JPH07120832B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH07120832B2 JPH07120832B2 JP61189057A JP18905786A JPH07120832B2 JP H07120832 B2 JPH07120832 B2 JP H07120832B2 JP 61189057 A JP61189057 A JP 61189057A JP 18905786 A JP18905786 A JP 18905786A JP H07120832 B2 JPH07120832 B2 JP H07120832B2
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- Japan
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- layer
- recess
- semiconductor laser
- semiconductor layer
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術 近年、OEIC（光電子集積回路）デバイスの研究が盛んに
行なわれている。その中で電子回路形成時の基板の平坦
性を確保するために、基板にあらかじめ凹部を設け、そ
の凹部内に発光素子（例えば半導体レーザ）を形成する
方法がある。
行なわれている。その中で電子回路形成時の基板の平坦
性を確保するために、基板にあらかじめ凹部を設け、そ
の凹部内に発光素子（例えば半導体レーザ）を形成する
方法がある。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第２図ａで示されるように、このような
凹部に液相エピタキシャル法により成長を行なうと、凹
部中央には両側から成長してきた成長層の重なり合いの
ために平坦とはならず、大きな不連続部分が生じる。こ
のため凹部中央に平坦な活性層を有する半導体レーザ装
置を形成するのは極めて困難である。
凹部に液相エピタキシャル法により成長を行なうと、凹
部中央には両側から成長してきた成長層の重なり合いの
ために平坦とはならず、大きな不連続部分が生じる。こ
のため凹部中央に平坦な活性層を有する半導体レーザ装
置を形成するのは極めて困難である。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、基板の表面に凹部が形成され、前記凹部内に上面
が平坦な突起部を有する一導電型の第一の半導体層が形
成され、前記第一の半導体層上に反対導電型の第二の半
導体層が形成され、前記第二の半導体層の前記突起部直
上に少なくとも前記第一の半導体層の表面に達する深さ
の溝が形成され、かつ前記突起部直上に平坦な活性層を
含むダブルヘテロ構造の各層が形成されて構成されてい
る。
置は、基板の表面に凹部が形成され、前記凹部内に上面
が平坦な突起部を有する一導電型の第一の半導体層が形
成され、前記第一の半導体層上に反対導電型の第二の半
導体層が形成され、前記第二の半導体層の前記突起部直
上に少なくとも前記第一の半導体層の表面に達する深さ
の溝が形成され、かつ前記突起部直上に平坦な活性層を
含むダブルヘテロ構造の各層が形成されて構成されてい
る。
作用 上記の構成により第２図ｂに示すように突起部を成長の
種として層が形成されるので突起部上又はその近傍には
平坦な層を形成することができ、凹部内に平坦な活性層
を有する半導体レーザを形成することが可能となる。
種として層が形成されるので突起部上又はその近傍には
平坦な層を形成することができ、凹部内に平坦な活性層
を有する半導体レーザを形成することが可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について第３図および第１図を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
（100）面を有する半絶縁性GaAs基板１上に＜011＞方向
に幅400μｍ、深さ７μｍの凹部をエッチングにより形
成する。この凹部内表面にｐ型GaAs層２の成長を行なっ
た後、高さ２μｍ、幅15μｍのメサ2aをエッチングによ
り形成する（第３図ａ）。このｐ型GaAs層２上にｎ型Ga
As層３の成長を、メサ上の膜厚が１μｍとなるように行
なう。メサ上の成長表面は平坦な面となる。このウエハ
ーに第３図ｂに示すように、選択エッチングにより幅20
μｍ、高さ1.5μｍの平行なリッジ3a,3bを５μｍをへだ
てて形成する。リッジ3a,3bを形成したウエハー上に液
相エピタキシャル法によりｐ型GaAlAsの第１クラッド層
４、GaAlAsの活性層５、ｎ型GaAlAsの第２クラッド層６
およびｎ型GaAsコンタクト層７からなるダブルヘテロの
レーザ構造を形成する（第３図ｃ）。溝およびリッジ3
a,3b上の活性層は平坦となる。
に幅400μｍ、深さ７μｍの凹部をエッチングにより形
成する。この凹部内表面にｐ型GaAs層２の成長を行なっ
た後、高さ２μｍ、幅15μｍのメサ2aをエッチングによ
り形成する（第３図ａ）。このｐ型GaAs層２上にｎ型Ga
As層３の成長を、メサ上の膜厚が１μｍとなるように行
なう。メサ上の成長表面は平坦な面となる。このウエハ
ーに第３図ｂに示すように、選択エッチングにより幅20
μｍ、高さ1.5μｍの平行なリッジ3a,3bを５μｍをへだ
てて形成する。リッジ3a,3bを形成したウエハー上に液
相エピタキシャル法によりｐ型GaAlAsの第１クラッド層
４、GaAlAsの活性層５、ｎ型GaAlAsの第２クラッド層６
およびｎ型GaAsコンタクト層７からなるダブルヘテロの
レーザ構造を形成する（第３図ｃ）。溝およびリッジ3
a,3b上の活性層は平坦となる。
次に第１図に示すようにｎ型GaAsコンタクト層７上にｎ
側オーミック電極８、ｐ型GaAs2の表面にｐ側オーミッ
ク電極９を形成する工程を経て本発明の半導体レーザ装
置が完成する。
側オーミック電極８、ｐ型GaAs2の表面にｐ側オーミッ
ク電極９を形成する工程を経て本発明の半導体レーザ装
置が完成する。
発明の効果 以上のように本発明は、基板上に設けられた凹部の中に
突起が形成され、その突起上又はその近傍に活性層が形
成されることにより、前記凹部内にも液相エピタキシャ
ル法により、平坦な活性層を持つ半導体レーザを形成す
ることができ、その実用的価値は大なるものがある。
突起が形成され、その突起上又はその近傍に活性層が形
成されることにより、前記凹部内にも液相エピタキシャ
ル法により、平坦な活性層を持つ半導体レーザを形成す
ることができ、その実用的価値は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
構造図、第２図a,bはそれぞれ従来の凹部での成長、本
発明による凹部での成長を示す図、第３図ａ〜ｃは本発
明の実施例の作製工程を示す断面図である。 １……半絶縁性GaAs基板、２……ｐ型GaAs層、３……ｎ
型GaAsブロッキング層、４……ｐ型GaAlAsクラッド層、
５……GaAlAs活性層、６……ｎ型GaAlAsクラッド層、７
……ｎ型GaAsコンタクト層、８……ｎ側オーミック電
極、９……ｐ側オーミック電極。
構造図、第２図a,bはそれぞれ従来の凹部での成長、本
発明による凹部での成長を示す図、第３図ａ〜ｃは本発
明の実施例の作製工程を示す断面図である。 １……半絶縁性GaAs基板、２……ｐ型GaAs層、３……ｎ
型GaAsブロッキング層、４……ｐ型GaAlAsクラッド層、
５……GaAlAs活性層、６……ｎ型GaAlAsクラッド層、７
……ｎ型GaAsコンタクト層、８……ｎ側オーミック電
極、９……ｐ側オーミック電極。
Claims (1)
- 【請求項１】基板の表面に凹部が形成され、前記凹部内
に上面が平坦な突起部を有する一導電型の第一の半導体
層が形成され、前記第一の半導体層上に反対導電型の第
二の半導体層が形成され、前記第二の半導体層の前記突
起部直上に少なくとも前記第一の半導体層の表面に達す
る深さの溝が形成され、かつ前記突起部直上に平坦な活
性層を含むダブルヘテロ構造の各層が形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189057A JPH07120832B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189057A JPH07120832B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344790A JPS6344790A (ja) | 1988-02-25 |
| JPH07120832B2 true JPH07120832B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16234567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61189057A Expired - Lifetime JPH07120832B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120832B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4958139B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-06-20 | 日置電機株式会社 | 変位最終出力端付きの変位拡大機構および該変位拡大機構を具備させた処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045082A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ集積回路装置 |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP61189057A patent/JPH07120832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344790A (ja) | 1988-02-25 |
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