JPS6129847A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6129847A JPS6129847A JP15176884A JP15176884A JPS6129847A JP S6129847 A JPS6129847 A JP S6129847A JP 15176884 A JP15176884 A JP 15176884A JP 15176884 A JP15176884 A JP 15176884A JP S6129847 A JPS6129847 A JP S6129847A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoreceptor
- conductive substrate
- intermediate layer
- charge
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はグロー放電分解法により生成されるａ−８ｉ光
導電層を有する電子写真感光体に関するものである。
導電層を有する電子写真感光体に関するものである。
従来技術
ａ Ｓｉ及び／又はａＳｉ：Ｇｅは、従来の感光体に
比べ環境汚染性、耐熱性、表面硬度、摩耗性、光感度特
性に優れている。特に、 ａ Ｓｉ／ａ−８ｉ：Ｇｅ
積層型の場合、ａ−Ｓｉ１：Ｃｉｅ層のエネルギーギャ
ンプがａ Ｓｉに比べ小さいため、長波長光に対する
吸収係数が増大し、その結果、光導電特性を長波長側に
延ばすとい）効果が期待できる。
比べ環境汚染性、耐熱性、表面硬度、摩耗性、光感度特
性に優れている。特に、 ａ Ｓｉ／ａ−８ｉ：Ｇｅ
積層型の場合、ａ−Ｓｉ１：Ｃｉｅ層のエネルギーギャ
ンプがａ Ｓｉに比べ小さいため、長波長光に対する
吸収係数が増大し、その結果、光導電特性を長波長側に
延ばすとい）効果が期待できる。
しかしながら、逆にエネルギーギャンプが小さいだけに
ａＳｉ：Ｇｅの暗抵抗率もａ Ｓｉに比べると低く、
従って、ａ−８ｉにａ−Ｓｉ１：Ｇｅを積層した場合、
感光体としての電荷保持力が低下するという問題が生じ
る。また一方、長波長増感を目的とし、ａ−Ｓｉ１にＧ
ｅを混入するに当り、まず、ａｓｉ：Ｇｅ層厚一定の場
合、Ｇｅ低濃度では長波長光の吸収が不充分であるため
、あまり増感が期待できず、またＧｅ高濃度では吸収が
充分ではあるものの、発生したキャリアのμτ積が減少
し、その結果、走行性の劣化を招く。逆に、Ｇｅ濃度一
定の場合も同様に、ａ−８ｉ：Ｇｅ層厚が薄いと長波長
光の吸収が不充分であるため、あまり増感が期待できな
い。また、厚すぎると、吸収が充分ではあるものの、キ
ャリアのμτＦがａ−Ｓｉ１：Ｃ：ｅ層厚よりも小さく
なり、その結果、残留電位が上昇する。従って、最も有
効に長波長増感を図るため、Ｇｅ濃度とａ−Ｓｉ１：Ｇ
ｅ層厚との間で最適設計を図る必要かある。
ａＳｉ：Ｇｅの暗抵抗率もａ Ｓｉに比べると低く、
従って、ａ−８ｉにａ−Ｓｉ１：Ｇｅを積層した場合、
感光体としての電荷保持力が低下するという問題が生じ
る。また一方、長波長増感を目的とし、ａ−Ｓｉ１にＧ
ｅを混入するに当り、まず、ａｓｉ：Ｇｅ層厚一定の場
合、Ｇｅ低濃度では長波長光の吸収が不充分であるため
、あまり増感が期待できず、またＧｅ高濃度では吸収が
充分ではあるものの、発生したキャリアのμτ積が減少
し、その結果、走行性の劣化を招く。逆に、Ｇｅ濃度一
定の場合も同様に、ａ−８ｉ：Ｇｅ層厚が薄いと長波長
光の吸収が不充分であるため、あまり増感が期待できな
い。また、厚すぎると、吸収が充分ではあるものの、キ
ャリアのμτＦがａ−Ｓｉ１：Ｃ：ｅ層厚よりも小さく
なり、その結果、残留電位が上昇する。従って、最も有
効に長波長増感を図るため、Ｇｅ濃度とａ−Ｓｉ１：Ｇ
ｅ層厚との間で最適設計を図る必要かある。
また、一方、 ａ−Ｓｉ１、 ａ−Ｓｉ１ ： Ｇｅ
は暗抵抗率が低く、そのままでは電荷保持層を兼ねた光
導電層としては使用できないという欠点があるため、酸
素や炭素、窒素を含有させ、その暗抵抗率を向」−させ
ることが提案されているが（特開昭５４、−１４．５５
３９号公報、特開昭５４．−１４５５４０号公報）、逆
に含有量の増加と共に光感度特性が劣化するという欠点
が生じ、その含有量にもかなりの制限を要する。このこ
とから、導電性基板」二に多量の酸素や窒素、炭素を含
む高抵抗のａ−Ｓｉ１層を形成し、導電性基板からの電
荷注入を阻止することにより、電荷保持力の向」二を図
る方法が提案されている（特開昭５７−５２１８（１号
公報、特開昭５７−５８１６０号公報、特開昭５７−６
３５４６号公報）。しかし、このような感光体の場合、
電荷保持力は向上するものの、導電性基板にに酸素や窒
素、炭素含有惜の多いａ −Ｓｉ１層が設けであるため
、光導電層において発生したキャリアか導電性基板側へ
抜は外れず、その結果、残留電位が」二昇し、画像上、
所謂′°カブリ゛が発生する。
は暗抵抗率が低く、そのままでは電荷保持層を兼ねた光
導電層としては使用できないという欠点があるため、酸
素や炭素、窒素を含有させ、その暗抵抗率を向」−させ
ることが提案されているが（特開昭５４、−１４．５５
３９号公報、特開昭５４．−１４５５４０号公報）、逆
に含有量の増加と共に光感度特性が劣化するという欠点
が生じ、その含有量にもかなりの制限を要する。このこ
とから、導電性基板」二に多量の酸素や窒素、炭素を含
む高抵抗のａ−Ｓｉ１層を形成し、導電性基板からの電
荷注入を阻止することにより、電荷保持力の向」二を図
る方法が提案されている（特開昭５７−５２１８（１号
公報、特開昭５７−５８１６０号公報、特開昭５７−６
３５４６号公報）。しかし、このような感光体の場合、
電荷保持力は向上するものの、導電性基板にに酸素や窒
素、炭素含有惜の多いａ −Ｓｉ１層が設けであるため
、光導電層において発生したキャリアか導電性基板側へ
抜は外れず、その結果、残留電位が」二昇し、画像上、
所謂′°カブリ゛が発生する。
発−明−の」げ剣
本発明は以」二の事実に鑑みて成されたもので、その目
的とするところは、光導電性、電荷保持性、表面硬度を
含む電子写真特性全般に優れ、特に光導電特性において
は、可視光領域はもとより、近赤外領域でも高感度の電
子写真感光体を提供することにある。
的とするところは、光導電性、電荷保持性、表面硬度を
含む電子写真特性全般に優れ、特に光導電特性において
は、可視光領域はもとより、近赤外領域でも高感度の電
子写真感光体を提供することにある。
４町徊皓
本発明は、光導電層中に少なくともａ−８ｉ−：Ｇｅ
（０，０７≦ｄｘ２≦０．９０、ｄはａ−８ｉ：Ｇｅ層
厚を示す）を含むａ−Ｓｉ１感光体において、該光導電
層と導電性基板との間に少なくとも酸素又は酸素と炭素
を含有し、更に帯電により導電性基板側に誘導される電
荷とは、逆極性の電荷が多数キャリアとなるよう極性調
整したａ−８ｉ中間層を設けたことを特徴とする感光体
である。
（０，０７≦ｄｘ２≦０．９０、ｄはａ−８ｉ：Ｇｅ層
厚を示す）を含むａ−Ｓｉ１感光体において、該光導電
層と導電性基板との間に少なくとも酸素又は酸素と炭素
を含有し、更に帯電により導電性基板側に誘導される電
荷とは、逆極性の電荷が多数キャリアとなるよう極性調
整したａ−８ｉ中間層を設けたことを特徴とする感光体
である。
本発明を第１図にもとづき詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る感光体の構成を示し、少なくと
もａ−８ｉ を含む光導電層（４）中に、少なくともａ
−Ｓｉ１−：Ｇｅ 層（５）を含み、導電性基板（１
）との間に、少なくとも酸素を含有してなるａ−８ｉ
中間層（２）、または少なくとも酸素と炭素を含有して
なるａ−８ｉ中間層（２）から成るものである。ａ−Ｓ
ｉ１層中のａ−８ｉ：Ｃｒｅ層（５）の位置は任意であ
り、その両側または片側にａ−８ｉ層（３）および／ま
たは（６）を有していてもよい。
もａ−８ｉ を含む光導電層（４）中に、少なくともａ
−Ｓｉ１−：Ｇｅ 層（５）を含み、導電性基板（１
）との間に、少なくとも酸素を含有してなるａ−８ｉ
中間層（２）、または少なくとも酸素と炭素を含有して
なるａ−８ｉ中間層（２）から成るものである。ａ−Ｓ
ｉ１層中のａ−８ｉ：Ｃｒｅ層（５）の位置は任意であ
り、その両側または片側にａ−８ｉ層（３）および／ま
たは（６）を有していてもよい。
該中間層（２）は、例えばグロー放電分解法により、約
３０人〜２μｍ、好適には５ （ｌ −５ｒｌ ００人
、最適には１００〜２ ＋１００人の厚さに生成される
。中間層（２）は少なくとも酸素を含有し、更に帯電に
より導電性基板（１）側に誘導される電荷と逆極性の電
荷が多数キャリアとなるように極性調整されたもので、
ａ−（Ｓｉ Ｏ−） Ｉ（Ｘ ＩＸ ｙ ビｙ に極性調整の物質（好ましくは、正帯電の場合、硼素、
負帯電の場合、硼素あるいは燐）を添加してなるもので
ある。酸素の含有量は、約Ｏ０（’１１〜４．Ｏａｔ％
が好ましく、含有により中間層（２）の暗抵抗率が著し
く」−列し、導電性基板（１）からの電荷注入が有効に
防止される。また、導電性基板（１）との被覆性ならび
にレベリング化にも有効である。更に、導電性基板（１
）との接着性を向上させる一Ｌでも有効である。但し、
酸素のみの含有では残留電位が」−昇するため、本発明
では酸素に加えて極性調整物質、好ましくは正帯電の場
合、硼素を１０〜２００００ｐｐｍ、負帯電の場合、硼
素を２１１ｐｐｍまで、又は燐を５０ｐｐｍまで含有し
ている。極性調整物質の含有は、光導電層（４）で発生
するキャリアの導電性基板側への移動を許容し、残留電
位の」二昇を防止する。酸素含有量を約０゜０１〜４０
ａｔ％とするのは、＋１．０１ａｔ％以下では中間層の
高抵抗化が図れず、また４０ａｔ％以」二では硼素含有
にもかかわらず、残留電位が−Ｌ昇し、画像カブリが発
生するためである。硼素又は燐の含有量は、帯電により
導電性基板側に誘導される電荷とは、逆極性の電荷を多
数キャリアとするための含有量であり、また、硼素２０
（１０（１ｐｐｍ以」二、燐５０ρｐｌｆ１以上では
、感光体の電荷保持力が急激に低下する。
３０人〜２μｍ、好適には５ （ｌ −５ｒｌ ００人
、最適には１００〜２ ＋１００人の厚さに生成される
。中間層（２）は少なくとも酸素を含有し、更に帯電に
より導電性基板（１）側に誘導される電荷と逆極性の電
荷が多数キャリアとなるように極性調整されたもので、
ａ−（Ｓｉ Ｏ−） Ｉ（Ｘ ＩＸ ｙ ビｙ に極性調整の物質（好ましくは、正帯電の場合、硼素、
負帯電の場合、硼素あるいは燐）を添加してなるもので
ある。酸素の含有量は、約Ｏ０（’１１〜４．Ｏａｔ％
が好ましく、含有により中間層（２）の暗抵抗率が著し
く」−列し、導電性基板（１）からの電荷注入が有効に
防止される。また、導電性基板（１）との被覆性ならび
にレベリング化にも有効である。更に、導電性基板（１
）との接着性を向上させる一Ｌでも有効である。但し、
酸素のみの含有では残留電位が」−昇するため、本発明
では酸素に加えて極性調整物質、好ましくは正帯電の場
合、硼素を１０〜２００００ｐｐｍ、負帯電の場合、硼
素を２１１ｐｐｍまで、又は燐を５０ｐｐｍまで含有し
ている。極性調整物質の含有は、光導電層（４）で発生
するキャリアの導電性基板側への移動を許容し、残留電
位の」二昇を防止する。酸素含有量を約０゜０１〜４０
ａｔ％とするのは、＋１．０１ａｔ％以下では中間層の
高抵抗化が図れず、また４０ａｔ％以」二では硼素含有
にもかかわらず、残留電位が−Ｌ昇し、画像カブリが発
生するためである。硼素又は燐の含有量は、帯電により
導電性基板側に誘導される電荷とは、逆極性の電荷を多
数キャリアとするための含有量であり、また、硼素２０
（１０（１ｐｐｍ以」二、燐５０ρｐｌｆ１以上では
、感光体の電荷保持力が急激に低下する。
中間層（２）は酸素に加え少なくとも炭素を含有しても
よい。更に、帯電により導電性基板側（１）に誘導され
る電荷と逆極性の電荷が多数キャリアとなるよう極性調
整したもので、ａ−（Ｓｉ−１×−ｙ ＣＯ） Ｈに極性調整の物質（好ましく× ｙ ビ
Ｚ ｚ は、正帯電の場合硼素、負帯電の場合硼素あるいは燐）
を添加してなり、やはり同様の効果が得られる。炭素の
含有量は５〜６０ａｔ％、酸素は４０ａｔ％までで、こ
れらの含有により中間層の暗抵抗率が着しく上昇し、導
電性基板からの電荷注入を有効に防止する。また、導電
性基板（１）との被覆性とレベリング性が向」ニし、更
には接着性の向」二にも有効である。更に、極性調整物
質、好ましくは正帯電の場合、硼素を１０〜２００００
ｐｐｍ、負帯電の場合硼素を２（ｌｐｐｍまで、又は
燐を５０ｐｐｍまで含有することにより、中間層におけ
るキャリアの移動をより容易とし、残留電位の−に昇を
防止する。炭素含有量を５〜６０ａｔ％とする理由は、
５ｉ１％以下では中間層の高抵抗化が図れず、主た６０
ａ１％以」−では画像カブリが発生するためである。更
に酸素の含有量は４．Ｏａｔ％以」二で、残留電位が」
二列し、画像カブリが発生する。硼素又は燐の含有量は
、帯電により導電性基板側に誘導される電荷とは、逆極
性の電荷を多数キャリアとするための含有量であり、ま
た、硼素２００００．ρｌ１１１１−に、燐５０ ｐｐ
Ｉ＋＋以−１−では、感光体の電荷保持力が急激に低下
するためである。
よい。更に、帯電により導電性基板側（１）に誘導され
る電荷と逆極性の電荷が多数キャリアとなるよう極性調
整したもので、ａ−（Ｓｉ−１×−ｙ ＣＯ） Ｈに極性調整の物質（好ましく× ｙ ビ
Ｚ ｚ は、正帯電の場合硼素、負帯電の場合硼素あるいは燐）
を添加してなり、やはり同様の効果が得られる。炭素の
含有量は５〜６０ａｔ％、酸素は４０ａｔ％までで、こ
れらの含有により中間層の暗抵抗率が着しく上昇し、導
電性基板からの電荷注入を有効に防止する。また、導電
性基板（１）との被覆性とレベリング性が向」ニし、更
には接着性の向」二にも有効である。更に、極性調整物
質、好ましくは正帯電の場合、硼素を１０〜２００００
ｐｐｍ、負帯電の場合硼素を２（ｌｐｐｍまで、又は
燐を５０ｐｐｍまで含有することにより、中間層におけ
るキャリアの移動をより容易とし、残留電位の−に昇を
防止する。炭素含有量を５〜６０ａｔ％とする理由は、
５ｉ１％以下では中間層の高抵抗化が図れず、主た６０
ａ１％以」−では画像カブリが発生するためである。更
に酸素の含有量は４．Ｏａｔ％以」二で、残留電位が」
二列し、画像カブリが発生する。硼素又は燐の含有量は
、帯電により導電性基板側に誘導される電荷とは、逆極
性の電荷を多数キャリアとするための含有量であり、ま
た、硼素２００００．ρｌ１１１１−に、燐５０ ｐｐ
Ｉ＋＋以−１−では、感光体の電荷保持力が急激に低下
するためである。
中間層（２）の上に形成される、少なくともａ −Ｓｉ
１ を含む光導電層（４）は、やはり同様に例えばグロ
ー放電分解法により、５〜１００μ１１１、好ましくは
１０〜６０μｍｌこ生Ｔ＆される。更に光導電層（４）
中にはａ （Ｓｉ −Ｇｅ ） Ｈ層（５）が１
× × １−ｙ ｙ少な（とも一層形成されている。層（５）は、その主
たる目的が長波長光に対するキャリアの発生であり、従
って、充分な吸収量を得るために１００六〜２０μｍ、
好ましくは０．５〜１０μｉｎに形成され、且つ、Ｇｅ
組成比にとの開には、０．０７ ≦ｄ×２ ≦ ０．９
０ ・・・・・・（１）（ｄは ａ Ｓｊ ：
Ｇｅ 層の厚さを示す）の関係が成り立つように設
定されている。これは長波長増感を目的としてａ−Ｓｉ
１ ：Ｇｅ 層を１−ｘ ｘ 積層する際の最も有効な設定条件を表わすものである。
１ を含む光導電層（４）は、やはり同様に例えばグロ
ー放電分解法により、５〜１００μ１１１、好ましくは
１０〜６０μｍｌこ生Ｔ＆される。更に光導電層（４）
中にはａ （Ｓｉ −Ｇｅ ） Ｈ層（５）が１
× × １−ｙ ｙ少な（とも一層形成されている。層（５）は、その主
たる目的が長波長光に対するキャリアの発生であり、従
って、充分な吸収量を得るために１００六〜２０μｍ、
好ましくは０．５〜１０μｉｎに形成され、且つ、Ｇｅ
組成比にとの開には、０．０７ ≦ｄ×２ ≦ ０．９
０ ・・・・・・（１）（ｄは ａ Ｓｊ ：
Ｇｅ 層の厚さを示す）の関係が成り立つように設
定されている。これは長波長増感を目的としてａ−Ｓｉ
１ ：Ｇｅ 層を１−ｘ ｘ 積層する際の最も有効な設定条件を表わすものである。
即ちａ−８ｉ：Ｇｅ 層厚ｄが一定の場ビ× ×
合、Ｇｅ組成比Ｘが小さすぎる（ｄｘ２＜０．０７）と
長波長光の吸収が不充分であるため、あまり増感は期待
で外ず、逆にＸが太きすぎる（ｄｘ２＞０．９０）と吸
収が充分ではあるものの、発生したキャリアのａ−８ｉ
：Ｇｅ 層でのμτ積が減少し、１−Ｘ Ｘ その結果、走行性が劣化する。又、Ｇｅ組成比×が一定
の場合も同様に、ａ−８ｉ−：Ｇｅ 層厚ｄが薄すぎ
る（ｄｘ２＜０．０７）と、長波長光の吸収が不充分で
あるため、あまり増感は期待できず、逆にｄが厚すぎる
（ｄｘ２＞ （’）、 ９ （１）とキャリアのμτＥ
がａ−８ｉ−：Ｇｅ 層厚よりも小さく（μτＥ／Ｅ
／ｄ＜１ ）なり、その結果、残留電位が一ヒ列する。
長波長光の吸収が不充分であるため、あまり増感は期待
で外ず、逆にＸが太きすぎる（ｄｘ２＞０．９０）と吸
収が充分ではあるものの、発生したキャリアのａ−８ｉ
：Ｇｅ 層でのμτ積が減少し、１−Ｘ Ｘ その結果、走行性が劣化する。又、Ｇｅ組成比×が一定
の場合も同様に、ａ−８ｉ−：Ｇｅ 層厚ｄが薄すぎ
る（ｄｘ２＜０．０７）と、長波長光の吸収が不充分で
あるため、あまり増感は期待できず、逆にｄが厚すぎる
（ｄｘ２＞ （’）、 ９ （１）とキャリアのμτＥ
がａ−８ｉ−：Ｇｅ 層厚よりも小さく（μτＥ／Ｅ
／ｄ＜１ ）なり、その結果、残留電位が一ヒ列する。
更にｄに２が０．０７より小さいと、長波長光が充分吸
収されず、その結果、光導電層内において干渉現象が発
生し、画像上不都合を生じる。
収されず、その結果、光導電層内において干渉現象が発
生し、画像上不都合を生じる。
又、０．９０以上では、電荷保持力が急激に減少する。
即ち、以」二のことから、ａＳｉ：Ｇｅ１−×
の層厚ｄと、Ｇｅ組成比×の２乗との積に、」二記に示
す上限（＝ｏ、９ｏ）及び下限（＝０．０７）を設けて
やることにより、ａ−８ｉ ：Ｇｅ 層のビ×
× 最適化設計を図ることがで鰺る。又、ａ−８ｉ：Ｇｅ層
全体が（１）式を満足すれば、光導電層（４）を多層に
設けてやってもよい。
す上限（＝ｏ、９ｏ）及び下限（＝０．０７）を設けて
やることにより、ａ−８ｉ ：Ｇｅ 層のビ×
× 最適化設計を図ることがで鰺る。又、ａ−８ｉ：Ｇｅ層
全体が（１）式を満足すれば、光導電層（４）を多層に
設けてやってもよい。
以上の構成の感光体においては、必要に応じて、光導電
層（４）上に表面保護層として少なくとも炭素又は、炭
素及び酸素を含有してなるａ−Ｓｉ１ オーバー・コー
ト層を形成してもよい。
層（４）上に表面保護層として少なくとも炭素又は、炭
素及び酸素を含有してなるａ−Ｓｉ１ オーバー・コー
ト層を形成してもよい。
発を辺漿果
本発明によれば、光導電性、電荷保持性、表面硬度いず
れにおいても優れた電子写真感光体が得られる。特に可
視光領域および近赤外領域いずれにおいても高感度の電
子写真感光体を得ることができる。
れにおいても優れた電子写真感光体が得られる。特に可
視光領域および近赤外領域いずれにおいても高感度の電
子写真感光体を得ることができる。
発考事１１１〜３
常法に従いグロー放電によりａ−Ｓｉ１／ａ−Ｓｉ１：
Ｇｅ型多層感光体を三種製造した。
Ｇｅ型多層感光体を三種製造した。
各層の反応条件を表−１に示す。
表−１
感光体Ａ、Ｂ、Ｃは各／／ａ−８ｉ：Ｇｅ層がｄｘ２＝
０．（１４５，（１，４５０，１，２５０となるように
、Ｇ ｅ Ｈ＝の仕込み量（Ｇ ｅ Ｈ＜ ／ Ｓ ｉ
Ｈ４＋Ｇ ｅ Ｈ４）及びａ−Ｓｉ１：Ｇｅ層厚を設
定し作製したものである。各々の試料に対する静電特性
（Ｄ、Ｄ、Ｒｏ：暗滅貸率、Ｌ、Ｄ、Ｃ８：光減衰曲線
（７７７ｎｍ））を第２図に示す。
０．（１４５，（１，４５０，１，２５０となるように
、Ｇ ｅ Ｈ＝の仕込み量（Ｇ ｅ Ｈ＜ ／ Ｓ ｉ
Ｈ４＋Ｇ ｅ Ｈ４）及びａ−Ｓｉ１：Ｇｅ層厚を設
定し作製したものである。各々の試料に対する静電特性
（Ｄ、Ｄ、Ｒｏ：暗滅貸率、Ｌ、Ｄ、Ｃ８：光減衰曲線
（７７７ｎｍ））を第２図に示す。
上記結果から明らかなごとく、ｄｘ２が大島＜（０，０
４５→０．４．５０→１．２５０）なると電荷保持力が
低下し、更にｒ）、Ｄ、Ｒ，も増大する。特にｄｘ２＝
１．２５０となるようａ−８ｉ：Ｇｅ層を設定した感光
体Ｃの場合、その傾向が顕著である。
４５→０．４．５０→１．２５０）なると電荷保持力が
低下し、更にｒ）、Ｄ、Ｒ，も増大する。特にｄｘ２＝
１．２５０となるようａ−８ｉ：Ｇｅ層を設定した感光
体Ｃの場合、その傾向が顕著である。
さらに、ｄｘ２＝０ 、０４５となるようａ−９ｉ：Ｇ
ｅ層を設定した感光体Ａの場合、電荷保持力、Ｄ、Ｄ、
Ｒ，共に実用上問題のないレベルにあるが、通常のｐ、
ｐ、ｃ、用ａ−８ｉ感光体に比べ、あまり長波長感度は
向上せず、更に干渉現象による画像上の不都合が生じる
。一方、０．０７≦ｄｘ２≦０．９０内にａ−８ｉ：Ｇ
ｅ層を設定した感光体Ｂ（ｄｘ２＝０．４５０）の場合
、感光体Ａに比べ電荷保持力、Ｄ、Ｄ、Ｒ，共にやや劣
化の傾向を示すが、長波長感度が向上し、更に干渉現象
による画像上の不都合も生じない。
ｅ層を設定した感光体Ａの場合、電荷保持力、Ｄ、Ｄ、
Ｒ，共に実用上問題のないレベルにあるが、通常のｐ、
ｐ、ｃ、用ａ−８ｉ感光体に比べ、あまり長波長感度は
向上せず、更に干渉現象による画像上の不都合が生じる
。一方、０．０７≦ｄｘ２≦０．９０内にａ−８ｉ：Ｇ
ｅ層を設定した感光体Ｂ（ｄｘ２＝０．４５０）の場合
、感光体Ａに比べ電荷保持力、Ｄ、Ｄ、Ｒ，共にやや劣
化の傾向を示すが、長波長感度が向上し、更に干渉現象
による画像上の不都合も生じない。
火施Ｌ１および２
常法に従い表−２に示す条件で、二種の感光体りおよび
Ｅを製造した。感光体りは第１図に示すごとき構成であ
り、感光体Ｅは第１図のａ−８ｉ層（３）を有さず、ａ
−８ｉ層（６）を厚くした態様である。
Ｅを製造した。感光体りは第１図に示すごとき構成であ
り、感光体Ｅは第１図のａ−８ｉ層（３）を有さず、ａ
−８ｉ層（６）を厚くした態様である。
感光体Ｄ： ａ−Ｓｉ１／ａ−Ｓｉ１ ： Ｇｅ／ａ
−８ｉ／ａ Ｓ ｉ（０２＞／ ＡＩ 感光体Ｅ： ａ−８ｉ／ａ−Ｓｉ１ ： Ｇｅ／ａ−
８ｉ（０゜）／Ａρ 表−２ 感光体り、Ｅに対する静電特性（Ｄ、Ｄ、Ｒ，とり。
−８ｉ／ａ Ｓ ｉ（０２＞／ ＡＩ 感光体Ｅ： ａ−８ｉ／ａ−Ｓｉ１ ： Ｇｅ／ａ−
８ｉ（０゜）／Ａρ 表−２ 感光体り、Ｅに対する静電特性（Ｄ、Ｄ、Ｒ，とり。
ｒ）、Ｃ，）を第３図に示す。
第３図から明らかなごとく、感光体りおよびＥは感光体
Ｂに比べ、導電性基板からの電荷の注入が有効に阻止で
きるため、電荷保持力が向上し、更にり、Ｄ、Ｒ，も回
復（小さくなる）する。長波長感度においても、感光体
Ｂ と略同程度と優れ、干渉現象に基づく画像」二の不
都合も全く生じない。
Ｂに比べ、導電性基板からの電荷の注入が有効に阻止で
きるため、電荷保持力が向上し、更にり、Ｄ、Ｒ，も回
復（小さくなる）する。長波長感度においても、感光体
Ｂ と略同程度と優れ、干渉現象に基づく画像」二の不
都合も全く生じない。
ス施ｔｇ都よび４
実施例１における感光体りの構成（第１図に示す構造）
において、ａ ５ｉ（０２）中間層（２）の０２含有
量を増大したもの（感光体Ｆ）と、その感光体Ｆのａ−
８ｉ（０２）中間層（２）Ｉこおける８ ２Ｈ６量を増
大したもの（感光体Ｇ）を表−３に示す条件下に作製し
た。
において、ａ ５ｉ（０２）中間層（２）の０２含有
量を増大したもの（感光体Ｆ）と、その感光体Ｆのａ−
８ｉ（０２）中間層（２）Ｉこおける８ ２Ｈ６量を増
大したもの（感光体Ｇ）を表−３に示す条件下に作製し
た。
感光体ＦおよびＧに対する静電特性（Ｄ、Ｄ。
ＲｏとＬ 、 Ｄ 、 Ｃ、）を第４図に示す。
＝１５−
表−３
第４図から明らかなごとく、電荷保持力及びり。
Ｄ、Ｒｏは、感光体ＦおよびＧ共に感光体りと略同程度
に優れているが、感光体Ｆの場合、残留電位が上昇し、
画像上刃ブリを生ずる。一方、感光体Ｆの中間層のＢ２
Ｈ６量を１１０００ｐｐに増大した感光体Ｇの場合、残
留電位も実用上問題のないレベルにまで減少し、更に感
光体りと略同程度に長波長感度に優れ、干渉現象にもと
づく画像上の不都合も全く発生しない。
に優れているが、感光体Ｆの場合、残留電位が上昇し、
画像上刃ブリを生ずる。一方、感光体Ｆの中間層のＢ２
Ｈ６量を１１０００ｐｐに増大した感光体Ｇの場合、残
留電位も実用上問題のないレベルにまで減少し、更に感
光体りと略同程度に長波長感度に優れ、干渉現象にもと
づく画像上の不都合も全く発生しない。
実施例５
実施例１における感光体りのａ ５ｌ（０２１層（第
１図（２））に代えて、表−４に示す条件でＣ＋０２系
ａ−８ｉ中開層を設けたもの（感光体Ｈ）を作製した。
１図（２））に代えて、表−４に示す条件でＣ＋０２系
ａ−８ｉ中開層を設けたもの（感光体Ｈ）を作製した。
表−４
感光体Ｉ］に対する静電特性（Ｄ、ｌ）、Ｒｏとり、Ｄ
。
。
Ｃ１）を第５図に示す。
第５図の結果から明らかなごとく、感光体Ｂに比べ、ａ
−Ｓｉ１中間層を設けた感光体Ｉ」は、導電性基板から
の電荷の注入が有効に阻１にできるため、電荷保持力が
向−にＬ、更にり、Ｄ、Ｒ１も回復（小さくなる）する
。長波長感度においても、感光体Ｂと略同程度と優れ、
干渉現象に基づく画像上の不都合も全く生じない。
−Ｓｉ１中間層を設けた感光体Ｉ」は、導電性基板から
の電荷の注入が有効に阻１にできるため、電荷保持力が
向−にＬ、更にり、Ｄ、Ｒ１も回復（小さくなる）する
。長波長感度においても、感光体Ｂと略同程度と優れ、
干渉現象に基づく画像上の不都合も全く生じない。
寒施億ｔぢ主計
実施例５における感光体Ｉ」の構成において、Ｃ＋０２
系ａ−Ｓｉ１中開層の０２含有量を増大したもの（感光
体Ｉ ）と、その感光体■ の中間層におけるＢ ２１
−１６量を増大したもの（感光体、Ｊ ）を表−５に示
す条件で作製した。
系ａ−Ｓｉ１中開層の０２含有量を増大したもの（感光
体Ｉ ）と、その感光体■ の中間層におけるＢ ２１
−１６量を増大したもの（感光体、Ｊ ）を表−５に示
す条件で作製した。
感光体Ｔ、Ｊに対する静電特性（Ｄ、Ｄ、Ｒ，と１−。
Ｃ０Ｄ、）を第５図に示す。
表−５
第５図から明らかなごとく、電荷保持力及びり。
Ｄ、Ｒｏは感光体■、Ｊ共に感光体Ｉ４と略同程度に優
れているが、感光体■の場合、残留電位が上昇し、画像
上刃ブリが生ずる。一方、感光体Ｉの中間層のＢ２Ｈ６
量を１５００ｐｐｍに増大した感光体Ｊの場合、残留電
位も実用上問題のないレベルにまで減少し、更に、感光
体Ｈと略同程度に長波長感度に優れ、干渉現象に基づく
画像上の不都合も全く発生しない。
れているが、感光体■の場合、残留電位が上昇し、画像
上刃ブリが生ずる。一方、感光体Ｉの中間層のＢ２Ｈ６
量を１５００ｐｐｍに増大した感光体Ｊの場合、残留電
位も実用上問題のないレベルにまで減少し、更に、感光
体Ｈと略同程度に長波長感度に優れ、干渉現象に基づく
画像上の不都合も全く発生しない。
第１図は本発明感光体の基本構成を示す図、第２図から
第５図は本発明感光体の静電特性を示すグラフである。
第５図は本発明感光体の静電特性を示すグラフである。
Claims (1)
- １、光導電層中に少なくともａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘ：Ｇ
ｅ＿ｘ（０．０７≦ｄｘ＾２≦０．９０、ｄはａ−Ｓｉ
：Ｇｅ層厚を示す）を含むａ−Ｓｉ感光体において、該
光導電層と導電性基板との間に少なくとも酸素又は酸素
と炭素を含有し、更に帯電により導電性基板側に誘導さ
れる電荷とは逆極性の電荷が多数キャリアとなるよう極
性調整したａ−Ｓｉ中間層を設けたことを特徴とする電
子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15176884A JPS6129847A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真感光体 |
| US06/753,586 US4686164A (en) | 1984-07-20 | 1985-07-10 | Electrophotosensitive member with multiple layers of amorphous silicon |
| DE19853525908 DE3525908A1 (de) | 1984-07-20 | 1985-07-19 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15176884A JPS6129847A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129847A true JPS6129847A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15525866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15176884A Pending JPS6129847A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686164A (ja) |
| JP (1) | JPS6129847A (ja) |
| DE (1) | DE3525908A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
| US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| JPH0670717B2 (ja) * | 1986-04-18 | 1994-09-07 | 株式会社日立製作所 | 電子写真感光体 |
| JPS62289848A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US20070059616A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Xerox Corporation | Coated substrate for photoreceptor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4471042A (en) * | 1978-05-04 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
| US4409308A (en) * | 1980-10-03 | 1983-10-11 | Canon Kabuskiki Kaisha | Photoconductive member with two amorphous silicon layers |
| JPS57115552A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electrophotographic receptor |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4491626A (en) * | 1982-03-31 | 1985-01-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
| US4490450A (en) * | 1982-03-31 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| JPS58189643A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-11-05 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS58154850A (ja) * | 1983-02-18 | 1983-09-14 | Hitachi Ltd | 記録用部品 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15176884A patent/JPS6129847A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-10 US US06/753,586 patent/US4686164A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-19 DE DE19853525908 patent/DE3525908A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4686164A (en) | 1987-08-11 |
| DE3525908A1 (de) | 1986-01-30 |
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