JPS61284819A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61284819A JPS61284819A JP12605285A JP12605285A JPS61284819A JP S61284819 A JPS61284819 A JP S61284819A JP 12605285 A JP12605285 A JP 12605285A JP 12605285 A JP12605285 A JP 12605285A JP S61284819 A JPS61284819 A JP S61284819A
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- Japan
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- signal
- circuit
- bias
- magneto
- high frequency
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、バイアス磁界を印加するようにした磁気抵抗
効果型再生ヘッドに関する。
効果型再生ヘッドに関する。
従来、磁気抵抗効果素子をリニアリティ良く用いるため
に、磁気抵抗素子に近接して設けた導体すなわち、バイ
アス導体に電流を流すことにより、磁気抵抗効果素子に
バイアス磁界を印加するようにした磁気抵抗効果型再生
ヘッドが知られている（たとえば、特開昭５１−１１２
３２０号公報、特開昭５８−１８２１２５号公報）。し
かし、かかる構成においては、磁気抵抗効果素子に生ず
る熱雑音により、再生信号波形の歪が生ずるという問題
があった。
に、磁気抵抗素子に近接して設けた導体すなわち、バイ
アス導体に電流を流すことにより、磁気抵抗効果素子に
バイアス磁界を印加するようにした磁気抵抗効果型再生
ヘッドが知られている（たとえば、特開昭５１−１１２
３２０号公報、特開昭５８−１８２１２５号公報）。し
かし、かかる構成においては、磁気抵抗効果素子に生ず
る熱雑音により、再生信号波形の歪が生ずるという問題
があった。
本発明の目的は、かかる従来技術の問題点を解消し、熱
雑音の発生を防止した磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供
するにある。
雑音の発生を防止した磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供
するにある。
磁気抵抗効果は素子に流した電流と磁気スピンの相互作
用であり、電子と電子の相互作用に基づく熱抵抗変化と
本質的に異なる。熱雑音は素子温度がテープ摺動により
温度Ｔ１がＴ２に変化することにともない、第５図に示
した矢印→のようにシフトすることに起因する。上記目
的を達成するために６本発明は第５図において。
用であり、電子と電子の相互作用に基づく熱抵抗変化と
本質的に異なる。熱雑音は素子温度がテープ摺動により
温度Ｔ１がＴ２に変化することにともない、第５図に示
した矢印→のようにシフトすることに起因する。上記目
的を達成するために６本発明は第５図において。
Ｂ、 −Ａ、 ＝Ｂ２−Ａ２となっていることに着目し
、磁気抵抗効果素子に印加するバイアス磁界を十分大片
＜シ、この場合のポイン）ＡＩ、Ａ２での抵抗値を参照
し、動作ポイン）Ｂｌ、Ｂ２のそれぞれとの差分を再生
信号として取り出すことにより。
、磁気抵抗効果素子に印加するバイアス磁界を十分大片
＜シ、この場合のポイン）ＡＩ、Ａ２での抵抗値を参照
し、動作ポイン）Ｂｌ、Ｂ２のそれぞれとの差分を再生
信号として取り出すことにより。
熱雑音を無くすことができろようにした点に特徴がある
。
。
以下１本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す構成図であって、１は磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子といつ）、２は絶縁体、３はバイアス導体
、 ４ａ 、 ４ｂはバイアス導体接続端子、 ５ａ
、 ５ｂはＭＲ素子接続端子。
施例を示す構成図であって、１は磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子といつ）、２は絶縁体、３はバイアス導体
、 ４ａ 、 ４ｂはバイアス導体接続端子、 ５ａ
、 ５ｂはＭＲ素子接続端子。
６ａ 、 ６ｂ 、 ６ｃ 、 ６（Ｉはリード線、７
は高周波バイアス回路、８はＭＲ素子゛亀流回路、９は
サンプルホールド回路、ＩＯは差動回路、 １１は検波
整流回路、１２は再生信号出力端子である。
は高周波バイアス回路、８はＭＲ素子゛亀流回路、９は
サンプルホールド回路、ＩＯは差動回路、 １１は検波
整流回路、１２は再生信号出力端子である。
同図において、バイアス導体３は接続端子４ａ。
４ｂに電流を流した時に発生する磁界がＭＲ素子１０幅
方向（接続端子５ａ 、 ５ｂｌＣ対して直交方向）に
回転させるように、ＭＲ素子に近接して配置されていれ
ば良く１本実施例ではＭＲ素子１をパイアース導体３の
上に絶縁体２を介して配置している。
方向（接続端子５ａ 、 ５ｂｌＣ対して直交方向）に
回転させるように、ＭＲ素子に近接して配置されていれ
ば良く１本実施例ではＭＲ素子１をパイアース導体３の
上に絶縁体２を介して配置している。
ＭＲ素子１には、ＭＲ素子電流回路８より第２図１ａ）
に示すように、直流定電流がリード線６ｄ接続端子５ｂ
、 ５ａおよび接地されたリード線６ｂを介して流れ
ている。また、リード線６ｄにはサンプルホールド回路
９．差動回路１０．検波整流回路１１が順に接続され、
ＭＲ素子１の再生信号が出力端子１２に出力される構成
となっている。バイアス導体３には、高周波バイアス電
流回路７より第２図（ｂｌに示したように、 Ｉｂ、
、 Ｉｂ２の２値間を変化する高周波電流がリード線６
ｃ 、接続端子４ｂ 、 ４ａおよび接地されているリ
ード６ａを介して流れている。この高周波電流の周波数
は信号周波数の上限の２倍以上あればよく１本実施例は
この上限を５０ｋＨｚとし、 ５０ｋＨｚの高周波電流
を用いた。
に示すように、直流定電流がリード線６ｄ接続端子５ｂ
、 ５ａおよび接地されたリード線６ｂを介して流れ
ている。また、リード線６ｄにはサンプルホールド回路
９．差動回路１０．検波整流回路１１が順に接続され、
ＭＲ素子１の再生信号が出力端子１２に出力される構成
となっている。バイアス導体３には、高周波バイアス電
流回路７より第２図（ｂｌに示したように、 Ｉｂ、
、 Ｉｂ２の２値間を変化する高周波電流がリード線６
ｃ 、接続端子４ｂ 、 ４ａおよび接地されているリ
ード６ａを介して流れている。この高周波電流の周波数
は信号周波数の上限の２倍以上あればよく１本実施例は
この上限を５０ｋＨｚとし、 ５０ｋＨｚの高周波電流
を用いた。
第３図はＭＲ素子１０入力磁界Ｈに対する抵抗値変化Δ
ψを示す動作曲線であり、動作点は高周波バイアス電流
により、 ）（ｒｂｔ ｌ ＨＩｂ２の間を交互に変化
している。１２は入力信号磁界であり。
ψを示す動作曲線であり、動作点は高周波バイアス電流
により、 ）（ｒｂｔ ｌ ＨＩｂ２の間を交互に変化
している。１２は入力信号磁界であり。
高周波バイアス電流によって発生した磁界に重畳された
状態になっている。１３はＭＲ素子ｌの出力信号を示し
たものであり、そのエンベロープが入力信号となった高
周波信号となっている。
状態になっている。１３はＭＲ素子ｌの出力信号を示し
たものであり、そのエンベロープが入力信号となった高
周波信号となっている。
また、Ａで示した部分が通常の再生状態、Ｂで示した部
分がたとえば、摩擦熱によって素子温度が上昇し、全体
的に高抵抗側にシフトし、再生信号としてはレベル変動
がある状態である。
分がたとえば、摩擦熱によって素子温度が上昇し、全体
的に高抵抗側にシフトし、再生信号としてはレベル変動
がある状態である。
ここで、第１図に示したサンプルホールド回路９．差動
回路１０により、第３図でのαｎ Ａの演算を行うこ
とにより、第４図に示すようなエンベロープを持つ信号
に変換される。この信号を検波整流回路１１によって処
理することにより。
回路１０により、第３図でのαｎ Ａの演算を行うこ
とにより、第４図に示すようなエンベロープを持つ信号
に変換される。この信号を検波整流回路１１によって処
理することにより。
出力端子１２にＭＲ素子１の入力磁界信号に応じた電気
信号が得られる。バイアス動作点ＨＩｂｌをΔψ−Ｈ曲
線のスロープの急な所に設定することが再生感度を高め
ることになることは言うまでもない。
信号が得られる。バイアス動作点ＨＩｂｌをΔψ−Ｈ曲
線のスロープの急な所に設定することが再生感度を高め
ることになることは言うまでもない。
以上説明したように１本発明によれば、磁気抵抗効果素
子単体では回避が困難な熱雑音発生を防止できるので、
熱雑音のない再生信号を得ることができ、上記従来技術
の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生ヘッド
を提供できる。
子単体では回避が困難な熱雑音発生を防止できるので、
熱雑音のない再生信号を得ることができ、上記従来技術
の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生ヘッド
を提供できる。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す構成図、第２図ｔａ＞は第１図の磁気抵抗効
果素子に印加され゛る電流を示す波形図、第２図ｆｂｌ
は第１図における高周波バイアス電流の波形図、第３図
は第１図に示した実施例の動作説明図、第４図はその出
力信号を示す波形図、第５図は本発明の動作原理図であ
る。 ｌ・・・磁気抵抗効果素子。 ３・・・バイアス導体１゜ ７・・・高周波バイアス電流回路。 ９・・・サンプルホールド回路。 １０・・・差動回路。 〈炉 代理人弁理士 小 川 勝 騙ニ 筋 １ ｍ
施例を示す構成図、第２図ｔａ＞は第１図の磁気抵抗効
果素子に印加され゛る電流を示す波形図、第２図ｆｂｌ
は第１図における高周波バイアス電流の波形図、第３図
は第１図に示した実施例の動作説明図、第４図はその出
力信号を示す波形図、第５図は本発明の動作原理図であ
る。 ｌ・・・磁気抵抗効果素子。 ３・・・バイアス導体１゜ ７・・・高周波バイアス電流回路。 ９・・・サンプルホールド回路。 １０・・・差動回路。 〈炉 代理人弁理士 小 川 勝 騙ニ 筋 １ ｍ
Claims (1)
- 磁気抵抗効果素子に近接して設けたバイアス導体に電流
を流すことによつて発生する磁界により、該磁気抵抗効
果素子の動作点を定める構成の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドにおいて、該バイアス導体に高周波電流回路を接続す
るとともに、磁気抵抗効果素子の出力信号を２分し、一
方を差動増幅器に供給するとともに、他方をサンプルホ
ールド回路を介して該差動増幅器に供給し、該サンプル
ホールド回路のサンプリング周期をバイアス用高周波電
流の周期に一致せしめたことを特徴とした磁気抵抗効果
型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605285A JPS61284819A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605285A JPS61284819A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284819A true JPS61284819A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14925448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12605285A Pending JPS61284819A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497111A (en) * | 1994-12-22 | 1996-03-05 | International Business Machines Corporation | Peak detection circuit for suppressing magnetoresistive thermal asperity transients in a data channel |
| EP0802525A1 (fr) * | 1996-04-17 | 1997-10-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Système de lecture d'informations magnétiques muni d'un détecteur d'aspérités thermiques |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12605285A patent/JPS61284819A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497111A (en) * | 1994-12-22 | 1996-03-05 | International Business Machines Corporation | Peak detection circuit for suppressing magnetoresistive thermal asperity transients in a data channel |
| US5559460A (en) * | 1994-12-22 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Peak detection circuit for suppressing magnetoresistive thermal asperity transients in a data channel |
| EP0802525A1 (fr) * | 1996-04-17 | 1997-10-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Système de lecture d'informations magnétiques muni d'un détecteur d'aspérités thermiques |
| FR2747822A1 (fr) * | 1996-04-17 | 1997-10-24 | Philips Electronics Nv | Systeme de lecture d'informations magnetiques muni d'un detecteur d'asperites thermiques |
| US5956197A (en) * | 1996-04-17 | 1999-09-21 | U.S. Philips Corporation | System for reading magnetic information provided with a thermal asperity detector |
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