JPS61294878A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61294878A JPS61294878A JP60135574A JP13557485A JPS61294878A JP S61294878 A JPS61294878 A JP S61294878A JP 60135574 A JP60135574 A JP 60135574A JP 13557485 A JP13557485 A JP 13557485A JP S61294878 A JPS61294878 A JP S61294878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- level
- light
- detecting circuit
- dark current
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に光通信用の半導体装置
に関する。
に関する。
従来、この池の半導体装＆線、第２図に従来の一例のフ
ロック図を示すように、ＰＩＮホトダイオードなどの受
光素子１０で受信光ｆｔ党％を変換した出力信号を、イ
ンピーダンス変換器２０で低インピーダンスに変換し、
レベル増幅器３０で増幅して受信信号を得ている。
ロック図を示すように、ＰＩＮホトダイオードなどの受
光素子１０で受信光ｆｔ党％を変換した出力信号を、イ
ンピーダンス変換器２０で低インピーダンスに変換し、
レベル増幅器３０で増幅して受信信号を得ている。
光通信に１．アナログ信号を直接光の強弱に変換して伝
送する直接アナログ伝送方式かあシ１１画像通信に広く
用いられ１いる。直接アナログ伝送方式で拡、信号ｉ忙
直流成分を含んでいるため、９２図に示す従来の半導体
装置で受信した場合、周囲温度の変化に起因する暗電流
の変化などドリフ）レベルの影ＶＫよって、受信信号の
信号対雑音比か悪く々る。
送する直接アナログ伝送方式かあシ１１画像通信に広く
用いられ１いる。直接アナログ伝送方式で拡、信号ｉ忙
直流成分を含んでいるため、９２図に示す従来の半導体
装置で受信した場合、周囲温度の変化に起因する暗電流
の変化などドリフ）レベルの影ＶＫよって、受信信号の
信号対雑音比か悪く々る。
上述した従来の半導体装ｆＩ！Ｌは、ドリフトレベルの
影Ｉ＃を直接受りるようになっているので、所璧の信号
対雑音比を得るには、受信光の光量を増大する必懺かあ
シ、通信可能距離が短縮される。従って、中間中継器の
数を増加しな・ければならないという欠点がある。
影Ｉ＃を直接受りるようになっているので、所璧の信号
対雑音比を得るには、受信光の光量を増大する必懺かあ
シ、通信可能距離が短縮される。従って、中間中継器の
数を増加しな・ければならないという欠点がある。
本発明の目的ｈ％通通信能能距離長くなシ、中間中継器
の数を減少できる半導体装置を提供することにある。
の数を減少できる半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、受光素子、インピーダンス変換
器およびレベル増幅器を備え受信光を光電変換する光検
出回路と、該光検出回路と同一の構成を肩し外光から遮
光され暗電流を検出する暗−流検出回路と、前記光検出
回路および前記暗電流検出回路からの出力信号の差分を
増幅する差動増幅器とを含み、それらを同一チップ上に
集積するように構成される。
器およびレベル増幅器を備え受信光を光電変換する光検
出回路と、該光検出回路と同一の構成を肩し外光から遮
光され暗電流を検出する暗−流検出回路と、前記光検出
回路および前記暗電流検出回路からの出力信号の差分を
増幅する差動増幅器とを含み、それらを同一チップ上に
集積するように構成される。
次に１本発明１ついて図面を参照して説明する〇第１図
り本発明の一実施例のブロック図である。
り本発明の一実施例のブロック図である。
第１図に示すように、光検出回路１と暗電流検出回路２
と祉同−樽成になっている。
と祉同−樽成になっている。
受光素子１１および１１′はツイン形のＰＩＮホトダイ
オードで、受光素子１１にそのチップ角に内接するサイ
ズ以下の直径を持つ光ファイバーを着接して結合するか
、レンズの役割をする媒体を通して結合するととＫより
受信光を導入し、受光素子１１’は光か入らないように
パッケージ構造を選ぷ。
オードで、受光素子１１にそのチップ角に内接するサイ
ズ以下の直径を持つ光ファイバーを着接して結合するか
、レンズの役割をする媒体を通して結合するととＫより
受信光を導入し、受光素子１１’は光か入らないように
パッケージ構造を選ぷ。
光電流を検出する電圧変換抵抗は、極力精度の高いもの
を使うか、チップ内に作シつけて両者の差を極力低下さ
せる。
を使うか、チップ内に作シつけて両者の差を極力低下さ
せる。
ＰＩＮホトタ′イオードのＦ１暗電流は温度特性がある
ので、受信光の光量か少なく暗電流か無視出来ない揚台
、受光素子１１′力・らの出力レベルを基準ｒ（するこ
とで、暗電流の影響を相殺できる。
ので、受信光の光量か少なく暗電流か無視出来ない揚台
、受光素子１１′力・らの出力レベルを基準ｒ（するこ
とで、暗電流の影響を相殺できる。
インピーダンス変換器２１および２１′と、レベル増幅
器３１および３１′とはそれぞれオペアンプと同じ構成
で良いか、チップ上の配置は温度差を生じガいよう考慮
し、マスク精度全土けてそれぞれの素子間の特性差を減
少したものとする。
器３１および３１′とはそれぞれオペアンプと同じ構成
で良いか、チップ上の配置は温度差を生じガいよう考慮
し、マスク精度全土けてそれぞれの素子間の特性差を減
少したものとする。
差動増幅器３はレベル増幅器３１からの出力信号レベル
とレベル増幅器３１′からの出力のトリアドレベルとの
差分を増幅し、光検出回路１と暗電流検出回路２とのド
リフトによるレベル移動を相殺する。遅動増幅器３の利
得顛、前段のレベル増幅器３１および３１′か高利得な
ので低く設定してよく、ドリフトの影４１は無視できる
。
とレベル増幅器３１′からの出力のトリアドレベルとの
差分を増幅し、光検出回路１と暗電流検出回路２とのド
リフトによるレベル移動を相殺する。遅動増幅器３の利
得顛、前段のレベル増幅器３１および３１′か高利得な
ので低く設定してよく、ドリフトの影４１は無視できる
。
以上説明したように本発明は、光検出回路と同一構成の
１Ｉｉｔ′！ＩＥ流検出回路を設け、両回路からの出力
信号の差分をｔｗ幅することによシ、ドリフトレベルの
影響を相殺し、″ｔ１受信光の光量が小さくても信号対
雑音比を高くできるので、過信可能距離が長くなシ、中
間中継器の数を減少して直接アナログ伝送を経済的に実
現できるという効果かある。
１Ｉｉｔ′！ＩＥ流検出回路を設け、両回路からの出力
信号の差分をｔｗ幅することによシ、ドリフトレベルの
影響を相殺し、″ｔ１受信光の光量が小さくても信号対
雑音比を高くできるので、過信可能距離が長くなシ、中
間中継器の数を減少して直接アナログ伝送を経済的に実
現できるという効果かある。
第１１社本発明の一実施例のブロック図、第２回灯従来
の半導体装置の一例の１０ツク図である。 １・・・・・・光検出回路、２・・・・・・暗電流検出
回路、３・・・・・・差動増幅器、１０ 、１１ 、１
１ ’ 四−・受光素子、２０．２１．２１’・・・−
・・インピーダンス変換器、３０３１．３１’・・・・
・・レベル増幅器。
の半導体装置の一例の１０ツク図である。 １・・・・・・光検出回路、２・・・・・・暗電流検出
回路、３・・・・・・差動増幅器、１０ 、１１ 、１
１ ’ 四−・受光素子、２０．２１．２１’・・・−
・・インピーダンス変換器、３０３１．３１’・・・・
・・レベル増幅器。
Claims (1)
- 受光素子、インピーダンス変換器およびレベル増幅器を
備え受信光を光電変換する光検出回路と、該光検出回路
と同一の構成を有し外光から遮光され暗電流を検出する
暗電流検出回路と、前記光検出回路および前記暗電流検
出回路からの出力信号の差分を増幅する差動増幅器とを
含み、それらを同一チップ上に集積したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135574A JPS61294878A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135574A JPS61294878A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294878A true JPS61294878A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15154998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60135574A Pending JPS61294878A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61294878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0343673A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 配電器内蔵クランク角センサ |
| JP2011023753A (ja) * | 2003-09-19 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光センサー装置 |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60135574A patent/JPS61294878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0343673A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 配電器内蔵クランク角センサ |
| JP2011023753A (ja) * | 2003-09-19 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光センサー装置 |
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