JPS61286145A - 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 - Google Patents
液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置Info
- Publication number
- JPS61286145A JPS61286145A JP60127220A JP12722085A JPS61286145A JP S61286145 A JPS61286145 A JP S61286145A JP 60127220 A JP60127220 A JP 60127220A JP 12722085 A JP12722085 A JP 12722085A JP S61286145 A JPS61286145 A JP S61286145A
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- Japan
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- liquid
- layer
- recording head
- jet recording
- liquid jet
- Prior art date
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は液体噴射記録ヘッド及び該記録へラドを搭載し
た液体噴射記録装置に関する。
た液体噴射記録装置に関する。
[従来の技術1
現在知られている各種の記録法のなかでも、記録時に騒
音の発生がほとんどないノンインパクト記録方式であっ
て且つ高速記録が回走であり、しかも普通紙に特別の定
着処理を必要とせずに記録の行なえるいわゆるインクジ
ェット記録法は、極めて有用な記録方式であると認めら
れている。このインクジェット記録法については、これ
までにも様々な方式が提案され改良が加えられて商品化
されたものもあれば現在もなお実用化への努力が続けら
れているものもある。
音の発生がほとんどないノンインパクト記録方式であっ
て且つ高速記録が回走であり、しかも普通紙に特別の定
着処理を必要とせずに記録の行なえるいわゆるインクジ
ェット記録法は、極めて有用な記録方式であると認めら
れている。このインクジェット記録法については、これ
までにも様々な方式が提案され改良が加えられて商品化
されたものもあれば現在もなお実用化への努力が続けら
れているものもある。
インクジェット記録法は、インクと称される記録液の液
滴(droplet)を種々の作用原理で飛翔させ、そ
れを紙等の被記録部材に付着させて記録を行なうもので
ある。
滴(droplet)を種々の作用原理で飛翔させ、そ
れを紙等の被記録部材に付着させて記録を行なうもので
ある。
そして、本件出願人もかかるインクジェット記録法に係
わる新規方式について既に提案を行なっている。この新
規方式は特開昭52−118798号公報において提案
されており、その基本原理は次に概説する通りである。
わる新規方式について既に提案を行なっている。この新
規方式は特開昭52−118798号公報において提案
されており、その基本原理は次に概説する通りである。
つまり、このインクジェット記録方式は、記録液を収容
することのできる作用室中に導入された記録液に対して
情報信号として熱的パルスを与え、これにより記録液が
蒸気泡を発生し自己収縮する過程で生ずる作用力に従っ
て前記作用室に連通せる吐出口より前記記録液を吐出し
て小液滴として飛翔せしめ、これを被記録部材に付着さ
せて記録を行なう方式である。
することのできる作用室中に導入された記録液に対して
情報信号として熱的パルスを与え、これにより記録液が
蒸気泡を発生し自己収縮する過程で生ずる作用力に従っ
て前記作用室に連通せる吐出口より前記記録液を吐出し
て小液滴として飛翔せしめ、これを被記録部材に付着さ
せて記録を行なう方式である。
ところで、この方式は高密度マルチアレー構成にして高
速記録、カラー記録に適合させやすく、実施装置の構成
が従来のそれに比べて簡略であるため、記録ヘッドとし
て全体的にはコンパクト化が図れ且つ量産に向くこと、
半導体分野において技術の進歩と信頼性の向上が著しい
IC技術やマイクロ加工技術の長所を十二分に利用する
ことで長尺化が容易であること等の利点があり、適用範
囲の広い方式である。
速記録、カラー記録に適合させやすく、実施装置の構成
が従来のそれに比べて簡略であるため、記録ヘッドとし
て全体的にはコンパクト化が図れ且つ量産に向くこと、
半導体分野において技術の進歩と信頼性の向上が著しい
IC技術やマイクロ加工技術の長所を十二分に利用する
ことで長尺化が容易であること等の利点があり、適用範
囲の広い方式である。
上記液体噴射記録装置の特徴的な記録ヘッドには、吐出
口より液体を吐出して飛翔的液滴を形成する手段として
の電気熱変換体が設けられている。
口より液体を吐出して飛翔的液滴を形成する手段として
の電気熱変換体が設けられている。
該電気熱変換体は1発生する熱エネルギーを効率良く液
体に作用させること、液体への熱作用の0N−OFF応
答速度を高めること等のために。
体に作用させること、液体への熱作用の0N−OFF応
答速度を高めること等のために。
液体に直接接触する様に吐出口が連通している熱作用部
に設けられる構造とするのが望ましいとされている。
に設けられる構造とするのが望ましいとされている。
しかしながら、前記の電気熱変換体は通電されることに
よって発熱する発熱抵抗体と該発熱抵抗体に通電するた
めの一対の電極とで基本的には構成されているために、
発熱抵抗体が直に液体に接触する状態であると、記録用
の液体の電気抵抗値如何によっては該液体を通じて電気
が流れたり、液体を通じての電気の流れによって液体自
体が電気分解したり、あるいは発熱抵抗体への通電の際
に該発熱抵抗体と液体とが反応して1発熱抵抗体自体の
腐食による抵抗値の変化や発熱抵抗体の破損あるいは破
壊が起こったり、更には発熱抵抗体から発生される熱の
作用による熱の作用による液体の蒸気泡の発生から自己
消滅に至る状態変化に伴う機械的衝撃によって発熱抵抗
体の表面が破損したり、あるいは発熱抵抗体の一部に亀
裂が生ずる等して破壊されたりする場合があった。
よって発熱する発熱抵抗体と該発熱抵抗体に通電するた
めの一対の電極とで基本的には構成されているために、
発熱抵抗体が直に液体に接触する状態であると、記録用
の液体の電気抵抗値如何によっては該液体を通じて電気
が流れたり、液体を通じての電気の流れによって液体自
体が電気分解したり、あるいは発熱抵抗体への通電の際
に該発熱抵抗体と液体とが反応して1発熱抵抗体自体の
腐食による抵抗値の変化や発熱抵抗体の破損あるいは破
壊が起こったり、更には発熱抵抗体から発生される熱の
作用による熱の作用による液体の蒸気泡の発生から自己
消滅に至る状態変化に伴う機械的衝撃によって発熱抵抗
体の表面が破損したり、あるいは発熱抵抗体の一部に亀
裂が生ずる等して破壊されたりする場合があった。
そのために、従来においては、NiCr等の合金やZr
B2 、HfB2等の金属ホウ化物等の比較的発熱抵抗
体材料としての特性に優れた無機材料で発熱抵抗体を構
成すると共に、該材料で構成された発熱抵抗体上に5L
02等の耐酸化性に優れた材料で構成された保M層(上
部層)を設けることで発熱抵抗体が液体に直に接触する
のを防止して、前記の諸問題を解決し信頼性と繰返し使
用耐久性の向上を図ろうとすることが提案されていた。
B2 、HfB2等の金属ホウ化物等の比較的発熱抵抗
体材料としての特性に優れた無機材料で発熱抵抗体を構
成すると共に、該材料で構成された発熱抵抗体上に5L
02等の耐酸化性に優れた材料で構成された保M層(上
部層)を設けることで発熱抵抗体が液体に直に接触する
のを防止して、前記の諸問題を解決し信頼性と繰返し使
用耐久性の向上を図ろうとすることが提案されていた。
しかしながら、上記の様な構成の電気熱変換体が設けら
れた記録ヘッドを有する液体噴射記録装置は、記録用の
着色された液体として電気伝導度の比較的低い液体(例
えば液媒体として水やアルコールを用いたもの)を使用
する場合には、耐酸化性に優れ繰返し使用耐久性の点で
満足のいくものであるが、Haイオン等の含有率が高く
電気伝導度の大きな記録用の液体や電界質の液体を使用
する場合には、繰返し使用耐久性、耐経時的変化性の点
で不十分であった。従って、使用する記録用液体の選択
に制約があって、ことに多色あるいは天然色のカラー記
録を行なう場谷には障害となっていた。
れた記録ヘッドを有する液体噴射記録装置は、記録用の
着色された液体として電気伝導度の比較的低い液体(例
えば液媒体として水やアルコールを用いたもの)を使用
する場合には、耐酸化性に優れ繰返し使用耐久性の点で
満足のいくものであるが、Haイオン等の含有率が高く
電気伝導度の大きな記録用の液体や電界質の液体を使用
する場合には、繰返し使用耐久性、耐経時的変化性の点
で不十分であった。従って、使用する記録用液体の選択
に制約があって、ことに多色あるいは天然色のカラー記
録を行なう場谷には障害となっていた。
また、上記の様に発熱抵抗体上に保護層を設ける場合に
おいても1例えば層形成時に生ずる保護層自体の欠陥に
基づく発熱抵抗体側方向への液体の侵入を実質上完全に
防止することは再現性、量産性の点で非常に困難である
。ましてや、高密度に多数の熱作用部をその構成の一部
とする液流路(ノズル)を設ける、いわゆる高密度マル
チオリフィス化の場合には、少なくとも液流路数だけ電
気熱変換体を一度に設ける必要性から、先の保護層の欠
陥による不良化の電気熱変換体の製造歩留りへの影響は
製造コストの面も含めて大きな問題である。また、前記
保護層の存在により熱応答性が犠牲になるという問題も
ある。更に、保護層の存在により所定の電気信号に対す
る発熱応答性が犠牲になっている。従って、保護層がな
く、記録用の液体に発熱抵抗体が直に接触する状態であ
っても、耐熱性、耐酸化性、耐機械的衝撃性、耐電気化
学反応性、熱応答性に優れた電気熱変換体を具備する液
体噴射記録装置の開発が広く望まれている。
おいても1例えば層形成時に生ずる保護層自体の欠陥に
基づく発熱抵抗体側方向への液体の侵入を実質上完全に
防止することは再現性、量産性の点で非常に困難である
。ましてや、高密度に多数の熱作用部をその構成の一部
とする液流路(ノズル)を設ける、いわゆる高密度マル
チオリフィス化の場合には、少なくとも液流路数だけ電
気熱変換体を一度に設ける必要性から、先の保護層の欠
陥による不良化の電気熱変換体の製造歩留りへの影響は
製造コストの面も含めて大きな問題である。また、前記
保護層の存在により熱応答性が犠牲になるという問題も
ある。更に、保護層の存在により所定の電気信号に対す
る発熱応答性が犠牲になっている。従って、保護層がな
く、記録用の液体に発熱抵抗体が直に接触する状態であ
っても、耐熱性、耐酸化性、耐機械的衝撃性、耐電気化
学反応性、熱応答性に優れた電気熱変換体を具備する液
体噴射記録装置の開発が広く望まれている。
[発明の目的]
本発明は、上記の諸点に鑑みてなされたものであって、
前記の従来における諸問題を解決した優れた液体噴射記
録ヘッド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置
を提供することを主たる目的とする。
前記の従来における諸問題を解決した優れた液体噴射記
録ヘッド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置
を提供することを主たる目的とする。
本発明の別の目的は、特に化学的安定性が高く、耐電気
化学反応性、耐酸化性に優れ、且つ耐機械的衝撃性、耐
熱性にも優れ、更に保護層をなくすことにより熱応答性
を向上させ得る発熱抵抗体を具備した液体噴射記録ヘッ
ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置を提供
することである。
化学反応性、耐酸化性に優れ、且つ耐機械的衝撃性、耐
熱性にも優れ、更に保護層をなくすことにより熱応答性
を向上させ得る発熱抵抗体を具備した液体噴射記録ヘッ
ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置を提供
することである。
[発明の概要]
本発明によれば、上記の目的は、液体を吐出して飛翔的
液滴を形成するために設けられた吐出口と前記飛翔的液
滴を形成するために利用される熱エネルギーを発生する
電気熱変換体とを具備する液体噴射記録ヘッドにおいて
、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素原子を
母体とし水素原子と電気伝導性を支配する物質とを含有
してなる非晶質材料からなり、該発熱抵抗層において水
素原子及び/または電気伝導性を支配する物質が膜厚方
向に不均一に分布していることを特徴とする。液体噴射
記録ヘッド、及び該液体噴射記録ヘッドを搭載した液体
噴射記録装置によって達成される。
液滴を形成するために設けられた吐出口と前記飛翔的液
滴を形成するために利用される熱エネルギーを発生する
電気熱変換体とを具備する液体噴射記録ヘッドにおいて
、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素原子を
母体とし水素原子と電気伝導性を支配する物質とを含有
してなる非晶質材料からなり、該発熱抵抗層において水
素原子及び/または電気伝導性を支配する物質が膜厚方
向に不均一に分布していることを特徴とする。液体噴射
記録ヘッド、及び該液体噴射記録ヘッドを搭載した液体
噴射記録装置によって達成される。
以下、図面を参照しながら本発明を具体的に説明する。
第1図は本発明の液体噴射記録ヘッドの一実施態様例の
構成を示す部分平面図であり、第2図はその■−■断面
図である。
構成を示す部分平面図であり、第2図はその■−■断面
図である。
図において、12は電気熱変換体が設けられる支持体で
あり、14は電気熱変換体を構成する発熱抵抗層であり
、16.17は電気熱変換体を構成する対をなす電極で
ある。第1図に示される様に、発熱抵抗層14と該発熱
抵抗層14に接続された1対の電極16.17との組が
複数個併設されており、これによって有効発熱部ta、
ta”。
あり、14は電気熱変換体を構成する発熱抵抗層であり
、16.17は電気熱変換体を構成する対をなす電極で
ある。第1図に示される様に、発熱抵抗層14と該発熱
抵抗層14に接続された1対の電極16.17との組が
複数個併設されており、これによって有効発熱部ta、
ta”。
18” 、・・・・が所定の間隔をおいて配列されてい
る。尚、本実施態様例においては、一方の電極16は複
数の電極がまとめられて共通の電極とされている。各発
熱部18.18”、18″。
る。尚、本実施態様例においては、一方の電極16は複
数の電極がまとめられて共通の電極とされている。各発
熱部18.18”、18″。
・φ・・を構成する発熱抵抗層14に対してはそれぞれ
電極16.17を通じて電気信号が印加され、これに基
づき各発熱部が発熱する。
電極16.17を通じて電気信号が印加され、これに基
づき各発熱部が発熱する。
第2図に示される様に、支持体12と発熱抵抗層14と
電極16.17とを有する基板には支持体12の発熱部
側に溝が形成された天板20が接合されている。第2図
の■−■断面図を第3図に示す、第2図及び第3図に示
される様に、天板20には各発熱部18.18”、18
″、・・・・に対応する位置にそれぞれ第1図の■−■
方向に沿う溝22.22”、22″・拳・・が形成され
ている。これらの溝はそれぞれ支持体12どの間に記録
液を収容する空間を形成する。これらの空間は記録液に
対し熱エネルギーを作用せしめる熱作用部24を有する
。
電極16.17とを有する基板には支持体12の発熱部
側に溝が形成された天板20が接合されている。第2図
の■−■断面図を第3図に示す、第2図及び第3図に示
される様に、天板20には各発熱部18.18”、18
″、・・・・に対応する位置にそれぞれ第1図の■−■
方向に沿う溝22.22”、22″・拳・・が形成され
ている。これらの溝はそれぞれ支持体12どの間に記録
液を収容する空間を形成する。これらの空間は記録液に
対し熱エネルギーを作用せしめる熱作用部24を有する
。
第2図における左方において前記十間は外部に対し開口
しており、該開口が液体の吐出口26となる。空間は第
2図における右方において記録液供給源と接続されてい
る。そして、空間において記録信号に基づき発熱部から
熱エネルギーが発生され空間内の記録液に作用すると該
記録液中において蒸気泡が発生し、その際の圧力で吐出
口26付近の記録液が矢印Xの向きに吐出する。
しており、該開口が液体の吐出口26となる。空間は第
2図における右方において記録液供給源と接続されてい
る。そして、空間において記録信号に基づき発熱部から
熱エネルギーが発生され空間内の記録液に作用すると該
記録液中において蒸気泡が発生し、その際の圧力で吐出
口26付近の記録液が矢印Xの向きに吐出する。
尚、以上の説明から分る様に、第1図においては天板2
0の図示が省略されている。
0の図示が省略されている。
本発明において、支持体12の材料としては特に制限は
ないが、実際上はその表面上に形成される発熱抵抗層1
4を形成する際の熱及び使用時において該発熱抵抗層1
4により発生される熱に対する耐久性の良好なものが好
適に使用される。また、支持体12としてはその表面上
に形成される発熱抵抗層14よりも大きな電気抵抗を有
するのが好ましいが、支持体12と発熱抵抗層14との
間に絶縁層を介在せしめである場合には支持体12が発
熱抵抗層14よりも小さな電気抵抗を有する材料からな
るものであってもよい、更に、本発明においては、液体
噴射記録ヘッドの使用状況等に応じて、熱伝導性の小さ
な或いは大きな支持体12を用いることができる。
ないが、実際上はその表面上に形成される発熱抵抗層1
4を形成する際の熱及び使用時において該発熱抵抗層1
4により発生される熱に対する耐久性の良好なものが好
適に使用される。また、支持体12としてはその表面上
に形成される発熱抵抗層14よりも大きな電気抵抗を有
するのが好ましいが、支持体12と発熱抵抗層14との
間に絶縁層を介在せしめである場合には支持体12が発
熱抵抗層14よりも小さな電気抵抗を有する材料からな
るものであってもよい、更に、本発明においては、液体
噴射記録ヘッドの使用状況等に応じて、熱伝導性の小さ
な或いは大きな支持体12を用いることができる。
本発明において使用される支持体12としてはガラス、
セラミックス、シリコン、金属等の無機物からなるもの
やポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなる
ものが例示できる。
セラミックス、シリコン、金属等の無機物からなるもの
やポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなる
ものが例示できる。
本発明においては、発熱抵抗層14は炭素原子を母体と
し水素原子と電気伝導性を支配する物質とを含有してな
る非晶質材料からなる。電気伝導性を支配する物質とし
ては、いわゆる半導体分野においていうところの不純物
即ちp型伝導特性を与えるP型不純物及びn型伝導特性
を与えるn型不純物が利用できる。p型不純物としては
元素周期律表第m族に属する原子、たとえばB、AI。
し水素原子と電気伝導性を支配する物質とを含有してな
る非晶質材料からなる。電気伝導性を支配する物質とし
ては、いわゆる半導体分野においていうところの不純物
即ちp型伝導特性を与えるP型不純物及びn型伝導特性
を与えるn型不純物が利用できる。p型不純物としては
元素周期律表第m族に属する原子、たとえばB、AI。
Ga、In、TI等があり、特にB、Gaが好ましい、
n型不純物としては元素周期律表第V族に属する原子、
たとえばP、As、Sb、Bi等があり、特にP、As
が好ましい、これらは単独でもよいし複数の組合せでも
よい。
n型不純物としては元素周期律表第V族に属する原子、
たとえばP、As、Sb、Bi等があり、特にP、As
が好ましい、これらは単独でもよいし複数の組合せでも
よい。
発熱抵抗層14中における水素原子の含有率は、使用目
的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択されるが、
好ましくはo、oooi〜3゜原子%であり、更に好ま
しくは0.0005〜20原子%であり、好適には0.
001〜10原子%である。
的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択されるが、
好ましくはo、oooi〜3゜原子%であり、更に好ま
しくは0.0005〜20原子%であり、好適には0.
001〜10原子%である。
発熱抵抗層14中における電気伝導性支配物質の含有率
は、使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択
されるが、好ましくは0.01〜50000原子ppm
であり、更に好ましくは0.5〜10000原子ppm
であり、最適には1〜5000原子ppmである。
は、使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択
されるが、好ましくは0.01〜50000原子ppm
であり、更に好ましくは0.5〜10000原子ppm
であり、最適には1〜5000原子ppmである。
本発明においては、発熱抵抗層14中における水素原子
及び/または電気伝導性支配物質の分布が膜厚方向に不
均一となっている0発熱抵抗層14中における膜厚方向
での水素原子及び/または電気伝導性支配物質の含有率
変化は支持体12側から表面側へと次第に含有率が増加
する様なものでもよいし、逆に含有率が減少する様なも
のでもよい、更に、水素原子及び/または電気伝導性支
配物質の含有率変化は発熱抵抗層14中において極大値
あるいは極小値をもつ様なものでもよい。
及び/または電気伝導性支配物質の分布が膜厚方向に不
均一となっている0発熱抵抗層14中における膜厚方向
での水素原子及び/または電気伝導性支配物質の含有率
変化は支持体12側から表面側へと次第に含有率が増加
する様なものでもよいし、逆に含有率が減少する様なも
のでもよい、更に、水素原子及び/または電気伝導性支
配物質の含有率変化は発熱抵抗層14中において極大値
あるいは極小値をもつ様なものでもよい。
これら発熱抵抗層14中における膜厚方向での水素原子
及び/または電気伝導性支配物質の含有率変化は所望の
特性が得られる様に適宜選択される。
及び/または電気伝導性支配物質の含有率変化は所望の
特性が得られる様に適宜選択される。
第4図〜第9図に、本発明記録ヘッドの発熱抵抗層14
中における膜厚方向に関する水素原子及び/または電気
伝導性支配物質の含有率の変化の具体例を示す、これら
の図において、縦軸は支持体12との界面からの膜厚方
向の距離Tを表わし、tは発熱抵抗層14の膜厚を表わ
す、また、横軸は水素原子及び/または電気伝導性支配
物質の含有率Cを表わす、尚、各図において、縦軸T及
び横軸Cのスケールは必ずしも均一ではなく、各図の特
徴が出る様に変化せしめられている。
中における膜厚方向に関する水素原子及び/または電気
伝導性支配物質の含有率の変化の具体例を示す、これら
の図において、縦軸は支持体12との界面からの膜厚方
向の距離Tを表わし、tは発熱抵抗層14の膜厚を表わ
す、また、横軸は水素原子及び/または電気伝導性支配
物質の含有率Cを表わす、尚、各図において、縦軸T及
び横軸Cのスケールは必ずしも均一ではなく、各図の特
徴が出る様に変化せしめられている。
従って、実際の適用に当っては各図につき具体的数値の
差異にもとづく種々の分布が用いられる。
差異にもとづく種々の分布が用いられる。
また1発熱抵抗層14の厚さには特に制限がない。
本発明記録ヘッドにおける炭素を母体とし水素原子と電
気伝導性支配物質とを含有してなる非晶質材料(以下、
ra−C:H(p、n)Jと略記することがある。ここ
で(p、n)は電気伝導性支配物質を表わす、)からな
る発熱抵抗層14は、たとえばグロー放電法の様なプラ
ズマCVD法あるいはスパッタリング法等の真空堆積法
によって形成される。
気伝導性支配物質とを含有してなる非晶質材料(以下、
ra−C:H(p、n)Jと略記することがある。ここ
で(p、n)は電気伝導性支配物質を表わす、)からな
る発熱抵抗層14は、たとえばグロー放電法の様なプラ
ズマCVD法あるいはスパッタリング法等の真空堆積法
によって形成される。
たとえば、グロー放電法によってa−C:H(p、n)
からなる抵抗層14を形成するには1、基本的には支持
体12を減圧下の堆積室内に配置し、該堆積室内に炭素
原子(C)を供給し得るC供給用の原料ガスと水素原子
(H)を供給し得るH供給用の原料ガスと電気伝導性支
配物質供給用の原料ガスとを導入し、この際H供給用原
料ガス及び/または電気伝導性支配物質供給用原料ガス
の導入量を変化させながら該堆積室内にて高周波または
マイクロ波を用いてグロー放電を生起させ支持体12の
表面上にa−C:H(p、n)からなる層を形成させれ
ばよい。
からなる抵抗層14を形成するには1、基本的には支持
体12を減圧下の堆積室内に配置し、該堆積室内に炭素
原子(C)を供給し得るC供給用の原料ガスと水素原子
(H)を供給し得るH供給用の原料ガスと電気伝導性支
配物質供給用の原料ガスとを導入し、この際H供給用原
料ガス及び/または電気伝導性支配物質供給用原料ガス
の導入量を変化させながら該堆積室内にて高周波または
マイクロ波を用いてグロー放電を生起させ支持体12の
表面上にa−C:H(p、n)からなる層を形成させれ
ばよい。
また、スパッタリング法によってa−C:H(p、n)
からなる抵抗層14を形成するには、基本的には支持体
12を減圧下の堆積室内に配置し、該堆積室内にてたと
えばAr、He等の不活性ガスまたはこれらのガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でCで構成されたターゲ
ットをスパッタリングする際、堆積室内にH供給用の原
料ガスと電気伝導性支配物質供給用原料ガスとを導入し
、この際導入量を変化させればよい。
からなる抵抗層14を形成するには、基本的には支持体
12を減圧下の堆積室内に配置し、該堆積室内にてたと
えばAr、He等の不活性ガスまたはこれらのガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でCで構成されたターゲ
ットをスパッタリングする際、堆積室内にH供給用の原
料ガスと電気伝導性支配物質供給用原料ガスとを導入し
、この際導入量を変化させればよい。
上記方法において、C供給用の原料ガス、H供給用の原
料ガス及び電気伝導性支配物質供給用の原料ガスとして
は常温常圧においてガス状態のもののほかに減圧下にお
いてガス化し得る物質を使用することができる。
料ガス及び電気伝導性支配物質供給用の原料ガスとして
は常温常圧においてガス状態のもののほかに減圧下にお
いてガス化し得る物質を使用することができる。
C供給用の原料としては、たとえば炭素数1〜5の飽和
炭化水素、炭素数2〜5のエチレン系炭化水素、炭素数
2〜4のアセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン(CH4)、エ
タン(C2Ha ) 。
炭化水素、炭素数2〜5のエチレン系炭化水素、炭素数
2〜4のアセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン(CH4)、エ
タン(C2Ha ) 。
プロパン(C3Ha)、n−ブタン(n−C4HIO)
、ペンタン(C5B12) 、 エチレン系炭化水素と
してはエチレン(C2H4) 、プロピレン(C3He
) 、ブテン−1(C4H8)、ブテン−2(C4H
8) 、インブチレン(C4H8)、ペンテン(C5H
lo) 、アセチレン系炭化水素としてはアセチレン(
C2B2 ) 、メチルアセチレン(C3H4) 、ブ
チン(C4Ha ) 、芳香族炭化水素としてはベンゼ
ン(Cs Ha )等があげられる。
、ペンタン(C5B12) 、 エチレン系炭化水素と
してはエチレン(C2H4) 、プロピレン(C3He
) 、ブテン−1(C4H8)、ブテン−2(C4H
8) 、インブチレン(C4H8)、ペンテン(C5H
lo) 、アセチレン系炭化水素としてはアセチレン(
C2B2 ) 、メチルアセチレン(C3H4) 、ブ
チン(C4Ha ) 、芳香族炭化水素としてはベンゼ
ン(Cs Ha )等があげられる。
H供給用の原料としては、たとえば水素ガス、及び上記
C供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水
素があげられる。
C供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水
素があげられる。
電気伝導性支配物質供給用の原料としては次の様なもの
が例示される。
が例示される。
第■族原子供給用原料としては、たとえばホウ素原子供
給用にB2 Ha 、B4 HIO,B5 B9、B5
H11、B6HIO,B6 B12.B6 B14等の
水素化ホウ素やBF3 、BC13、BB r3等+7
)/’ロゲン化ホウ素等が用いられ、更にその他の原子
供給用にAlCl3 、GaCl3 、Ga(CH3)
3.InCl3.TlCl3等が用いられる。
給用にB2 Ha 、B4 HIO,B5 B9、B5
H11、B6HIO,B6 B12.B6 B14等の
水素化ホウ素やBF3 、BC13、BB r3等+7
)/’ロゲン化ホウ素等が用いられ、更にその他の原子
供給用にAlCl3 、GaCl3 、Ga(CH3)
3.InCl3.TlCl3等が用いられる。
第V族原子供給用原料としては、たとえばリン原子供給
用にPH3、P2 H4等の水素化リンやPH4I、P
F3 、PFs 、PC13、PCl5.PBr3.P
Br3.PI3等ノハロゲン化リン等が用いられ、更に
その他の原子供給用にAsH3、AsF3 、AsC1
3、AsBr3 、AsF5 、SbH3、SbF3
、SbF5.5bC13,5bC15、BiI3.Bi
Cl3.B1Br3等が用いられる。
用にPH3、P2 H4等の水素化リンやPH4I、P
F3 、PFs 、PC13、PCl5.PBr3.P
Br3.PI3等ノハロゲン化リン等が用いられ、更に
その他の原子供給用にAsH3、AsF3 、AsC1
3、AsBr3 、AsF5 、SbH3、SbF3
、SbF5.5bC13,5bC15、BiI3.Bi
Cl3.B1Br3等が用いられる。
これらの原料は単独で用いてもよいし、複数組合せて用
いてもよい。
いてもよい。
以上の様な発熱抵抗層形成法において、形成される抵抗
層14中に含まれる水素原子の量及び電気伝導性支配物
質の量や抵抗層14の特性を制御するには、支持体温度
、原料ガスの供給量、放電電力、堆積室内の圧力等を適
宜設定する。
層14中に含まれる水素原子の量及び電気伝導性支配物
質の量や抵抗層14の特性を制御するには、支持体温度
、原料ガスの供給量、放電電力、堆積室内の圧力等を適
宜設定する。
特に、本発明の膜厚方向に水素原子及び/または電気伝
導性支配物質の分布が不均一な発熱抵抗層を14を得る
ためには、堆積室内への水素原子及び/または電気伝導
性支配物質の導入量をたとえばバルブコントロール等に
より経時的に変化させるのが好ましい。
導性支配物質の分布が不均一な発熱抵抗層を14を得る
ためには、堆積室内への水素原子及び/または電気伝導
性支配物質の導入量をたとえばバルブコントロール等に
より経時的に変化させるのが好ましい。
支持体温度は好ましくは20〜1500℃、更に好まし
くは30−1200℃、最適には50〜1100℃のう
ちから選ばれる。
くは30−1200℃、最適には50〜1100℃のう
ちから選ばれる。
原料ガスの供給量は目的とする発熱抵抗層性能や目標と
する成膜速度に応じ適宜状められる。
する成膜速度に応じ適宜状められる。
放電電力は好ましくはo、oot〜20W/cm″、よ
り好ましくは0.0l−15W/cm″、最適には0.
05〜IOW/crn’のうちから選ばれる。
り好ましくは0.0l−15W/cm″、最適には0.
05〜IOW/crn’のうちから選ばれる。
堆積室内の圧力は、好ましくは10−4〜10Torr
、より好ましくはには10−2〜5Torrとされる。
、より好ましくはには10−2〜5Torrとされる。
以上の様な発熱抵抗層形成法を用いて得られる本発明記
録ヘッドの抵抗層はダイヤモンドに近い特性を有する。
録ヘッドの抵抗層はダイヤモンドに近い特性を有する。
即ち、たとえばビッカース硬度1800〜5000のも
のが得られる。また、水素原子と電気伝導性支配物質と
を含有するので特に抵抗値制御性が極めて良好である。
のが得られる。また、水素原子と電気伝導性支配物質と
を含有するので特に抵抗値制御性が極めて良好である。
本発明における発熱抵抗層は1機械的衝撃に対し高い耐
久性を有し且つ化学的安定性に優れているので、特別に
保護層を必要としない、したがって1本発明における発
熱抵抗層を用いた液体噴射記録ヘッドは信号入力にとも
なって発生される熱エネルギーが極めて効率よく液体に
付与されるので熱応答性が良好となる。このことは、液
体噴射記録ヘッドに入力される信号に対応して形成され
る飛翔液滴の吐出応答性の向上にもつながる。
久性を有し且つ化学的安定性に優れているので、特別に
保護層を必要としない、したがって1本発明における発
熱抵抗層を用いた液体噴射記録ヘッドは信号入力にとも
なって発生される熱エネルギーが極めて効率よく液体に
付与されるので熱応答性が良好となる。このことは、液
体噴射記録ヘッドに入力される信号に対応して形成され
る飛翔液滴の吐出応答性の向上にもつながる。
但し、所望の応答性が発揮されるのであれば、上記した
様な発熱抵抗層上に保護層を形成しても一向にかまわな
い。
様な発熱抵抗層上に保護層を形成しても一向にかまわな
い。
また、記録液が導電性の場合には電極間のショートを防
止する上で保護層が必要である。
止する上で保護層が必要である。
上記実施態様例においては支持体上に発熱抵抗層及び電
極をこの順に設けた例が示されているが、本発明記録ヘ
ッドにおいては支持体上に電極及び発熱抵抗層をこの順
に設けてもrい、第10図はこの様な記録ヘッドの電気
熱変換体を有する基板の部分断面図である。
極をこの順に設けた例が示されているが、本発明記録ヘ
ッドにおいては支持体上に電極及び発熱抵抗層をこの順
に設けてもrい、第10図はこの様な記録ヘッドの電気
熱変換体を有する基板の部分断面図である。
尚、以上の実施態様例において、支持体12は単一のも
のであるとされているが、本発明における支持体12は
複合体であってもよい、その様な一実施態様例の構成を
第1.1図に示す、即ち、支持体12は基部12aと表
面層12bとの複合体からなり、基部12aとしてはた
とえば上記第1〜3図に関し説明した支持体材料を使用
することができまた表面層12bとしてはその上に形成
される抵抗層14との密着性のより良好な材料を使用す
ることができる0表面層12bはたとえば炭素原子を母
体とする非晶質材料や従来より知られている酸化物等か
ら構成される。この様な表面層12bは基部12a上に
上記発熱抵抗層形成法と類似の方法により適宜の原料を
用いて堆積させることにより得られる。また、表面層1
2bは通常のガラス質のグレーズ層であってもよく、あ
るいは基部12aが金属であればその表面を酸化させ形
成させた酸化物層であってもよい。
のであるとされているが、本発明における支持体12は
複合体であってもよい、その様な一実施態様例の構成を
第1.1図に示す、即ち、支持体12は基部12aと表
面層12bとの複合体からなり、基部12aとしてはた
とえば上記第1〜3図に関し説明した支持体材料を使用
することができまた表面層12bとしてはその上に形成
される抵抗層14との密着性のより良好な材料を使用す
ることができる0表面層12bはたとえば炭素原子を母
体とする非晶質材料や従来より知られている酸化物等か
ら構成される。この様な表面層12bは基部12a上に
上記発熱抵抗層形成法と類似の方法により適宜の原料を
用いて堆積させることにより得られる。また、表面層1
2bは通常のガラス質のグレーズ層であってもよく、あ
るいは基部12aが金属であればその表面を酸化させ形
成させた酸化物層であってもよい。
本発明記録ヘッドにおける電極16.17は所定の導電
性を有しているものであればよく、たとえばAu、Cu
、Al、Ag、Ni等の金属からなる。
性を有しているものであればよく、たとえばAu、Cu
、Al、Ag、Ni等の金属からなる。
次に1本発明の記録ヘッドの製造方法の概略について説
明する。
明する。
第12図は支持体表面上に発熱抵抗層を形成する際に用
いられる堆積装置の一例を示す模式的説明図である。1
101は堆積室であり、1102〜1106はガスボン
ベであり、1107〜1111はマスフローコントロー
ラであり、1112〜1116は流入バルブであり、1
117〜1121は流出バルブであり、1122〜11
2Bはガスボンベのバルブであり、1127〜1131
は出口圧ゲージであり、1132は補助バルブであり、
1133はレバーであり、1134はメインバルブであ
り、1135はリークバルブであり、1136は真空計
であり、1137は製造すべき電気熱変換体を有する基
板を形成するための支持体材料であり、1138はヒー
タであり、1139は支持体支持手段であり、1140
は高電圧電源であり、1141は電極であり、1142
はシャッタである。尚、1142−1はスパッタリング
法を行なう際に電極1141に取付けられるターゲット
である。
いられる堆積装置の一例を示す模式的説明図である。1
101は堆積室であり、1102〜1106はガスボン
ベであり、1107〜1111はマスフローコントロー
ラであり、1112〜1116は流入バルブであり、1
117〜1121は流出バルブであり、1122〜11
2Bはガスボンベのバルブであり、1127〜1131
は出口圧ゲージであり、1132は補助バルブであり、
1133はレバーであり、1134はメインバルブであ
り、1135はリークバルブであり、1136は真空計
であり、1137は製造すべき電気熱変換体を有する基
板を形成するための支持体材料であり、1138はヒー
タであり、1139は支持体支持手段であり、1140
は高電圧電源であり、1141は電極であり、1142
はシャッタである。尚、1142−1はスパッタリング
法を行なう際に電極1141に取付けられるターゲット
である。
たとえば、1102にはArガスで希釈されたCH4ガ
ス(純度99,9%以上)が密封されており、1103
にはArガスで希釈されたPH3ガス(純度99.9%
以上)が密封されており、t 104にはArガスで希
釈されたB2 Haガス(純度99゜9%以上)が密封
されている。これらボンベ中のガスを堆積室1101に
流入させるに先立ち、各ガスボンベ1102〜1106
(1)バルブ1122〜1126及びリークバルブ11
35が閉じられていることを確認し、また流入バルブ1
112〜1l16、流出バルブ1117〜1121及び
補助バルブ1132が開かれていることを確認して、先
ずメインバルブ1134を開いて堆積室1101及びガ
ス配管内を排気する0次に真空計1136の読みが1
、5X10−6 T。
ス(純度99,9%以上)が密封されており、1103
にはArガスで希釈されたPH3ガス(純度99.9%
以上)が密封されており、t 104にはArガスで希
釈されたB2 Haガス(純度99゜9%以上)が密封
されている。これらボンベ中のガスを堆積室1101に
流入させるに先立ち、各ガスボンベ1102〜1106
(1)バルブ1122〜1126及びリークバルブ11
35が閉じられていることを確認し、また流入バルブ1
112〜1l16、流出バルブ1117〜1121及び
補助バルブ1132が開かれていることを確認して、先
ずメインバルブ1134を開いて堆積室1101及びガ
ス配管内を排気する0次に真空計1136の読みが1
、5X10−6 T。
rrになった時点で、補助バルブ1132.流入バルブ
1112〜1116及q流出パルプ1117〜1121
を閉じる。その後、堆積室1tot内に導入すべきガス
のボンベに接続されているガス配管のバルブを開いて所
望のガスを堆積室1lO1内に導入する。
1112〜1116及q流出パルプ1117〜1121
を閉じる。その後、堆積室1tot内に導入すべきガス
のボンベに接続されているガス配管のバルブを開いて所
望のガスを堆積室1lO1内に導入する。
次に、以上の装置を用いてグロー放電法によって本発明
記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例につい
て説明する。バルブ1122を開いてガスボンベ110
2からCH4/Arガスを流出させ、バルブ1123を
開いてガスボンベ1103からPH3/Arガスを流出
させ、出口圧ゲージ1127.1128の圧力を1kg
/crn”に調整し、次に流入バルブ1112.111
3を徐々に開いてマスフローコントロー91107.1
108内に流入させておく、続いて、流出バルブ111
7.1118、補助バルブ1132を徐々に開いテCH
4/ A rガスとPH3/Arガスとを堆積室110
1内に導入する。この時、CH4/Arガスの流量とP
B3 / A rガスの流量との比が所望の値になる
様にマスフローコントローラ1107.1108を調整
し、また堆積室1toi内の圧力が所望の値になる様に
真空計1136の読みを見ながらメインバルブ1134
の開度を調整する。そして、堆積室1101内の支持手
段1139により支持されている支持体1137の温度
が所望の温度になる様にヒータ1138により加熱した
上で、シャッタ1142を開き堆積室1101内にてグ
ロー放電を生起させる。そして、手動または外部駆動モ
ータ等により流出バルブ1117.1118の開度を変
化させる操作を行なってCH4/Arガスの流量及び/
またはPH3/Arガスの流量を予め設計された変化率
曲線に従って経時的に変化させ、これにより抵抗層14
中におけるH原子及び/または電気伝導性支配物質の含
有率を膜厚方向に変化させる。
記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例につい
て説明する。バルブ1122を開いてガスボンベ110
2からCH4/Arガスを流出させ、バルブ1123を
開いてガスボンベ1103からPH3/Arガスを流出
させ、出口圧ゲージ1127.1128の圧力を1kg
/crn”に調整し、次に流入バルブ1112.111
3を徐々に開いてマスフローコントロー91107.1
108内に流入させておく、続いて、流出バルブ111
7.1118、補助バルブ1132を徐々に開いテCH
4/ A rガスとPH3/Arガスとを堆積室110
1内に導入する。この時、CH4/Arガスの流量とP
B3 / A rガスの流量との比が所望の値になる
様にマスフローコントローラ1107.1108を調整
し、また堆積室1toi内の圧力が所望の値になる様に
真空計1136の読みを見ながらメインバルブ1134
の開度を調整する。そして、堆積室1101内の支持手
段1139により支持されている支持体1137の温度
が所望の温度になる様にヒータ1138により加熱した
上で、シャッタ1142を開き堆積室1101内にてグ
ロー放電を生起させる。そして、手動または外部駆動モ
ータ等により流出バルブ1117.1118の開度を変
化させる操作を行なってCH4/Arガスの流量及び/
またはPH3/Arガスの流量を予め設計された変化率
曲線に従って経時的に変化させ、これにより抵抗層14
中におけるH原子及び/または電気伝導性支配物質の含
有率を膜厚方向に変化させる。
次に、以上の装置を用いてスパッタリング法によって本
発明記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例に
ついて説明する。高圧電源1140により高電圧が印加
される電極1〜141上には予め高純度グラファイト1
142−1をターゲットとして設置しておく、グロー放
電法の場合と同様にして、ガスボンベ1102からCH
4/Arガスをガスボンベ1103からPH3/Arガ
スをそれぞれ所望の流量にて堆積室1101内に導入さ
せる。シャッタ1142を開いて、高圧電源1140を
投入することによりターゲット1142−1をスパッタ
リングする。尚、この際ヒータ1138により支持体1
137を所望の温度に加熱し、メインバルブ1134の
開度を調整することにより堆植室1101内を所望の圧
力とすることはグロー放電法の場合と同様である。そし
て、上記グロー放電法の場合と同様に流出バルブ111
7.1118の開度を変化させる操作を行なってCH4
/Arガスの流量及び/またはPH3/Arガスの流量
を予め設計された変化率曲線に従って経時的に変化させ
、これにより抵抗層14中におけるH[子及び/または
電気伝導性支配物質の含有率を膜厚方向に変化させる。
発明記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例に
ついて説明する。高圧電源1140により高電圧が印加
される電極1〜141上には予め高純度グラファイト1
142−1をターゲットとして設置しておく、グロー放
電法の場合と同様にして、ガスボンベ1102からCH
4/Arガスをガスボンベ1103からPH3/Arガ
スをそれぞれ所望の流量にて堆積室1101内に導入さ
せる。シャッタ1142を開いて、高圧電源1140を
投入することによりターゲット1142−1をスパッタ
リングする。尚、この際ヒータ1138により支持体1
137を所望の温度に加熱し、メインバルブ1134の
開度を調整することにより堆植室1101内を所望の圧
力とすることはグロー放電法の場合と同様である。そし
て、上記グロー放電法の場合と同様に流出バルブ111
7.1118の開度を変化させる操作を行なってCH4
/Arガスの流量及び/またはPH3/Arガスの流量
を予め設計された変化率曲線に従って経時的に変化させ
、これにより抵抗層14中におけるH[子及び/または
電気伝導性支配物質の含有率を膜厚方向に変化させる。
第1〜3図に示される様な液体噴射記録ヘッドの電気熱
変換体を有する基板の場合には、上記の様にして支持体
上に発熱抵抗層を形成した後に、該発熱抵抗層上に電極
形成のための導電層(たとえばAu層。A1層)を形成
し、その後フォトリソグラフィー技術を利用して導電層
及び発熱抵抗層のパターニングを行なう、そして、更に
必要ならば絶縁性材料等からなる保護層を積層してもよ
い。
変換体を有する基板の場合には、上記の様にして支持体
上に発熱抵抗層を形成した後に、該発熱抵抗層上に電極
形成のための導電層(たとえばAu層。A1層)を形成
し、その後フォトリソグラフィー技術を利用して導電層
及び発熱抵抗層のパターニングを行なう、そして、更に
必要ならば絶縁性材料等からなる保護層を積層してもよ
い。
また、第10図に示される様な液体噴射記録ヘッドの電
気熱変換体を有する基板の場合には。
気熱変換体を有する基板の場合には。
予め支持体上に導電層を形成し、フォトリソグラフィー
技術を用いて該導電層のパターニングを行なった後K、
以上の様なグロー放電法またはスパッタリング法による
発熱抵抗層の形成が行なわれる。
技術を用いて該導電層のパターニングを行なった後K、
以上の様なグロー放電法またはスパッタリング法による
発熱抵抗層の形成が行なわれる。
溝付の天板としては、たとえば上記支持体と同様な材質
からなり、適宜の手段たとえばマイクロカッターによる
機械的切削や化学的エツチング等により、また天板が感
光性ガラス等の場合には所望のパターンの露光、現像に
より溝を形成したものを利用することができる。
からなり、適宜の手段たとえばマイクロカッターによる
機械的切削や化学的エツチング等により、また天板が感
光性ガラス等の場合には所望のパターンの露光、現像に
より溝を形成したものを利用することができる。
電気熱変換体を有する基板と天板との接合は位置合せを
十分に行なった上でたとえば接着剤による接着や天板の
材質によっては熱融着によって行なうことができる。
十分に行なった上でたとえば接着剤による接着や天板の
材質によっては熱融着によって行なうことができる。
以上の実施態様例においては、第13図に部分斜視図を
示す様なタイプの液体噴射記録ヘッド即ち記録液吐出口
26が天板20に形成された溝22の方向に開口してい
るヘッドについて説明したが、本発明においては第14
図に示される様に液体吐出口26が天板20に直接設け
られていてもよい、第14図のタイプのヘッドにおいて
は天板20に形成された@22の端部の開口は記録液導
入口として利用され、記録液は吐出口26から矢印Yの
方向に吐出する。もちろん、溝22の端部は一方が閉じ
られた形状となっていてもよく、記録液の導入も少なく
とも一方の開口から行なわればよい。
示す様なタイプの液体噴射記録ヘッド即ち記録液吐出口
26が天板20に形成された溝22の方向に開口してい
るヘッドについて説明したが、本発明においては第14
図に示される様に液体吐出口26が天板20に直接設け
られていてもよい、第14図のタイプのヘッドにおいて
は天板20に形成された@22の端部の開口は記録液導
入口として利用され、記録液は吐出口26から矢印Yの
方向に吐出する。もちろん、溝22の端部は一方が閉じ
られた形状となっていてもよく、記録液の導入も少なく
とも一方の開口から行なわればよい。
次に1本発明液体噴射記録ヘッドの変形例を示す。
第15図は上記第14図におけるIX−IX断面図であ
る。この場合には天板20の溝22の部分以外は電気熱
変換体を有する基板と密着している。
る。この場合には天板20の溝22の部分以外は電気熱
変換体を有する基板と密着している。
従って、天板20の6溝22に対応して形成される各熱
作用部24は支持体12との密着部分よりなるバリヤ部
30により互いに遮断されている。
作用部24は支持体12との密着部分よりなるバリヤ部
30により互いに遮断されている。
尚、第15図において各発熱部18は各吐出口26に対
応して設けられている。
応して設けられている。
第16〜18図はその他の例を示す第15図に対応する
断面図である。
断面図である。
第16図の場合にはバリヤ部30が支持体12とは完全
には密着しておらず、各発熱部18に対応する熱作用部
24は互いに連通しそいる。
には密着しておらず、各発熱部18に対応する熱作用部
24は互いに連通しそいる。
第17図の場合にはバリヤ部30が天板20ではなく基
板に形成されており、上記第16図の場合と同様6発熱
部18に対応する熱作用部24は互いに連通している。
板に形成されており、上記第16図の場合と同様6発熱
部18に対応する熱作用部24は互いに連通している。
第18図の場合には第15〜17図の場合の様なバリヤ
部は形成されていない。
部は形成されていない。
以上の第15〜18図は第14図に示されるタイプの液
体噴射記録ヘッドについてのものであるが、第13図に
示されるタイプのものについても同様である。
体噴射記録ヘッドについてのものであるが、第13図に
示されるタイプのものについても同様である。
バリヤ部(壁)30は上記した様に必ず設けなければな
らないというものではない、隣接する吐出口から吐出さ
れる液体の吐出方向や吐出速度、または吐出量等に影響
を与えても飛翔液滴の被記録部材への着弾点に許容範囲
を越える誤差がでなければバリヤ部は必ずしも設ける必
要はない、しかし、吐出口間相互の影響を一層少なくす
るためやエネルギー効率(液体の吐出効率)を向上させ
るためにはバリヤ部を設けることは好ましい、また、バ
リヤ部は天板に一体的に形成されてもよいしバリヤ部の
みが別部材とされていてもよいのはもちろんである。平
板な天板としては前記溝付き天板と同様の材質を用いる
ことができる。また、バリヤ部及び天板としては感光性
樹脂を用いることもできる。
らないというものではない、隣接する吐出口から吐出さ
れる液体の吐出方向や吐出速度、または吐出量等に影響
を与えても飛翔液滴の被記録部材への着弾点に許容範囲
を越える誤差がでなければバリヤ部は必ずしも設ける必
要はない、しかし、吐出口間相互の影響を一層少なくす
るためやエネルギー効率(液体の吐出効率)を向上させ
るためにはバリヤ部を設けることは好ましい、また、バ
リヤ部は天板に一体的に形成されてもよいしバリヤ部の
みが別部材とされていてもよいのはもちろんである。平
板な天板としては前記溝付き天板と同様の材質を用いる
ことができる。また、バリヤ部及び天板としては感光性
樹脂を用いることもできる。
以下に、本発明液体噴射記録ヘッドの具体的実施例を示
す。
す。
[実施例]
先ず、以下の実施例及び比較例において使用される電気
熱変換体を有する基板を次の要領で作成した。
熱変換体を有する基板を次の要領で作成した。
支持体としては、コーニング社製の#7059ガラス、
表面層として熱酸化5i02蓄熱層(厚さ5ILm)を
設けたSi板を用いた。
表面層として熱酸化5i02蓄熱層(厚さ5ILm)を
設けたSi板を用いた。
支持体上に発熱抵抗層及び電極、ならびに場合により更
に保護層を形成する。これら発熱抵抗層、電極及び保護
層の層構成は以下のA、B、Cの3種類のタイプとした
。
に保護層を形成する。これら発熱抵抗層、電極及び保護
層の層構成は以下のA、B、Cの3種類のタイプとした
。
タイプA
支持体上に第12図に示される堆積装置を用いて発熱抵
抗層を形成した。堆積の際の条件は第1表及び第2表に
それぞれ示される通りである。
抗層を形成した。堆積の際の条件は第1表及び第2表に
それぞれ示される通りである。
尚、第1表記載の実施例はグロー放電法で行なわれ、ま
た第2表記載の実施例及び比較例はスパッタリング法に
より行なわれた。スパッタリングの際のターゲットとし
ては比較例を除いてグラフアイ)(99,99%)が用
いられ、比較例はHfB2が用いられた。
た第2表記載の実施例及び比較例はスパッタリング法に
より行なわれた。スパッタリングの際のターゲットとし
ては比較例を除いてグラフアイ)(99,99%)が用
いられ、比較例はHfB2が用いられた。
堆積中において各ガスの流量及びその他の条件は第1表
及び第2表にそれぞれ示されるζおりに保たれ、第3表
に示される厚さの発熱抵抗層が形成された0次に、その
発熱抵抗層上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォ
トリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し
、A1層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を
形成した。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレ
ジストパターンを形成してHF系エツチング液を用いて
所定の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として、
40ルmX200ILmの発熱抵抗層の部分からなる発
熱部に上記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した
。この発熱部は8個/mmピッチで配列した。
及び第2表にそれぞれ示されるζおりに保たれ、第3表
に示される厚さの発熱抵抗層が形成された0次に、その
発熱抵抗層上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォ
トリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し
、A1層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を
形成した。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレ
ジストパターンを形成してHF系エツチング液を用いて
所定の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として、
40ルmX200ILmの発熱抵抗層の部分からなる発
熱部に上記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した
。この発熱部は8個/mmピッチで配列した。
次に、感光性ポリイミド(商品名フォトニース)をスピ
ンコードする。そして、80℃で1時間プリベークし、
アライナ−で露光後、現像し、発熱部を窓あけ構造とし
た構成にする。そして、140℃で30分更に400℃
で1時間ボストベークをして電気熱変換体を有する基板
が完成する。
ンコードする。そして、80℃で1時間プリベークし、
アライナ−で露光後、現像し、発熱部を窓あけ構造とし
た構成にする。そして、140℃で30分更に400℃
で1時間ボストベークをして電気熱変換体を有する基板
が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の各発熱部の抵抗は
第3表に示される通りであった。
第3表に示される通りであった。
尚、感光性ポリイミドはAI電極のインク中における電
解を防ぐためのものである。
解を防ぐためのものである。
完成した電気熱変換体を有する基板の模式的斜視図を第
19図に、模式的断面図を第20図に示す0図において
、28はポリイミド層である。
19図に、模式的断面図を第20図に示す0図において
、28はポリイミド層である。
タイプB
タイプAの場合と同様にして支持体上に発熱抵抗層を形
成した。堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示さ
れる通りである。なお、堆積中において各ガスの流量及
びその他の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示される
とおりに保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層を
か形成された0次に、その発熱抵抗層上に電子ビーム法
によりAu層を形成しフォトリソグラフィー技術により
レジストパターンを形成しAu層を所望の形状にエツチ
ングして複数対の電極を形成した。続いて、フォトリソ
グラフィー技術によりレジストパターンを形成してHF
系エツチング液を用いて所定の部分の発熱抵抗層を除去
した。その−例として40ILmX2007tmの発熱
抵抗層の部分からなる発熱部に上記電極が付されている
発熱抵抗素子を形成した。この発熱部は8個/ m m
ピッチで配列した。かくして、電気熱変換体を有する基
板が完成する。
成した。堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示さ
れる通りである。なお、堆積中において各ガスの流量及
びその他の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示される
とおりに保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層を
か形成された0次に、その発熱抵抗層上に電子ビーム法
によりAu層を形成しフォトリソグラフィー技術により
レジストパターンを形成しAu層を所望の形状にエツチ
ングして複数対の電極を形成した。続いて、フォトリソ
グラフィー技術によりレジストパターンを形成してHF
系エツチング液を用いて所定の部分の発熱抵抗層を除去
した。その−例として40ILmX2007tmの発熱
抵抗層の部分からなる発熱部に上記電極が付されている
発熱抵抗素子を形成した。この発熱部は8個/ m m
ピッチで配列した。かくして、電気熱変換体を有する基
板が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の各発熱部の抵抗は
第3表に示される通りであった。
第3表に示される通りであった。
完成した電気熱変換体を有する基板の模式的斜視図を第
21図に、模式的断面図を第22図に示す。
21図に、模式的断面図を第22図に示す。
タイプC
支持体上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォトリ
ソグラフィー技術によりレジストパターンを形成しA1
層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を形成し
た0次に、パターンが形成されたA1層の上に発熱抵抗
層を形成した。
ソグラフィー技術によりレジストパターンを形成しA1
層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を形成し
た0次に、パターンが形成されたA1層の上に発熱抵抗
層を形成した。
発熱抵抗層はタイプAの場合と同様にして形成された。
堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示される通り
に保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層が形成さ
れた。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレジス
トパターンを形成してHF系エツチング液を用いて所定
の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として407
imX200Bmの発熱抵抗層の部分からなる発熱部に
上記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した。
に保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層が形成さ
れた。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレジス
トパターンを形成してHF系エツチング液を用いて所定
の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として407
imX200Bmの発熱抵抗層の部分からなる発熱部に
上記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した。
この発熱部は8個/ m mピッチで配列した。尚、A
t電極はこの発熱抵抗層によって保護されているので保
護膜を形成する必要はない、かくして。
t電極はこの発熱抵抗層によって保護されているので保
護膜を形成する必要はない、かくして。
電気熱変換体を有する基板が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の6発、%full
の抵抗は第3表に示される通りであった。
の抵抗は第3表に示される通りであった。
完成した電気熱変換体を有する基板の模式的斜視図を第
23図に、模式的断面図を第24図に示す。
23図に、模式的断面図を第24図に示す。
以上の様にして完成した電気熱変換体を有する基板を用
いて液体噴射記録ヘッドを作成する0作成されるヘッド
には上記第13図に示されるタイプ(以下、タイプ1と
いう)及び上記第14図に示されるタイプ(以下、タイ
プ2という)がある。
いて液体噴射記録ヘッドを作成する0作成されるヘッド
には上記第13図に示されるタイプ(以下、タイプ1と
いう)及び上記第14図に示されるタイプ(以下、タイ
プ2という)がある。
タイプlについては2種類の作成方法により。
またタイプ2については1種類の作成方法により作成が
行なわれた。以下、それらの作成方法について述べる。
行なわれた。以下、それらの作成方法について述べる。
タイプ1−1
先ず、第25図の模式的斜視図に示す様に、ガラス板4
0に複数本の$422(輻40 pm 、深さ40pm
)と共通インク室となる溝42とをマイクロカッターを
用いて切削形成してなる溝付きの天板20を作成する。
0に複数本の$422(輻40 pm 、深さ40pm
)と共通インク室となる溝42とをマイクロカッターを
用いて切削形成してなる溝付きの天板20を作成する。
次に、上記で完成した基板と天板20とを発熱部と溝2
2との位n合せをした上で接合し、更に第26図の模式
的斜視図に示す様に不図示のインク供給部から共通イン
ク室にインクを導入するためのインク導入管44を接続
して記録へラド46を一体的に完成した。
2との位n合せをした上で接合し、更に第26図の模式
的斜視図に示す様に不図示のインク供給部から共通イン
ク室にインクを導入するためのインク導入管44を接続
して記録へラド46を一体的に完成した。
タイプ1−2
上記で完成した基板上に感光性フィルム50(商品名オ
ーディール、東京応化)をラミネートする。そして、ア
ライナ−で露光し、現像し、所望のパターン形状に作成
する0次に、感光性樹脂フィルム52(商品名オーディ
ール、東京応化)をラミネートしたガラス板54を上記
のパターン形成したフィルム上にはりあわせ接合する。
ーディール、東京応化)をラミネートする。そして、ア
ライナ−で露光し、現像し、所望のパターン形状に作成
する0次に、感光性樹脂フィルム52(商品名オーディ
ール、東京応化)をラミネートしたガラス板54を上記
のパターン形成したフィルム上にはりあわせ接合する。
そして、この接合体をたとえばダイシング切断等の機械
加工により整形して吐出口26を形成し、更に不図示の
インク供給部から共通インク室にインク導木管44を接
続して、第27図の模式的斜視図に示す様な記録へラド
56が一体的に完成した。
加工により整形して吐出口26を形成し、更に不図示の
インク供給部から共通インク室にインク導木管44を接
続して、第27図の模式的斜視図に示す様な記録へラド
56が一体的に完成した。
タイプ2
先ず、吐出口26が形成された天板20を作成する。天
板20はエツチングなどで溝をつけたステンレス板上に
感光性フィルム(商品名PHT−145FT−50,日
立化成)のパターンを形成し、そしてその上にNiメッ
キで電鋳をして作成する、吐出口26として穴があく部
分は感光性フィルムのパターンがあるところである。こ
の様にして作成した天板20と上記で完成した基板とを
発熱部とこれに対応した吐出口26とで位置合せをして
接着剤で接合する。尚、基板は天板20内にインクが供
給できる様に5機械加工で穴をあけである0次に、接合
した基板の背面に不図示のインク供給部から共通インク
室にインクを導入するための導入管60を接合して第2
8図の模式的斜視図に示す様な記録へラド62を一体的
に完成した。尚、64は天板20の凹部であリバリャ部
を構成する。
板20はエツチングなどで溝をつけたステンレス板上に
感光性フィルム(商品名PHT−145FT−50,日
立化成)のパターンを形成し、そしてその上にNiメッ
キで電鋳をして作成する、吐出口26として穴があく部
分は感光性フィルムのパターンがあるところである。こ
の様にして作成した天板20と上記で完成した基板とを
発熱部とこれに対応した吐出口26とで位置合せをして
接着剤で接合する。尚、基板は天板20内にインクが供
給できる様に5機械加工で穴をあけである0次に、接合
した基板の背面に不図示のインク供給部から共通インク
室にインクを導入するための導入管60を接合して第2
8図の模式的斜視図に示す様な記録へラド62を一体的
に完成した。尚、64は天板20の凹部であリバリャ部
を構成する。
電気熱変換体を有する基板の層構成のタイプA、タイプ
B、タイプCとヘッド作成方法のタイプ1−1.タイプ
l−2,タイプ2との組合せがあるが、以下の耐久性実
験においてはタイプAとタイプ1−1との組合せが用い
られた。
B、タイプCとヘッド作成方法のタイプ1−1.タイプ
l−2,タイプ2との組合せがあるが、以下の耐久性実
験においてはタイプAとタイプ1−1との組合せが用い
られた。
以下1作成された記録ヘッドの耐久性についての実験に
ついて述べる。
ついて述べる。
以上において作成された記録ヘッドには各発熱部に関す
る個別の電極17と各発熱部に共通の電極16とにそれ
ぞれ接続されている電極リード(個別電極リード及び共
通電極リード:不図示)を有するリード基板が付設され
、記録ヘッドユニットが完成した。
る個別の電極17と各発熱部に共通の電極16とにそれ
ぞれ接続されている電極リード(個別電極リード及び共
通電極リード:不図示)を有するリード基板が付設され
、記録ヘッドユニットが完成した。
これら記録ヘッドユニットを用いて、第29図に概略斜
視図の示される様な液体噴射記録装置を構成した。
視図の示される様な液体噴射記録装置を構成した。
第29図において、70は記録ヘッドユニットであり、
72は該記録ヘッドユニット70の載置されているキャ
リッジであり、74は該キャリッジ72の往復移動のた
めのガイド部材である。また、76はプラテンであり、
78は該プラテン76上に保持されている被記録部材た
とえば紙である。
72は該記録ヘッドユニット70の載置されているキャ
リッジであり、74は該キャリッジ72の往復移動のた
めのガイド部材である。また、76はプラテンであり、
78は該プラテン76上に保持されている被記録部材た
とえば紙である。
記録ヘッドユニット70の記録液吐出口は矢印Zの方向
を向いており、記録液は該矢印方向に液滴となって吐出
せしめられ、プラテン76上の被記録部材78上にドツ
ト状に付着する。適宜の駆動手段により記録ヘッドユニ
ット70をガイド部材74に沿って移動させることによ
り主走査が行なわれ、一方適宜の駆動手段によりプラテ
ン7Gを回転軸77のまわりに回転させることにより副
走査が行なわれ、これにより被記録部材78上に記録が
行なわれる。
を向いており、記録液は該矢印方向に液滴となって吐出
せしめられ、プラテン76上の被記録部材78上にドツ
ト状に付着する。適宜の駆動手段により記録ヘッドユニ
ット70をガイド部材74に沿って移動させることによ
り主走査が行なわれ、一方適宜の駆動手段によりプラテ
ン7Gを回転軸77のまわりに回転させることにより副
走査が行なわれ、これにより被記録部材78上に記録が
行なわれる。
実験条件は次の通りであった。
発熱部に10Bsecのパルス幅、200JLSecの
パルス入力周期で最低発泡電圧(インク中で発泡しはじ
める電圧)の1.2倍の電圧(たとえば最低発泡電圧が
20Vであれば24v)の矩形パルスを印加した。用い
たインクの組成は以下の通りであった。
パルス入力周期で最低発泡電圧(インク中で発泡しはじ
める電圧)の1.2倍の電圧(たとえば最低発泡電圧が
20Vであれば24v)の矩形パルスを印加した。用い
たインクの組成は以下の通りであった。
水 68重量部
DEC30重量部
黒色染料 2重量部
上記実験条件及びインクを用いてインク滴吐出実験を行
なったところ、第3表に示す様な耐久性評価が得られた
。
なったところ、第3表に示す様な耐久性評価が得られた
。
なお、このらの実施例及び比較例における耐久性の評価
は次の通り電気的パルスの繰返し印加可能回数により行
なった。iち、第3表中の耐久性の欄に示されている「
○J、rXJは、以下の通り電気的パルスの緑返し印加
回数が何回であったかを示している。
は次の通り電気的パルスの繰返し印加可能回数により行
なった。iち、第3表中の耐久性の欄に示されている「
○J、rXJは、以下の通り電気的パルスの緑返し印加
回数が何回であったかを示している。
0 109回以上
X 106回以下
以上の結果から、本発明の実施例においては比較例に比
べて著しく優れた耐久性を有する記録ヘッドが得られた
ことが分る。また、本発明実施例においては記録性も優
れていいるものであった。
べて著しく優れた耐久性を有する記録ヘッドが得られた
ことが分る。また、本発明実施例においては記録性も優
れていいるものであった。
上記耐久性実験においては上記タイプAとタイプ1−1
との組合せが用いられたが、他の組合せにおいても同様
の結果が得られた。
との組合せが用いられたが、他の組合せにおいても同様
の結果が得られた。
第 3 表
次に、本発明液体噴射記録装置の一実施態様例の一部切
欠斜視図を第30図に示す。
欠斜視図を第30図に示す。
本実施態様例においては、2個の記録ヘッドユニット7
0がそれぞれ押え部材71により並列にキャリッジ72
に固定されて載置されている。記録ヘッドユニット70
はいわゆる使い捨てタイプのものであり、記録液を内蔵
している。キャリッジ72のガイド部材74に沿っての
移動は、プーリ80,81間に巻回されたワイヤ82の
一部を上記キャリッジ72に固定しておき、モータ84
′によりプーリ81を駆動回転させることにより行なわ
れる。
0がそれぞれ押え部材71により並列にキャリッジ72
に固定されて載置されている。記録ヘッドユニット70
はいわゆる使い捨てタイプのものであり、記録液を内蔵
している。キャリッジ72のガイド部材74に沿っての
移動は、プーリ80,81間に巻回されたワイヤ82の
一部を上記キャリッジ72に固定しておき、モータ84
′によりプーリ81を駆動回転させることにより行なわ
れる。
一方、プラテン76の回転軸77はモータ86及びギヤ
機構88により駆動回転せしめられ、これにより被記録
部材78が送られる。
機構88により駆動回転せしめられ、これにより被記録
部材78が送られる。
90はキャリッジ72を介して記録ヘッドユニット70
に対しZ方向への記録液の吐出の電気信号を供給するた
め、キャリッジ72に接続されているフレキシブル配線
板である。
に対しZ方向への記録液の吐出の電気信号を供給するた
め、キャリッジ72に接続されているフレキシブル配線
板である。
[発明の効果]
以上の様な本発明によれば、発熱抵抗層として炭素原子
を母体とし水素原子と電気伝導性支配物質とを含有して
なる非晶質材料を用いていることにより、化学的安定性
が高く、耐電気化学反応性、耐酸化性に優れ、且つ耐機
械的衝撃性、耐熱性に優れた電気熱変換体を有し、従っ
て熱応答性及び繰返し使用耐久性が極めて良好な液体噴
射記録ヘッド及び液体噴射記録装置が提供される0本発
明によれば特に発熱抵抗層の抵抗値制御性が良好である
。
を母体とし水素原子と電気伝導性支配物質とを含有して
なる非晶質材料を用いていることにより、化学的安定性
が高く、耐電気化学反応性、耐酸化性に優れ、且つ耐機
械的衝撃性、耐熱性に優れた電気熱変換体を有し、従っ
て熱応答性及び繰返し使用耐久性が極めて良好な液体噴
射記録ヘッド及び液体噴射記録装置が提供される0本発
明によれば特に発熱抵抗層の抵抗値制御性が良好である
。
よって、本発明により高周波数応答でしかも信頼性の高
い液体噴射記録を実現することが可trtとなる。
い液体噴射記録を実現することが可trtとなる。
更に1本発明によれば、発熱抵抗層中における水素原子
及び/または電気伝導性支配物質の含有率を膜厚方向に
不均一分布となしているので、蓄熱性や放熱性や支持体
と抵抗層との密着性や記録液との耐化学反応性等の種々
の特性を容易に実現することができる。
及び/または電気伝導性支配物質の含有率を膜厚方向に
不均一分布となしているので、蓄熱性や放熱性や支持体
と抵抗層との密着性や記録液との耐化学反応性等の種々
の特性を容易に実現することができる。
第1図は本発明記録ヘッドの部分平面図であり、第2図
はその■−■断面図であり、第3図は第2図のm−m断
面図である。 第4〜9図は発熱抵抗層中における水素原子及び/また
は電気伝導性支配物質の含有率の分布を示すグラフであ
る。 第10図及び第11図は本発明記録ヘッドの電気熱変換
体を有する基板の部分断面図である。 第12図は堆積装置の模式的説明図である。 第13図及び第14図は本発明記録へ一2ドの部分斜視
図である。 第15図〜第18図は本発明記録ヘッドの部分断面図で
ある。 第19図、第21図及び第23図は本発明記録ヘッドの
電気熱変換体を有する基板の斜視図であり、第20図、
第22図及び第24図はそれぞれそれらの断面図である
。 第25図は本発明記録ヘッドの天板の斜視図である。 第26図、第27図及び第28図は本発明記録ヘッドの
斜視図である。 第29図は本発明記録装置の斜視図である。 第30図は本発明記録装置の一部切欠斜視図である。 12:支持体 24:発熱抵抗層16.17:電
極 18:発熱部 2o:天板 24:熱作用部 26:吐出口 代理人 弁理士 山 下 積 平 lrI。 第3図 第4図 第5図 第6図 リ C 第7図 OC 第8図 第7図 OC 第1O図 第1I図 ト ! 一Δ 」□ 第13図 第14図 第15図 第1G vA 第21図 第22図 第27図
はその■−■断面図であり、第3図は第2図のm−m断
面図である。 第4〜9図は発熱抵抗層中における水素原子及び/また
は電気伝導性支配物質の含有率の分布を示すグラフであ
る。 第10図及び第11図は本発明記録ヘッドの電気熱変換
体を有する基板の部分断面図である。 第12図は堆積装置の模式的説明図である。 第13図及び第14図は本発明記録へ一2ドの部分斜視
図である。 第15図〜第18図は本発明記録ヘッドの部分断面図で
ある。 第19図、第21図及び第23図は本発明記録ヘッドの
電気熱変換体を有する基板の斜視図であり、第20図、
第22図及び第24図はそれぞれそれらの断面図である
。 第25図は本発明記録ヘッドの天板の斜視図である。 第26図、第27図及び第28図は本発明記録ヘッドの
斜視図である。 第29図は本発明記録装置の斜視図である。 第30図は本発明記録装置の一部切欠斜視図である。 12:支持体 24:発熱抵抗層16.17:電
極 18:発熱部 2o:天板 24:熱作用部 26:吐出口 代理人 弁理士 山 下 積 平 lrI。 第3図 第4図 第5図 第6図 リ C 第7図 OC 第8図 第7図 OC 第1O図 第1I図 ト ! 一Δ 」□ 第13図 第14図 第15図 第1G vA 第21図 第22図 第27図
Claims (2)
- (1)液体を吐出して飛翔的液滴を形成するために設け
られた吐出口と前記飛翔的液滴を形成するために利用さ
れる熱エネルギーを発生する電気熱変換体とを具備する
液体噴射記録ヘッドにおいて、前記電気熱変換体を構成
する発熱抵抗層が炭素原子を母体とし水素原子と電気伝
導性を支配する物質とを含有してなる非晶質材料からな
り、該発熱抵抗層において水素原子及び/または電気伝
導性を支配する物質が膜厚方向に不均一に分布している
ことを特徴とする、液体噴射記録ヘッド。 - (2)液体を吐出して飛翔的液滴を形成するために設け
られた吐出口と前記飛翔的液滴を形成するために利用さ
れる熱エネルギーを発生する電気熱変換体とを具備する
液体噴射記録ヘッドを搭載してなる液体噴射記録装置に
おいて、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素
原子を母体とし水素原子と電気伝導性を支配する物質と
を含有してなる非晶質材料からなり、該発熱抵抗層にお
いて水素原子及び/または電気伝導性を支配する物質が
膜厚方向に不均一に分布していることを特徴とする、液
体噴射記録装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127220A JPS61286145A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
| DE19863618534 DE3618534A1 (de) | 1985-06-10 | 1986-06-03 | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf und diesen fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf enthaltendes aufzeichnungssystem |
| GB8613938A GB2176443B (en) | 1985-06-10 | 1986-06-09 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| US07/242,283 US4847639A (en) | 1985-06-10 | 1988-09-09 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| GB8914939A GB2220169B (en) | 1985-06-10 | 1989-06-29 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| GB8914938A GB2220168B (en) | 1985-06-10 | 1989-06-29 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127220A JPS61286145A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61286145A true JPS61286145A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14954694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60127220A Pending JPS61286145A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-13 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61286145A (ja) |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP60127220A patent/JPS61286145A/ja active Pending
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