JPS6128954A

JPS6128954A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6128954A
Application number: JP59149658A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-07-20
Filing date: 1984-07-20
Publication date: 1986-02-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザ　　　　　Ｉ−
光で光受容部材を光学的に走査することにより静電潜像
を形成し、次いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定
着などの処理を行ない、画像を記録する方法がよく知ら
れている。中でも電子写真法を使用した画像形成法では
、レーザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあ
るいは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発
光波長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で、例えば特開昭５４−８６
３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−３
ｉＪと略記する）から成る光受容部材が注目されている
。

面乍ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２ΩＣｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等御された形で構造的に含有
させる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密
に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度
に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ−５ｉ系光受容部材追上の管
理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化
に向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ３、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかにコリ上の層ｎ厚差で不均一であると１反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋、
）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−３Ｌ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。

透過光Ｉ、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、、に２．に３＠・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
８と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光ＲＩ
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

ヌ、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ　＝ｍλま
たは２ｎｄｔ＝（ｍ十繕）入が成立ち、夫々明部または
暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄｌ
　　＋　ｄ２　＋　ｄ３　＊　ｄ４の夫々　　　　　　
　（−性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と：シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層と、反射防止機能を有する表面層とが支
持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と：を有
し、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の非平
行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面
内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界面が
配列方向において各々なめらかに連結している光受容部
材において、前記第１の層中におけるゲルマニウム原子
の分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ前記第１の
層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質が含有され、該物質が含有されている層領域において
該物質の分布状態が層厚方向に不均一であることを特徴
としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層
６０２の層厚ｄ５からｄもと連続的に変化している為に
、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。

従って、この微小部分（ショートレンジ）ｆＬに入射し
た可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小
な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉｏに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ＣＢ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が　　　　　　Ｉ無視し
得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光量
は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｅ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の「（
Ｄ）」参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３，Ｒ，、Ｒｓが存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望　　　。

ましい。

本発明に適した微小部分の大きさＵ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄｒ、）は、照射光の
波長をλとすると、ｃｉ、、−ｃｔ、≧−（ｎ：第２層６０２の屈折率）ｎであるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、Ａ　　　　　　（ｎ：層の屈折率）ｎ以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す、第９図におい
てＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、
Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョン与は、以下の点を考慮した上で、本発明の目的を効果的に
達成出来る様に設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ルｍ〜
０．３終ｍ、より好ましくは２００ｐｍ−１ｐｍ、最適
には５０　ＪＬ　ｍ　〜５　ＩＬｍであるのが望ましい
。

又凹部の最大め深さは、好ましくは０．１Ｂｍ〜５ＪＬ
ｍ、より好ましくは０．３１Ｌｍ〜３ｐｍ、最適には０
．６１Ｌｍ〜２ｐｍとされるのが望ましい、支持体表面
の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、隣
接する四部と凸部の各々の極小値点と極大値点とを結ぶ
傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、より好まし
くは３度〜１５度、最適には４度〜ｌＯ度とされるのが
望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
ＩＩＬｍ〜２１Ｌｍ、より好ましくは０．１ｇｍ　〜１
．５ｐｍ、最適にはｏ、２ＩＬｍ〜ＩＩＬｍとされるの
が望ましい。

本発明の光受容部材におけ、る光受容層はシリコン原子
とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第
１の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光
導電性を示す第２の層と１反射防止機能を有する表面層
とが支持体側より順に設けられた多層構成となっている
ため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電
気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
σするため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ
、且つ光応答が早い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１θ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層ｔｏｏｏを有す
る。

光受容層１０００は、支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以ｖｋｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する
）で構成された第１の暦（Ｇ）１００２と必要に応じて
水素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含
むａ−３ｔ（以後ｒａ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する
）で構成され光導電性を有する第２の暦（Ｓ）１００３
と、反射防止機能を有する表面層１００５とが順に積層
された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の暦（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体ｔｏｏｔの設けられである側と
は反対の側（光受容層ｌ。

００の表面層１００５側）の方に対して前記支持体１０
０１側の方に多く分布した状態となる様に前記第１の層
（Ｇ）１００２中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間におけ
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部にお
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層Ｃ５）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

尚、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなるため、極端な
形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解さ
れたい、　実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れるべく、所望される分布濃度線が得られるように、ｔ
、（１≦ｉ≦８）又はＣ１（１≦ｉ≦２０）の値を選ぶ
か、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛たものを
とるべきである。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
七〇は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１’１図には、第１の層（Ｇ）に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔ、の位置までは
、ゲルマニウム原子のＩＩＴ濃度ＣがＣ１なる一定の値
を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層ＣＧ
）に含有され、位置ｔ、よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ
Ｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３と
される。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ−ｒに至る
まで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにお
いて一度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ１において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔ　より位置ｔＴに至るまで、濃度ＣＲより連続的
に徐々に減少され、位置ｔ□において実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於いては、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは１位置ｔＢと位置し３間においては、一度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔ１に於いては濃度ＣＩＧとされ
る９位置ｔ３と位置ｔＴと゛の間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３より位置ｔ−ｒに至るまで減少され
ている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ｎより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔｎより位置ｔ１に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位ｍ　ｔ　ｓに至る
まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳよ
り濃度Ｃ１１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と
位置ｔｒとの間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされ
た例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ＣＩ＋３とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置上８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度ｃ２゜に至る。

位Ｆｊ　ｔ　ｎと位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ２゜
より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
の含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔｒ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図　　　　
　　ｉ乃至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界
面位置ＥＢより５ＪＬ以内に設けられるのが望ましいも
のである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
　より５＃Ｌ厚までの全層領域（Ｌ、）とされる場合も
あるし、名、層領域（Ｌｌ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍ　ａ　ｘがシリコン原子に対して、好ま
しくは１００’Ｏａｔｏｍｆｃｐｐｍ以上、より好適に
は５０００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適にはＩＸ
ＩＯ４ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以」；とされる様な分布状態
となり得るように層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウムＦＫ子ノ含有さ
れる第１の層は、支持体側からの層厚で５川以内（ｔＢ
から５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉｃ％、
より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２
５ａｔ　ｏｍｆ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜決められるが、好ましくは１
〜９．５ＸＩＯ５ａｔ。

ｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８×１０５
ａｔ　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０
５ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて第１の暦（Ｇ）と第２の層（’Ｓ）との
層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分
なる注意が耘ゎれる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０ｇ、より好ましくは、４０Ａ　〜４０Ｉ
Ｌ、最適には、５０八〜３ｏＩＬとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層Ｊ％Ｔは、好ましくは０．５〜
９０ＩＬ、より好ましくは１〜８０％最適には２〜５０
μとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ＩＬ、よ、り
好適には１〜８０ｇ、最適には２〜５０ｐＬとされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係
が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚ＴＱ値が決定される
のが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がＩＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　
　ＰＰｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと
ビては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０川以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ
以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）　で構成サレル第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇ、ｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率
曲線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成
する場合には１例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉＨ４、、Ｓ　１２Ｈ６，５ｉ
３Ｈ６，５ｉａＨ＋ｏ等のガス状態の又ガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳ　ｉＨ４、Ｓ　ｉ２１（ｒ、が好ま
しいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２　Ｈ（、、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４ＨＩ６．
Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ＋ｓ、Ｇｅ７Ｈ１＆　、Ｇｅｅ
　Ｈｔ　ｓ　、Ｇｅ９−Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、Ｇ　ｅ　Ｈ４、Ｇｅ２　［６
、Ｇ　ｅ３　ｆ（ｅが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、Ｃ１Ｆ、ＣＩＬＦ３．ＢｒＦ５．Ｂｒ
Ｆ３．ＩＦ３、ＩＦ、、Ｉ（４、ＩＢｒ等のハロゲン間
化合物を挙げるこ　　　　　　　Ｉとが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
　ｉ　Ｆ４　、　Ｓ　ｉ２　Ｆ６　、　Ｓ　ｉ　Ｃ１ａ
、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして
挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る・グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望“量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲ−／　トとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には１例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水
素、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ立２　
、　Ｓ　ｉ　ＨＣ５Ｌ３、ＳｉＨ２Ｂｒ２．’５ｉＨＢ
ｒ３等のハロゲン置換水素化ケイ素、及びＧ　ｅ　ＨＦ
　ａ　、　Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｆ　２、ＧｅＢ３　Ｆ、　　Ｇ
ｅＨＣｆＬｓ　　、　　ＧｅＢ２　Ｃ１ｚ　　。

ＧｅＢ３　　Ｃ１，ＧｅＨＢ　Ｆ３　　、ＧｅＢ２　　
Ｂ　　Ｆ２　　。

ＧｅＢ３　　Ｂ　　ｒ、　　ＧｅＨＩ　３　、　　Ｇｅ
Ｂ２　　Ｉ２　、ＧｅＢ３　Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、ＧｅＦ４、ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ　Ｉ
４．ＧｅＦ２．ＧｅＣ１２、ＧｅＢ　Ｆ２、Ｇｅ　Ｉ、
等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガ・ス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入　　　　　
（するには、上記の他にＦ２．或いはＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓ
　１２　Ｈ６，Ｓ　［３Ｈ＠　、Ｓ　Ｉ４　Ｈｌ。等の
水素化硅素をＧｅを供給する為のゲルマニウム又はゲル
マニウム化合物と、或いは、ＧｅＨａ、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇ
ｅ３　Ｈｅ　、Ｇｅａ　Ｈｔ　ｏ　、Ｇｅ５１（１２−
、Ｇｅ６Ｈ，４，Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ６Ｈ１８，Ｇｅｇ
　Ｆ２゜等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為の
シリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層ＣＧ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ９ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−５ｆ（Ｈ，Ｘ）
からなる暦を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材１００４においては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明においては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されてもよく、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏在する様に含有されていてもよい。

しかし、いずれの場合においても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）において、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。

つまり、例えば、第１の層（Ｇ）の全層領域に前記物質
（Ｃ）を含有させるのであれば、第１の層（Ｇ）の支持
体側の方に多く分布する様に前記物質（Ｃ）が第１の層
（Ｇ）中に含有される。

この様に、層領域（ＰＮ）において、前記物質（Ｃ）の
層厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることがで
きる。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層ＣＧ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中に含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２のｉｆｊ　Ｃ５）中に、伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該
物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は
／及び第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれ
でも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御するこ
とが出来るも゛のであるが、この様な物質としては、所
謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−
３ｔ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ（Ｈ’、Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導
特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ文（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、ＴｆＬ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の層領域や、該他９層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量が適宜選択される」本発明に於いて、層領域（Ｐ
Ｎ）中に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量としては、好ましくは０．０１〜５Ｘ１０’　ａｔ
　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好適には０．５〜１Ｘｌｏ
’　ａｔｏｎｉｃ　　ｐｐｍ、最適には、１〜５Ｘ１０
３ａｔｏｍｉｃ　　ＰＰｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以、し、より好
適には５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適にはｌｏ
ｏａｔｏｍｆｃ　　Ｐｐｍ以上とすることによって、例
えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子注入を効果的に
阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が
前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ
極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容中への
正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の極
性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ
）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に
含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有さ
せても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０．００ＩＮｌｏ００ａｔｍｉｃ　　ｐｐｍ、
より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ
、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｆｃ　　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐｆｆｉ不純物を
含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域と
を直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、
空乏層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚
、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値で
示すと各々の図の違いが明確でなでなくなるため、極端
な形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解
されたい、実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れる可〈所望される分布濃度線が得られる様に、ｔ、（
１≦ｉ≦９）又はＣ２（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、
あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛たものをとる
べきである。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対−の層領域（Ｐ　Ｎ）の端面の位置を
示す、即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）は
ｔＢ側よりｔｒ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層領域（ＰＮ）の表
面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される層領域（ＰＮ）に含有され、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ７より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔＴにお
いては物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる（
ここでは実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第２８図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ１に至るまで濃度
Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔｒにおいて濃度
Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、物
質ＣＣ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
　より位置ｔ、に至るまで、濃度Ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され、位置ｔ３よりは、急速に連続的に減少
されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第３１図に示す例に於いては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ
は１位置ｔＢと位置ｔ４との間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ−ｒに於いては濃度Ｃは零とされ
る０位置ｔ４と位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔ１に至るまで減少されてい
る。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位′１
ｉｔＢより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位
置ｔ５より位置ｔＴまでは濃度。

Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次関数的に減少する分布状態
とされている。

第３３図に示す例においては、位置ｔｎより位置ｔＴに
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１１より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第３４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ
３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置上〇との
間においては、１度Ｃ１３の一定値とされた例が示され
ている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位Ｍｔ　において濃度ＣＩ４であり、位置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４よ
り初めはゆっくりと減少され、ｔ７の位置付近において
は、急激に減少されて位置ｔ７では濃度ＣＩ　５とされ
る。

位置ｔ７と位ＩＦ　ｔ　ｅとの間においては、初め急激
に減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位
置ｔ８で濃度ＣＩ＆となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間
では、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度ｃｔｙ
に至る０位置上９と位置ｔＴとの間においては濃度ＣＩ
７より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（Ｐ　Ｎ）
中に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
比べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布
状態が層領域（Ｐ　Ｎ）に設けられているのが望ましい
、　　　　１本発明における受容部材を構成する光受容
層を構成する層領域（ＰＮ）は好ましくは上記した様に
支持体側の方に物質（Ｃ）が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域（Ｂ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域ＣＢ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ　より
５延以内に設けられているのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ　
より５終厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第■族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用・の
出発物質あるいは第■族原子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質
と共に導入してやればよい、この様な第■族原子導入用
の出発物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状
態の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが好ましい。その様な第■族原子導
入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、ＢＺ　ＨＧ　、　Ｂ４Ｈ１Ｇ、ＢＳＨ９，ＢＳＨｌ
ｌ、Ｂ６Ｈ１１）。

Ｂ６ＨＩ２．Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣ
１３、ＢＢｒ３Ｂｒ３日ノハロゲン化硼素げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣｌ３　、Ｇａ　（ＣＨ３）３
．ＩｎＣ１５，ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ、Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４■、ＰＦ３　、ＰＦ５　
、ＰＣＩ３　、ＰＣＩｓ、ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ３
等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、Ａ
ｓＦ３．ＡｓＣｌ３　、ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５．ＳｂＨ
３、ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５，５ｂＣ１３，５ｂＣ１５，
５ｔＨ３、Ｓ　ｉＣ１３、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる
。

反射防止機能を持つ表面層１００５の厚さは、次のよう
に決定される。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長をλとす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、が好ましいものである。

また、表面層１００５の材料としては、表面層を堆積す
るＨ２の層の屈折率をｎ　ａとすると、ｎ＝（ｎ）繕の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ＩＬｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層１００５の
材料として有効に使用されるものとしては１例えば、Ｍ
ｇＦ２　、Ａ１２０３　、ＺｒＯ２。

Ｔｉｅ、、ＺｎＳ、ＣｅＯ２、ＣｅＦ２　．５ｉ０２　
　、ＳｉＯ，Ｔａ２０５．ａｆＬＦ３　、ＮａＦ。

Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物、無機酸化物や無機窒化物、
或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が挙げ
られる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｕ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

Ｓ　ｎ０２　　、　Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　Ｈ２０３＋Ｓ　ｎ
０２　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムチあれば、ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔ　ａ　、　Ｖ　、　Ｔ　ｉ　、　Ｐ　を等の金属の薄
膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上。

機械的強度等の点から、好ましくは１０ＩＬ以上とされ
る。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例として例えば２０ｏ２は、ＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９９％、以下ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２０
０３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下　Ｇｅ
Ｈ４と略す）ボンベ、２００４はＳ　ｆ　Ｆ４ガス（純
度９９．９９％、以下５ＪＦ４と略す）ボンベ、２００
５はＨ２で希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９
％、以下Ｂ２Ｈ＆／Ｈ２と略す）ボンベ、２００６はＨ
２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２０ｏ６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２ｏ３５が閉じられていることを確認し、
また流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出／＜ルブ２０
１７〜２０２１．補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２ｏ３４を
開いて反応室２００１．及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１０−＠Ｔ。

ｒｒになった時点で補助バルブ２ｏ３２．２０３３、流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じ６０１次に、シリン
ダー状基体２０３７上に光受容層を形成する場合の１例
をあげると゛、ガスボンベ２００２よりＳｉｎ、ガス、
ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボンベ２０
０５よりＢ２Ｈ＆　／　Ｈ２ガス、２００６よりＨ２ガ
スをバルブ２０２２．２０２３．２０２５．２０２６を
開いて出ロ圧ゲ〜ジ２０２７．２０２８．２０３０．２
０３１の圧を１Ｋｇ／ｃｍ２に調整し、流入バルブ２０
１２．２０１３．２０１５．２０１６を徐々に開けて、
マスフロコントローラ２００７．２００８．２０１０．
２０１１内に夫々流入させる。引続いて流出バルブ２０
１７．２０１８．２０２０．２０２１、補助バルブ２ｏ
３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２０
０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４ガス流量、
ＧｅＨ４ガス流量、Ｂ２Ｈ＆／Ｈ２ガス流量、Ｈ２ガス
流量の比が所望の値になるように流出バルブ２０１７．
２０１８．２０２０．２０２１を調整し、また、反応室
２０ｏ１内の圧力が所望の値になるように真空計２０３
６の読みを見ながら゛メインバルブ２０３４の開口を調
整する。　そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター
２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認した後、電源２０４０を所望の電力に
設定して反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同
時にあらかじめ設計されたガス変化率曲線に従ってＧｅ
Ｈ，ガスの流量及びＢ、Ｈｂ／Ｈ２ガスの流量を手動あ
るいは外部駆動モータ等の方法によってバルブ２０１８
．２０２０の開口を漸次変化させる操作を行って形成さ
れる層中に含有される硼素原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階において、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の！　（
Ｓ）を形成することができる。

又、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、流
出バルブ２０２０を適宜開閉することで硼素を含有させ
たり、含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領
域にだけ硼素を含有させることもできる。

次に、第２の層（Ｓ）上に表面層を堆積させるために、
例えば２００６の水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（
Ａｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソ
ード電極上に表面層の材料を一面に張る。その後、装置
内に第２の層（Ｓ）まで形成したものを設置し、減圧し
た後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ表面
層材料をスパッタリングして、所望層厚に表面層を形成
する。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ
）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ｐｍ、深さくＤ）０．８
ＪＬｍの螺旋溝表面形状）のＡＩ支持体を作製した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第１表の条件Ｎｏ
、１０１及び第４表に示す条件で種々の操作手順にした
がって、前述のＡｌ支持体上にａ−Ｓｉ光受容層を堆積
した（試料Ｎｏ、１−１）。

なお、第１層は、ＧｅＨ，、Ｓ　ｉＨ４、Ｂ２Ｈ６／Ｈ
２の各ガスの流量を第２２図及び第３６図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピューター（ＨＰ　９８４５　Ｂ）によ
り制御して形成した。

尚、表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（
Ａｒ）ガスボンベに取りかえ、堆積装置を清掃し、カソ
ード電極上に第１表条件Ｎｏ、１０１に示す表面層材料
を一面に張る。前記光受容部材を設置し、堆積装置内を
拡散ポンプで十分に減圧する。その後アルゴンガスを０
．０１５Ｔ。

ｒｒまで導入し高周波電力１５０Ｗでグロー放電を起し
て表面材料をスパッタリングして前記支持体上に第１表
条件Ｎｏ、１０１の表面層を堆積した。

別に同一の表面性の円筒状Ａｌ支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外は
上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ、
第２１図（Ａ）に示す様に表面層２１０５の表面は支持
体２１０１の表面に対して平行になっていた。　この場
合、ＡＩ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はｌ
ＪＬｍであった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎｏ、１−１の場合には第２１図（Ｂ）
の様に表面層２１０５の表面と支持体２１０１の表面と
は非平行であった。この場合、ＡＩ支持体の中央と両端
部とでの平均層厚の層厚差は２ＩＬｍであった・表面層を第１表条件Ｎｏ、１０２〜１２２に示される様
に形成する以外は上記と同様の方法で光受容部材を作製
した。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０＃Ｌｍで第２６図
に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。第２１図（Ａ）に示す表面性の光受容部□
材では干渉縞模様が観察された。

一方、第２１図（Ｂ）に示す表面性を有する光受容部材
では干渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特
性を示すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第２表のよう
に加工した。これ等（シリンダＮｏ、１０１〜１０８）
の円筒状のＡｌ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、１−
１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部、材を作
製した（試料Ｎｏ、１１１〜１１８）、このときの電子
写真用光受容部材のＡＩ支持体の中央と両端部での平均
層厚の差は２．２１Ｌｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表の様な結果を得た。これらの光受容部材について実
施例１と同様に第２６図の装置で波長７８０　ｎｍの半
導体レーザーを使い。

スポット径８０ｐｍで画像露光を行ったところ、第３表
の結果を得た。

実施Ｎ３第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，５ｉＨｎ　、Ｂ２Ｈ＆　／
　Ｈ２の各ガスの流量を第２３図及び第３７図のように
なるように、マスフロコントローラー２００７．２００
８．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）によ
り制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例４第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，５ｉＨａ　、Ｂ２Ｈも／Ｈ
，の各ガスの流量を第２４図及び第３８図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御して形成した。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。　　　　　　　　　　　　Ｉ実
施例５第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ−１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４、Ｂ２Ｈｔ、　
／　Ｈ２の各ガスの流量を第２５図及び第３９図のよう
になるように、マスフロコントローラー２００７．２０
０８．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

実施例６第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧ　ｅ　Ｈ４、Ｓ　ｉ　Ｈ４、
Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４０図のようになる
ように、“マスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御して形成した。

実施例７第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨａ　、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ
　２　Ｈ６／　Ｈ７の各ガスの流量を第４１図のように
なるように、マスフロコントローラー２００７．２００
８．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）によ
り制御して形成した。

実施例８第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４，Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ＆／Ｈ２の各ガスの流量を第４２図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡＩ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡＩ支持体の表面を粗面化したＡＩ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と全く同様の方法でａ−３ｉ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
Ｉ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８１Ｌｍであることが
判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２６図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転
現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消すること
ができ、しかも機械的耐久性、特に耐庁耗性、及び光受
容特性に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明するための説明図である。第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第２１図は、実施例で作製した光受容部材の構造図であ
る。第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図までは
、実施例におけるガス流量の変化を示す説明図である。第２６図は、実施例で使用した画像露光装置である。゛第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）における物
質（Ｃ）の分布状態を説明するための説明図である。１０００・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・Ａｎ支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層１００３・・・・・・・・・第２の層１００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層２６０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６
０２・・・・・・・・・半導体レーザー２６０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ２６０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図２６０６・・・・・・・・・露光装置の側面図。〔〉≦二て二コ第　３　図ＩＫ　４　図箪　５　面第７図（Ａ）　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ）！ＲイエＬ　置第１０図ｔｉ　　ｔｔ　　図笛１２図笛　１３　　図 ’８５１４！！ＩＩＫ’／ダ　図し第７６図 ’ＩＮ　１７図Ｉ！ｌＳ　　図し第７２　図第２１図ＩＩ　２２図詩間（仝）ＩＩ　２３　図咋藺（金）ｗ４２４図第２５図Ｎ間（分）第２６刊ｌ！２７　　図第２８図第２９　　図！３０図１ｉ３１図第３２図一一−Ｃ第３３図第３４゛図１Ｎ　３５図一一一伽Ｃ第３６１７笥　３７図時間（５？）第３８図ｉｆ　３９　　図股間（ガ）第４０図第４１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より順に設
けられた多層構成の光受容層と；を有し、前記光受容層
がショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向において
各々なめらかに連結している光受容部材において、前記
第１の層中におけるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に不均一であり、且つ前記第１の層及び第２の層の
少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有され、該
物質が含有されている層領域において該物質の分布状態
が層厚方向に不均一であることを特徴とする、光受容部
材。
（２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
容部材。
（７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
光受容部材。
（９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
範囲第８項に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
容部材。
（１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
載の光受容部材。
（１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
の範囲第１２項に記載の光受容部材。
（１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
載の光受容部材。
（１５）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方に水素原子が含有されている、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（１６）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方にハロゲン原子が含有されている、特許請求の範囲第
１項又は第１５項に記載の光受容部材。
（１７）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。