JPS61284579A - プラズマ集中型ｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマ集中型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61284579A JPS61284579A JP60126520A JP12652085A JPS61284579A JP S61284579 A JPS61284579 A JP S61284579A JP 60126520 A JP60126520 A JP 60126520A JP 12652085 A JP12652085 A JP 12652085A JP S61284579 A JPS61284579 A JP S61284579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- anode
- magnetic field
- vacuum chamber
- plasma source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体プロセス技術２表面処理技術等の膜付け
を行なうプラズマ集中型ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置に関するも
のである。
を行なうプラズマ集中型ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置に関するも
のである。
従来の技術
第６図は従来のプラズマＣＶＤ装置の原理的構成図であ
シ、１は真空槽、２はガス導入口、３は排気系、４は真
空槽１内に設けられたプラズマ発生用の高周波電極、６
は高周波電極４と対向配置された試料台、６は試料台５
の上に配置された試料基板である。
シ、１は真空槽、２はガス導入口、３は排気系、４は真
空槽１内に設けられたプラズマ発生用の高周波電極、６
は高周波電極４と対向配置された試料台、６は試料台５
の上に配置された試料基板である。
以上のように構成された従来のプラズマＣＶＤ装置の動
作について説明する。すなわち、試料台５を３００〜５
００℃に加熱し、ガス導入口２より、たとえばシランガ
ス（Ｓ ｉ Ｈ４）およびアンモニアガス（ＮＨ３）を
導入し、高周波電源７から高周波電極４に電力を印加し
て、一般にガス圧１Ｑ〜１０５Ｐａでプラズマ８を発生
させ、ＳｉＨ４やＮＨ３が解離し、この解離したイオン
やラジカルが、試料基板６の表面上で反応・化合し、窒
化シリコン膜を堆積させるものである。
作について説明する。すなわち、試料台５を３００〜５
００℃に加熱し、ガス導入口２より、たとえばシランガ
ス（Ｓ ｉ Ｈ４）およびアンモニアガス（ＮＨ３）を
導入し、高周波電源７から高周波電極４に電力を印加し
て、一般にガス圧１Ｑ〜１０５Ｐａでプラズマ８を発生
させ、ＳｉＨ４やＮＨ３が解離し、この解離したイオン
やラジカルが、試料基板６の表面上で反応・化合し、窒
化シリコン膜を堆積させるものである。
さらにもう一つの従来例として、第６図に示すようなマ
イクロ波放電によシ発生したプラズマを試料まで輸送し
て膜形成を行うプラズマ輸送法ＣＶＤ装置がある。９は
真空槽、１０は真空槽９のまわシにまかれたコイル、１
１は真空槽１０内に設けられたプラズマ源、１２はプラ
ズマ源１１に対向配置された試料であり、導波管１２に
よシマイクロ波をプラズマ源１１に導入する。この従来
例ではマイクロ波放電によって発生したプラズマ１４を
、コイル１０からの平行磁界によシ、熱的拡散によって
プラズマ流１４′を試料１３の表面に輸送することによ
り、試料６に膜形成を行うものである。
イクロ波放電によシ発生したプラズマを試料まで輸送し
て膜形成を行うプラズマ輸送法ＣＶＤ装置がある。９は
真空槽、１０は真空槽９のまわシにまかれたコイル、１
１は真空槽１０内に設けられたプラズマ源、１２はプラ
ズマ源１１に対向配置された試料であり、導波管１２に
よシマイクロ波をプラズマ源１１に導入する。この従来
例ではマイクロ波放電によって発生したプラズマ１４を
、コイル１０からの平行磁界によシ、熱的拡散によって
プラズマ流１４′を試料１３の表面に輸送することによ
り、試料６に膜形成を行うものである。
発Ｆ３Ａか解決しようとする問題点
しかし、第５図のような構造のプラズマＣＶＤ装置では
、Ｓ Ｉ Ｈ４やＮＨ３の分解が不充分で、水素が多量
に膜内に取り込まれたり、結合の不完全部分が多く残シ
、緻密性のよい膜が得られないという問題点があった。
、Ｓ Ｉ Ｈ４やＮＨ３の分解が不充分で、水素が多量
に膜内に取り込まれたり、結合の不完全部分が多く残シ
、緻密性のよい膜が得られないという問題点があった。
つまり、プラズマ８が生成される所に試料基板６がある
ので、プラズマ密度が低く、解離が充分に行われていな
い状態で、試料基板６の表面上で反応・化合するためで
あった。
ので、プラズマ密度が低く、解離が充分に行われていな
い状態で、試料基板６の表面上で反応・化合するためで
あった。
また、第６図のような構造のプラズマ輸送法ＣＶＤ装置
では、プラズマ流１４の径が２ｃｍ程度と小さく、膜形
成可能な面積が従来のプラズマＣＶＤ装置に比較して小
さく、生産性が低いという問題点があった。
では、プラズマ流１４の径が２ｃｍ程度と小さく、膜形
成可能な面積が従来のプラズマＣＶＤ装置に比較して小
さく、生産性が低いという問題点があった。
つまり、プラズマ流１４の径がプラズマ源１１の口径に
より決定されるためであった。
より決定されるためであった。
そこで、本発明は上記従来の問題点を解消するもので、
従来のプラズマＣＶＤ装置の特長を生かし、良質の薄膜
を大面積にわたって高速で均一に形成できるプラズマ集
中型ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
従来のプラズマＣＶＤ装置の特長を生かし、良質の薄膜
を大面積にわたって高速で均一に形成できるプラズマ集
中型ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の装置は、真空槽と、真空槽にプラズマが放射さ
れるように設置されたプラズマ源と、プラズマ源とは垂
直に配置された陽極と、プラズマ源から放射されたプラ
ズマ陽極上に集中させるためにプラズマ流を曲げるため
の磁界と、陽極近傍にガスを導入するだめのガス導入管
を備えたものある。
れるように設置されたプラズマ源と、プラズマ源とは垂
直に配置された陽極と、プラズマ源から放射されたプラ
ズマ陽極上に集中させるためにプラズマ流を曲げるため
の磁界と、陽極近傍にガスを導入するだめのガス導入管
を備えたものある。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、真空槽の周りから放射されたプラズマをカス
プ磁界を用いて、垂直方向に曲げ、基板にプラズマを集
中させる。
プ磁界を用いて、垂直方向に曲げ、基板にプラズマを集
中させる。
この結果、高密度のプラズマを基板の真上に集めること
ができ、高速で均一に高品質の薄膜を堆積させることが
できる。
ができ、高速で均一に高品質の薄膜を堆積させることが
できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズマ集中型
高速ＣＶＤ装置の構成を示すものである。
高速ＣＶＤ装置の構成を示すものである。
第１図において、１５は真空槽、１６はガス導入口、１
７は放電陰極、１８は第１の中間電極、１９は第２の中
間電極、２Ｑは第１の中間電極１８内に設けられた磁石
、２１は放電陰極１７と第１の電極１８と第２の電極１
９とで構成されたリング状のプラズマ源−２２はコイル
−２３はプラズマ源２１の陽極、２４は陽極２３の下に
配置された棒状の磁石、２５は陽極２３を冷却するだめ
の冷却水、２６はリング状ガス導入口、２７は排気系で
ある。
７は放電陰極、１８は第１の中間電極、１９は第２の中
間電極、２Ｑは第１の中間電極１８内に設けられた磁石
、２１は放電陰極１７と第１の電極１８と第２の電極１
９とで構成されたリング状のプラズマ源−２２はコイル
−２３はプラズマ源２１の陽極、２４は陽極２３の下に
配置された棒状の磁石、２５は陽極２３を冷却するだめ
の冷却水、２６はリング状ガス導入口、２７は排気系で
ある。
以上のように構成された第１の実施例のプラズマ集中型
ＣＶＤ装置について以下その動作を説明する。
ＣＶＤ装置について以下その動作を説明する。
まず、リング状のプラズマ源２１に被イオン化ガスとし
てたとえば窒素を複数のガス導入口１６からＸ方向に導
入すると、環状のスリット（たとえばスリット幅１．５
ｍｍ）から大面積のプラズマが生成される。二つの中間
電極１８．１９によって、陰極領域と陽極領域に圧力差
がつけである。直流電源２日によって、陰極１７と第１
の中間電極１８との電位差は、たとえば４０ｖ、第１の
中間電極１８と第２の中間電極１９とは、たとえば３５
Ｖ、第２の中間電極１９と陽極２３とは、たとえば２Ｑ
Ｖの放電々圧である。二つの中間電極１８．１９の中で
は放電を導くのに充分な磁場の強さを確保するために、
逆方向に等価電流の流れる二つのりング状磁石２０によ
ってつくられるカスプ磁界を利用した。
てたとえば窒素を複数のガス導入口１６からＸ方向に導
入すると、環状のスリット（たとえばスリット幅１．５
ｍｍ）から大面積のプラズマが生成される。二つの中間
電極１８．１９によって、陰極領域と陽極領域に圧力差
がつけである。直流電源２日によって、陰極１７と第１
の中間電極１８との電位差は、たとえば４０ｖ、第１の
中間電極１８と第２の中間電極１９とは、たとえば３５
Ｖ、第２の中間電極１９と陽極２３とは、たとえば２Ｑ
Ｖの放電々圧である。二つの中間電極１８．１９の中で
は放電を導くのに充分な磁場の強さを確保するために、
逆方向に等価電流の流れる二つのりング状磁石２０によ
ってつくられるカスプ磁界を利用した。
プラズマ源２１から水平方向に放射されたプラズマを陽
極２３近傍に集中させるには、プラズマを９０度近く曲
げる必要がある。陽極２３は初期のプラズマ流に対して
直角に配置されており、その内部に強力な磁石２４（た
とえば希土類マグネットのＳｍＣ０６）を持っている。
極２３近傍に集中させるには、プラズマを９０度近く曲
げる必要がある。陽極２３は初期のプラズマ流に対して
直角に配置されており、その内部に強力な磁石２４（た
とえば希土類マグネットのＳｍＣ０６）を持っている。
陽極２３の表面と磁石２４のＳ極表面は約２ｃｒｎ離さ
れて充分水冷できる構造になっている。第１図において
、初期のプラズマ流に沿って（プラズマ源２１の軸に沿
って）Ｘ軸を定め、陽極２３の表面に垂直に中心よりｙ
軸を定めると、プラズマの方向を変えるためにプラズマ
中の電子流はエネルギーが小さく、運動が熱化していな
いので水平磁場ＢＩと垂直磁場Ｂアを用いて磁力線に沿
って収束させながら曲マ中電子流のエネルギーをＶ。（
ｅＶ）とすれば、となる。（１）式は、プラズマ流を曲
げるためにはプラズマ２９中の電子のサイクロトロン半
径が、プラズマ流の半径より小さくなければならないこ
とを意味している。
れて充分水冷できる構造になっている。第１図において
、初期のプラズマ流に沿って（プラズマ源２１の軸に沿
って）Ｘ軸を定め、陽極２３の表面に垂直に中心よりｙ
軸を定めると、プラズマの方向を変えるためにプラズマ
中の電子流はエネルギーが小さく、運動が熱化していな
いので水平磁場ＢＩと垂直磁場Ｂアを用いて磁力線に沿
って収束させながら曲マ中電子流のエネルギーをＶ。（
ｅＶ）とすれば、となる。（１）式は、プラズマ流を曲
げるためにはプラズマ２９中の電子のサイクロトロン半
径が、プラズマ流の半径より小さくなければならないこ
とを意味している。
Ｘ方向の磁場Ｂ工は、逆方向に電流の流れる二つのコイ
ル２２によってつくられるカスプ磁界によって得る。第
３図ａにコイル２２によってつくられた磁力線３０を示
した。第６図すはコイル２２に流れる電流の方向を示し
た模式図である。コイル２２によるｙ方向の中心磁場は
零であり、ｙ方向の磁場Ｂアは陽極２３申の磁石２４に
よって殆んど独立に決定されている。
ル２２によってつくられるカスプ磁界によって得る。第
３図ａにコイル２２によってつくられた磁力線３０を示
した。第６図すはコイル２２に流れる電流の方向を示し
た模式図である。コイル２２によるｙ方向の中心磁場は
零であり、ｙ方向の磁場Ｂアは陽極２３申の磁石２４に
よって殆んど独立に決定されている。
高速で均一な膜堆積を得るためにはＢｘ とＢアの関
係と、プラズマ流の曲がり方及び陽極２３表面への収束
のされ方が影響してくる。
係と、プラズマ流の曲がり方及び陽極２３表面への収束
のされ方が影響してくる。
第３図に示した磁場配位では、第２の中間電極１９近傍
のプラズマ拡散領域の磁場を急激に低下させることがで
きる。このため幅の広いプラズマを得ることかできる。
のプラズマ拡散領域の磁場を急激に低下させることがで
きる。このため幅の広いプラズマを得ることかできる。
また第６図は第２の実施例における磁場配位を示し、第
２の中間電極１９近傍のプラズマ拡散領域の磁場が徐々
に低下するので、収束したプラズマを得ることができる
。
２の中間電極１９近傍のプラズマ拡散領域の磁場が徐々
に低下するので、収束したプラズマを得ることができる
。
このようにして陽極２３の近傍に集中されたたとえば窒
素のプラズマが得られる。この時、陽極２３の近傍にリ
ング状ガス導入口２６から、たとえばシランガスを流す
ことにより、陽極２３上に窒化膜を堆積させることがで
きる。
素のプラズマが得られる。この時、陽極２３の近傍にリ
ング状ガス導入口２６から、たとえばシランガスを流す
ことにより、陽極２３上に窒化膜を堆積させることがで
きる。
以上のように本実施例によれば、プラズマ流を曲げ陽極
２３の真上に集中させることにより、陽極２３近傍での
プラズマ密度が増し、高真空中で膜堆積速度を速めるこ
とができる。また、磁場ＢｘとＢアの関係を適切にする
ことにより、陽極２３表面でのプラズマの均一性をよく
することができ、大面積でも膜堆積の均一性をよくする
ことができる。
２３の真上に集中させることにより、陽極２３近傍での
プラズマ密度が増し、高真空中で膜堆積速度を速めるこ
とができる。また、磁場ＢｘとＢアの関係を適切にする
ことにより、陽極２３表面でのプラズマの均一性をよく
することができ、大面積でも膜堆積の均一性をよくする
ことができる。
発明の効果
本発明は高密度のプラズマを試料の真上に集中させるこ
とにより、高速で均一に高品質の薄膜を堆積させること
ができるプラズマ集中型ＣＶＤ装置を実現できるもので
ある。
とにより、高速で均一に高品質の薄膜を堆積させること
ができるプラズマ集中型ＣＶＤ装置を実現できるもので
ある。
第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズマ集中型
ＣＶＤ装置の構成図、第２図は同斜視図、第３図ａ、
ｂ及び第４図ａ、 ｂは磁界を示す模式 図、第
５図は従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図、第６図は従
来のプラズマ輸送性ＣＶＤ装置の構成図である。 １６・・・・・・真空槽、２１・・・・・・プラズマ源
、２３・・・・・・陽極、２６・・・・・・ガス導入口
、２９・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔｒ
−一具τｉ言 ｊＧ、２１；−−ｖｚ ％ｙ 、Ｏ ｑｏ、Ｍ−一縄石 ２′−一丁う２’１２会 〃−−−ゴ弓ル ２３−−−７３．碍 ２に一一ンｆｔＰ→〈 ２７−−−琲気系 Ｓ−Ｚ涜 ｆＪ ”−デ２パ′ｔｓ 、ｆ９
− 片７’、”Ｉ’を罹 ｚｏ、２４＝ｉ笠石 ２／−−フ１うγマシ臣 ２Ｚ−−−ゴうル ２３−−−１ｈ−謹 第３図 ｔｏ、ｓ−携る ２２−−ゴ４ル ｚｙ−ＩＩＩ孜 男 ４ 図 ７Ｑ、２４−磁
モ２２−−ゴ＾ル ２３〜−−ア！ｌ掻 （ｂ）
ＣＶＤ装置の構成図、第２図は同斜視図、第３図ａ、
ｂ及び第４図ａ、 ｂは磁界を示す模式 図、第
５図は従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図、第６図は従
来のプラズマ輸送性ＣＶＤ装置の構成図である。 １６・・・・・・真空槽、２１・・・・・・プラズマ源
、２３・・・・・・陽極、２６・・・・・・ガス導入口
、２９・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔｒ
−一具τｉ言 ｊＧ、２１；−−ｖｚ ％ｙ 、Ｏ ｑｏ、Ｍ−一縄石 ２′−一丁う２’１２会 〃−−−ゴ弓ル ２３−−−７３．碍 ２に一一ンｆｔＰ→〈 ２７−−−琲気系 Ｓ−Ｚ涜 ｆＪ ”−デ２パ′ｔｓ 、ｆ９
− 片７’、”Ｉ’を罹 ｚｏ、２４＝ｉ笠石 ２／−−フ１うγマシ臣 ２Ｚ−−−ゴうル ２３−−−１ｈ−謹 第３図 ｔｏ、ｓ−携る ２２−−ゴ４ル ｚｙ−ＩＩＩ孜 男 ４ 図 ７Ｑ、２４−磁
モ２２−−ゴ＾ル ２３〜−−ア！ｌ掻 （ｂ）
Claims (2)
- （１）真空槽と、この真空槽にプラズマが放射されるよ
うに設置されたプラズマ源と、このプラズマ源とは垂直
に配置された陽極と、プラズマ源から放射されたプラズ
マを陽極上に集中させるためにプラズマ流を曲げる磁界
と、上記陽極近傍にガスを導入するためのガス導入管を
備えたプラズマ集中型ＣＶＤ装置。 - （２）磁界は、プラズマ源をはさむ二つのコイルによっ
てつくられるカスプ磁場配位と陽極の下に配置された磁
石によって得られることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のプラズマ集中型ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126520A JPS61284579A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | プラズマ集中型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126520A JPS61284579A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | プラズマ集中型ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284579A true JPS61284579A (ja) | 1986-12-15 |
| JPH0465149B2 JPH0465149B2 (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=14937239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60126520A Granted JPS61284579A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | プラズマ集中型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156536A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-29 | Toobi:Kk | 反応性プラズマビ−ム製膜装置 |
| US4941430A (en) * | 1987-05-01 | 1990-07-17 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Apparatus for forming reactive deposition film |
| US5099790A (en) * | 1988-07-01 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558362A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
| JPS55117856A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-10 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for separating impurities |
| JPS59205470A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-21 | Kowa Eng Kk | 硬質被膜の形成装置及びその形成方法 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60126520A patent/JPS61284579A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558362A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
| JPS55117856A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-10 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for separating impurities |
| JPS59205470A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-21 | Kowa Eng Kk | 硬質被膜の形成装置及びその形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156536A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-29 | Toobi:Kk | 反応性プラズマビ−ム製膜装置 |
| US4941430A (en) * | 1987-05-01 | 1990-07-17 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Apparatus for forming reactive deposition film |
| US5099790A (en) * | 1988-07-01 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465149B2 (ja) | 1992-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5451259A (en) | ECR plasma source for remote processing | |
| EP0300447B1 (en) | Method and apparatus for treating material by using plasma | |
| US5039548A (en) | Plasma chemical vapor reaction method employing cyclotron resonance | |
| JPS61284579A (ja) | プラズマ集中型ｃｖｄ装置 | |
| CN111690913B (zh) | 一种微波屏蔽管及磁场增强平板pecvd设备 | |
| CN105088195A (zh) | 一种快速自由基增强化学气相沉积薄膜的方法 | |
| JPH1081970A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2524461B2 (ja) | 高密度プラズマ処理装置 | |
| JPS61135126A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US4869835A (en) | Ion source | |
| JPH0686663B2 (ja) | マイクロ波プラズマによる膜形成装置 | |
| JPS59133364A (ja) | 放電化学反応装置 | |
| JP2969651B2 (ja) | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0415921A (ja) | プラズマ活性化方法及びその装置 | |
| JPH03215671A (ja) | シートプラズマｃｖｄ法及び装置 | |
| JP2877398B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP4223143B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS619577A (ja) | プラズマ化学気相成長法 | |
| JPS6417869A (en) | Microwave plasma chemical vapor deposition device | |
| JPH0578849A (ja) | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH0340422A (ja) | 膜形成装置 | |
| JP2002241947A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS62143418A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0368764A (ja) | 薄膜形成用プラズマ処理装置 | |
| JPH02294491A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |