JPS61284450A - 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 - Google Patents
液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置Info
- Publication number
- JPS61284450A JPS61284450A JP12515685A JP12515685A JPS61284450A JP S61284450 A JPS61284450 A JP S61284450A JP 12515685 A JP12515685 A JP 12515685A JP 12515685 A JP12515685 A JP 12515685A JP S61284450 A JPS61284450 A JP S61284450A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- layer
- liquid
- recording head
- jet recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は液体噴射記録ヘッド及び該記録ヘッドを搭載し
た液体噴射記録?taに関する。
た液体噴射記録?taに関する。
[従来の技術J
現在知られている各種の記録法のなかでも、記録時に騒
音の発生がほとんどないノンインパクト記録方式であっ
て且つ高速記録が可能であり、しかも普通紙に特別の定
着処理を必要とせずに記録の行なえるいわゆるインクジ
ェット記録法は、極めて有用な記録方式であると認めら
れている。このインクジェット記録法については、これ
までにも様々な方式が提案され改良が加えられて商品化
されたものもあれば現在もなお実用化への努力が続けら
れているものもある。
音の発生がほとんどないノンインパクト記録方式であっ
て且つ高速記録が可能であり、しかも普通紙に特別の定
着処理を必要とせずに記録の行なえるいわゆるインクジ
ェット記録法は、極めて有用な記録方式であると認めら
れている。このインクジェット記録法については、これ
までにも様々な方式が提案され改良が加えられて商品化
されたものもあれば現在もなお実用化への努力が続けら
れているものもある。
インクジェット記録法は、インクと称される記録液の液
滴(droplet)を種々の作用原理で飛翔させ、そ
れを紙等の被記録部材に付着サセて記録を行なうもので
ある。
滴(droplet)を種々の作用原理で飛翔させ、そ
れを紙等の被記録部材に付着サセて記録を行なうもので
ある。
そして、本件出願人もかかるインクジェット記録法に係
わる新規方式について既に提案を行なっている。この新
規方式は特開昭52−118798号公報において提案
されており、その基本原理は次に概説する通りである。
わる新規方式について既に提案を行なっている。この新
規方式は特開昭52−118798号公報において提案
されており、その基本原理は次に概説する通りである。
つまり、このインクジェット記録方式は、記録液を収容
することのできる作用室中に導入された記録液に対して
情報信号として熱的パルスを与え、これにより記録液が
然気泡を発生し自己収縮する過程で生ずる作用力に従っ
て前記作用室に連通せる吐出口より前記記録液を吐出し
て小液滴として飛翔せしめ、これを被記録部材に付着さ
せて記録を行なう方式である。
することのできる作用室中に導入された記録液に対して
情報信号として熱的パルスを与え、これにより記録液が
然気泡を発生し自己収縮する過程で生ずる作用力に従っ
て前記作用室に連通せる吐出口より前記記録液を吐出し
て小液滴として飛翔せしめ、これを被記録部材に付着さ
せて記録を行なう方式である。
ところで、この方式は高密度マルチアレー構成にして高
速記録、カラー記録に適合させやすく、実施装賃の構成
が従来のそれに比べて簡略であるため、記録ヘッドとし
て全体的にはコンパクト化が図れ且つ量産に向くこと、
半導体分野において技術の進歩と信頼性の向上が著しい
IC技術やマイクロ加工技術の長所を十二分に利用する
ことで長尺化が容易であること等の利点があり、適用範
囲の広い方式である。
速記録、カラー記録に適合させやすく、実施装賃の構成
が従来のそれに比べて簡略であるため、記録ヘッドとし
て全体的にはコンパクト化が図れ且つ量産に向くこと、
半導体分野において技術の進歩と信頼性の向上が著しい
IC技術やマイクロ加工技術の長所を十二分に利用する
ことで長尺化が容易であること等の利点があり、適用範
囲の広い方式である。
上記液体噴射記録装置の特徴的な記録ヘッドには、吐出
口より液体を吐出して飛翔的液滴を形成する手段として
の電気熱変換体が設けられている。
口より液体を吐出して飛翔的液滴を形成する手段として
の電気熱変換体が設けられている。
該電気熱変換体は1発生する熱エネルギーを効率良く液
体に作用させること、液体への熱作用の0N−OFF応
答速度を高めること等のために。
体に作用させること、液体への熱作用の0N−OFF応
答速度を高めること等のために。
液体に直接接触する様に吐出口が連通している熱作用部
に設けられる構造とするのが望ましいとされている。
に設けられる構造とするのが望ましいとされている。
しかしながら、前記の電気熱変換体は通電されることに
よって発熱する発熱抵抗体と該発熱抵抗体に通電するた
めの一対の電極とで基本的には構成されているために1
発熱抵抗体が直に液体に接触する状態であると、記録用
の液体の電気抵抗値如何によっては該液体を通じて電気
が流れたり、液体を通じての電気の流れによって液体自
体が電気分解したり、あるいは発熱抵抗体への通電、)
際に該発熱抵抗体と液体とが反応して、発熱抵抗体自体
の腐食による抵抗値の変化や発熱抵抗体の破損あるいは
破壊が起こったり、更には発熱抵抗体から発生される熱
の作用による熱の作用による液体の蒸気泡の発生から自
己消滅に至る状プロ変化に伴う機械的衝撃によって発熱
抵抗体の表面が破損したり、あるいは発熱抵抗体の一部
に亀裂が生ずる等して破壊されたりする場合があった。
よって発熱する発熱抵抗体と該発熱抵抗体に通電するた
めの一対の電極とで基本的には構成されているために1
発熱抵抗体が直に液体に接触する状態であると、記録用
の液体の電気抵抗値如何によっては該液体を通じて電気
が流れたり、液体を通じての電気の流れによって液体自
体が電気分解したり、あるいは発熱抵抗体への通電、)
際に該発熱抵抗体と液体とが反応して、発熱抵抗体自体
の腐食による抵抗値の変化や発熱抵抗体の破損あるいは
破壊が起こったり、更には発熱抵抗体から発生される熱
の作用による熱の作用による液体の蒸気泡の発生から自
己消滅に至る状プロ変化に伴う機械的衝撃によって発熱
抵抗体の表面が破損したり、あるいは発熱抵抗体の一部
に亀裂が生ずる等して破壊されたりする場合があった。
そのために、従来においては、NiCr等の合金やZr
B2.HfB2等の金属ホウ化物等の比較的発熱抵抗体
材料としての特性に優れた無機材料で発熱抵抗体を構成
すると共に、該材料で構成された発熱抵抗体上に5i0
2等の耐酸化性に優れた材料で構成された保護層(上部
層)を設けることで発熱抵抗体が液体に直に接触するの
を防止して、前記の諸問題を解決し信頼性と繰返し使用
耐久性の向上を図ろうとすることが提案されていた。
B2.HfB2等の金属ホウ化物等の比較的発熱抵抗体
材料としての特性に優れた無機材料で発熱抵抗体を構成
すると共に、該材料で構成された発熱抵抗体上に5i0
2等の耐酸化性に優れた材料で構成された保護層(上部
層)を設けることで発熱抵抗体が液体に直に接触するの
を防止して、前記の諸問題を解決し信頼性と繰返し使用
耐久性の向上を図ろうとすることが提案されていた。
しかしながら、上記の様な構成の電気熱変換体が設けら
れた記録ヘッドを有する液体噴射記録装置は、記録用の
着色された液体として電気伝導度の比較的低い液体(例
えば液媒体として水やアルコールを用いたもの)を使用
する場合には、耐酸化性に優れ繰返し使用耐久性の点で
満足のいくものであるが、Naイオン等の含有率が高く
電気伝導度の大きな記録用の液体や電界質の液体を使用
する場合には、t&返し使用耐久性、耐経時的変化性の
点で不十分であった。従って、使用する記録用液体の選
択に制約があって、ことに多色あるいは天然色のカラー
記録を行なう場合には障害となっていた。
れた記録ヘッドを有する液体噴射記録装置は、記録用の
着色された液体として電気伝導度の比較的低い液体(例
えば液媒体として水やアルコールを用いたもの)を使用
する場合には、耐酸化性に優れ繰返し使用耐久性の点で
満足のいくものであるが、Naイオン等の含有率が高く
電気伝導度の大きな記録用の液体や電界質の液体を使用
する場合には、t&返し使用耐久性、耐経時的変化性の
点で不十分であった。従って、使用する記録用液体の選
択に制約があって、ことに多色あるいは天然色のカラー
記録を行なう場合には障害となっていた。
また、上記の様に発熱抵抗体上に保護層を設ける場合に
おいても、例えば層形成時に生ずる保護層自体の欠陥に
基づく発熱抵抗体側方向への液体の侵入を実質上完全に
防止することは再現性、量産性の点で非常に困難である
。ましてや、高密度に多数の熱作用部をその構成の一部
とする液流路(ノズル)を設ける、いわゆる高密度マル
チオリアイス化の場合には、少なくとも液流路数だけ電
気熱変換体を一度に設ける必要性から、先の保護層の欠
陥による不良化の電気熱変換体の製造歩留りへの形容は
製造コストの面も含めて大きな問題である。また、前記
保護層の存在により熱応答性が犠牲になるという問題も
ある。更に、保w!層の存在により所定の電気信号に対
する発熱応答性が犠牲になっている。従って、保護層が
なく、記録用の液体に発熱抵抗体が直に接触する状態で
あっても、耐熱性、耐酸化性、耐機械的衝撃性、耐電気
化学反応性、熱応答性に優れた電気熱変換体を具備する
液体噴射記録装置の開発が広く望まれている。
おいても、例えば層形成時に生ずる保護層自体の欠陥に
基づく発熱抵抗体側方向への液体の侵入を実質上完全に
防止することは再現性、量産性の点で非常に困難である
。ましてや、高密度に多数の熱作用部をその構成の一部
とする液流路(ノズル)を設ける、いわゆる高密度マル
チオリアイス化の場合には、少なくとも液流路数だけ電
気熱変換体を一度に設ける必要性から、先の保護層の欠
陥による不良化の電気熱変換体の製造歩留りへの形容は
製造コストの面も含めて大きな問題である。また、前記
保護層の存在により熱応答性が犠牲になるという問題も
ある。更に、保w!層の存在により所定の電気信号に対
する発熱応答性が犠牲になっている。従って、保護層が
なく、記録用の液体に発熱抵抗体が直に接触する状態で
あっても、耐熱性、耐酸化性、耐機械的衝撃性、耐電気
化学反応性、熱応答性に優れた電気熱変換体を具備する
液体噴射記録装置の開発が広く望まれている。
[発明の目的1
本発明は、上記の諸点に鑑みてなされたものであって、
前記の従来における諸問題を解決した優れた液体噴射記
録ヘー、ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装
置を提供することを主たる目的とする。
前記の従来における諸問題を解決した優れた液体噴射記
録ヘー、ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装
置を提供することを主たる目的とする。
本発明の別の目的は、特に化学的安定性が高く、#電気
化学反応性、耐酸化性に優れ・且つ耐機械的衝撃性、耐
熱性にも優れ、更に保護層をなくすことにより熱応答性
を向上させ得る発熱抵抗体を具備した液体噴射記録ヘッ
ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置を提供
することである。
化学反応性、耐酸化性に優れ・且つ耐機械的衝撃性、耐
熱性にも優れ、更に保護層をなくすことにより熱応答性
を向上させ得る発熱抵抗体を具備した液体噴射記録ヘッ
ド及び該記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置を提供
することである。
[発明のJ!!要J
本発明によれば、上記の目的は、液体を吐出して飛翔的
液滴を形成するために設けられた吐出口と前記飛翔的液
滴を形成するために利用される熱エネルギーを発生する
電気熱変換体とを具備する培体噴射記録ヘッドにおいて
、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素原子を
母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料からなり、
該発熱抵抗層において水素原子が膜厚方向に不均一に分
布していることを特徴とする。液体噴射記録ヘッド、及
び該液体噴射記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置に
よって達成される。
液滴を形成するために設けられた吐出口と前記飛翔的液
滴を形成するために利用される熱エネルギーを発生する
電気熱変換体とを具備する培体噴射記録ヘッドにおいて
、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素原子を
母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料からなり、
該発熱抵抗層において水素原子が膜厚方向に不均一に分
布していることを特徴とする。液体噴射記録ヘッド、及
び該液体噴射記録ヘッドを搭載した液体噴射記録装置に
よって達成される。
以下、図面を参照しながら本発明を具体的に説明する。
第1図は本発明の液体噴射記録ヘッドの一実施態様例の
aI&を示す部分平面図であり、第2図はそのff−f
f断面図である。
aI&を示す部分平面図であり、第2図はそのff−f
f断面図である。
図において、12は電気熱変換体が設けられる支持体で
あり、14は電気熱変換体を構成する発熱抵抗層であり
、16.17は電気熱変換体を構成する対をなす電極で
ある。第1図に示される様に、発熱抵抗層14と該発熱
抵抗N14に接続された1対の電極16.17との組が
複数個併設されており、これによって有効!5?!熱部
is、is’。
あり、14は電気熱変換体を構成する発熱抵抗層であり
、16.17は電気熱変換体を構成する対をなす電極で
ある。第1図に示される様に、発熱抵抗層14と該発熱
抵抗N14に接続された1対の電極16.17との組が
複数個併設されており、これによって有効!5?!熱部
is、is’。
18″、・・・・が所定の間隔をおいて配列されている
。尚、本実施態様例においては、一方の電極16は複数
の電極がまとめられて共通の電極とされている。各発熱
部18.18’、18″。
。尚、本実施態様例においては、一方の電極16は複数
の電極がまとめられて共通の電極とされている。各発熱
部18.18’、18″。
・・・拳を構成する発熱抵抗層14に対してはそれぞれ
電極16.17を通じて電気信号が印加され、これに基
づき各発熱部が発熱する。
電極16.17を通じて電気信号が印加され、これに基
づき各発熱部が発熱する。
第2図に示5される様に、支持体12と発熱抵抗層14
と電極ts 、17とを有する基板には支持体12の発
熱部側に溝が形成された天板2oが接合されている。第
2図の[−111断面図を第3図に示す、第2図及び第
3図に示される様に、天板20には各発熱部18.18
”、18″、伽・−伽に対応する位置にそれぞれ第1図
のII−I!方向に沿う溝22.22’、22″・・・
・が形成されている。これらの溝はそれぞれ支持体12
どの間に記録液を収容する空間を形成する。これらの空
間は記録液に対し熱エネルギーを作用せしめる熱作用部
24を有する。
と電極ts 、17とを有する基板には支持体12の発
熱部側に溝が形成された天板2oが接合されている。第
2図の[−111断面図を第3図に示す、第2図及び第
3図に示される様に、天板20には各発熱部18.18
”、18″、伽・−伽に対応する位置にそれぞれ第1図
のII−I!方向に沿う溝22.22’、22″・・・
・が形成されている。これらの溝はそれぞれ支持体12
どの間に記録液を収容する空間を形成する。これらの空
間は記録液に対し熱エネルギーを作用せしめる熱作用部
24を有する。
第2図における左方において前記空間は外部に対し開口
しており、該開口が液体の吐出口26となる。空間は第
2図における右方において記録液供給源と接続されてい
る。そして、空間において記録信号に基づき発熱部から
熱エネルギーが発生され空間内の記録液に作用すると該
記録液中において蒸気泡が発生し、その際の圧力で吐出
口26付近の記録液が矢印Xの向きに吐出する。
しており、該開口が液体の吐出口26となる。空間は第
2図における右方において記録液供給源と接続されてい
る。そして、空間において記録信号に基づき発熱部から
熱エネルギーが発生され空間内の記録液に作用すると該
記録液中において蒸気泡が発生し、その際の圧力で吐出
口26付近の記録液が矢印Xの向きに吐出する。
尚、以上の説明から分る様に、第1図においては天板2
0の図示が省略されている。
0の図示が省略されている。
本発明において、支持体12の材料としては特に制限は
ないが、実際上はその表面上に形成される発熱抵抗層1
4を形成する際の熱及び使用時において該発8JI!、
抗層14により発生される熱に対する耐久性の良好なも
のが好適に使用さレル、マた、支持体1zとしてはその
表面上に形成される発熱抵抗層14よりも大きな電気抵
抗を有するのが好ましいが、支持体12と発熱抵抗層1
4との間に絶縁層を介在せしめである場合には支持体1
2が発熱抵抗層14よりも小さな電気抵抗を有する材料
からなるものであってもよい、更に、本発明においては
、液体噴射記録ヘッドの使用状況等に応じて、熱伝導性
の小さな或いは大きな支持体・12を用いることができ
る。
ないが、実際上はその表面上に形成される発熱抵抗層1
4を形成する際の熱及び使用時において該発8JI!、
抗層14により発生される熱に対する耐久性の良好なも
のが好適に使用さレル、マた、支持体1zとしてはその
表面上に形成される発熱抵抗層14よりも大きな電気抵
抗を有するのが好ましいが、支持体12と発熱抵抗層1
4との間に絶縁層を介在せしめである場合には支持体1
2が発熱抵抗層14よりも小さな電気抵抗を有する材料
からなるものであってもよい、更に、本発明においては
、液体噴射記録ヘッドの使用状況等に応じて、熱伝導性
の小さな或いは大きな支持体・12を用いることができ
る。
本発明において使用される支持体12としてはガラス、
セラミックス、シリコン、金属等の無機物からなるもの
やポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなる
ものが例示できる。
セラミックス、シリコン、金属等の無機物からなるもの
やポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなる
ものが例示できる。
本発明においては、発熱抵抗層14は炭素原子を母体と
し水素原子を含有してなる非晶質材料からなる。
し水素原子を含有してなる非晶質材料からなる。
発熱抵抗層14中における水素原子の含有率は・使用目
的の応じ所望の特性が得られる様に適宜選択されるが、
好ましくは0.0001〜30原子%であり、更に好ま
しくは0.0005〜20原子%であり、好適には0.
001−1o原子%である。
的の応じ所望の特性が得られる様に適宜選択されるが、
好ましくは0.0001〜30原子%であり、更に好ま
しくは0.0005〜20原子%であり、好適には0.
001−1o原子%である。
本発明においては、発熱抵抗層14中における水素原子
の分布が膜厚方向に不均一となっている0発熱抵抗層1
4中における膜厚方向での水素原子の含有率変化は支持
体12側から表面側へと次第に含有率が増加する様なも
のでもよいし、逆に含有率が減少する様なものでもよい
、更に、水素原子の含有率変化は発熱抵抗層14中にお
いて極大値あるいは極小値をもつ様なものでもよい。
の分布が膜厚方向に不均一となっている0発熱抵抗層1
4中における膜厚方向での水素原子の含有率変化は支持
体12側から表面側へと次第に含有率が増加する様なも
のでもよいし、逆に含有率が減少する様なものでもよい
、更に、水素原子の含有率変化は発熱抵抗層14中にお
いて極大値あるいは極小値をもつ様なものでもよい。
これら発熱抵抗層14中における膜厚方向での水素原子
の含有率変化は所望の特性が得られる様に適宜選択され
る。
の含有率変化は所望の特性が得られる様に適宜選択され
る。
第4図〜第9図に、本発明記録ヘッド。発熱抵抗層14
中における膜厚方向に関する水素原子。
中における膜厚方向に関する水素原子。
含有率の変化の具体例を示す、これらの図において、縦
軸は支持体12との界面からの膜厚方向の距離Tを表わ
し、tは発熱抵抗!14の膜厚を表わす、また、横軸は
水素原子の含有率Cを表わす、尚、各図において、縦軸
T及び横軸Cのスケールは必ずしも均一ではなく、各図
の特徴が出る様に変化せしめられている。従って、実際
の適用に当っては各図につき具体的数値の差異にもとづ
く種々の分布が用いられる。
軸は支持体12との界面からの膜厚方向の距離Tを表わ
し、tは発熱抵抗!14の膜厚を表わす、また、横軸は
水素原子の含有率Cを表わす、尚、各図において、縦軸
T及び横軸Cのスケールは必ずしも均一ではなく、各図
の特徴が出る様に変化せしめられている。従って、実際
の適用に当っては各図につき具体的数値の差異にもとづ
く種々の分布が用いられる。
また、発熱抵抗層14の厚さには特に制限がない。
本発明記録ヘッドにおける炭素を母体とし水素原子を含
有してなる非晶質材料(以下、ra−C:H」と略記す
ることがある。からなる発熱抵抗層14は、たとえばグ
ロー放電法の様なプラズマCVD法あるいはスパッタリ
ング法等の真空堆桔法によって形成される。
有してなる非晶質材料(以下、ra−C:H」と略記す
ることがある。からなる発熱抵抗層14は、たとえばグ
ロー放電法の様なプラズマCVD法あるいはスパッタリ
ング法等の真空堆桔法によって形成される。
たとえば、グロー放電法によってa−C:Hからなる抵
抗層14を形成するには、基本的には支持体12を減圧
下の堆積室内に配置し、該堆積室内に炭素原子(C)を
供給し得るC供給用の原料ガスと水素原子(H)を供給
し得るH供給用の原料ガスとを導入し、この際H供給用
原料ガスの導入量を変化させながら該堆積室内にて高周
波またはマイクロ波を用いてグロー放電を生起させ支持
体12の表面上にa−C:Hからなる層を形成させれば
よい。
抗層14を形成するには、基本的には支持体12を減圧
下の堆積室内に配置し、該堆積室内に炭素原子(C)を
供給し得るC供給用の原料ガスと水素原子(H)を供給
し得るH供給用の原料ガスとを導入し、この際H供給用
原料ガスの導入量を変化させながら該堆積室内にて高周
波またはマイクロ波を用いてグロー放電を生起させ支持
体12の表面上にa−C:Hからなる層を形成させれば
よい。
また、スパッタリング法によってa−C:Hからなる抵
抗層14を形成するには、基本的には支持体12を減圧
下の堆積室内に配置し、該堆積室内にてたとえばAr、
He等の不活性ガスまたはこれらのガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でCで構成されたターゲットをスパ
ッタリングする際、堆積室内にH供給用の原料ガスを導
入し、この際導入量を変化させればよい。
抗層14を形成するには、基本的には支持体12を減圧
下の堆積室内に配置し、該堆積室内にてたとえばAr、
He等の不活性ガスまたはこれらのガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でCで構成されたターゲットをスパ
ッタリングする際、堆積室内にH供給用の原料ガスを導
入し、この際導入量を変化させればよい。
上記方法において、C供給用の原料ガス及びH供給用の
原料ガスとしては常温常圧においてガス状態のもののほ
かに減圧下においてガス化し得る物質を使用することが
できる。
原料ガスとしては常温常圧においてガス状態のもののほ
かに減圧下においてガス化し得る物質を使用することが
できる。
C供給用の原料としては、たとえば炭素数1〜5の飽和
炭化水素、炭素数2〜5のエチレン系炭化水素、炭素数
2〜4のアセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン(C)14 )
、エタン(C2He )、プロパ7(C3H8)、n
−ブタy(n−C4H1o) 、ペンタン(C5H12
) 、エチレン系炭化水素としてはエチレン(C2H4
) 、プロピレン(C3H6) 、ブテン−1(C4H
8)、ブテン2 (C4Ha ) 、 インブチレン
(04H8)、ペンテン(C5HIO) 、アセチレン
系炭化水素としてはアセチレン(C2H2) 、メチル
アセチレン(C3H4) 、ブチン(C4Hs ) 、
芳香族炭化水素としてはベンゼン(Ca Ha )等が
あげられる。
炭化水素、炭素数2〜5のエチレン系炭化水素、炭素数
2〜4のアセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン(C)14 )
、エタン(C2He )、プロパ7(C3H8)、n
−ブタy(n−C4H1o) 、ペンタン(C5H12
) 、エチレン系炭化水素としてはエチレン(C2H4
) 、プロピレン(C3H6) 、ブテン−1(C4H
8)、ブテン2 (C4Ha ) 、 インブチレン
(04H8)、ペンテン(C5HIO) 、アセチレン
系炭化水素としてはアセチレン(C2H2) 、メチル
アセチレン(C3H4) 、ブチン(C4Hs ) 、
芳香族炭化水素としてはベンゼン(Ca Ha )等が
あげられる。
H供給用の原料としては、たとえば水素ガス、及び上記
C供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水
素があげられる。
C供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水
素があげられる。
これらの原料は単独で用いてもよいし・複数組合せて用
いてもよい。
いてもよい。
以上の様な発熱抵抗層形成法において、形成される抵抗
層14中に含まれる水素原子の量や抵抗層14の特性を
制御するには、支持体温度、原料ガスの供給量、放電電
力、堆積室内の圧力等を適宜設定する。
層14中に含まれる水素原子の量や抵抗層14の特性を
制御するには、支持体温度、原料ガスの供給量、放電電
力、堆積室内の圧力等を適宜設定する。
特に、本発明の膜厚方向に水素原子の分布が不均一な発
熱抵抗層を14を得るためには、堆積室内への水素原子
の導入量をたとえばバルブコントロール等により経時的
に変化させるのが好ましい。
熱抵抗層を14を得るためには、堆積室内への水素原子
の導入量をたとえばバルブコントロール等により経時的
に変化させるのが好ましい。
支持体温度は好ましくは20〜1500℃、更に好まし
くは30〜1200℃、最適には50〜1100℃のう
ちから選ばれる。
くは30〜1200℃、最適には50〜1100℃のう
ちから選ばれる。
原料ガスの供給量は目的とする発熱抵抗層性能や目標と
する成膜速度に応じ適宜決められる。
する成膜速度に応じ適宜決められる。
放電電力は好ましくは0.001〜20W/crn’、
より好ましくは0 、01〜l 5W/ crn’。
より好ましくは0 、01〜l 5W/ crn’。
最適には0.05〜IOW/crn”のうちから選ばれ
る。
る。
堆積室内の圧力は、好ましくは10−4〜10Torr
、より好ましくはには1O−2〜5Torrとされる。
、より好ましくはには1O−2〜5Torrとされる。
以上の様な発熱抵抗層形成法を用いて得られる本発明記
録ヘッドの抵抗層はダイヤモンドに近い特性を有する。
録ヘッドの抵抗層はダイヤモンドに近い特性を有する。
即ち、たとえばビッカース硬度1800〜5000のも
のが得られる。また、水素原子を含有するので特に成膜
が容易である。
のが得られる。また、水素原子を含有するので特に成膜
が容易である。
本発明における発熱抵抗層は、機械的衝撃に対し高い耐
久性を有し且つ化学的安定性に優れているので、特別に
保護層を必要としない、したがって、本発明における発
熱抵抗層を用いた液体噴射記録ヘッドは信号入力にとも
なって発生される熱エネルギーが極めて効率よく液体に
付与されるので熱応答性が良好となる。このことは、液
体噴射記録ヘッドに入力される信号に対応して形成され
る飛翔液滴の吐出応答性の向上にもつながる。
久性を有し且つ化学的安定性に優れているので、特別に
保護層を必要としない、したがって、本発明における発
熱抵抗層を用いた液体噴射記録ヘッドは信号入力にとも
なって発生される熱エネルギーが極めて効率よく液体に
付与されるので熱応答性が良好となる。このことは、液
体噴射記録ヘッドに入力される信号に対応して形成され
る飛翔液滴の吐出応答性の向上にもつながる。
但し、所望の応答性が発揮されるのであれば、上記した
様な発熱抵抗層上に保護層を形成しても一層にかまわな
い。
様な発熱抵抗層上に保護層を形成しても一層にかまわな
い。
また、記録液が導電性の場合には電極間のショートを防
止する上で保護層が必要である。
止する上で保護層が必要である。
上記実施態様例においては支持体上に発熱抵抗層及び電
極をこの順に設けた例が示されているが、本発明記録ヘ
ッドにおいては支持体上に電極及び発熱抵抗層をこの順
に設けてもよい、第10図はこの様な記録ヘッドの電気
熱変換体を有する基板の部分断面図である。
極をこの順に設けた例が示されているが、本発明記録ヘ
ッドにおいては支持体上に電極及び発熱抵抗層をこの順
に設けてもよい、第10図はこの様な記録ヘッドの電気
熱変換体を有する基板の部分断面図である。
尚1以上の実施態様例において、支持体12は単一のも
のであるとされているが1本発明における支持体12は
複合体であってもよい、その様な一実施態様例の構成を
第11図に示す、即ち、支持体12は基部12aと表面
層L2bとの複合体からなり、基部12aとしてはたと
えば上記第1〜3図に関し説明した支持体材料を使用す
ることができまた表面層12bとしてはその上に形成さ
れる抵抗層14との密着性のより良好な材料を使用する
ことができる0表面層12bはたとえば炭素原子を母体
とする非晶質材料や従来より知られている酸化物等から
構成される。この様なHFaR12bは5部12a上に
上記発熱抵抗層形成法と類似の方法により適宜の原料を
用いて堆積させることにより得られる。また、表面層1
2bは通常のガラス質のグレーズ層であってもよく、あ
るいは基部12aが金属であればその表面を酸化させ形
成させた酸化物層であってもよい。
のであるとされているが1本発明における支持体12は
複合体であってもよい、その様な一実施態様例の構成を
第11図に示す、即ち、支持体12は基部12aと表面
層L2bとの複合体からなり、基部12aとしてはたと
えば上記第1〜3図に関し説明した支持体材料を使用す
ることができまた表面層12bとしてはその上に形成さ
れる抵抗層14との密着性のより良好な材料を使用する
ことができる0表面層12bはたとえば炭素原子を母体
とする非晶質材料や従来より知られている酸化物等から
構成される。この様なHFaR12bは5部12a上に
上記発熱抵抗層形成法と類似の方法により適宜の原料を
用いて堆積させることにより得られる。また、表面層1
2bは通常のガラス質のグレーズ層であってもよく、あ
るいは基部12aが金属であればその表面を酸化させ形
成させた酸化物層であってもよい。
本発明記録ヘッドにおける電極16.17は所定の導電
性を有しているものであればよく、たとえばAu、Cu
、Al、Ag、Ni$1)金属からなる。
性を有しているものであればよく、たとえばAu、Cu
、Al、Ag、Ni$1)金属からなる。
次に1本発明の記録ヘッドの製造方法の概略について説
明する。
明する。
第12図は支持体表面上に発熱抵抗層を形成する際に用
いられる堆積装置の一例を示す模式的説明図である。1
101は堆積室であり、1102〜1106はガスボン
ベであり、1107 N1111はマスフローコントロ
ーラーt’J!+!J、1112〜1116は流入バル
ブであり、1117〜1121は流出バルブであり、1
122〜1126はガスボンベのバルブでア’l、11
27〜1131は出口圧ゲージであり、1132は補助
バルブであり、1133はレバーであり、1134はメ
インバルブであり、1135はリークバルブであり。
いられる堆積装置の一例を示す模式的説明図である。1
101は堆積室であり、1102〜1106はガスボン
ベであり、1107 N1111はマスフローコントロ
ーラーt’J!+!J、1112〜1116は流入バル
ブであり、1117〜1121は流出バルブであり、1
122〜1126はガスボンベのバルブでア’l、11
27〜1131は出口圧ゲージであり、1132は補助
バルブであり、1133はレバーであり、1134はメ
インバルブであり、1135はリークバルブであり。
1136は真空計であり、1137は製造すべき電気熱
変換体を有する基板を形成するための支持体材料であり
、1138はヒータであり、1139は支持体支持手段
であり、1140は高電圧電源であり、1141は電極
であり、1142はシャッタである。尚、1142−1
はスパッタリング法を行なう際に電極1141に取付け
られるターゲットである。
変換体を有する基板を形成するための支持体材料であり
、1138はヒータであり、1139は支持体支持手段
であり、1140は高電圧電源であり、1141は電極
であり、1142はシャッタである。尚、1142−1
はスパッタリング法を行なう際に電極1141に取付け
られるターゲットである。
たとえば、1102にはCH4ガス(純度99゜9%以
上)が密封されており、1103にはC2H,ガス(純
度99.9%以上)が密封されている。これらボンベ中
のガスを堆積室1101に流入させるに先立ち、各ガス
ボンベ1102〜1106のバルブ1122〜1126
及びリークバルブ1135が閉じられていることを確認
し、また流入バルブ1112〜1116.流出バルブ1
117〜1121及び補助バルブ1132が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ1134を開いて
堆積室1101及びガス配管内を排気する0次に真空計
1136の読みが1,5×1O−6Torrになった時
点で、補助バルブ1132、流入バルブ1112〜11
1B及び流出バルブ1117〜1121を閉じる。その
後、堆積室1101内に導入すべきガスのボンベに接続
されているガス配管のバルブを開いて所望のガスを堆積
室1101内に導入する。
上)が密封されており、1103にはC2H,ガス(純
度99.9%以上)が密封されている。これらボンベ中
のガスを堆積室1101に流入させるに先立ち、各ガス
ボンベ1102〜1106のバルブ1122〜1126
及びリークバルブ1135が閉じられていることを確認
し、また流入バルブ1112〜1116.流出バルブ1
117〜1121及び補助バルブ1132が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ1134を開いて
堆積室1101及びガス配管内を排気する0次に真空計
1136の読みが1,5×1O−6Torrになった時
点で、補助バルブ1132、流入バルブ1112〜11
1B及び流出バルブ1117〜1121を閉じる。その
後、堆積室1101内に導入すべきガスのボンベに接続
されているガス配管のバルブを開いて所望のガスを堆積
室1101内に導入する。
次に、以上の装置を用いてグロー放電法によって本発明
記録へラドの抵抗層を形成する場合の手順の一例につい
て説明する。バルブ1.122を開いてガスボンベ11
02からCH4ガスを流出させ、出口圧ゲージ1127
(7)圧力を1kg/crn’に調整し、次に流入バル
ブ1112を徐々に開いてマスフローコントローラ11
07内に流入させておく、続いて、流出バルブ1117
.m助バルブ1132を徐々に開いてCH4ガスを堆積
室1101内に導入する。この時、C・H4ガスの流量
が所望の値になる様にでスフローコントローラ1107
を調整し、また堆積室1101内の圧力力く所望の値に
なる様に真空計1136の読みを見ながらメインバルブ
1134の開度を調整する。そして、堆積室1101内
の支持手段1139により支持されている支持体重13
7の温度が所望の温度になる様にヒータ1138により
加熱した上で・シャッタ1142を開き堆積室1lO1
内にてグロー放電を生起させる。そして、手動または外
部駆動モータ等により流出バルブ1117の開度を変化
させる操作を行なってCH4ガスの流量を予め設計され
た変化率曲線に従って経時的に変化させ、これにより抵
抗層14中におけるH原子の含有率を膜厚方向に変化さ
せる。
記録へラドの抵抗層を形成する場合の手順の一例につい
て説明する。バルブ1.122を開いてガスボンベ11
02からCH4ガスを流出させ、出口圧ゲージ1127
(7)圧力を1kg/crn’に調整し、次に流入バル
ブ1112を徐々に開いてマスフローコントローラ11
07内に流入させておく、続いて、流出バルブ1117
.m助バルブ1132を徐々に開いてCH4ガスを堆積
室1101内に導入する。この時、C・H4ガスの流量
が所望の値になる様にでスフローコントローラ1107
を調整し、また堆積室1101内の圧力力く所望の値に
なる様に真空計1136の読みを見ながらメインバルブ
1134の開度を調整する。そして、堆積室1101内
の支持手段1139により支持されている支持体重13
7の温度が所望の温度になる様にヒータ1138により
加熱した上で・シャッタ1142を開き堆積室1lO1
内にてグロー放電を生起させる。そして、手動または外
部駆動モータ等により流出バルブ1117の開度を変化
させる操作を行なってCH4ガスの流量を予め設計され
た変化率曲線に従って経時的に変化させ、これにより抵
抗層14中におけるH原子の含有率を膜厚方向に変化さ
せる。
次に、以上の装置を用いてスパッタリング法によって本
発明記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例に
ついて説明する。高圧電源1140により高電圧が印加
される電極1141上には予め高純度グラファイト11
42−1をターゲットとして設置しておく。グロー放電
法の場合と同様にして、ガスポンベ1102からCH4
ガスを所望のFILiにて堆積室1101内に導入させ
る。
発明記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例に
ついて説明する。高圧電源1140により高電圧が印加
される電極1141上には予め高純度グラファイト11
42−1をターゲットとして設置しておく。グロー放電
法の場合と同様にして、ガスポンベ1102からCH4
ガスを所望のFILiにて堆積室1101内に導入させ
る。
シャッタ1142を開いて、高圧電fil140を投入
することによりターゲラ) 1142−1をスパッタリ
ングする。尚、この際ヒータ1138により支持体11
37を所望の温度に加熱し、メインバルブ1134の開
度を調整することにより堆積室1101内を所望の圧力
とすることはグロー放電法の場合と同様である。そして
、上記グロー放電法の場合と同様に流出バルブ1117
の開度を変化させる操作を行なってCH4ガスの流量を
予め設計された変化率曲線に 従って経時的に変化させ
、これにより抵抗層14中におけるH原子の含有率を膜
厚方向に変化させる。
することによりターゲラ) 1142−1をスパッタリ
ングする。尚、この際ヒータ1138により支持体11
37を所望の温度に加熱し、メインバルブ1134の開
度を調整することにより堆積室1101内を所望の圧力
とすることはグロー放電法の場合と同様である。そして
、上記グロー放電法の場合と同様に流出バルブ1117
の開度を変化させる操作を行なってCH4ガスの流量を
予め設計された変化率曲線に 従って経時的に変化させ
、これにより抵抗層14中におけるH原子の含有率を膜
厚方向に変化させる。
第1〜3図に示される様な液体噴射記録ヘッドの電気熱
変換体を有する基板の場合には、上記の様にして支持体
上に発熱抵抗層を形成した後に、該発熱抵抗層上に電極
形成のための導電層(たとえばAu層、AIFFj)を
形成し、その後フォトリソグラフィー技術を利用して導
電層及び発熱抵抗層のバターニングを行なう、そして、
更に必要ならば絶縁性材料等からなる保護層を積層して
もよい。
変換体を有する基板の場合には、上記の様にして支持体
上に発熱抵抗層を形成した後に、該発熱抵抗層上に電極
形成のための導電層(たとえばAu層、AIFFj)を
形成し、その後フォトリソグラフィー技術を利用して導
電層及び発熱抵抗層のバターニングを行なう、そして、
更に必要ならば絶縁性材料等からなる保護層を積層して
もよい。
また、第1O図に示される様な液体噴射記録ヘッドの電
気熱変換体を有する基板の場合には。
気熱変換体を有する基板の場合には。
予め支持体上に導電層を形成し、フォトリングラフイー
技術を用いて該導電層のパターニングを行なった後に、
以上の様なグロー放電法またはスパッタリング法による
発熱抵抗層の形成が行なわれる。
技術を用いて該導電層のパターニングを行なった後に、
以上の様なグロー放電法またはスパッタリング法による
発熱抵抗層の形成が行なわれる。
溝付の天板としては、たとえば上記支持体と同様な材質
からなり、適宜の手段たとえばマイクロカッターによる
機械的切削や化学的エツチング等により、また天板が感
光性ガラス等の場合には所望のパターンの露光、現像に
より溝を形成しえものを利用することができる。
からなり、適宜の手段たとえばマイクロカッターによる
機械的切削や化学的エツチング等により、また天板が感
光性ガラス等の場合には所望のパターンの露光、現像に
より溝を形成しえものを利用することができる。
電気熱変換体を有する基板と天板との接合は位置合せを
十分に行なった上でたとえば接着剤による接着や天板の
材質によっては熱融着によって行なうことができる。
十分に行なった上でたとえば接着剤による接着や天板の
材質によっては熱融着によって行なうことができる。
以上の実施悪様例においては、!813図に部分斜視図
を示す様なタイプの液体噴射記録ヘッド即ち記録液吐出
口26が天板20に形成された溝22の方向に開口して
いるヘッドについて説明したが1本発明においては第1
4図に示される様に液体吐出口26が天板20に直接設
けられていてもよい、第14図のタイプ−ヘッドにおい
ては天板20に形成された溝22の端部の開口は記録液
導入・口として利用され、記録液は吐出口26から矢印
Yの方向に吐出する。もちろん、溝22の端部は一方が
閉じられた形状となっていてもよく、記録液の導入も少
なくとも一方の開口から行なわればよい。
を示す様なタイプの液体噴射記録ヘッド即ち記録液吐出
口26が天板20に形成された溝22の方向に開口して
いるヘッドについて説明したが1本発明においては第1
4図に示される様に液体吐出口26が天板20に直接設
けられていてもよい、第14図のタイプ−ヘッドにおい
ては天板20に形成された溝22の端部の開口は記録液
導入・口として利用され、記録液は吐出口26から矢印
Yの方向に吐出する。もちろん、溝22の端部は一方が
閉じられた形状となっていてもよく、記録液の導入も少
なくとも一方の開口から行なわればよい。
次に、本発明液体噴射記録ヘッドの変形例を示゛す。
第15図は上記第14図におけるIX−IX断面図であ
る。この場合には天板20の溝22の部分以外は電気熱
変換体を有する基板と密着している。
る。この場合には天板20の溝22の部分以外は電気熱
変換体を有する基板と密着している。
従って、天板20の6溝22に対応して形成される各熱
作用部24は支持体12との密着部分よりなるバリヤ部
30により互いに遮断されている。
作用部24は支持体12との密着部分よりなるバリヤ部
30により互いに遮断されている。
尚、第15図において各発熱部18は各吐出口26に対
応して設けられている。
応して設けられている。
第16〜18図はその他の例を示す第15図に対応する
断面図である。
断面図である。
第16図の場合にはバリヤ部30が支持体12とは完全
には密着しておらず、各発熱部18に対応する熱作用部
24は互いに連通している。
には密着しておらず、各発熱部18に対応する熱作用部
24は互いに連通している。
第17図の場合にはバリヤ部30が天板20ではなく基
板に形成されており、上記第16図の場合と同様6発熱
部18に対応する熱作用部24は互いに連通している。
板に形成されており、上記第16図の場合と同様6発熱
部18に対応する熱作用部24は互いに連通している。
第18図の場合には第15〜17図の場合の様なバリヤ
部は形成されていない。
部は形成されていない。
JLh。第15〜18図は第14図に示されるタイプの
液体噴射記録ヘッドについてのものであるが、第13図
に示されるタイプのものについても同様である。
液体噴射記録ヘッドについてのものであるが、第13図
に示されるタイプのものについても同様である。
バリヤ部(壁)30は上記した様に必ず設けなければな
らないというものではない、隣接する吐出口から吐出さ
れる液体の吐出方向や吐出速度、または吐出量等に影響
を与えても飛翔液滴の被記録部材への着弾点に許容範囲
を越える誤差がでなければバリヤ部は必ずしも設ける必
要はない、しかし、吐出口間相互の影響を一層少なくす
るためやエネルギー効率(液体の吐出効率)を向上させ
るためにはバリヤ部を設けることは好ましい、また、バ
リヤ部は天板に一体的に形成されてもよいしバリヤ部の
みが別部材とされていてもよいのはもちろんである。平
板な天板としては前記溝付き天板と同様の材質を用いる
ことができる。また。
らないというものではない、隣接する吐出口から吐出さ
れる液体の吐出方向や吐出速度、または吐出量等に影響
を与えても飛翔液滴の被記録部材への着弾点に許容範囲
を越える誤差がでなければバリヤ部は必ずしも設ける必
要はない、しかし、吐出口間相互の影響を一層少なくす
るためやエネルギー効率(液体の吐出効率)を向上させ
るためにはバリヤ部を設けることは好ましい、また、バ
リヤ部は天板に一体的に形成されてもよいしバリヤ部の
みが別部材とされていてもよいのはもちろんである。平
板な天板としては前記溝付き天板と同様の材質を用いる
ことができる。また。
バリヤ部及び天板としては感光性樹脂を用いることもで
きる。
きる。
以下に、本発明液体噴射記録へ−Iドの具体的実施例を
示す。
示す。
[実施例]
先ず、以下の実施例及び比較例において使用される電気
熱変換体を有する基板を次の要憤で作成した。
熱変換体を有する基板を次の要憤で作成した。
支持体としては、コーニング社製の$7059ガラス、
表面層として熱酸化S・+02蓄熱層(厚さ5pm)を
設けたSi板を用いた。
表面層として熱酸化S・+02蓄熱層(厚さ5pm)を
設けたSi板を用いた。
支持体上に発熱抵抗層及び電極、ならびに場合により更
に保護層を形成する。これら発熱抵抗層、電極及び保護
層の層構成は以下のA、B、Cの3種類のタイプとした
。
に保護層を形成する。これら発熱抵抗層、電極及び保護
層の層構成は以下のA、B、Cの3種類のタイプとした
。
タイプA
支持体上に第12図に示される堆積装置を用いて発熱抵
抗層を形成した。堆積の際の条件は第1表及び第2表に
それぞれ示される通りである。
抗層を形成した。堆積の際の条件は第1表及び第2表に
それぞれ示される通りである。
尚、第1表記載の実施例はグロー放電法で行なわれ、ま
た第2表記載の実施例及び比較例はスパッタリング法に
より行なわれた。スパッタリングの際のターゲットとし
ては比較例を除いてグラフアイ)(99,99%)が用
いられ、比較例はHfB2が用いられた。
た第2表記載の実施例及び比較例はスパッタリング法に
より行なわれた。スパッタリングの際のターゲットとし
ては比較例を除いてグラフアイ)(99,99%)が用
いられ、比較例はHfB2が用いられた。
堆積中において各ガスの流量及びその他の条件は第1表
及び第2表にそれぞれ示されるとおりに保たれ、第3表
に示される厚さの発熱抵抗層が形成された3次に、その
発熱抵抗層上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォ
トリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し
、A1層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を
形成した。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレ
ジストパターンを形成してHF系エツチング液を用いて
所定の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として、
40JLmX200ルmの発熱抵抗層。
及び第2表にそれぞれ示されるとおりに保たれ、第3表
に示される厚さの発熱抵抗層が形成された3次に、その
発熱抵抗層上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォ
トリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し
、A1層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を
形成した。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレ
ジストパターンを形成してHF系エツチング液を用いて
所定の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として、
40JLmX200ルmの発熱抵抗層。
の部分からなる発熱部に上記電極が付されている発熱抵
抗素子を形成した。この発熱部は8個/mmピッチで配
列した。
抗素子を形成した。この発熱部は8個/mmピッチで配
列した。
次に、感光性ポリイミド(商品名フォトニース)をスピ
ンコードする。そして、80℃で1時間プリベークし、
アライナ−で露光後、現像し。
ンコードする。そして、80℃で1時間プリベークし、
アライナ−で露光後、現像し。
発熱部を窓あけ構造とした構成にする。そして、140
℃で30分更に400℃で1時間ポストベークをして電
気熱変換体を有する基板が完成する。
℃で30分更に400℃で1時間ポストベークをして電
気熱変換体を有する基板が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の各発熱部の抵抗は
第3表に示される通りであった。
第3表に示される通りであった。
尚、感光性ポリイミドはAI主電極インク中における電
解を防ぐためのものである。
解を防ぐためのものである。
完成した電気熱変換体を有する基板の模式的斜視図を第
19図に、模式的断面図を第20図に示す0図において
、2Bはポリイミド層である。
19図に、模式的断面図を第20図に示す0図において
、2Bはポリイミド層である。
タイプB
タイプAの場合と同様にして支持体上に発熱抵抗層を形
成した。堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示さ
れる通りである0、なお、堆積中において各ガスの流量
及びその他の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示され
るとおりに保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層
をか形成された0次に、その発熱抵抗層上に電子ビーム
法によりAu層を形成しフォトリソグラフィー技術によ
りレジストパターンを形成しAu層を所望の形状にエツ
チングして複数対の電極を形成した。続いて、7オトリ
ソグラフイー技術によりレジストパターンを形成してH
F系エツチング液を用い−C所定の部分の発熱抵抗層を
除去した。その−例として40 ILmX 200ルm
の発熱抵抗層の部分からなる発熱部に上記電極が付され
ている発熱抵抗素子を形成した。この発熱部は8個/m
mピッチで配列した。かくして、電気熱変換体を有する
基板が完成する。
成した。堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示さ
れる通りである0、なお、堆積中において各ガスの流量
及びその他の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示され
るとおりに保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層
をか形成された0次に、その発熱抵抗層上に電子ビーム
法によりAu層を形成しフォトリソグラフィー技術によ
りレジストパターンを形成しAu層を所望の形状にエツ
チングして複数対の電極を形成した。続いて、7オトリ
ソグラフイー技術によりレジストパターンを形成してH
F系エツチング液を用い−C所定の部分の発熱抵抗層を
除去した。その−例として40 ILmX 200ルm
の発熱抵抗層の部分からなる発熱部に上記電極が付され
ている発熱抵抗素子を形成した。この発熱部は8個/m
mピッチで配列した。かくして、電気熱変換体を有する
基板が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の各発熱部の抵抗は
第3表に示される通りであった。
第3表に示される通りであった。
完成した電気熱変換体を有する基板の模式的斜視図を第
21図に、模式的断面図を第22図に示す。
21図に、模式的断面図を第22図に示す。
タイプC
支持体上に電子ビーム法によりA1層を形成しフォトリ
ソグラフィー技術によりレジストパターンを形成しAt
層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を形成し
た0次に、パターンが形成されたA1層の上に発熱抵抗
層を形成した。
ソグラフィー技術によりレジストパターンを形成しAt
層を所望の形状にエツチングして複数対の電極を形成し
た0次に、パターンが形成されたA1層の上に発熱抵抗
層を形成した。
発熱抵抗層はタイプAの場合と同様にして形成された。
堆積の条件は第1表及び第2表にそれぞれ示される通り
に保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層が形成さ
れた。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレジス
トパターンを形成してHF系エツチング液を用いて所定
の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として40g
mX200終mの発熱抵抗層の部分からなる発熱部に上
記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した。
に保たれ、第3表に示される厚さの発熱抵抗層が形成さ
れた。続いて、フォトリソグラフィー技術によりレジス
トパターンを形成してHF系エツチング液を用いて所定
の部分の発熱抵抗層を除去した。その−例として40g
mX200終mの発熱抵抗層の部分からなる発熱部に上
記電極が付されている発熱抵抗素子を形成した。
この発熱部は8個/ m mピッチで配列した。尚、A
I主電極この発熱抵抗層によって保護されているので保
護膜を形成する必要はない、かくして。
I主電極この発熱抵抗層によって保護されているので保
護膜を形成する必要はない、かくして。
電気熱変換体を有する基板が完成する。
尚、かくして得られた電気熱変換体の各発熱部の抵抗は
第3表に示される通りであった。
第3表に示される通りであった。
完成した電気熱変換体を宥する基板の模式的斜視図を第
23図に、模式的断面図を第24図に示す。
23図に、模式的断面図を第24図に示す。
以上の様にして完成した電気熱変換体を有する基板を用
いて液体噴射記録ヘッドを作成する0作成されるヘッド
には上記第13図に示されるタイプ(以下、タイプlと
いう)及び上記第14図に示されるタイプ(以下、タイ
プ2という)がある。
いて液体噴射記録ヘッドを作成する0作成されるヘッド
には上記第13図に示されるタイプ(以下、タイプlと
いう)及び上記第14図に示されるタイプ(以下、タイ
プ2という)がある。
タイプ1については2種類の作成方法により、またタイ
プ2については1種類の作成方法により作成が行なわれ
た。以下、それらの作成方法について述べる。
プ2については1種類の作成方法により作成が行なわれ
た。以下、それらの作成方法について述べる。
タイプ1−1
先ず、第25図の模式的斜視図に示す様に、ガラス板4
0に複数本の溝22(輻40ルm、深さ40gm)と共
通インク室となる溝42とをマイクロカッターを用いて
切削形成してなる溝付きの天板20を作成する。
0に複数本の溝22(輻40ルm、深さ40gm)と共
通インク室となる溝42とをマイクロカッターを用いて
切削形成してなる溝付きの天板20を作成する。
次に、上記で完成した基板と天板20とを発熱部と溝2
2との位置合せをした上で接合し、更に第26図の模式
的斜視図に示す様に不図示のインク供給部から共通イン
ク室にインクを導入するためのインク導入管44を接続
して記録へラド46を一体的に完成した。
2との位置合せをした上で接合し、更に第26図の模式
的斜視図に示す様に不図示のインク供給部から共通イン
ク室にインクを導入するためのインク導入管44を接続
して記録へラド46を一体的に完成した。
タイプ1−2
上記で完成した基板上に感光性フィルム50(商品名オ
ーディール、東京応化)をラミネートする。そして、ア
ライナ−で露光し、現像し、所望のパターン形状に作成
する0次に、感光性樹脂フィルム52(商品名オーディ
ール、東京応化〕をラミネートしたガラス板54を上記
のパターン形成したフィルム上にはりあわせ接合する。
ーディール、東京応化)をラミネートする。そして、ア
ライナ−で露光し、現像し、所望のパターン形状に作成
する0次に、感光性樹脂フィルム52(商品名オーディ
ール、東京応化〕をラミネートしたガラス板54を上記
のパターン形成したフィルム上にはりあわせ接合する。
そして、この接合体をたとえばダイシング切断等の機械
加工により整形して吐出口26を形成し、更に不図示の
インク供給部から共通インク室にインク導入管44を接
続して、第27図の模式的斜視図に示す様な記録ヘッド
56が一体的に完成した。
加工により整形して吐出口26を形成し、更に不図示の
インク供給部から共通インク室にインク導入管44を接
続して、第27図の模式的斜視図に示す様な記録ヘッド
56が一体的に完成した。
タイプ2
先ず、吐出口26が形成された天板20を作成する。天
板20はエツチングなどで溝をつけたステンレス板上に
感光性フィルム(商品名PHT−145FT−50.1
1立化成)のパターンを形成し、そしてその上にNiメ
ッキで電鋳をして作成する、吐出口26として穴があく
部分は感光性フィルムのパターンがあるところである。
板20はエツチングなどで溝をつけたステンレス板上に
感光性フィルム(商品名PHT−145FT−50.1
1立化成)のパターンを形成し、そしてその上にNiメ
ッキで電鋳をして作成する、吐出口26として穴があく
部分は感光性フィルムのパターンがあるところである。
この様にして作成した天板20と上記で完成した基板と
を発熱部とこれに対応した吐出口26とで位置合せをし
て接着剤で接合する。尚、基板は天板20、内にインク
が供給できる様に1機械加工で穴をあけである0次に、
接合した基板の背面に不図示のインク供給部から共通イ
ンク室にインクを導入するための導入管60を接合して
第28図の模式的斜視図に示す様な記録へラド62を一
体的に完成した。尚、64は天板20の凹部であリバリ
ャ部を構成する。
を発熱部とこれに対応した吐出口26とで位置合せをし
て接着剤で接合する。尚、基板は天板20、内にインク
が供給できる様に1機械加工で穴をあけである0次に、
接合した基板の背面に不図示のインク供給部から共通イ
ンク室にインクを導入するための導入管60を接合して
第28図の模式的斜視図に示す様な記録へラド62を一
体的に完成した。尚、64は天板20の凹部であリバリ
ャ部を構成する。
電気熱変換体を有する基板の層構成のタイプA、タイプ
B、タイプCとヘッド作成方法のタイプ1−1.タイプ
l−2,タイプ2との組合せがあるが、以下の耐久性実
験においてはタイプAとタイプ1−1との組合せが用い
られた。
B、タイプCとヘッド作成方法のタイプ1−1.タイプ
l−2,タイプ2との組合せがあるが、以下の耐久性実
験においてはタイプAとタイプ1−1との組合せが用い
られた。
以下、作成された記録ヘッドの耐久性についての実験に
ついて述べる。
ついて述べる。
以上において作成された記録ヘッドには各発熱部に関す
る個別の電極17と各発熱部に共通の電極16とにそれ
ぞれ接続されている電極リード(個別電極リード及び共
通電極り−ド:不図示)を有するリード基板が付設され
、記録ヘッドユニットが完成した。
る個別の電極17と各発熱部に共通の電極16とにそれ
ぞれ接続されている電極リード(個別電極リード及び共
通電極り−ド:不図示)を有するリード基板が付設され
、記録ヘッドユニットが完成した。
これら記録へラドユニットを用いて、第29図に概略斜
視図の示される様な液体噴射記録装置を構成した。
視図の示される様な液体噴射記録装置を構成した。
1529図において、70は記録ヘッドユニットであり
、72は該記録ヘッドユニット70の蔵置されているキ
ャリッジであり、74は該キャリッジ72の往復移動の
ためのガイド部材である。また、76はプラテンであり
、78は該プラテン76上に保持されている被記録部材
たとえば紙である。
、72は該記録ヘッドユニット70の蔵置されているキ
ャリッジであり、74は該キャリッジ72の往復移動の
ためのガイド部材である。また、76はプラテンであり
、78は該プラテン76上に保持されている被記録部材
たとえば紙である。
記録ヘッドユニット70の記録液吐出口は矢印Zの方向
を向いており、記録液は該矢印方向に液滴となって吐出
せしめられ、プラテン76上の被記録部材78上にドツ
ト状に付着する。適宜の駆動手段により記録ヘッドユニ
ット70をガイド部材74に沿って移動させることによ
り主走査が行なわれ、一方適宜の駆動手段によりプラテ
ン76を回転軸77のまわりに回転させることにより副
走査が行なわれ、これにより被記録部材78上に記録が
行なわれる。
を向いており、記録液は該矢印方向に液滴となって吐出
せしめられ、プラテン76上の被記録部材78上にドツ
ト状に付着する。適宜の駆動手段により記録ヘッドユニ
ット70をガイド部材74に沿って移動させることによ
り主走査が行なわれ、一方適宜の駆動手段によりプラテ
ン76を回転軸77のまわりに回転させることにより副
走査が行なわれ、これにより被記録部材78上に記録が
行なわれる。
実験条件は次の通りであった。
発熱部にLOp、secのパルス幅、20QJLSeC
のパルス入力周期で最低発泡電圧(インク中で発泡しは
じめる電圧)の1.2倍の電圧(たとえば最低発泡電圧
が20Vであれば24v)の矩形パルスを印加した。用
いたインクの組成は以下の通りであった。
のパルス入力周期で最低発泡電圧(インク中で発泡しは
じめる電圧)の1.2倍の電圧(たとえば最低発泡電圧
が20Vであれば24v)の矩形パルスを印加した。用
いたインクの組成は以下の通りであった。
水 68重量部
DEC30重量部
黒色染料 2重量部
上記実験条件及びインクを用いてインク滴吐出実験を行
なったところ、第3表に示す様な耐久性評価が得られた
。
なったところ、第3表に示す様な耐久性評価が得られた
。
なお、このらの実施例及び比較例における耐久性の評価
は次の通り電気的パルスの繰返し印加可能回数により行
なった。即ち、第3表中の耐久性の欄に示されている「
○」、「×」は、以下の通り電気的パルスの繰返し印加
回数が何回であったかを示している。
は次の通り電気的パルスの繰返し印加可能回数により行
なった。即ち、第3表中の耐久性の欄に示されている「
○」、「×」は、以下の通り電気的パルスの繰返し印加
回数が何回であったかを示している。
Q lo’1回以上
× 10a回以下
以上の結果から1本発明の実施例においては比較例に比
べて著しく優れた耐久性を有する記録ヘッドが得られた
ことが分る。また、本発明実施例においては記録性も優
れていいるものであった。
べて著しく優れた耐久性を有する記録ヘッドが得られた
ことが分る。また、本発明実施例においては記録性も優
れていいるものであった。
上記耐久性実験においては上記タイプAとタイプ1−1
との組合せが用いられたが、他の組合せにおいても同様
の結果が得られた。
との組合せが用いられたが、他の組合せにおいても同様
の結果が得られた。
第 3 表
次に1本発明液体噴射記録装置の一実施態様例一部切欠
斜視図を第30図に示す。
斜視図を第30図に示す。
本実施態様例においては、2個の記録へッドユーッ)7
0がそれぞれ押え部材71により並列に一ヤリッジ72
に固定されて載置されている。記録へ7ドユニツト70
はいわゆる使い捨てタイプ・ものであり、記録液を内蔵
している。キャリツー72のガイド部材74に沿っての
移動は、ブーso、ai間に巻回されたワイヤ82の一
部を二足キャリッジ72に固定しておき、モータ84−
よりプーリ81を駆動回転させることにより行:われる
。
0がそれぞれ押え部材71により並列に一ヤリッジ72
に固定されて載置されている。記録へ7ドユニツト70
はいわゆる使い捨てタイプ・ものであり、記録液を内蔵
している。キャリツー72のガイド部材74に沿っての
移動は、ブーso、ai間に巻回されたワイヤ82の一
部を二足キャリッジ72に固定しておき、モータ84−
よりプーリ81を駆動回転させることにより行:われる
。
一方、プラテン76の回転軸77はモータ86−びギヤ
機構88により駆動回転せしめられ、こ−により被記録
部材78が送られる。
機構88により駆動回転せしめられ、こ−により被記録
部材78が送られる。
90はキャリッジ72を介して記録へッドユーツ)70
に対しZ方向への記録液の吐出の電気z号を供給するた
め、キャリッジ72に接続され二いるフレキシブル配線
板である。
に対しZ方向への記録液の吐出の電気z号を供給するた
め、キャリッジ72に接続され二いるフレキシブル配線
板である。
:発明の効果]
以上の様な本発明によれば、発熱抵抗層として炭素原子
を母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料を用いて
いることにより、化学的安定性が高く、#電気化学反応
性、耐酸化性に優れ、且つ耐機械的衝撃性、耐熱性に優
れた電気熱変換体を有し、従って熱応答性及び繰返し使
用耐久性が極めて良好な液体噴射記録ヘッド及び液体噴
射記録装置が提供される0本発明によれば特に発熱抵抗
層の成膜が容易である。
を母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料を用いて
いることにより、化学的安定性が高く、#電気化学反応
性、耐酸化性に優れ、且つ耐機械的衝撃性、耐熱性に優
れた電気熱変換体を有し、従って熱応答性及び繰返し使
用耐久性が極めて良好な液体噴射記録ヘッド及び液体噴
射記録装置が提供される0本発明によれば特に発熱抵抗
層の成膜が容易である。
よって、本発明により高周波数応答でしかも信頼性の高
い液体噴射記録を実現することが可能となる。
い液体噴射記録を実現することが可能となる。
更に1本発明によれば、発熱抵抗層中における水素原子
の含有率を膜厚方向に不均一分布となしているので、蓄
熱性や放熱性や支持体と抵抗層との密着性や記録液との
耐化学反応性等の種々の特性を容易に実現することがで
きる。
の含有率を膜厚方向に不均一分布となしているので、蓄
熱性や放熱性や支持体と抵抗層との密着性や記録液との
耐化学反応性等の種々の特性を容易に実現することがで
きる。
第1図は本発明記録ヘッドの部分平面図であり、第2図
はその■−■断面図であり、第3図は第2図のm−m断
面図である。 第4〜9図は発熱抵抗層中における水素原子の含有率の
分布を示すグラフである。 第10図及び第11図は本発明記録ヘッドの電気熱変換
体を有する基板の部分断面図である。 第12図は堆積装置の模式的説明図である。 第13図及びfjS14図は本発明記録ヘッドの部分斜
視図である。 第15図〜第18図は本発明記録ヘッドの部分断面図で
ある。 第19図、第21図及び第23図は本発明記録ヘッドの
電気熱変換体を有する基板の斜視図であり、第20図、
第22図及び第24図はそれぞれそれらの断面図である
。 第25図は本発明記録ヘッドの天板の斜視図である。 第26図、第27図及び第28図は本発明記録ヘッドの
斜視図である。 第29図は本発明記録装置の斜視図である。 第30図は本発明記録装置の一部切欠斜視図である。 12:支持体 24:発熱抵抗層15.17:電
極 18:発熱部 20:天板 24:熱作用部 26:吐出口 代理人 弁理士 山 下 穣 平 方1 図 どl+ 24 24 第4図 第5図 第6図 第7図 C 第8図 第7図 OC 第13図 第14図 第19図 第1CI!1 第21図 第2λ図 υ21 第23図 第2−4ス
はその■−■断面図であり、第3図は第2図のm−m断
面図である。 第4〜9図は発熱抵抗層中における水素原子の含有率の
分布を示すグラフである。 第10図及び第11図は本発明記録ヘッドの電気熱変換
体を有する基板の部分断面図である。 第12図は堆積装置の模式的説明図である。 第13図及びfjS14図は本発明記録ヘッドの部分斜
視図である。 第15図〜第18図は本発明記録ヘッドの部分断面図で
ある。 第19図、第21図及び第23図は本発明記録ヘッドの
電気熱変換体を有する基板の斜視図であり、第20図、
第22図及び第24図はそれぞれそれらの断面図である
。 第25図は本発明記録ヘッドの天板の斜視図である。 第26図、第27図及び第28図は本発明記録ヘッドの
斜視図である。 第29図は本発明記録装置の斜視図である。 第30図は本発明記録装置の一部切欠斜視図である。 12:支持体 24:発熱抵抗層15.17:電
極 18:発熱部 20:天板 24:熱作用部 26:吐出口 代理人 弁理士 山 下 穣 平 方1 図 どl+ 24 24 第4図 第5図 第6図 第7図 C 第8図 第7図 OC 第13図 第14図 第19図 第1CI!1 第21図 第2λ図 υ21 第23図 第2−4ス
Claims (2)
- (1)液体を吐出して飛翔的液滴を形成するために設け
られた吐出口と前記飛翔的液滴を形成するために利用さ
れる熱エネルギーを発生する電気熱変換体とを具備する
液体噴射記録ヘッドにおいて、前記電気熱変換体を構成
する発熱抵抗層が炭素原子を母体とし水素原子を含有し
てなる非晶質材料からなり、該発熱抵抗層において水素
原子が膜厚方向に不均一に分布していることを特徴とす
る、液体噴射記録ヘッド。 - (2)液体を吐出して飛翔的液滴を形成するために設け
られた吐出口と前記飛翔的液滴を形成するために利用さ
れる熱エネルギーを発生する電気熱変換体とを具備する
液体噴射記録ヘッドを搭載してなる液体噴射記録装置に
おいて、前記電気熱変換体を構成する発熱抵抗層が炭素
原子を母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料から
なり、該発熱抵抗層において水素原子が膜厚方向に不均
一に分布していることを特徴とする、液体噴射記録装置
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515685A JPS61284450A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
| DE19863618534 DE3618534A1 (de) | 1985-06-10 | 1986-06-03 | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf und diesen fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf enthaltendes aufzeichnungssystem |
| GB8613938A GB2176443B (en) | 1985-06-10 | 1986-06-09 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| US07/242,283 US4847639A (en) | 1985-06-10 | 1988-09-09 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| GB8914939A GB2220169B (en) | 1985-06-10 | 1989-06-29 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| GB8914938A GB2220168B (en) | 1985-06-10 | 1989-06-29 | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515685A JPS61284450A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284450A true JPS61284450A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14903259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12515685A Pending JPS61284450A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-11 | 液体噴射記録ヘツド及び液体噴射記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284450A (ja) |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP12515685A patent/JPS61284450A/ja active Pending
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