JPS6129122A - ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents

ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

Info

Publication number
JPS6129122A
JPS6129122A JP59149868A JP14986884A JPS6129122A JP S6129122 A JPS6129122 A JP S6129122A JP 59149868 A JP59149868 A JP 59149868A JP 14986884 A JP14986884 A JP 14986884A JP S6129122 A JPS6129122 A JP S6129122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gaas
substrate
epitaxial growth
liquid phase
phase epitaxial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59149868A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Kuma
隈　彰二
Kazuhiro Kurata
倉田　一宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP59149868A priority Critical patent/JPS6129122A/ja
Publication of JPS6129122A publication Critical patent/JPS6129122A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
    • H10P14/2911—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
    • H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
    • H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3421—Arsenides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/16—Forging
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C61/00—Shaping by liberation of internal stresses; Making preforms having internal stresses; Apparatus therefor
    • B29C61/06—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory
    • B29C61/08—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory by stretching tubes

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ＧａＡＳ基板上へのＱａ　Ａｓ層の液相エピ
タキシャル成長法に関するものである。
［従来の技術］ ■−ｖ族化合物は、低融点の■族元素と蒸気圧の高いＶ
族元素の化合物であるため、Ｖ族元素が化合物表面から
抜けやすいものである。
従来、Ｇａ　ＡＳ基板上へのＧａ　Ａｓの液相エピタキ
シャル成長は、一般にＱａ　ＡＳを溶解したＧａ融液を
Ｑａ　Ａｓ基板に接触させてＧａ　ＡＳエピタキシャル
成長層を得ていた。
［発明が解決しようとする問題点］ □″上記した従来の方法では、Ｇａ融液を用いているた
め、どうしてもＧａリッチになり、点欠陥等の存在する
Ｑａ　ＡＳエピタキシャル成長層になる傾向があった。
［問題点を解決するための手段］ ゛本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑み、′Ｇａ
ＡＳ基板上にほぼ゛ストイキオメトリに合ったＧａ′Ａ
Ｓ層を成長させることができる液相エピタキシャル成長
法を提供することを目的とし、その目的を達成するため
に少なくともＧａＡｓまたはＧａの一方および少な（と
もＩｎＡＳまたはＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液をＧ
ａＡＳ基板に接触させてＧａＡ３層を成長させることを
特徴とするものである。
［作用］ 本発明による作用を以下に説明する。
Ｉｎ融液に少なくともＱａまたはＱａ　ＡＳの一方、お
よび少なくともＩｎＡｓまたはＡｓの一方を溶解させＱ
ａ　Ａｓ基板と接触させる。温度を少しずつ下げていく
と、ＩｎＡＳよりも高融点のＧａＡＳがＧａ　Ａｓ基板
上に成長し始める。
（３ａはＩｎに比較して化学的活性が強いため、１ｎＡ
ｓからＡｓを奪うことが可能である。
成長終了後、Ｉｎ融液を除去すればＧａ　ＡＳ　Ｍ板上
にはＧａリッチになることなくストイキオメトリにほぼ
合った（３ａＡｓ層が形成されることになる。
［実施例Ｊ 第１図に本発明の一実施例を示す。
Ｉｎ融液２にＧａ　Ａｓ　３の小片およびＡＳを補うた
めのＩｎＡＳ４の小片が溶解させられる。
そのＩｎ融液２を基板ホルダー５に保持させたＱａ　Ａ
ｓ基板１と接触させる。
その後温度を少しずつ下げていくとＧａ　Ａｓ層がＧａ
　Ａｓ基板１上に成長する。
設定時間後Ｉｎ融液２を除去するとＧａリッチによる欠
陥が生ずることなくしかも半絶縁性を有するきわめて良
好なＧａ　ＡＳエピタキシャル成長層を得ることができ
た。
また、Ｇａ　ＡＳ　３の代わりに（３ａを用いてもよく
、その場合［ｎ融液に加えるＩｎＡＳ４またはＡＳの量
を多くし、できるだけＡＳリッチになるようにする。
Ｕ発明の効果］ 以上に説明した通り、本発明によれば、少なくともＱａ
　ＡｓまたはＱａの一方および少なくともＩｎＡＳまた
はＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液をＧａ　Ａｓ基板に
接触させることにより、半絶縁性でＧａリッチによる欠
陥を生ずることなくほぼストイキオメトリに合ったＧａ
ＡＳエピタキシャル成長層を得ることができるという顕
著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す説明図である。。 ｔ：ＧａＡｓ基板、２：Ｉｎ融液、３　：　Ｇａ　ＡＳ
、４：ＩｎＡＳ、５；基板ホルダー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくともＧａＡｓまたはＧａの一方および少な
    くともＡｓまたはＩｎＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液
    をＧａＡｓ基板に接触させてＧａＡｓ層を成長させるこ
    とを特徴とするＧａＡｓ液相エピタキシャル成長法。
JP59149868A 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法 Pending JPS6129122A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59149868A JPS6129122A (ja) 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59149868A JPS6129122A (ja) 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6129122A true JPS6129122A (ja) 1986-02-10

Family

ID=15484406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59149868A Pending JPS6129122A (ja) 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6129122A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6129122A (ja) ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法
JPS6129121A (ja) ＧａＡｓ液相エピタシヤル成長法
JPH0247435B2 (ja) Gaasekisoepitakisharuseichoho
JPS5737827A (en) Manufacture of semiconductor device
SU639358A1 (ru) Способ получени р-п структур
JPS5724591A (en) Manufacture of semiconductor laser device
JPS61191016A (ja) 半導体基板の製造方法
JP2747823B2 (ja) ガリウムヒ素層の製造方法及びガリウムヒ素・アルミニウムガリウムヒ素積層体の製造方法
JPS5618000A (en) Vapor phase growing method for 3-5 group compound semiconductor
JPS6430210A (en) Method for growing iii-v compound semiconductor
JPH05102053A (ja) 化合物半導体ウエハ及びその製造方法
JPS5917241A (ja) 液相成長方法
JPS57106117A (en) Method for liquid phase epitaxial growth
JPS63248796A (ja) 分子線エピタキシヤル成長方法及び成長装置
JPS56114317A (en) Manufacture of semiconductor heterojunction photoelectric device
MORRISON Method for growing low defect, high purity crystalline layers utilizing lateral overgrowth of a patterned mask(Patent)
JPS5683933A (en) Liquid phase epitaxial growth
JPH0360173B2 (ja)
JPS52109866A (en) Liquid epitaxial growing method
JPS5920639B2 (ja) 液相エピタキシヤル成長方法
JPH0977586A (ja) 化合物半導体単結晶の種結晶及びこれを用いた化合物半導体単結晶の製造方法
JPS5520258A (en) Liquid phase epitaxial growing method and device
JPS6390120A (ja) エピタキシヤル結晶成長方法
JPS5737825A (en) Manufacture of compound semiconductor substrate
JPS57194519A (en) Method of crystal growth