JPS61284171A - レ−ザ−ビ−ムプリンタ - Google Patents
レ−ザ−ビ−ムプリンタInfo
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- JPS61284171A JPS61284171A JP60125103A JP12510385A JPS61284171A JP S61284171 A JPS61284171 A JP S61284171A JP 60125103 A JP60125103 A JP 60125103A JP 12510385 A JP12510385 A JP 12510385A JP S61284171 A JPS61284171 A JP S61284171A
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- semiconductor laser
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/024—Arrangements for thermal management
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- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は被記録信号に対応して変調されるレーザービー
ムによって感光体上を走査して情報を記録する装置いわ
ゆるレーザービームプリンタＫＲし、特に半導体レーザ
ーを使用したレーザービームプリンタに関する。
ムによって感光体上を走査して情報を記録する装置いわ
ゆるレーザービームプリンタＫＲし、特に半導体レーザ
ーを使用したレーザービームプリンタに関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点）半導
体レーザーにあっては、現在の最短の発振波長は７６０
ｎｍ〜８１０ｎｍの範囲にあシ、電子写真感光体を赤外
増感して使用する必要があるが、半導体レーザーの波長
範囲で感光体の感度が変化する。これに加えて半導体レ
ーザーは、半導体チップの温度によってレーザー波長が
変化するという問題があった。
体レーザーにあっては、現在の最短の発振波長は７６０
ｎｍ〜８１０ｎｍの範囲にあシ、電子写真感光体を赤外
増感して使用する必要があるが、半導体レーザーの波長
範囲で感光体の感度が変化する。これに加えて半導体レ
ーザーは、半導体チップの温度によってレーザー波長が
変化するという問題があった。
即ち、温度によってレーザー波長はおおよそ０．２〜０
．３℃ｍ／℃の割合で変化する。従ってレーザーチップ
の温度が標準室温２５℃から３５℃に変化すると、おお
よそ２〜３℃ｍだけ波長が長い方ヘシフトする。逆にレ
ーザーチップの温度が標準室温から５℃に低下すると、
レーザーの波長は短い方に４〜６℃ｍシフトする。
．３℃ｍ／℃の割合で変化する。従ってレーザーチップ
の温度が標準室温２５℃から３５℃に変化すると、おお
よそ２〜３℃ｍだけ波長が長い方ヘシフトする。逆にレ
ーザーチップの温度が標準室温から５℃に低下すると、
レーザーの波長は短い方に４〜６℃ｍシフトする。
一方、半導体レーザーを適用できる例えば電子写真感光
体は、半導体レーザーの発振波長６６０ｎｍ 〜８３０
ｎｍに感度を有するが、７６０〜８１０ｎｍ付近で大
きく感度が変化する特性を有する（長波長になる程感度
が低下する）。この様子をｔＸ６図に示す。横軸は波長
、縦軸はレーデ−用感光体の相対感度を示す。
体は、半導体レーザーの発振波長６６０ｎｍ 〜８３０
ｎｍに感度を有するが、７６０〜８１０ｎｍ付近で大
きく感度が変化する特性を有する（長波長になる程感度
が低下する）。この様子をｔＸ６図に示す。横軸は波長
、縦軸はレーデ−用感光体の相対感度を示す。
このように、半導体レーザーの波長変動により、レーザ
ー用感光体の感度、従ってレーザーが照射された部分の
感光体の表面電位は大きく変化するためにレーデ−の波
長を一定にすることが記録された画質を安定にするため
に必要となる。
ー用感光体の感度、従ってレーザーが照射された部分の
感光体の表面電位は大きく変化するためにレーデ−の波
長を一定にすることが記録された画質を安定にするため
に必要となる。
このため、従来の半導体レーザーを用いた情報記録装置
では、加熱と冷却の可能なベルチェ素子を用いてレーザ
ーチップ及びレーザーチップの周囲温度を、常に２０〜
２５℃程度の一定温度に維持してきた。しかし２０〜２
５℃にレーデ−チップを維持するためには、ベルチェ素
子に正負の両極性の電圧と大電流が必要であシ、従って
大型でかつ大容量の電源が必要であった。
では、加熱と冷却の可能なベルチェ素子を用いてレーザ
ーチップ及びレーザーチップの周囲温度を、常に２０〜
２５℃程度の一定温度に維持してきた。しかし２０〜２
５℃にレーデ−チップを維持するためには、ベルチェ素
子に正負の両極性の電圧と大電流が必要であシ、従って
大型でかつ大容量の電源が必要であった。
また、放熱板を必要とするためベルチェ素子全体が大型
であシ、かつベルチェ素子自体も必ずしも安定したもの
ではない。さらには室温が低温から高温に急激に上昇す
ると、レーザーチップ付近は２０〜２５℃に維持される
ため、半導体レーザーユニットのがラス窓に露結する現
象も発生することがらシ、出射ビームを散乱させ、画像
がぼけたシ乱れたシするという問題があった。
であシ、かつベルチェ素子自体も必ずしも安定したもの
ではない。さらには室温が低温から高温に急激に上昇す
ると、レーザーチップ付近は２０〜２５℃に維持される
ため、半導体レーザーユニットのがラス窓に露結する現
象も発生することがらシ、出射ビームを散乱させ、画像
がぼけたシ乱れたシするという問題があった。
さらに半導体レーザーごとにレーザー波長の温度特性に
ばらつきがあシ、同一の温度でもレーザーの出力がまち
まちであるという問題もあった。
ばらつきがあシ、同一の温度でもレーザーの出力がまち
まちであるという問題もあった。
本発明は、従来技術の斯かる問題点を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、半導体レーザ
ーの温度特性のばらつきおよび半導体レーデ−の温度変
化によるレーザービームの波長変動に対応してレーザー
出力を補正することによ）、温度が変化した場合でも感
光体のレーザービーム露光部の表面電位を一定に保ち安
定した画質を得ることを目的とし、さらに半導体レーザ
ーの優れ九特長を活かして不型かつ安価で、さらに使い
ヤスいレーザービームプリンタを提供することにある。
されたもので、その目的とするところは、半導体レーザ
ーの温度特性のばらつきおよび半導体レーデ−の温度変
化によるレーザービームの波長変動に対応してレーザー
出力を補正することによ）、温度が変化した場合でも感
光体のレーザービーム露光部の表面電位を一定に保ち安
定した画質を得ることを目的とし、さらに半導体レーザ
ーの優れ九特長を活かして不型かつ安価で、さらに使い
ヤスいレーザービームプリンタを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明に係るレーザービ
ームプリンタにあっては、半導体レーデ−の温度を検知
する温度検知手段と、この半導体レーザーの所定温度で
の発光波長を指示する基準波長信号全発生する基準波長
指示手段とが設けられ、さらに上記温度検知手段により
検知された温度検知信号と上記基準波長指示手段により
指示された基準波長信号とに基づいて半導体レーザーの
レーザー出力を制御する制御手段が設けられたものから
成っている。
ームプリンタにあっては、半導体レーデ−の温度を検知
する温度検知手段と、この半導体レーザーの所定温度で
の発光波長を指示する基準波長信号全発生する基準波長
指示手段とが設けられ、さらに上記温度検知手段により
検知された温度検知信号と上記基準波長指示手段により
指示された基準波長信号とに基づいて半導体レーザーの
レーザー出力を制御する制御手段が設けられたものから
成っている。
（実施例）
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。本発
明に係るレーザービームプリンタｔ 示ｆ第１図乃至第
５図にあって、１はコンピュータ、ワードプロセッサ、
ファクシミリ送信機等からの被記録情報信号によって点
滅変調駆動される半導体レーザーユニットである。この
半導体レーザーユニット１は第３図に示すように光学箱
３１に取付けられている。半導体レーザーユニット１の
発振シたレーザービーム２は、モータ３によって回転駆
動される多面鏡４によ）偏向走査され、レンＸ″５によ
）矢印方向に回転する電子写真感光体ドラム６にスポッ
ト状に結像され、このドラム６ｔ−走査する。尚、７は
ビーム２を下方に反射してドラム方向に指向させるミ２
−である。
明に係るレーザービームプリンタｔ 示ｆ第１図乃至第
５図にあって、１はコンピュータ、ワードプロセッサ、
ファクシミリ送信機等からの被記録情報信号によって点
滅変調駆動される半導体レーザーユニットである。この
半導体レーザーユニット１は第３図に示すように光学箱
３１に取付けられている。半導体レーザーユニット１の
発振シたレーザービーム２は、モータ３によって回転駆
動される多面鏡４によ）偏向走査され、レンＸ″５によ
）矢印方向に回転する電子写真感光体ドラム６にスポッ
ト状に結像され、このドラム６ｔ−走査する。尚、７は
ビーム２を下方に反射してドラム方向に指向させるミ２
−である。
上記感光体は半導体レーザーの発振波長域に感度のある
感光体例えば金属７タロシアニン系有機光導電体、アモ
ルファスシリコン光導電体、セレン系光導電体、硫化カ
ドミウム等を用いる。
感光体例えば金属７タロシアニン系有機光導電体、アモ
ルファスシリコン光導電体、セレン系光導電体、硫化カ
ドミウム等を用いる。
８は帯電器であシ、上記有機光導電体等に被覆された感
光体ドラム６上に一様帯電を行なう。
光体ドラム６上に一様帯電を行なう。
この帯電器８によって帯電され７’（感光体ドラム６は
、前述のレーザービーム２によって走査され、静電潜像
が形成される。この実施例ではトナーを付着させる部分
（つまル顕像化される部分）ｔ−レーザービームで照射
する。即ち、レーザービームが照射された部分を現像す
るいわゆるイメージスキャン方式を用いている。なぜな
ら、イメージスキャン方式はパックグラウンドスキャン
方式に較べて画質が鮮明でおり、レーザーの発光時間が
少くてすみ、半導体レーザーの寿命に対し有利であるか
らである。
、前述のレーザービーム２によって走査され、静電潜像
が形成される。この実施例ではトナーを付着させる部分
（つまル顕像化される部分）ｔ−レーザービームで照射
する。即ち、レーザービームが照射された部分を現像す
るいわゆるイメージスキャン方式を用いている。なぜな
ら、イメージスキャン方式はパックグラウンドスキャン
方式に較べて画質が鮮明でおり、レーザーの発光時間が
少くてすみ、半導体レーザーの寿命に対し有利であるか
らである。
この静電潜像は、次の現像器９によって顕儂化される。
一方墳載台Ｓ上のシートＰは、給送ローラ１０と感光体
ドラム６上の画像と同期するようタイミングをとって回
転するレジストローラ１１によって、感光体ドラム６上
に送シ込まれる。そして、転写帯電器１２によって感光
体ドラム６上のトナー像は、シートＰ上に転写される。
ドラム６上の画像と同期するようタイミングをとって回
転するレジストローラ１１によって、感光体ドラム６上
に送シ込まれる。そして、転写帯電器１２によって感光
体ドラム６上のトナー像は、シートＰ上に転写される。
その後分離手段１３ｍによって感光体ドラム６から分離
されたシートＰは、ガイド１３によって定着装置１４に
導かれシー）Ｐ上のトナー像が定着された後に、排出ロ
ーラ１５によりトレイ１６上に排出される。
されたシートＰは、ガイド１３によって定着装置１４に
導かれシー）Ｐ上のトナー像が定着された後に、排出ロ
ーラ１５によりトレイ１６上に排出される。
一方、転写後の感光体ドラム表面はクリーニング装置１
７によってクリーニングされる。
７によってクリーニングされる。
第４図に半導体レーザーユニット１ｔ−示す。≧ニット
１は基板１９と、この基板１９に固定された支持体２０
と、この支持体２０に固定された半導体レーザー１８（
チップ）と、支持体２０及び半導体レーザー１８を覆っ
て密閉するキャップ２１とを有している。キャップ２１
はレーザービームの通過するガラス窓２２を有している
。１９，２０゜２１（窓２２を除く）の部材はアルミニ
ウム、真鋳、ステンレススチール等、金属の熱伝導性の
よい材質で形成してもよい。
１は基板１９と、この基板１９に固定された支持体２０
と、この支持体２０に固定された半導体レーザー１８（
チップ）と、支持体２０及び半導体レーザー１８を覆っ
て密閉するキャップ２１とを有している。キャップ２１
はレーザービームの通過するガラス窓２２を有している
。１９，２０゜２１（窓２２を除く）の部材はアルミニ
ウム、真鋳、ステンレススチール等、金属の熱伝導性の
よい材質で形成してもよい。
２３は半導体レーザー１８の近傍に配置されたサーミス
タ等の温度検知手段であシ、半導体レーデ−１８の温度
を検知するよう罠なっている。さらに３０は基準波長指
示手段としてのディップスイッチであシ、所定温度での
半導体レーザー１８の発光波長を指示する基準波長信号
を発生するようになっている。ディップスイッチ３０は
半導体レーザーユニット１と一体で取外し、あるいは交
換可能となっている。このディップスイッチ３０の設定
は、たとえば室温２５℃における半導体レーザー１８の
発光波長をあらかじめ測定し、測定値に応じて第５図に
示すようにディップスイッチ３０によって３レベルａ、
ｂ、ｃに分けて設定される。このディップスイッチ３０
により設定された基準波長信号Ｘを後記する制御手段２
５により読取シ、半導体レーデ−１８の出力の中心値が
決定される。さらに温度検知手段２３はＡ−Ｄ変換器２
４と接続されておシ、検知された温度検知信号ＹがＡ−
Ｄ変換器２４１Ｃ送られる。さらにＡ−Ｄ変換器２４は
制御手段２５に接続されておシ、制御手段２５によ、９
Ａ−Ｄ変換器２４によってディジタル量に変換された検
知温度の値に応じて半導体レーザー１８の出力を補正す
るようになっている。即ち制御手段２５はレーザー駆動
回路２６に接続されておシ、制御手段２５によりレーデ
ー駆動回路２６を制御するようになっている。
タ等の温度検知手段であシ、半導体レーデ−１８の温度
を検知するよう罠なっている。さらに３０は基準波長指
示手段としてのディップスイッチであシ、所定温度での
半導体レーザー１８の発光波長を指示する基準波長信号
を発生するようになっている。ディップスイッチ３０は
半導体レーザーユニット１と一体で取外し、あるいは交
換可能となっている。このディップスイッチ３０の設定
は、たとえば室温２５℃における半導体レーザー１８の
発光波長をあらかじめ測定し、測定値に応じて第５図に
示すようにディップスイッチ３０によって３レベルａ、
ｂ、ｃに分けて設定される。このディップスイッチ３０
により設定された基準波長信号Ｘを後記する制御手段２
５により読取シ、半導体レーデ−１８の出力の中心値が
決定される。さらに温度検知手段２３はＡ−Ｄ変換器２
４と接続されておシ、検知された温度検知信号ＹがＡ−
Ｄ変換器２４１Ｃ送られる。さらにＡ−Ｄ変換器２４は
制御手段２５に接続されておシ、制御手段２５によ、９
Ａ−Ｄ変換器２４によってディジタル量に変換された検
知温度の値に応じて半導体レーザー１８の出力を補正す
るようになっている。即ち制御手段２５はレーザー駆動
回路２６に接続されておシ、制御手段２５によりレーデ
ー駆動回路２６を制御するようになっている。
たとえば室温２５℃で第６図に示すＡ点の波長７９０ｎ
ｍの半導体レーザーにおいて、周囲温度が１０℃に低下
したとすると、レーザーの波長は前述したように最大０
．３ Ｘ （２５℃−１０℃） ＝ ４．５ｎｍ短くな
シ、Ａ′点となる。そうすると第６図に示すように感光
体ドラム６の相対感度は良くなシ、レーザービームが照
射された部分の電位が低くな）過ぎる。そこで第７図に
示すように制御手段２５によりレーデーパワーを弱くし
て感光体ドラム６の表面電位を補正する。一方周囲温度
が３５℃に、上昇した場合、レーザーの波長は最大Ｑ、
３ Ｘ （３５℃−２５℃） ＝ ３ ｎｍ長い方へシ
フトする。即ち第６図のに点とな少、相対感度は悪くな
ル感光体ドラム６の表面電位は上昇する。そこで第７図
の１点までレーザーパワーを高めてレーザーが照射され
た部分の電位を一定にするように制御手段２５によ）レ
ーザー駆動電流を補正する。
ｍの半導体レーザーにおいて、周囲温度が１０℃に低下
したとすると、レーザーの波長は前述したように最大０
．３ Ｘ （２５℃−１０℃） ＝ ４．５ｎｍ短くな
シ、Ａ′点となる。そうすると第６図に示すように感光
体ドラム６の相対感度は良くなシ、レーザービームが照
射された部分の電位が低くな）過ぎる。そこで第７図に
示すように制御手段２５によりレーデーパワーを弱くし
て感光体ドラム６の表面電位を補正する。一方周囲温度
が３５℃に、上昇した場合、レーザーの波長は最大Ｑ、
３ Ｘ （３５℃−２５℃） ＝ ３ ｎｍ長い方へシ
フトする。即ち第６図のに点とな少、相対感度は悪くな
ル感光体ドラム６の表面電位は上昇する。そこで第７図
の１点までレーザーパワーを高めてレーザーが照射され
た部分の電位を一定にするように制御手段２５によ）レ
ーザー駆動電流を補正する。
また半導体レーザー１８のレーザーチップの感光体走査
用ビームの出射側と反対側に、フォトダイオード等の７
オトセンサ２７が設けられている。
用ビームの出射側と反対側に、フォトダイオード等の７
オトセンサ２７が設けられている。
７オトセンサ２７は制御手段２５に接続されておシ、レ
ーザーチップの裏面の光を受けて光量を検出して、制御
手段によりその受光量を一定にするようにレーザー駆動
電流を調節するようになっている。つｔｂ、レーザーチ
ップの温度が一定である限シ、レーザーの出力は該温度
に対応した値に保持されるように制御される。
ーザーチップの裏面の光を受けて光量を検出して、制御
手段によりその受光量を一定にするようにレーザー駆動
電流を調節するようになっている。つｔｂ、レーザーチ
ップの温度が一定である限シ、レーザーの出力は該温度
に対応した値に保持されるように制御される。
ここで半導体レーザー１８の波長は７７０ｎｍから８０
０ｎｍまでの範囲内である＠をもって分布するため、あ
らかじめ室温２５℃において半導体レーデ−１８の発光
波長を測定しておき、波長を３つのレベルに分けてレベ
ルごとに第５図のようにディップスイッチ３０ｔ−切換
えて設定しておく。
０ｎｍまでの範囲内である＠をもって分布するため、あ
らかじめ室温２５℃において半導体レーデ−１８の発光
波長を測定しておき、波長を３つのレベルに分けてレベ
ルごとに第５図のようにディップスイッチ３０ｔ−切換
えて設定しておく。
たとえば第５図（ａ）の設定は室温２５℃で７９０ｎｍ
の波長のレーザービームに対応するもので、温度検知手
段２３から出力される温度検知信号Ｙ″ｒＡ’からにの
範囲で、前述したような半導体レーザー１８の出力調整
が行なわれる。また第８図に示す設定Ｂでは室温２５℃
で７８５ｎｍの基準波長信号Ｘと温度検知手段２３から
出力される温度検知信号Ｙに対応して制御手段２５によ
ｐ Ｂｙから１の範囲内で半導体レーザー１８の出力の
調整が行なわれる。これらのディップスイッチ３ｏによ
る第５図侃）〜（ｃ）の設定下での半導体レーデ−１８
の温度に対する出力の補正は、あらかじめ制御手段２５
に第７図および第９図に示されるような補正曲線を記憶
させておき行なえばよい。
の波長のレーザービームに対応するもので、温度検知手
段２３から出力される温度検知信号Ｙ″ｒＡ’からにの
範囲で、前述したような半導体レーザー１８の出力調整
が行なわれる。また第８図に示す設定Ｂでは室温２５℃
で７８５ｎｍの基準波長信号Ｘと温度検知手段２３から
出力される温度検知信号Ｙに対応して制御手段２５によ
ｐ Ｂｙから１の範囲内で半導体レーザー１８の出力の
調整が行なわれる。これらのディップスイッチ３ｏによ
る第５図侃）〜（ｃ）の設定下での半導体レーデ−１８
の温度に対する出力の補正は、あらかじめ制御手段２５
に第７図および第９図に示されるような補正曲線を記憶
させておき行なえばよい。
なお図中、２８はコンピュータ等からレーザー駆動回路
２６に入力される被記録情報信号であシ、２９は電源で
ある。
２６に入力される被記録情報信号であシ、２９は電源で
ある。
上記した実施例では、第６図に示す相対感度をもつ感光
体について説明したが、レーザービームの走査密度、又
は感光体のロット毎の感度のばらつきにより他の相対感
度をもつ場合がある。その場合は、複数の補正曲線を制
御手段２５に記憶させておく。走査密度の違いによる場
合においては切換えスイッチを設けるか、走査密度毎に
異なる制御手段を使用すればよい。まｆｃ！ｒ！＆光体
のロットのばらつきの場合は、感光体ドラムをレーザー
ビームプリンタにセットするカートリッツ釦複数の突起
を設けて訃き、突起の組合せにょシレーザービームプリ
ンタ本体側の所定のマイクロスイッチを切換えるように
して、それぞれの感光体に対応する補正曲線を選択する
ようにＴｌ１ｔｌ冬゛ま（ｔ０また本実施例では基準波
長指示手段としてディップスイッチ３０ｔ−用いる例に
ついて説明したが、可変抵抗器のようなものを半導体レ
ーザー二二ツト１に取付け、基準波長信号Ｘとして装置
本体側のＡ−Ｄ変換器２４でこの抵抗Ｋかかる電圧を読
み込むようにしてもよい。
体について説明したが、レーザービームの走査密度、又
は感光体のロット毎の感度のばらつきにより他の相対感
度をもつ場合がある。その場合は、複数の補正曲線を制
御手段２５に記憶させておく。走査密度の違いによる場
合においては切換えスイッチを設けるか、走査密度毎に
異なる制御手段を使用すればよい。まｆｃ！ｒ！＆光体
のロットのばらつきの場合は、感光体ドラムをレーザー
ビームプリンタにセットするカートリッツ釦複数の突起
を設けて訃き、突起の組合せにょシレーザービームプリ
ンタ本体側の所定のマイクロスイッチを切換えるように
して、それぞれの感光体に対応する補正曲線を選択する
ようにＴｌ１ｔｌ冬゛ま（ｔ０また本実施例では基準波
長指示手段としてディップスイッチ３０ｔ−用いる例に
ついて説明したが、可変抵抗器のようなものを半導体レ
ーザー二二ツト１に取付け、基準波長信号Ｘとして装置
本体側のＡ−Ｄ変換器２４でこの抵抗Ｋかかる電圧を読
み込むようにしてもよい。
（発明の効果）
本発明に係るレーザービームプリンタは以上の構成及び
イ″ｆ、＄から成るもので、半導体レーザー周辺の温度
変化によるレーザービームの波長変動があった場合にあ
っても、温度変化に対応してレーザー出力が補正されて
感光体のレーザービーム露光部の表面電位は一定に保た
れるので、常に安定した画質が得られる。さらに半導体
レーザーの所定温度での発光波長く対応する基準波長信
号が、基準波長指示手段により出力されるので、半導体
レーザーの交換の際に半導体レニザーの波長の温度特性
が異なる場合でもレーザー出方は各半導体レーデ−の基
準波長に基づいて補正され、安定した画質が得られる。
イ″ｆ、＄から成るもので、半導体レーザー周辺の温度
変化によるレーザービームの波長変動があった場合にあ
っても、温度変化に対応してレーザー出力が補正されて
感光体のレーザービーム露光部の表面電位は一定に保た
れるので、常に安定した画質が得られる。さらに半導体
レーザーの所定温度での発光波長く対応する基準波長信
号が、基準波長指示手段により出力されるので、半導体
レーザーの交換の際に半導体レニザーの波長の温度特性
が異なる場合でもレーザー出方は各半導体レーデ−の基
準波長に基づいて補正され、安定した画質が得られる。
また温度変化に対応してレーザー出力を制御するように
したので、従来のように半導体レーザーの温度を一定に
保つために高価で、かつ大型のベルチェ素子を使用する
必要は無くなシ、半導体レーザーの長所である小型であ
ること、安価であること、変調器が不要であること、半
導体レーザー素子を一定温度にするまでの時間が不要で
あること等の特性を活かして小型かつ安価で、さらに使
いやすいレーザービームプリンタが得られる。また室温
が低温から高温に急激に上昇した際にも、半導体レーザ
ーの温度は室温と共に高くなって半導体レーザー近傍の
空気はそれ程冷却されず、ベルチェ素子を使った場合の
ように露結によル画偉がぼけたシ、乱れたシすることは
無くなる等の種々の効果が得られる。
したので、従来のように半導体レーザーの温度を一定に
保つために高価で、かつ大型のベルチェ素子を使用する
必要は無くなシ、半導体レーザーの長所である小型であ
ること、安価であること、変調器が不要であること、半
導体レーザー素子を一定温度にするまでの時間が不要で
あること等の特性を活かして小型かつ安価で、さらに使
いやすいレーザービームプリンタが得られる。また室温
が低温から高温に急激に上昇した際にも、半導体レーザ
ーの温度は室温と共に高くなって半導体レーザー近傍の
空気はそれ程冷却されず、ベルチェ素子を使った場合の
ように露結によル画偉がぼけたシ、乱れたシすることは
無くなる等の種々の効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例に係るレーザービームプリン
タの半導体レーザーの制御ブロック図、第２図は本発明
の一実施例に係るレーザービームプリンタの概略正面断
面図、第３図は第２図の装置のレーザー光学系を示す斜
視図、第４図は第２図の装置の半導体レーザーユニット
ヲ示す概略正面断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）は第４図のディップスイッチの各設定位置を示
すディップスイッチの正面図、第６図および第８図は第
２図の装置に使用される感光体ドラムの相対感度を示す
図、第７図および第９図はレーザービームの波長と波長
に対応して制御されるレーザー出力との関係図である。 符号の説明 １・・・半導体レーザーユニット ２・・・レーザービーム ６・・・感光体ドラム１８
・・・半導体レーザー ２３・・・温度検知手段２
４・・・Ａ−Ｄ変換器 ２５・・・制御手段２６・
・・レーザー駆動回路 ２７・・・７オトセンサ２
８・・・被記録情報省号 ３０・・・ディップスイッ
チ（基準波長指示手段）
タの半導体レーザーの制御ブロック図、第２図は本発明
の一実施例に係るレーザービームプリンタの概略正面断
面図、第３図は第２図の装置のレーザー光学系を示す斜
視図、第４図は第２図の装置の半導体レーザーユニット
ヲ示す概略正面断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）は第４図のディップスイッチの各設定位置を示
すディップスイッチの正面図、第６図および第８図は第
２図の装置に使用される感光体ドラムの相対感度を示す
図、第７図および第９図はレーザービームの波長と波長
に対応して制御されるレーザー出力との関係図である。 符号の説明 １・・・半導体レーザーユニット ２・・・レーザービーム ６・・・感光体ドラム１８
・・・半導体レーザー ２３・・・温度検知手段２
４・・・Ａ−Ｄ変換器 ２５・・・制御手段２６・
・・レーザー駆動回路 ２７・・・７オトセンサ２
８・・・被記録情報省号 ３０・・・ディップスイッ
チ（基準波長指示手段）
Claims (1)
- 被記録情報信号に対応して駆動される半導体レーザーに
より射出されるレーザービームにより感光体上を走査し
て情報を記録するレーザービームプリンタにおいて、上
記半導体レーザーの温度を検知する温度検知手段と、上
記半導体レーザーの所定温度での発光波長を指示する基
準波長信号を発生する基準波長指示手段とを設け、さら
に上記温度検知手段により検知された温度検知信号と上
記基準波長指示手段により指示された基準波長信号とに
基づいて上記半導体レーザーのレーザー出力を制御する
制御手段を設けたことを特徴とするレーザービームプリ
ンタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125103A JPS61284171A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ |
| US06/872,510 US4725854A (en) | 1985-06-11 | 1986-06-10 | Laser emitting apparatus and laser beam printer using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125103A JPS61284171A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284171A true JPS61284171A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14901922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60125103A Pending JPS61284171A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4725854A (ja) |
| JP (1) | JPS61284171A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273361B1 (en) * | 1986-12-29 | 1994-06-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser beam recording method and apparatus |
| US4989039A (en) * | 1987-01-19 | 1991-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus responsive to environmental conditions |
| JP2627500B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1997-07-09 | 旭光学工業株式会社 | レーザプリンタ用光学ユニットの異常伝達装置及びレーザプリンタ |
| JPH0626421B2 (ja) * | 1987-02-25 | 1994-04-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 半導体レ−ザのドル−プ補正装置 |
| US4967284A (en) * | 1987-10-19 | 1990-10-30 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and method of controlling output of semiconductor laser |
| US5073838A (en) * | 1989-12-04 | 1991-12-17 | Ncr Corporation | Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device |
| US5191362A (en) * | 1990-02-21 | 1993-03-02 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Electrophotographic printing apparatus with a control system responsive to temperature changes |
| US5123023A (en) * | 1990-11-21 | 1992-06-16 | Polaroid Corporation | Laser driver with plural feedback loops |
| US5420877A (en) * | 1993-07-16 | 1995-05-30 | Cymer Laser Technologies | Temperature compensation method and apparatus for wave meters and tunable lasers controlled thereby |
| US5444728A (en) * | 1993-12-23 | 1995-08-22 | Polaroid Corporation | Laser driver circuit |
| US6516010B1 (en) | 1999-07-13 | 2003-02-04 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for active numeric temperature compensation of an etalon in a wavelength stabilized laser |
| JP4986407B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-07-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | レーザモジュール、その制御方法、その制御のための制御データの生成方法およびその制御データ |
| JP4305501B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2009-07-29 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像形成装置、画像形成方法、および画像形成プログラム |
| JP2009182050A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Ricoh Co Ltd | レーザ光量制御装置、レーザ光量制御方法、画像形成装置 |
| JP6306659B1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-04 | ファナック株式会社 | ビーム分配器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
| US4639924A (en) * | 1982-09-03 | 1987-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive system for a semiconductor laser |
| JPS60120663A (ja) * | 1983-12-03 | 1985-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ記録装置 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60125103A patent/JPS61284171A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-10 US US06/872,510 patent/US4725854A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4725854A (en) | 1988-02-16 |
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