し所定の共振
器長及び幅（’ｇｏＯｘ ”）４００μｍ）’で骨間す
ることにより、半導体レーザ装置ができ一部がる。□ 従来技術に藝いて、ｎ形ＧａＡＳ’キャップ層の表面に
設けた多層電極の層厚は、接触抵”抗の低減゛とボンデ
ィングの容易性を確保するため、比較用的厚くなければ
ならず、また一般には゛延展性の大きなＡｕを最上層に
用いてい゛るので、伸開時には多層型１極の一部がｎ形
ＧａＡｓキャップ層、Ｐ形Ｇａ Ａｊ−Ａ ｓ光閉込め
層、ｎ形またはＰ形Ｇ’ａ ＡＪ−Ａｓ活性層と゛を越
えて、ｎ形ＧａＡＪＡｓ光閉込め層あｌ・・るいはｎ形
ＧａＡｓ基板に接触することによって、。
層電極のうち少なくとも１層以上を残して所定の幅（１
０〜２０μｍ程度）を有し、格子状に除去し所定の共振
器長及び幅（’ｇｏＯｘ ”）４００μｍ）’で骨間す
ることにより、半導体レーザ装置ができ一部がる。□ 従来技術に藝いて、ｎ形ＧａＡＳ’キャップ層の表面に
設けた多層電極の層厚は、接触抵”抗の低減゛とボンデ
ィングの容易性を確保するため、比較用的厚くなければ
ならず、また一般には゛延展性の大きなＡｕを最上層に
用いてい゛るので、伸開時には多層型１極の一部がｎ形
ＧａＡｓキャップ層、Ｐ形Ｇａ Ａｊ−Ａ ｓ光閉込め
層、ｎ形またはＰ形Ｇ’ａ ＡＪ−Ａｓ活性層と゛を越
えて、ｎ形ＧａＡＪＡｓ光閉込め層あｌ・・るいはｎ形
ＧａＡｓ基板に接触することによって、。
半導体レーザ装置の電気的光学的特性が損なわれること
があったが・、本実□施例では、上述した多層電極のう
ち、少なくとも１層以上”を゛残し、最上層までを所定
の幅を有し、格子状に除去す、（。
があったが・、本実□施例では、上述した多層電極のう
ち、少なくとも１層以上”を゛残し、最上層までを所定
の幅を有し、格子状に除去す、（。
ることによって、伸開時の多層電極の一部による接触不
良を防ぐことが〒き、電気的、光学的特性の良好な半導
体レーザ装置を高い歩留りで゛実現することかできる。
良を防ぐことが〒き、電気的、光学的特性の良好な半導
体レーザ装置を高い歩留りで゛実現することかできる。
〔発明の・効果〕 ゛以
上説明したように、本発明によれば、良好な電気的、光
学的特性を発揮し、しかも製造が容易で高品質にするこ
とができるものであって、上記従来技術の欠点・を除い
て優れた機能の半導体レーザ装置を提供することができ
る。 １′
上説明したように、本発明によれば、良好な電気的、光
学的特性を発揮し、しかも製造が容易で高品質にするこ
とができるものであって、上記従来技術の欠点・を除い
て優れた機能の半導体レーザ装置を提供することができ
る。 １′
図面は本発明による半導体レーザ装置の二実゛流側を示
す斜視図である。 １・・・・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、
す斜視図である。 １・・・・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、
Claims (1)
- 活性層を挟む２つの光閉込め層と、キャップ層とを半導
体基板上に連続成長させた積層体構造の半導体レーザに
おいて、前記半導体基板とキャップ層の表面に、少なく
とも２種以上の異なる金属からなる多層電極を設け、前
記キャップ層表面の多層電極の内、少なくとも１層以上
を残して所定の幅で除去するように構成したことを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12244785A JPS61281573A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12244785A JPS61281573A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281573A true JPS61281573A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14836066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12244785A Pending JPS61281573A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281573A (ja) |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12244785A patent/JPS61281573A/ja active Pending
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