JPS61294746A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents

走査型電子顕微鏡

Info

Publication number
JPS61294746A
JPS61294746A JP60136004A JP13600485A JPS61294746A JP S61294746 A JPS61294746 A JP S61294746A JP 60136004 A JP60136004 A JP 60136004A JP 13600485 A JP13600485 A JP 13600485A JP S61294746 A JPS61294746 A JP S61294746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
lens
electron
objective lens
electron gun
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60136004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2533478B2 (ja
Inventor
Katsuhiro Kuroda
勝広 黒田
Shigeyuki Hosoki
茂行 細木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15164937&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS61294746(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60136004A priority Critical patent/JP2533478B2/ja
Publication of JPS61294746A publication Critical patent/JPS61294746A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2533478B2 publication Critical patent/JP2533478B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、走査型電子顕微鏡(SEM)に係り、特に超
高分解能二次電子像w4察に好適な電子光学系に関する
〔発明の背景〕
従来の二次電子像分解能は20人が最高であり、その電
子光学系は文献(走査型電子顕微鏡の基礎と応用;共立
出版・、昭和58年12月、ページ14、図2.7 (
b))に記載のように、第1図た一次電子線8は加速レ
ンズ2.コンデンサレンズ3.対物レンズ4により約2
0人の電子線径に絞られて試料5に照射される。試料5
で励起された二次電子9は検出器6により検出される。
電子線8は偏向器7により試料9上を二次元的に走査 
   ”される。
一方近年、前記文献の2429図3,12のように試料
5を対物レンズ4の内部に挿入し、短焦点、低収差化を
はかり、電子線径を15人に絞つった。
第1図の場合は、対物レンズ4が長焦点なために収差が
大きく電子線8を細く絞れないという欠点があった。ま
た、第2図の場合は熱電子銃のために、電子線8のエネ
ルギーの広がりが大きく、色収差が大きくなってやはり
電子線8を細く絞れないという欠点があった。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は、電子線径を従来以上に細く絞り
、二次電子を高効率で検出できる電子光学系を備えた走
査型電子顕微鏡を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明においては、電子銃と
して電界放射型電子銃を用い、試料を対物レンズの内部
に配置し、二次電子検出器を対物レンズに接近して電子
銃側に配置して走査型電子顕微鏡を構成したことを特徴
としている。つまり、本発明は下記の考え方を基礎にし
てなされたものである。
すなわち、電子線を出来る限り細く絞るためには、エネ
ルギーの広がりが小さな電子銃と低収差なレンズ系を用
いればよい、また、二次電子の検出効率を上げるために
は、二次電子の通路に遮蔽物を配置しないような構成と
すればよい。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第3図により説明する。電子
銃1は電子線8のエネルギーの広がりの小さなFE電子
銃を用い、低収差化をはかるために試料5は対物レンズ
4の内部に配置されている。
また、二次電子9の高検出効率化をはかるために、検出
器6は対物レンズ4に接近して配置する。そのために対
物レンズ4のレンズコイル41は、試料5に対して検出
器6と反対側に配置している。
以上の構成以外は従来と同一であり、動作原理も従来と
同一である。
次に、上記対物レンズ4の磁極形状について、収差と二
次電子9の高検出効率化との観点より、その実用的な形
状について述べる。そのために。
対物レンズ4の磁極部分を拡大した一例を第4図に、そ
してそのレンズ磁場と2次電子の回転半径の一例を第5
図に示す、また、磁極形状によるレンズ特性を第6〜8
図に示す。
一般に、試料51を保持する試料台52は幅51以上を
要す、二次電子像のamでは少なくとも30°以上の傾
斜角を可能にしたいので、磁極42.43のギャップS
は3m以上は必要となる。
一方、試料51で励起された二次電子が磁極42゜43
に衝突されにくくするためには、第1磁極42の穴径b
1と第2磁極43の穴径b2にはbt>btの方がよい
、このような条件のもとに計算機シミュレーションで球
面収差係数Ca9色収色収差係数C用使用励磁/〜r−
等をもとめ第6〜8図に示した。ここで、工はレンズコ
イル電流。
Nはレンズコイルの巻き数、Eは加速電圧である。
第6〜8図は、試料51をレンズ中心に配設し、b、と
b2をbx>bzの条件のもとに変化させて。
(b1+b、)/2で規格化したときの平均値で糸しで
ある。これらの特性図より、実用性も考慮し用いれば、
C’<3園、C’<3mmとなるような対物レンズ4を
作ることが可能となる。このようなと 対物レンズ4を用いれば、加速電圧Effi20KVで
電子線8を数Å以下に絞ることができ、極めて高い分解
能を有す、る2次電子像が得られる。
ここで、代表的な対物レンズ(S==8国、b1==8
mm、 b2=2no)、加速電圧20Kvに対する軸
上磁場分布12とr=□(ここでrは二次電子の回転半
径9mは電子の質量、eは電子の電荷、■は2次電子エ
ネルギー、Bはレンズ磁場を示す)式による二次電子9
の回転半径(r)13を第第5図に示す。磁極42がこ
の回転半径13より軸外にあれば二次電子9は磁極42
に衝突す二次電子9は広がっておらず、検出器6の方に
引き寄せられる。従って実用的には、磁極42の開き角
θは30″以上あれば特に問題はない、このような磁極
42では高効率な二次電子検出が可能となる。
第5〜8図は、試料51を対物レンズ4中心に配置した
ものに対して示したが、対物レンズ4中にあれば上記し
た条件で低収差、高検出効率なレンズであることが計算
機シミュレーションで分かつている。従って、試料5は
対物レンズ4中にあればよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、電子線エネルギーの広がりが小さく、
かつ低収差なレンズが実現できるので。
極めて細く電子線を絞ることができ1.走査型電子顕微
鏡の分解能を向上できる効果がある。
また、二次電子の検出効率を高めることができるので、
S/N改善2画質向上の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1,2図は、従来のSEMの電子光学系の基本構成を
示した図、第3図は1本発明のSEMの電子光学系の基
本構成を示した図、第4図は、本発明の対物レンズ磁極
形状を示す図、第5図はレンズ磁極に対するレンズ磁場
と二次電子の回転半径を示す図、第6〜8図は、本発明
のレンズ特性を示すもので、それぞれ球面2色収差係数
、レンズ励磁の特性を示す図である。 1・・・電界放射型電子銃、2・・・加速レンズ、3・
・・コンデンサレンズ、4・・・対物レンズ、5・・・
試料、6・・・検出器、7・・・偏向器、8・・・−吹
型子線、9・・・二次電子、11・・・熱電子銃、12
・・・レンズ磁場、13・・・二次電子の回転半径、4
1・・・レンズコイル、42・・・第一磁極、43・・
・第二磁極、51・・・試料、菖 1 図      
 石2 図 夏 3 図 遁 4 図 fJ 7 図 2    と塾飢ノ 百 3 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子銃から取り出して細く絞つた電子線を試料上で
    二次元的に走査し、上記試料内で励起された二次電子を
    検出してブラウン管上に表示する走査型電子顕微鏡にお
    いて、上記電子銃として電界放射型電子銃を用い、上記
    試料は対物レンズの内部に配置し、上記試料から出てく
    る二次電子を検出する検出器は上記対物レンズに接近し
    て上記電子銃側に配置してなることを特徴とする走査型
    電子顕微鏡。 2、上記対物レンズは、そのレンズコイルが上記試料に
    対して上記検出器とは逆側になるように配置され、レン
    ズ磁路の磁極形状がギャップSを3mm≦S≦12mm
    、上記電子銃側の第1磁極径b_1と上記レンズコイル
    側の磁極径b_2に対してb_1>b_2、2mm≦(
    b_1+b_2)/2≦16mm、上記第1磁極の半開
    口角θ_1をθ_1≧30°とされてなることを特徴と
    する第1項記載の走査型電子顕微鏡。
JP60136004A 1985-06-24 1985-06-24 走査型電子顕微鏡 Expired - Lifetime JP2533478B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60136004A JP2533478B2 (ja) 1985-06-24 1985-06-24 走査型電子顕微鏡

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60136004A JP2533478B2 (ja) 1985-06-24 1985-06-24 走査型電子顕微鏡

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61294746A true JPS61294746A (ja) 1986-12-25
JP2533478B2 JP2533478B2 (ja) 1996-09-11

Family

ID=15164937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60136004A Expired - Lifetime JP2533478B2 (ja) 1985-06-24 1985-06-24 走査型電子顕微鏡

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2533478B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585245A (zh) * 2015-01-30 2019-04-05 松定精度株式会社 荷电粒子线装置及扫描电子显微镜

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51136278A (en) * 1975-05-21 1976-11-25 Hitachi Ltd Non-spot aberration compensator for electron microscope having electri c field radiation gun
JPS5423465A (en) * 1977-07-25 1979-02-22 Jeol Ltd Electronic microscope
JPS5670965U (ja) * 1980-11-06 1981-06-11
JPS5780645A (en) * 1980-11-06 1982-05-20 Jeol Ltd Magnetic field type objective lens

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51136278A (en) * 1975-05-21 1976-11-25 Hitachi Ltd Non-spot aberration compensator for electron microscope having electri c field radiation gun
JPS5423465A (en) * 1977-07-25 1979-02-22 Jeol Ltd Electronic microscope
JPS5670965U (ja) * 1980-11-06 1981-06-11
JPS5780645A (en) * 1980-11-06 1982-05-20 Jeol Ltd Magnetic field type objective lens

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585245A (zh) * 2015-01-30 2019-04-05 松定精度株式会社 荷电粒子线装置及扫描电子显微镜
CN109585245B (zh) * 2015-01-30 2021-03-23 松定精度株式会社 荷电粒子线装置及扫描电子显微镜

Also Published As

Publication number Publication date
JP2533478B2 (ja) 1996-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109300759B (zh) 低能扫描电子显微镜系统、扫描电子显微镜系统及样品探测方法
US6329659B1 (en) Correction device for correcting the lens defects in particle-optical apparatus
US4758723A (en) Electron spectrometer
CN207425790U (zh) 一种低能扫描电子显微镜系统
US4728790A (en) Low-abberation spectrometer objective with high secondary electron acceptance
US6667478B2 (en) Particle beam apparatus
JPH11148905A (ja) 電子ビーム検査方法及びその装置
US6960763B2 (en) Energy filter and electron microscope
US5563415A (en) Magnetic lens apparatus for a low-voltage high-resolution electron microscope
US5780859A (en) Electrostatic-magnetic lens arrangement
JP2632808B2 (ja) 定量的電位測定用スペクトロメーター対物レンズ装置
US6232601B1 (en) Dynamically compensated objective lens-detection device and method
US6653632B2 (en) Scanning-type instrument utilizing charged-particle beam and method of controlling same
JP2796305B2 (ja) 電界放射電子銃
US6710340B2 (en) Scanning electron microscope and method of detecting electrons therein
JP2000228162A (ja) 電子ビーム装置
Liebl et al. Low-energy electron microscope of novel design
JPS61294746A (ja) 走査型電子顕微鏡
JP2000149850A (ja) 荷電粒子線装置
US6407388B1 (en) Corpuscular beam device
JP3517596B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPH0864163A (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP3280187B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPS5978434A (ja) 電磁式対物レンズ
JPH06139983A (ja) 荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term