JPS61296521A - マルチトラツク磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents

マルチトラツク磁気ヘツド及びその製造方法

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JPS61296521A
JPS61296521A JP13813685A JP13813685A JPS61296521A JP S61296521 A JPS61296521 A JP S61296521A JP 13813685 A JP13813685 A JP 13813685A JP 13813685 A JP13813685 A JP 13813685A JP S61296521 A JPS61296521 A JP S61296521A
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JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic
lower magnetic
magnetic film
resist
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Application number
JP13813685A
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English (en)
Inventor
Toru Inage
稲毛 透
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Toshiba Tec Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61296521A publication Critical patent/JPS61296521A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、マルチトラック磁気ヘッド及びその製造方
法に関する。
従来の技術 第5図、第6図に示すように、非磁性基板5゜の表面に
複数本の下層磁性膜51を形成し、これらの下層磁性膜
51にギャップを空けて対向する渦巻状の巻線膜52を
非磁性基板5o上に形成し、その上に一部が下層磁性膜
51に磁気結合された上層磁性H(図示せず)を形成し
たマルチトラック磁気ヘッドが存する。
つぎに、非磁性基板5oに下層磁性膜51を形成する手
段を第8図に工程順に示す、(a)はスパッタリング法
、蒸着法等の手段により非磁性基板5oに電極53を形
成する工程、(b)は形成したい下層磁性膜51の両側
に位置させてレジストによりパターンフレーム54を形
成する工程、(C)は電極53上に磁性膜55を鍍金す
る工程、(d)は残すべき磁性膜55上をレジスト56
により覆う工程、(e)はケミカルエツチングにより磁
性膜55を除去する工程、(f)はレジスト56を除去
する工程、(g)ははみ出す電極53を除去する工程、
この残した磁性膜55が下層磁性膜51である。
発明が解決しようとする問題点 しかし、下層磁性膜51間のクロストークが問題になり
、正確な記録、再生が行い難い。下層磁性膜51の間隔
を広げれば装置が大型化する。第7図に示すように、下
層磁性膜51を互いに内側に傾けたものがあるが、これ
はクロストークの問題が極めて大きい。また、非磁性基
板50から下層磁性膜51のみが突出するため段差が生
じ、巻線膜52の段差部に断線が発生し、製造工程の歩
留が悪い。段差部では巻線膜52の膜厚が薄くなるため
、同一平面上で形成された巻線膜に比較すると記録電流
を小さくしなければならない。これにともない、再生出
力が小さくなる。
さらに、非磁性基板5oに下層磁性膜51を形成するま
での過程を見ても工程が複雑で製造工数が増加する。
この発明はこのような点に鑑みなされたもので、クロス
トークの問題を解消し、しかも製造工程を短縮しうるマ
ルチトラック磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段 第一の発明は、第1図に示すように、非磁性基板1に複
数本の下層磁性膜2とこれらの下層磁性膜2の周囲を埋
める非磁性金属膜3とを表面を一致させて形成する。そ
の上に非磁性絶縁層4と巻線膜5と上層磁性膜7とを順
次形成する。
第二の発明は製造方法の発明で、第4図(a)なしい(
h)に示す。
(a)は非磁性基板1に非磁性金属膜3を形成する非磁
性金属膜形成工程。
(b)は非磁性金属膜3の一部8を残してレジスト9で
覆うレジスト処理工程。
(c)は非磁性金属膜3の一部8をエツチングして溝1
0を形成するエツチング工程。
(d)は溝10に下層磁性膜2を鍍金する下層磁性膜形
成工程。
(e)はレジスト9を除去するレジスト除去工程。
(f)は非磁性金属膜3と下層磁性膜2との同一平面上
に非磁性絶縁層4を形成する非磁性絶縁層形成工程。
(g)は非磁性絶縁層4上に巻線膜5を形成する巻線膜
形成工程。
(h)は一部を下層磁性膜2に磁気結合させて上層磁性
膜7を形成する上層磁性膜形成工程。
作用 第一の発明は、隣接する下層磁性膜2間の磁束の漏れを
非磁性金属膜3により防止する。巻線膜5は同一平面上
に形成することが可能となり、通電効率が向上するとと
もに断線の発生を防止することが可能となる。
第二の発明は、第4図(a)ないしくe)に示すように
、下層磁性膜2を形成する工程数を第8図に示す従来技
術に比して少なくすることになる。
実施例 この発明の一実施例を第1図ないし第4図に基づいて説
明する。第4図に示す製造工程順に説明すると、 まず、第4図(a)に示すように、非磁性基板1の表面
に下層磁性膜3をスパッタリング法等の薄膜技術により
形成する。
つぎに、第4図(b)に示すように、非磁性金属膜3上
にレジスト9の膜を形成しフォトエツチングによりレジ
スト9の一部を除去し、非磁性金属膜3の一部8を複数
箇所にわたり露出する。
つぎに、第4図(c)に示すように、レジスト9が存在
しない部分において、非磁性金属膜3に複数の溝1oを
化学エツチングにより形成する。
つぎに、第4図(d)に示すように、これらの溝10に
下層磁性膜2を鍍金する。このとき、非磁性金属膜3と
下層磁性膜3との表面を一致させる。
つぎに、第4図(e)に示すように、レジスト9を除去
する。
つぎに、第4図(f)に示すように、下層磁性膜2と磁
性金属膜3との表面に非磁性絶縁層4を形成する。
つぎに、第4図(g)に示すように、同一平面上で渦を
まく導電性の複数の巻線膜5を薄膜技術等により形成す
る。この状態は第2図に示す通りである。下層磁性膜2
と非磁性金属膜3との膜厚は等しいが、第3図に示すよ
うに、非磁性金属膜3の膜厚は表面さえ下層磁性膜2と
一致させれば下層磁性膜2より厚くてもよい。
つぎに、第4図(h)に示すように1巻線膜5の周囲の
空間を絶縁材6で覆いその上に上層磁性膜7をその一部
を下層磁性膜2に磁気結合(接合)させて形成する。下
層磁性膜2の端面には記録媒体に接触する媒体対接面2
aが形成され、非磁性基板1、非磁性金属膜3、非磁性
絶縁層4.上層磁性膜7の端面も媒体対接面2aに一致
するように仕上られている。
このような構成において、媒体対接面2aを接触させ、
巻線膜5に記録信号に基づく電流を流して走行する記録
媒体に記録し、或いは記録媒体の情報に基づき変化する
巻線膜5の電流を取り出して再生が行われる。各下層磁
性膜2は周囲が非磁性金属膜3に囲まれているため、隣
接する下層磁性膜2間の磁束漏れがなく、正確な記録又
は再生が行われる。また、下層磁性膜2と非磁性金属膜
3との表面が同一のため、巻線膜5を同一平面上1こ均
一な膜厚で形成することができ、したがって、巻線膜5
の断線を防止することができ、通電効率も向上する。こ
れにともない、再生電圧、再生出力を高めることができ
、同一の再生出力を得るには電流を小さくすることがで
きる。
また、第8図(a)ないしくg)と第4図(a)ないし
くe)を比較すれば分かるように、非磁性基板1上に下
層磁性膜2を形成する工程数を短縮することができる。
しかも、この過程で下層磁性膜2の周囲を非磁性金属膜
3により覆うこともできる。
発明の効果 この発明は上述のように構成したので、隣接する下層磁
性膜間の磁束の漏れを非磁性金属膜により防止すること
ができ、巻線膜は同一平面上に形成することが可能とな
り、これにより通電効率を向上させるとともに断線の発
生を防止することができ、さらに、非磁性基板に下層磁
性膜を形成するまでの工程数を短縮することができる等
の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図はこの発明の一実施例を示すもので
、第1図は縦断側面図、第2図は非磁性基板に非磁性金
属膜と下層磁性膜と非磁性絶縁層と巻線膜とを形成した
半製品を示す一部切欠の斜視図、第3図はその半製品の
変形例を示す一部切欠の斜視図、第4図(a)〜(h)
は製造工程を順に示す縦断正面図、第5図ないし第8図
は従来例を示すもので、第5図は非磁性基板に下層磁性
膜と巻線膜とを形成した半製品の状態を示す一部切欠の
斜視図、第6図及び第7図はその平面図、第8図(a)
〜(g)は非磁性基板に下層磁性膜を形成するまでの過
程を示す縦断正面図である。 1・・・非磁性基板、2・・・下層磁性膜、2a・・・
媒体対接面、3・・・非磁性金属膜、4・・・非磁性絶
縁層、5・・・巻線膜、7・・・上層磁性膜、9・・・
レジスト、10・・・溝

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、非磁性基板の表面に一端が媒体対接面となる複数本
    の下層磁性膜を記録媒体のトラックに対応させて形成す
    るとともにこれらの下層磁性膜の周囲を埋める非磁性金
    属膜をその表面を前記下層磁性膜の表面と同一面上に定
    めて形成し、前記下層磁性膜及び前記非磁性金属膜の表
    面に、非磁性絶縁層と、前記下層磁性膜と対向する平面
    上で渦をまく導電性の巻線膜と、一部が前記下層磁性膜
    に磁気結合された上層磁性膜とを順次積層して形成した
    ことを特徴とするマルチトラック磁気ヘッド。 2、非磁性基板の表面に非磁性金属膜を形成する非磁性
    金属膜形成工程と、前記非磁性金属膜の表面の一部を残
    してレジストにより覆うレジスト処理工程と、前記レジ
    ストが存在しない部分において前記非磁性金属膜の表面
    に溝を形成するエッチング工程と、前記溝に下層磁性膜
    を鍍金する下層磁性膜形成工程と、前記レジストを除去
    するレジスト除去工程と、前記非磁性金属膜及び前記下
    層磁性膜の表面に非磁性絶縁層を積層する非磁性絶縁層
    形成工程と、前記下層磁性膜と対向する平面上で渦をま
    く導電性の巻線膜を前記非磁性絶縁層の表面に積層する
    巻線膜形成工程と、前記巻線膜を覆う上層磁性膜をその
    一部を前記下層磁性膜に磁気結合させて形成する上層磁
    性膜形成工程とよりなることを特徴とするマルチトラッ
    ク磁気ヘッドの製造方法。
JP13813685A 1985-06-25 1985-06-25 マルチトラツク磁気ヘツド及びその製造方法 Pending JPS61296521A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62173611A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Sony Corp 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62173611A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Sony Corp 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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