JPS6049968B2 - 磁気抵抗効果形ヘツドを用いた再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果形ヘツドを用いた再生装置Info
- Publication number
- JPS6049968B2 JPS6049968B2 JP52054754A JP5475477A JPS6049968B2 JP S6049968 B2 JPS6049968 B2 JP S6049968B2 JP 52054754 A JP52054754 A JP 52054754A JP 5475477 A JP5475477 A JP 5475477A JP S6049968 B2 JPS6049968 B2 JP S6049968B2
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- magnetic
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気抵抗効果形磁気ヘッド（以下■ヘッド
と略す）を用い磁気記録媒体に記録された磁気信号を読
みとる再生装置に関するものである。
と略す）を用い磁気記録媒体に記録された磁気信号を読
みとる再生装置に関するものである。
第１図は■ヘッドを用いた検出部の要部の構成を示す斜
視図で、２はサブストレートで、磁気抵抗効果素子３（
以下ＭＲ素子と略す）、バイアス磁界発生用導体４を保
持し、ＭＲ素子３と導体４は通常電気的に絶縁されてい
る。
視図で、２はサブストレートで、磁気抵抗効果素子３（
以下ＭＲ素子と略す）、バイアス磁界発生用導体４を保
持し、ＭＲ素子３と導体４は通常電気的に絶縁されてい
る。
５は信号読み出し用端子、６は導体４の通電端子、で２
ないし６でＭＲヘッド１を構成する。
ないし６でＭＲヘッド１を構成する。
７は磁気記録媒体（以下磁気テープと略称する）、８は
磁気テープ７に記録された磁化軌跡を示す。
磁気テープ７に記録された磁化軌跡を示す。
つぎに、従来の信号再生手段を説明する。
泳素子３の比抵抗ρは
ρ＝ｐ０＋Δｐ ゛’ （１）
で表わされ、一方ρは
（Ｈｓ）２
ρ一 ρ。
（１〜）（２）（Ｈｋ＋ＨＤ）”
で表わされる。
ここで、ρ０、Δρｏは素子材料、形状等より決る一定
値、ＨｏはＭＲ素子に印加される信号磁界、ＨＫはＭＲ
素子の異方性磁界、ＨＤは■素子内の反磁界てある。
値、ＨｏはＭＲ素子に印加される信号磁界、ＨＫはＭＲ
素子の異方性磁界、ＨＤは■素子内の反磁界てある。
ＭＲ素子３に外部より磁界Ｈを印加すると、Δρは第２
図に示す如き、ベル形の特性を示す。
図に示す如き、ベル形の特性を示す。
すノなわち、外部磁界Ｈの正と負て対象形をなしている
。このため磁気テープ７より信号磁界Ｈｓが■素子３に
印加されても、比抵抗変化Δρは信号磁界Ｈ、の両波整
流されたような変化をする。このため、従来は第２図に
示す如く、特性曲線の５ほゞ傾斜の中央部で信号磁界Ｈ
ｓが印加されるように、外部よりバイアス磁界ＨＢを印
加していた。バイアス磁界ＨＢの印加手段としては、Ｍ
Ｒ素子３の外部より直流磁界を印加する手段と、第１図
に示す如く、導体４に直流電流を通電して唖素子３の近
傍に直流磁界を発生せしめる手段とがあつた。
。このため磁気テープ７より信号磁界Ｈｓが■素子３に
印加されても、比抵抗変化Δρは信号磁界Ｈ、の両波整
流されたような変化をする。このため、従来は第２図に
示す如く、特性曲線の５ほゞ傾斜の中央部で信号磁界Ｈ
ｓが印加されるように、外部よりバイアス磁界ＨＢを印
加していた。バイアス磁界ＨＢの印加手段としては、Ｍ
Ｒ素子３の外部より直流磁界を印加する手段と、第１図
に示す如く、導体４に直流電流を通電して唖素子３の近
傍に直流磁界を発生せしめる手段とがあつた。
このようにして信号磁界Ｈｓとバイアス磁界ＨＢとの合
成磁界をＭＲ素子３に印加することにより、第２図に示
す如く、信号磁界Ｈ，に近い比抵抗変化Δρを得ていた
。つぎに従来のＭＲヘッド１より信号を外部へ取り出す
手段を述べる。
成磁界をＭＲ素子３に印加することにより、第２図に示
す如く、信号磁界Ｈ，に近い比抵抗変化Δρを得ていた
。つぎに従来のＭＲヘッド１より信号を外部へ取り出す
手段を述べる。
外部磁界の変化でΔρが変化し、この結果ＭＲ素子３の
端子５間の抵抗が変化する。そこでＭＲ素子３にバイア
ス電流として直流電流を通電すると抵抗変化は電圧変化
に変換され、端子５に入力信号磁界Ｈ：３に対応せる電
圧変化が得られる。このようにして得られた信号電圧は
ＭＲ素子３の特性が直線でないため、歪が多いばかりで
なく、この歪成分が音声信号では特に嫌われる偶数次の
歪成分を多く含んでいるという欠点があり、更に、この
従来の方式の欠点は、信号磁界Ｈｓが大きくなると飽和
し、いわゆるイナミツク・レンジが大きくできない欠点
をも有していた。この発明はこのような欠点を除去する
ためになされたもので、バイアス磁界ＨＢを交流バイア
スにすると共に、Δｐ変化を読み出すためのＭＲ素子３
に通電するバイアス電流として、交流バイアース磁界Ｈ
Ｂと同期する交流電流を用いることによりダイナミック
・レンジが大きく、しかも歪が少なく、偶数次歪のない
磁気再生方式を提供するものである。
端子５間の抵抗が変化する。そこでＭＲ素子３にバイア
ス電流として直流電流を通電すると抵抗変化は電圧変化
に変換され、端子５に入力信号磁界Ｈ：３に対応せる電
圧変化が得られる。このようにして得られた信号電圧は
ＭＲ素子３の特性が直線でないため、歪が多いばかりで
なく、この歪成分が音声信号では特に嫌われる偶数次の
歪成分を多く含んでいるという欠点があり、更に、この
従来の方式の欠点は、信号磁界Ｈｓが大きくなると飽和
し、いわゆるイナミツク・レンジが大きくできない欠点
をも有していた。この発明はこのような欠点を除去する
ためになされたもので、バイアス磁界ＨＢを交流バイア
スにすると共に、Δｐ変化を読み出すためのＭＲ素子３
に通電するバイアス電流として、交流バイアース磁界Ｈ
Ｂと同期する交流電流を用いることによりダイナミック
・レンジが大きく、しかも歪が少なく、偶数次歪のない
磁気再生方式を提供するものである。
以下にこの発明の一実施例を説明する。
第３図はこの発明を適用せる一実施例のブロック図、第
４図、第５図は動作を説明するための波形図で、１１は
交流バイアス発生源、１２はデイストリビユータで、バ
イアス導体４に交流電流ＩＢｌを通電して交流バイアス
磁界ＨＢを発生し、他３の一つは？素子３に交流バイア
ス電流１Ｂ２を通電する。
４図、第５図は動作を説明するための波形図で、１１は
交流バイアス発生源、１２はデイストリビユータで、バ
イアス導体４に交流電流ＩＢｌを通電して交流バイアス
磁界ＨＢを発生し、他３の一つは？素子３に交流バイア
ス電流１Ｂ２を通電する。
このような状態において磁気テープ７より信号磁界Ｈ，
（第４図ａ）がＭＲ素子３に印加されると、交流バイア
ス磁界ＨＢ（第４図ｂ）と合成されて、第５図および第
４図ｃに示す如く、Δ４・ρが変化する。一方、ＭＲ素
子３にはΔｐの変化を読み出すための交流バイアス電流
１八（第４図ｄ）が通電されているため、端子５に読み
出される電圧信号■ｓは第４図ｅの如きものとなる。こ
の電圧Ｖ＄信号は増巾器１３により増巾され、極性の異
る検波器１４，１５により、正負両信号Ｖｆ，ｖｇに分
離される（第４図Ｆ，ｇ）。この電圧信号Ｖｆ，ｖｇは
それぞれ低域フィルタ１６，１７により交流バイアス成
分が除去され、第４図Ｈ，ｉの如く、正および負のエン
ベロープ電圧信号■Ｈ，■ｉが取り出される。この電圧
信号Ｖｈ，Ｖｉは合成器１８により加算され、端子１９
に磁気テープ７より検出した信号磁界Ｈ，にほＳ゛等し
い電つ圧信号Ｖｊが出力される。以上本発明の骨子はベ
ル形のＭＲ素子の特性を用いるに当り、正負両特性を利
用することにより、信号磁界Ｈｓに対し、対称に信号を
再生せしめて、偶数次の歪の発生を防止すると共に再生
し７うるダイナミックレンジをを広げている。
（第４図ａ）がＭＲ素子３に印加されると、交流バイア
ス磁界ＨＢ（第４図ｂ）と合成されて、第５図および第
４図ｃに示す如く、Δ４・ρが変化する。一方、ＭＲ素
子３にはΔｐの変化を読み出すための交流バイアス電流
１八（第４図ｄ）が通電されているため、端子５に読み
出される電圧信号■ｓは第４図ｅの如きものとなる。こ
の電圧Ｖ＄信号は増巾器１３により増巾され、極性の異
る検波器１４，１５により、正負両信号Ｖｆ，ｖｇに分
離される（第４図Ｆ，ｇ）。この電圧信号Ｖｆ，ｖｇは
それぞれ低域フィルタ１６，１７により交流バイアス成
分が除去され、第４図Ｈ，ｉの如く、正および負のエン
ベロープ電圧信号■Ｈ，■ｉが取り出される。この電圧
信号Ｖｈ，Ｖｉは合成器１８により加算され、端子１９
に磁気テープ７より検出した信号磁界Ｈ，にほＳ゛等し
い電つ圧信号Ｖｊが出力される。以上本発明の骨子はベ
ル形のＭＲ素子の特性を用いるに当り、正負両特性を利
用することにより、信号磁界Ｈｓに対し、対称に信号を
再生せしめて、偶数次の歪の発生を防止すると共に再生
し７うるダイナミックレンジをを広げている。
なお、交流バイアス磁界が信号磁界Ｈｓより充分高く選
ばれた領域においては、信号磁界Ｈ，の周波数領域で見
れば■素子の正負両特性を利用しているため歪が更に軽
減されることになる。以上の説明では交流バイアスとし
て短形波状のものを説明したが、正弦波状でも、また、
デユーデイサイクルの小さいパルス波形でもよくまた、
両エンベロープ電圧Ｖｈ，Ｖｉを検出する手段としてエ
ンベロープ検波器を用いた構成を説明したが、交流バイ
アスにより同期検波する方式でも同等の効果が得られる
ことは申すまでもない。
ばれた領域においては、信号磁界Ｈ，の周波数領域で見
れば■素子の正負両特性を利用しているため歪が更に軽
減されることになる。以上の説明では交流バイアスとし
て短形波状のものを説明したが、正弦波状でも、また、
デユーデイサイクルの小さいパルス波形でもよくまた、
両エンベロープ電圧Ｖｈ，Ｖｉを検出する手段としてエ
ンベロープ検波器を用いた構成を説明したが、交流バイ
アスにより同期検波する方式でも同等の効果が得られる
ことは申すまでもない。
更に、ここでは、両エンベロープ電圧■Ｈ，Ｖｉを検出
後合成する構成を説明したが、交流バイアスが乗つてい
る状態で、両エンベロープ電圧Ｖｈ，Ｖｉの極性が揃う
ように合成し、平滑することにより、同様に再生できる
ことも申すまでもない。更にまた、■素子より読み出し
直後、検波合成する等、本発明の主旨を変更することな
く、種々変形できることは申すまでもない。
後合成する構成を説明したが、交流バイアスが乗つてい
る状態で、両エンベロープ電圧Ｖｈ，Ｖｉの極性が揃う
ように合成し、平滑することにより、同様に再生できる
ことも申すまでもない。更にまた、■素子より読み出し
直後、検波合成する等、本発明の主旨を変更することな
く、種々変形できることは申すまでもない。
以上、詳細に説明した通り、この発明によれば、ＭＲ素
子のベル型特性の両側の傾斜を用いて対称形で再生する
ので、偶数次歪がなく、ダイナミック・レンジが大きく
とれ、しかも直線性のよい磁気再生を行うことができる
。
子のベル型特性の両側の傾斜を用いて対称形で再生する
ので、偶数次歪がなく、ダイナミック・レンジが大きく
とれ、しかも直線性のよい磁気再生を行うことができる
。
第１図はこの発明の適用対象である磁気抵抗効緊形磁気
ヘッドを用いた検出部の要部の構成を示ｒ斜視図、第２
図は従来の信号再生方式を説明するための図、第３図は
この発明を適用せる再生装置の一実施例のブロック図、
第４図はその各部の信号波形図、第５図は信号再生時の
動作を説明するための図である。 図において、１は磁気抵抗効果形ヘッド、３は磁気抵抗
効果形素子、４はバイアス磁界発生用導体、７は磁気記
録媒体、１１は交流バイアス発生源、１２はデイストリ
ビユータ、１３は増幅器、１４，１５は検波器、１６，
１７は低域フィルタ、１８は合成器である。
ヘッドを用いた検出部の要部の構成を示ｒ斜視図、第２
図は従来の信号再生方式を説明するための図、第３図は
この発明を適用せる再生装置の一実施例のブロック図、
第４図はその各部の信号波形図、第５図は信号再生時の
動作を説明するための図である。 図において、１は磁気抵抗効果形ヘッド、３は磁気抵抗
効果形素子、４はバイアス磁界発生用導体、７は磁気記
録媒体、１１は交流バイアス発生源、１２はデイストリ
ビユータ、１３は増幅器、１４，１５は検波器、１６，
１７は低域フィルタ、１８は合成器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果形素子を用いて磁気記録媒体に記録さ
れた磁気信号を読み取るものにおいて、上記磁気記録媒
体に記録された磁気信号により形成される磁界に当該磁
気信号より大なる周波数の交流バイアス磁界を重畳ある
手段、この交流バイアス磁界が重畳された信号磁界を検
出する上記磁気抵抗効果形素子に上記交流バイアス磁界
に同期せる交流電流を通電する手段、および上記磁気抵
抗効果形素子の上記交流電流通電端子間の電圧変化から
、上記磁気記録媒体に記録された磁気信号を弁別する手
段を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果形ヘッドを用
いた再生装置。 ２ 磁気抵抗効果形素子の交流電流通電端子間に表われ
る電圧変化の正極性および負極性の両エンベロープ信号
を検出する手段と、当該検出せる正負両エンベロープ信
号を合成して再生信号を得る手段とを備えた特許請求の
範囲第１項記載の磁気抵抗効果形ヘッドを用いた再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52054754A JPS6049968B2 (ja) | 1977-05-11 | 1977-05-11 | 磁気抵抗効果形ヘツドを用いた再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52054754A JPS6049968B2 (ja) | 1977-05-11 | 1977-05-11 | 磁気抵抗効果形ヘツドを用いた再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53139513A JPS53139513A (en) | 1978-12-05 |
| JPS6049968B2 true JPS6049968B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=12979550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52054754A Expired JPS6049968B2 (ja) | 1977-05-11 | 1977-05-11 | 磁気抵抗効果形ヘツドを用いた再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049968B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182503A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| JPS60263310A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-26 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| JPS61280013A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
-
1977
- 1977-05-11 JP JP52054754A patent/JPS6049968B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53139513A (en) | 1978-12-05 |
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