JPS6128928A - 液晶表示装置の製法 - Google Patents
液晶表示装置の製法Info
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- JPS6128928A JPS6128928A JP15042384A JP15042384A JPS6128928A JP S6128928 A JPS6128928 A JP S6128928A JP 15042384 A JP15042384 A JP 15042384A JP 15042384 A JP15042384 A JP 15042384A JP S6128928 A JPS6128928 A JP S6128928A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置の製法、特に液晶分子配列を形
成するための斜め蒸着法による傾斜配向処理に関する。
成するための斜め蒸着法による傾斜配向処理に関する。
背景技術とその問題点
液晶表示装置の配向処理方法はいくつかあり、その中で
傾斜配向処理に関しては斜め蒸着法が知られている。こ
の斜め蒸着法は、液晶分子の傾斜角度を広範囲に設定で
きる唯一のものであるが、しかし、傾斜角度を再現性よ
く制御する技術は今まで確立されていなかった。
傾斜配向処理に関しては斜め蒸着法が知られている。こ
の斜め蒸着法は、液晶分子の傾斜角度を広範囲に設定で
きる唯一のものであるが、しかし、傾斜角度を再現性よ
く制御する技術は今まで確立されていなかった。
この斜め蒸着法は、基板面にＳｉＯ等の蒸着物質を斜め
の角度から蒸着するものである。斜め蒸着では、第１図
Ａに示すように基板面（１）に対する蒸着角度θが大き
い（θ〉７０°）場合、液晶分子（２）はその分子長軸
が蒸着方向に沿い傾斜角度ψをもって傾斜配向する。一
方、第１図Ｂに示すように蒸着角度θが小さい（θ＝２
０”〜６０°）場合、液晶分子（２）はその分子長軸が
蒸着方向と直交するように傾斜角度ψがほとんど零の平
行配向する。
の角度から蒸着するものである。斜め蒸着では、第１図
Ａに示すように基板面（１）に対する蒸着角度θが大き
い（θ〉７０°）場合、液晶分子（２）はその分子長軸
が蒸着方向に沿い傾斜角度ψをもって傾斜配向する。一
方、第１図Ｂに示すように蒸着角度θが小さい（θ＝２
０”〜６０°）場合、液晶分子（２）はその分子長軸が
蒸着方向と直交するように傾斜角度ψがほとんど零の平
行配向する。
従来の傾斜配向処理は、液晶分子に傾斜角度をつけるた
めに斜め蒸着法の中の２回蒸着法が用いられている。こ
の方法には２通りある。第１は、第２図に示すように、
基板面（１）上に蒸着角度θ１＝２０°〜６０°で１回
目の斜め蒸着（以下第１蒸着と称す）をなして第１の薄
膜を形成し、次に基板面（１１を９０°回転して蒸着角
度θ２＝７０°〜８０°で２回目の斜め蒸着（以下第２
蒸着と称す）をなして第１の薄膜上に第２のｌ！Ｉｉｉ
を形成する方法である。第２は、これとは逆であって第
３図に示すように、基板面（１）上に蒸着角度θ１−７
０°〜８０°で第１蒸着を行っ°ζ第１の薄膜を形成し
、その上に蒸着角度θ２＝２０°〜６０°で第２蒸着を
行って第２の薄膜を形成する方法である。後者の方法は
、゛第１蒸着と第２蒸着の相互作用が強く傾斜角度の制
御が難しい。従って、主に前者の方法が用いられている
が、この場合も基本的には後者の方法と同じ原因による
欠点を有していた。蒸着物質としては第１蒸着及び第２
蒸着共に、同じ材料例えばＳｉＯのみ、或は５ｔＯ２の
みが使用されていた。このため、再現性のある傾斜配向
を得ることが出来なかった。
めに斜め蒸着法の中の２回蒸着法が用いられている。こ
の方法には２通りある。第１は、第２図に示すように、
基板面（１）上に蒸着角度θ１＝２０°〜６０°で１回
目の斜め蒸着（以下第１蒸着と称す）をなして第１の薄
膜を形成し、次に基板面（１１を９０°回転して蒸着角
度θ２＝７０°〜８０°で２回目の斜め蒸着（以下第２
蒸着と称す）をなして第１の薄膜上に第２のｌ！Ｉｉｉ
を形成する方法である。第２は、これとは逆であって第
３図に示すように、基板面（１）上に蒸着角度θ１−７
０°〜８０°で第１蒸着を行っ°ζ第１の薄膜を形成し
、その上に蒸着角度θ２＝２０°〜６０°で第２蒸着を
行って第２の薄膜を形成する方法である。後者の方法は
、゛第１蒸着と第２蒸着の相互作用が強く傾斜角度の制
御が難しい。従って、主に前者の方法が用いられている
が、この場合も基本的には後者の方法と同じ原因による
欠点を有していた。蒸着物質としては第１蒸着及び第２
蒸着共に、同じ材料例えばＳｉＯのみ、或は５ｔＯ２の
みが使用されていた。このため、再現性のある傾斜配向
を得ることが出来なかった。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、斜め蒸着法による傾斜配向
処理において、その液晶分子の傾斜角度を再現性良く、
しかも任意に設定できるようにした液晶表示装置の製法
を提供するものである。
処理において、その液晶分子の傾斜角度を再現性良く、
しかも任意に設定できるようにした液晶表示装置の製法
を提供するものである。
発明の概要
本発明は、基板面上に一の方向から第１の酸化物（例え
ばＳｉＯ、ＴｉＯ等）を斜め蒸着し、次に上記一の方向
と直交する方向から酸素と結合する元素の配位数当りの
酸素の割合が第１の酸化物におけるそれよりも多い第２
の酸化物（例えば５ｉ０２＋Ｔ ｉＯ２等）を斜め蒸着
して傾斜配向処理を行うことを特徴とする液晶表示装置
の製法である。 。
ばＳｉＯ、ＴｉＯ等）を斜め蒸着し、次に上記一の方向
と直交する方向から酸素と結合する元素の配位数当りの
酸素の割合が第１の酸化物におけるそれよりも多い第２
の酸化物（例えば５ｉ０２＋Ｔ ｉＯ２等）を斜め蒸着
して傾斜配向処理を行うことを特徴とする液晶表示装置
の製法である。 。
この発明によれば、液晶分子の傾斜角度が再現性良く設
定できる。また傾斜角度を任意に制御できる。
定できる。また傾斜角度を任意に制御できる。
実施例
第１蒸着及び第２蒸着共に同じ蒸着物質を用いた従来の
２回蒸着法では再現性のある傾斜配向を得ることができ
なかったが、本発明者はその再現性に影響している原因
を明らかにすることができた。まず、この原因について
説明する。なお、蒸着物質として、ＳｉＯ或は５ｉ０２
が良く用いられているので、ここではＳｉＯ及びＳ ｉ
Ｏ２を例にして説明するが、類似の酸化物についても同
様に説明される。
２回蒸着法では再現性のある傾斜配向を得ることができ
なかったが、本発明者はその再現性に影響している原因
を明らかにすることができた。まず、この原因について
説明する。なお、蒸着物質として、ＳｉＯ或は５ｉ０２
が良く用いられているので、ここではＳｉＯ及びＳ ｉ
Ｏ２を例にして説明するが、類似の酸化物についても同
様に説明される。
傾斜配向の再現性に影響する主な原因は、（ｉ）第１蒸
着後の薄膜の構造変化・ （（ｉ
ｉ ）第２蒸着での薄膜の厚みの制御性、（ｉｉｉ ）
第２蒸着後の薄膜の構造変化等である。ＳｉＯは非常に
組成の不安定なもので、通常ばＳ ｉＯ）＜と表わされ
、酸素の数は不定である（ｌ＜ｘ＜２）。ＳｉＯを基板
面に蒸着するとき、ＳｉＯは基板面に到達する前にペル
ジャー内に残留している酸素分子と結合し、非常に活性
のあるＳｉＯ２分子になる。このＳｉＯ２分子は基板面
と反応し易く、緻密な５ｉ０２の膜を基板面に形成する
。したがって蒸着物質にＳｉＯを使用すると、第１蒸着
では緻密なＳｉＯ２の膜を形成し、水分の侵入等による
薄膜の構造変化の影響を受けにくい。しかし、第２蒸着
にＳｉＯを使用すると、ＳｉＯの組成はＳ ４０１＜で
表わされる様に不定であるから膜厚の制御が難しい。
着後の薄膜の構造変化・ （（ｉ
ｉ ）第２蒸着での薄膜の厚みの制御性、（ｉｉｉ ）
第２蒸着後の薄膜の構造変化等である。ＳｉＯは非常に
組成の不安定なもので、通常ばＳ ｉＯ）＜と表わされ
、酸素の数は不定である（ｌ＜ｘ＜２）。ＳｉＯを基板
面に蒸着するとき、ＳｉＯは基板面に到達する前にペル
ジャー内に残留している酸素分子と結合し、非常に活性
のあるＳｉＯ２分子になる。このＳｉＯ２分子は基板面
と反応し易く、緻密な５ｉ０２の膜を基板面に形成する
。したがって蒸着物質にＳｉＯを使用すると、第１蒸着
では緻密なＳｉＯ２の膜を形成し、水分の侵入等による
薄膜の構造変化の影響を受けにくい。しかし、第２蒸着
にＳｉＯを使用すると、ＳｉＯの組成はＳ ４０１＜で
表わされる様に不定であるから膜厚の制御が難しい。
一方、蒸着物質に５ｉ０２を使用すると、第［蒸着では
蒸着源より蒸発したＳ ｉＯ２が不活性であるから、基
板面に多孔性のＳｉＯ２膜を形成し、水分等の侵入によ
る膜の構造変化を受は易い。しかし、第２蒸着に５ｉ０
２を用いると、ＳｉＯ２の組成が安定しているために膜
厚の制御は正確である。
蒸着源より蒸発したＳ ｉＯ２が不活性であるから、基
板面に多孔性のＳｉＯ２膜を形成し、水分等の侵入によ
る膜の構造変化を受は易い。しかし、第２蒸着に５ｉ０
２を用いると、ＳｉＯ２の組成が安定しているために膜
厚の制御は正確である。
本発明は、上述の研究結果に基づき、２回蒸着法におい
て、第１蒸着の蒸着物質に基惨面に被着された状態で水
分の侵入等による腺の構造変化の影響を受けにくい緻密
で安定な股を形成し得る例えばＳｉＯ、ＴｉＯ等の酸化
物を用い、第２蒸着の蒸着物質に組成も安定しそれ自身
の量が制御できる例えば５ｔ（ｈ ＋ ＴｉＯ２等の酸
化物を用いるようになすものである。
て、第１蒸着の蒸着物質に基惨面に被着された状態で水
分の侵入等による腺の構造変化の影響を受けにくい緻密
で安定な股を形成し得る例えばＳｉＯ、ＴｉＯ等の酸化
物を用い、第２蒸着の蒸着物質に組成も安定しそれ自身
の量が制御できる例えば５ｔ（ｈ ＋ ＴｉＯ２等の酸
化物を用いるようになすものである。
次に、本発明の詳細な説明する。本例においては、第４
図に示すように表面に透明導電膜（３）が被着形成され
たガラス基板（４）を用いる。この基板（４）の面上に
、第１蒸着の前に予め基板面に対して垂直方向からＳｉ
Ｏを膜厚が１０００人程度となるように前面蒸着して、
緻密なＪ地膜を形成する。このド地膜は基板面の汚れを
覆い、また透明導電膜（３）を蒸着で形成するとき基板
（４）が蒸着源に対して角度をもつため配向構造をもつ
ことがあるので、この配向構造を除くことができる。次
に第１蒸着として、蒸着角度θ１−２０°〜６０°でＳ
ｉＯを膜厚が１００人〜１０００人となるように蒸着し
、更に基板（４）を９０°回転して第２蒸着として、蒸
着角度θ２−７０”〜８５°で５ｉ０２をＭ膜厚が１八
〜２０人好ましくは数人となるように蒸着する。
図に示すように表面に透明導電膜（３）が被着形成され
たガラス基板（４）を用いる。この基板（４）の面上に
、第１蒸着の前に予め基板面に対して垂直方向からＳｉ
Ｏを膜厚が１０００人程度となるように前面蒸着して、
緻密なＪ地膜を形成する。このド地膜は基板面の汚れを
覆い、また透明導電膜（３）を蒸着で形成するとき基板
（４）が蒸着源に対して角度をもつため配向構造をもつ
ことがあるので、この配向構造を除くことができる。次
に第１蒸着として、蒸着角度θ１−２０°〜６０°でＳ
ｉＯを膜厚が１００人〜１０００人となるように蒸着し
、更に基板（４）を９０°回転して第２蒸着として、蒸
着角度θ２−７０”〜８５°で５ｉ０２をＭ膜厚が１八
〜２０人好ましくは数人となるように蒸着する。
第６図は本例で適用された蒸着装置の一例である。同図
において、（１１）はペルジャーを示し、このペルジャ
ー（１１）、内に第１の蒸着源例えば抵抗加熱によるＳ
ｉＯの蒸着源（１２）と、第２の蒸着源例えば電子ビー
ム加熱によるＳｉＯ２の蒸着源（１３）が配される。ま
た夫々の蒸着源（１２）及び（１３）に対向して配向処
理すべき基板（４）を保持する基板ホルダー（１４）及
び（１５）が配され、この基板ホルダー（１４）及び（
１５）は夫々軸＜１６） ＜第７図参照）を中心に基
板（４）の傾斜角度が調整されるように回転可能に構成
される。（１７）及び（１８）は膜厚計、（１９）及び
（２０）は蒸着源（１２）及び（１３）と基板ホルダー
（１４）及び（１５）間に夫々配されたシャッターであ
る。シャッター（１９）及び（２０）は各蒸着源より蒸
着物質を蒸発させてから開くようになされる。またＳ
ｉＯ２の蒸着系においては、第２蒸着時の蒸着膜厚が薄
いので、これを正確に制御するため、ロータリーシャッ
ター（２１）が配される。このロータリーシャッター（
２１）は第７図に示すようにモータ（２４）で回転する
回転円板（２２）に所定の開口部面積比となるように等
間隔で開口部（２３）が設けられる。このロータリーシ
ャッター（２１）の開口部（２３）の面積比を小さくず
ればいくらでも微小膜厚の制御が正確にできる。この装
置では、ＳｉＯの蒸着系において下地膜の前面蒸着と第
１蒸着が行なわれ、次に基板（４）を５ｉ０２の蒸着系
に移して５ｉ（ｈの第２蒸着が行われる。
において、（１１）はペルジャーを示し、このペルジャ
ー（１１）、内に第１の蒸着源例えば抵抗加熱によるＳ
ｉＯの蒸着源（１２）と、第２の蒸着源例えば電子ビー
ム加熱によるＳｉＯ２の蒸着源（１３）が配される。ま
た夫々の蒸着源（１２）及び（１３）に対向して配向処
理すべき基板（４）を保持する基板ホルダー（１４）及
び（１５）が配され、この基板ホルダー（１４）及び（
１５）は夫々軸＜１６） ＜第７図参照）を中心に基
板（４）の傾斜角度が調整されるように回転可能に構成
される。（１７）及び（１８）は膜厚計、（１９）及び
（２０）は蒸着源（１２）及び（１３）と基板ホルダー
（１４）及び（１５）間に夫々配されたシャッターであ
る。シャッター（１９）及び（２０）は各蒸着源より蒸
着物質を蒸発させてから開くようになされる。またＳ
ｉＯ２の蒸着系においては、第２蒸着時の蒸着膜厚が薄
いので、これを正確に制御するため、ロータリーシャッ
ター（２１）が配される。このロータリーシャッター（
２１）は第７図に示すようにモータ（２４）で回転する
回転円板（２２）に所定の開口部面積比となるように等
間隔で開口部（２３）が設けられる。このロータリーシ
ャッター（２１）の開口部（２３）の面積比を小さくず
ればいくらでも微小膜厚の制御が正確にできる。この装
置では、ＳｉＯの蒸着系において下地膜の前面蒸着と第
１蒸着が行なわれ、次に基板（４）を５ｉ０２の蒸着系
に移して５ｉ（ｈの第２蒸着が行われる。
かかる傾斜配向処理によれば、第１蒸着では蒸着物質と
してＳｉＯを用いるので、基板面上に水分の侵入等によ
る膜の構造変化を受けにくい緻密な安定した薄膜が形成
される。しかも、第２蒸着では蒸着物質として組成の安
定したＳ ｉ０２を用いるので、膜厚の制御が正確にで
きる。従って基板面に対する液晶分子（２）の傾斜角度
ψが再現性よく得られ、また第２蒸着の膜厚の制御によ
って任意に傾斜角度ψを設定できる。またＳｉＯの下地
膜を設けることによって、さらに傾斜角度の再現性が良
くなる。
してＳｉＯを用いるので、基板面上に水分の侵入等によ
る膜の構造変化を受けにくい緻密な安定した薄膜が形成
される。しかも、第２蒸着では蒸着物質として組成の安
定したＳ ｉ０２を用いるので、膜厚の制御が正確にで
きる。従って基板面に対する液晶分子（２）の傾斜角度
ψが再現性よく得られ、また第２蒸着の膜厚の制御によ
って任意に傾斜角度ψを設定できる。またＳｉＯの下地
膜を設けることによって、さらに傾斜角度の再現性が良
くなる。
表１は本発明の傾斜配向処理における傾斜角度ψの再現
性を示すものである。試料は基板面上にＳｉＯＪ地膜（
膜厚０．１μｍ）を形成した後、第１蒸着として蒸着角
度６０°、膜厚４００八でＳｆＯを蒸着し、次に第２蒸
着として蒸着角度８ｏ°、膜厚５人でＳ ｉＯ２を蒸着
したものである。この表１から明らかなように本発明で
は傾斜角度ψのバラツキが少なく非常に再現性が良い。
性を示すものである。試料は基板面上にＳｉＯＪ地膜（
膜厚０．１μｍ）を形成した後、第１蒸着として蒸着角
度６０°、膜厚４００八でＳｆＯを蒸着し、次に第２蒸
着として蒸着角度８ｏ°、膜厚５人でＳ ｉＯ２を蒸着
したものである。この表１から明らかなように本発明で
は傾斜角度ψのバラツキが少なく非常に再現性が良い。
表２は下地膜と傾斜角度の関係を示すものである。第１
蒸着にＳｉＯを用い、第２蒸着にＳ ｉｏ２を用いる場
合でも、第１蒸着後の放置時間が長くなるよにつれて傾
斜角度は増大する傾向にある。しかし、表２で示すよう
に、ＳｉＯ下地膜を付けた試料３及び４の場合には下地
膜のない試料１及び２の場合に比べて第１蒸着後の放置
日数が長い（２日間）にも拘らず、傾斜角度が小さくな
っている。
蒸着にＳｉＯを用い、第２蒸着にＳ ｉｏ２を用いる場
合でも、第１蒸着後の放置時間が長くなるよにつれて傾
斜角度は増大する傾向にある。しかし、表２で示すよう
に、ＳｉＯ下地膜を付けた試料３及び４の場合には下地
膜のない試料１及び２の場合に比べて第１蒸着後の放置
日数が長い（２日間）にも拘らず、傾斜角度が小さくな
っている。
従って、ＳｉＯ下地膜を付した方が、より安定し再現性
のある配向処理が得られる。尚試料としては、基板面上
にＳｉＯの下地膜（膜厚０．２μｍ）を形成し、又は下
地膜を形成せずに、第１蒸着として蒸着角度６０°、膜
厚４００人でＳｉＯを蒸着し、次に第２蒸着として蒸着
角度８０°、膜厚２．５人でＳ ｉｏ２を蒸着したもの
を用いた。
のある配向処理が得られる。尚試料としては、基板面上
にＳｉＯの下地膜（膜厚０．２μｍ）を形成し、又は下
地膜を形成せずに、第１蒸着として蒸着角度６０°、膜
厚４００人でＳｉＯを蒸着し、次に第２蒸着として蒸着
角度８０°、膜厚２．５人でＳ ｉｏ２を蒸着したもの
を用いた。
第８図は本発明においてその第２蒸着の膜厚と液晶分子
の傾斜角度ψの関係を示すグラフである。
の傾斜角度ψの関係を示すグラフである。
測定は基板面上にＳｉＯ下地膜（膜厚０．１μｍ）を形
成した後、第１蒸着として蒸着角度６ｏ°、膜厚４００
人でＳｉＯを蒸着し、次に第２蒸着として蒸着角度８０
°で５ｉ０２を蒸着し、その蒸着膜厚を変えて行った。
成した後、第１蒸着として蒸着角度６ｏ°、膜厚４００
人でＳｉＯを蒸着し、次に第２蒸着として蒸着角度８０
°で５ｉ０２を蒸着し、その蒸着膜厚を変えて行った。
この第８図から明らかなように第２蒸着の５ｔ０２の膜
厚が増すにつれて傾斜角度ψが増す。
厚が増すにつれて傾斜角度ψが増す。
これによって、任意の傾斜角度ψが精度よく設定できる
。
。
これに対して表３は従来のＳｉＯのみによる２回蒸着法
でｉＪ斜配向処理したときの傾斜角度の測定結果を示す
。この表３から傾斜角度は最大１３．５゜より最小２．
１°とバラツキが大きく再現性が悪いことが認められる
。
でｉＪ斜配向処理したときの傾斜角度の測定結果を示す
。この表３から傾斜角度は最大１３．５゜より最小２．
１°とバラツキが大きく再現性が悪いことが認められる
。
表４は従来の５ｔ０２のみによる２回蒸着法で１頃斜配
向処理したときの傾斜角度の測定結果を示す。
向処理したときの傾斜角度の測定結果を示す。
この表４により５ｔＯ２のみの場合には第１蒸着後の膜
の構造変化が大きく、傾斜角度が広範囲に変化しており
再現性が想いことが認められる。
の構造変化が大きく、傾斜角度が広範囲に変化しており
再現性が想いことが認められる。
なお、本発明において上側ではＳｉＯと５ｉ（ｈの組合
せについて述べたが、その他の類似の酸化物例えばＴｉ
ＯとＴ ＋０２の組合せ、或はＳｉＯとＴｉＯ２、Ｔｉ
ＯとＳ ＋０２の組合せでも同様の効果が期待できる。
せについて述べたが、その他の類似の酸化物例えばＴｉ
ＯとＴ ＋０２の組合せ、或はＳｉＯとＴｉＯ２、Ｔｉ
ＯとＳ ＋０２の組合せでも同様の効果が期待できる。
発明の効果
本発明によれば、液晶表示装置における傾斜配向処理と
して所謂斜め蒸着の２回蒸着法を用いるが、特にその第
１蒸着として一方向からＳｉＯ、ＴｉＯ等の第１の酸化
物を斜め蒸着するので、基板面上に水分の侵入等による
膜の構造変化を受けにくい緻密な安定した膜が形成され
る。そして、第２蒸着として上記一の方向と直交する方
向から５１０２１７ ＋０２等の組成の安定した第２の
酸化物、即ち酸素と結合する元素の配位数当りの酸素の
割合が第１の酸化物におけるそれよた多い酸化物を斜め
蒸着するので膜厚の制御が正確にできる。
して所謂斜め蒸着の２回蒸着法を用いるが、特にその第
１蒸着として一方向からＳｉＯ、ＴｉＯ等の第１の酸化
物を斜め蒸着するので、基板面上に水分の侵入等による
膜の構造変化を受けにくい緻密な安定した膜が形成され
る。そして、第２蒸着として上記一の方向と直交する方
向から５１０２１７ ＋０２等の組成の安定した第２の
酸化物、即ち酸素と結合する元素の配位数当りの酸素の
割合が第１の酸化物におけるそれよた多い酸化物を斜め
蒸着するので膜厚の制御が正確にできる。
従って、再現性のある傾斜配向処理が行え、また第２蒸
着の膜厚を制御することで液晶分子の傾斜角度を任意に
精度よく設定することができ、信頼性の高い液晶表示装
置が得られる。
着の膜厚を制御することで液晶分子の傾斜角度を任意に
精度よく設定することができ、信頼性の高い液晶表示装
置が得られる。
第１図Ａ及びＢは斜め蒸着の蒸着角度による液晶分子の
配向状態を示す斜視図、第２図及び第３図は従来の２回
蒸着法の例を示す斜視図、第４図は本発明による傾斜配
向処理法の一実施例を示す斜視図、第５図は液晶分子の
傾斜角度の説明に供する断面図、第６図は本発明に適用
される蒸着装置の一例を示す構成図、第７図はその一部
の斜視図、第８図は本発明の説明に供する液晶分子の傾
斜角度と第２蒸着の膜厚との関係を示すグラフである。 ＋１１は基板面、（２）は液晶分子、（３）は透明導電
膜、（４）はガラス基板である。 表 １ 第１図 Ａ Ｂ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７Ｉ７！ 第８図
配向状態を示す斜視図、第２図及び第３図は従来の２回
蒸着法の例を示す斜視図、第４図は本発明による傾斜配
向処理法の一実施例を示す斜視図、第５図は液晶分子の
傾斜角度の説明に供する断面図、第６図は本発明に適用
される蒸着装置の一例を示す構成図、第７図はその一部
の斜視図、第８図は本発明の説明に供する液晶分子の傾
斜角度と第２蒸着の膜厚との関係を示すグラフである。 ＋１１は基板面、（２）は液晶分子、（３）は透明導電
膜、（４）はガラス基板である。 表 １ 第１図 Ａ Ｂ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７Ｉ７！ 第８図
Claims (1)
- 基板面上に一の方向から第１の酸化物を斜め蒸着し、次
に上記一の方向と直交する方向から酸素と結合する元素
の配位数当りの酸素の割合が上記第１の酸化物における
それよりも多い第２の酸化物を斜め蒸着して傾斜配向処
理を行うことを特徴とする液晶表示装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15042384A JPS6128928A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 液晶表示装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15042384A JPS6128928A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 液晶表示装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128928A true JPS6128928A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15496608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15042384A Pending JPS6128928A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 液晶表示装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6128928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008163375A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Ricoh Co Ltd | 蒸着膜とこれを用いた光路偏向素子、空間光変調素子、及び投射型画像表示装置 |
| US7456920B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-11-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electro-optical device, device for manufacturing the same, electro-optical device and electronic apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146254A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Process for making transparent base plate used for twist-type liquid c rystal cell |
| JPS5354041A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-17 | Gen Corp | Method of producing liquid crystal molecule oriented and treated film |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP15042384A patent/JPS6128928A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146254A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Process for making transparent base plate used for twist-type liquid c rystal cell |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008163375A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Ricoh Co Ltd | 蒸着膜とこれを用いた光路偏向素子、空間光変調素子、及び投射型画像表示装置 |
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