JPS6126054A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真感光体、特にアモルファスシリコン・
ゲルマニウム系感光体に関する。

従来技術 アモルファスシリコンゲルマニウム（以下ａ　−８にＧ
ｅと記す）は、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉ
と記す）に比べ、バンドギャップが小さくなるため、長
波長光に対する吸収が高くなり、従って、キャリアも多
く発生し、長波長光に対する感度を向上させるため半導
体レーザーを応用したプリンター用感光体として将来が
嘱望されている。さらに、短波長感度も損なわれないた
め露光ランプの発光スペクトルの調整によりＰＰＣへの
応用も可能である。また、ａ−３ｉ：Ｇｅ層での長波長
光の吸収がよいため、従来のアモルファスシリコン（ａ
−３ｉ）感光体において、しばしばみられる光の干渉に
よる画像の乱れが少ないと云った優れた特徴がある。

この様な特徴から感光体にａ−３ｉ：Ｇｅを用いる多く
の研究がなされている。

例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報には感光層全
域にａＳｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８−１７１
０３９号公報には感光体ベースにａ−３ｉ：Ｇｅを設け
た技術が、特開昭５６−１５０７５３号公報にはａ−８
ｉ：Ｇｅを感光体の表面層およｔＦ／または基板に直接
後する層に設ける技術がそれぞれ開示されているが、い
ずれもａ”Ｓｉ　：　Ｇｅに空乏層を設ける提案はなさ
れていない。

例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報では感光層全
域にａ−８ｉ：Ｇｅ層を形成しているが、本来、ａ−８
ｉ：Ｇｅはμτが小さく、キャリアの輸送効率が低い欠
点があり、これを感光層全域に設けると、発生したキャ
リアがａＳｉ：Ｇｅ層にトランプされ感度が低下するの
みならず、光疲労や残留電位の原因になる。

また、特開昭５８−１７１０３９号公報や特開昭５６−
１５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ−３ｉ
：Ｇｅ層を感光層のベースに用いると、ａ−３ｉ：Ｇｅ
が熱励起キャリアを発生し易いためベースからの電荷の
注入が容易となり帯電能が低下する上、半導体レーザー
光や長波長コヒーレント光を光源とするプリンターにお
いて発生する干渉模様を解消するため、ａ−８ｉｒＧｅ
層を厚くするとベース近傍のキャリアがａＳｉｒＧｅ層
にトランプされ、感度低下、光疲労、残留電位発生の原
因となる。

さらに特開昭５６＝１５０７５３号公報に示されている
ごとく、ａ−３ｉ：Ｇｅ層を最表面に配置すると、短波
長光で励起されたキャリアがａ−８ｉ：Ｇｅ層を抜は出
すことができず、感度に寄与できない。また、干渉をお
さえるためａ−８ｉ：Ｇｅ層を厚くするとキャリアが層
内にトラップされる。

またａ−３ｉ：Ｇｅは熱励起キャリアを多く発生するた
め表面からの電荷の注入が容易となり帯電能が低下する
。　　　− 以上の理由から、上記の従来技術はａ−９ｉ：Ｇｅの優
れた特性を十分に生かしきっていない。

−力、特開昭５８−１５４８５０号公報には、ａ−５ｉ
：Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが
、この技術はａ−３ｉ：Ｇｅの三層へテロ結合により長
波長光まで光感度を有し、導電型および比抵抗を大幅に
制御できる感光体を得ることを目的とするものであり、
ａ−３ｉ：Ｇｅを用いた際問題となるキャリアの輸送効
率の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電位等
の問題を解決する手段としてａＳｉ：Ｇｅに空乏層を採
用する教示は全くない。

さらに特開昭５７−１１５５５２号公報にもａＳｉ　と
ａ　　Ｓｉ　：　Ｇｅを組み答わせた感光体が記載され
ているが、ａ−３ｉ：Ｇｅに空乏層を設けることによる
上記問題の解決については全く示唆していない。

発明か解決しようとする問題点 前述のごとく、ａ−３ｉ　：　Ｇｅは、ａ　　Ｓｉに比
ベバンドギャップが小さくなるため、長波長光に対する
吸収か高くなＩ）、従って、キャリアも多く発生し、長
波長感度を向上させる性質を有するようになる。

反面、ただ単にＧｅをドープするだけでは、電子写真用
感光体としては全く機能しない性質を有するようになる
。例えば、無作為にＧｅを高ドープすると、バンドギャ
ップ中の不純物レベルが増大し、電子写真用感光体の生
命とも言うべき帯電能の低下をまねき、好適な静電潜像
が得られなくなってしまう。

さらに、ａ−８ｉ　：　Ｇｅはキャリア発生数は増大す
るものの、発生したキャリアの移動を阻害してしまう性
質を有するため、不用意にＧｅ添加量を増大したり、ａ
−３ｉ　：　Ｇｅ層の膜厚を厚くしてしまうと、キャリ
アが移動で外す、従って感度低下、残留電位の発生等を
まね外、加えて除電も十分に行なわれないため、メモリ
ー発生等の電子写真には極めて不都合の多い結果をもた
らしてしまう。

一方、レーザービームプリンター等のコヒーレント光を
光源とした電子写真法においては、干渉現象の発生を抑
えるために十分な長波長光吸収を行なう必要がある。

本発明は、ａ−３ｉ　：　Ｇｅを用いる電子写真感光体
における上記問題を解決し、ａ−３ｉ　ｔ、　Ｇｅの有
する優れた特性を備えた感光体を得る：とを目的とする
。

腓鼠怠を解決するための事理 ａ−８ｉ　：　Ｇｅの欠゛点であるキャリアの移動性の
低さを改良するため、ａ−８ｉ：Ｇｅ層をＰＮ接合して
空乏層を設け、ａ−３ｉ　：　Ｇｅ層で発生したキャリ
アの順方向への移動を向上せしめ、層外ヘキャリアを有
効に抽出すると共に、ａ−８ｉ　：　Ｇｅ層の両側にキ
ャリアの移動性のよいａ−８ｉＪを設けることにより抽
出されたキャリアの輸送効率を−Ｒ；向上させ、これに
よって、感度低下および残留電位の発生を防ぐ。

本発明は、導電性基版上に、アモルファスシリコンを母
体とした層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体
とした層、およびアモルファスシリコンを母体とした層
を順次積層して成る電子写真感光体において、アモルフ
ァスシリフンゲルマニウムを母体とする層内に空乏層を
設けたことを特徴とする電子写真感光体に関する。

本明細書において、アモルファスシリコンを母体とする
層とは単にアモルファスシリコンのみでなく、これに適
当なヘテロ原子、例えば、Ｏ，Ｎ、Ｃ，Ｂ、Ｐ等を含む
層を言い、これらを含めてａ−３ｉ（層）と表現する。

アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層につ
いても同様である。

本発明の電子写真用感光体の一態様の模式的断面図を第
１図に示す。第２図は（＋）帯電で用いる本発明電子写
真用感光体をエネルギーレベルで示した模式図である。

図中、（１）は基板、（２）はａ−８ｉ層、（３）およ
び（４）はａ−３ｉ　：　Ｇｅ層および（５）はａ−Ｓ
ｉ表面層を示す。第２図では（＋）帯電で用いる感光体
の構成をバンドギャップで示しており、基板（１）に接
してＰ型ａ−３ｉ層（２）、次いで、Ｐ型ａ−８ｉ：Ｇ
ｅ層（３）、さらにＮ型ａ−８ｉ　：　Ｇｅ層（４）お
よびＮ型ａ−８ｉ層（５）が順次形成されている。即ち
、逆方向バイアスに配置されている。

本発明の第１の特徴は第１図に示すごとく、２つのａ−
３ｉ層間にａ−８ｉ　：　Ｇｅ層を設けることにあり、
第２の特徴は第２図に示すごとく、ａ−３ｉ：Ｇｅ層に
空乏層を設けることにある。

本発明において、ａ−８ｉ　：　Ｇｅ層をａ−３ｉ層間
にサンドイッチ状に配置する理由は、ａ−８ｉ：Ｇｅ層
で発生したキャリアが上層にも下層にも容易に移行し、
ａ−８ｉ　：　Ｇｅ層中にトラコツプされ難くする点に
ある。前述のごと（ａ　　Ｓｉ：Ｇｅはμτが小さく、
発生したキャリアの移動速度が小さく、従って、ａ−８
’１ＳＧｅ層を厚（で外ない欠点があった。特に従来技
術のごと＜ａ−８ｉ：Ｇｅが最表面層に接触して配置さ
れた場合は、キャリアは一方の側にしか移行できず、感
度に寄与しない。また、表面からの電荷が注入し易くな
り、帯電能が低下する。一方、ａ−３ｉ：Ｇｅ層が基板
に接触するか基板に近接して配設された場合も同様に、
下層に発生したキャリアは上層のａ　−３ｉ層へキャリ
アが抜は出す前にａＳｉ：Ｇｅ層にトラップされてしま
う。また基板からの電荷の注入か容易になり帯電能が低
下する。

本発明では、ａ−３ｉ：Ｇｅ層をａ　　Ｓｉ層間に設け
ることによりａ−３ｉ：Ｇｅ層中で発生したキャリアか
両側に移動し得るため、キャリアのトランプが少なくな
る。従ってａ−Ｓｉ：Ｇｅ層を厚くすることができ、ま
た表面層からの電荷の注入および基板からの電荷の注入
が抑制され、帯電能の低下を防ぐことがでとる。

本発明においてａ−８ｉ：Ｇｅ層は、導電性基板から全
層厚の２０〜８０％の範囲、より好ましくは、３０〜７
５％の範囲に設ける。基板から全層厚の２０％以内に設
けると基板からの電荷の注入が容易となり帯電能が低下
し、かつ発生キャリアの感度への寄与が不十分となる。

また、８０％より多い位置、即ち、表面層から２０％以
内に配置すると、同しく帯電能と感度とに問題を生ずる
。

ａ−８ｉ：Ｇｅ層の層厚は１００人−２０μｍにするの
が好ましい。１００人より小さい場合はａ−８ｉ：Ｇｅ
にもとづく長波長光に対する感度が低下し、ＬＢＰ等へ
の利用が不可能となる。また２０μｍ以上とすると光疲
労が発生し易くなり、また残留電位が」二昇する傾向が
ある。

ａＳｉ：Ｇｅ層中、Ｇｅ原子の濃度はＳｉ原子とＧｅ原
子総数の２−７０　ａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔ％と記す
）、より好ましくは８〜５０ａＬ％の範囲にあるのが好
ましく、Ｇｅ濃度が小さいときは層厚は厚くしてもよい
。

層厚とＧｅ濃度の関係は、式： ％式％） で示されるａ−８ｉ：Ｇｅの層厚がｄ（μｍ）のと０．
０？　　≦　ｄｘ２　≦　０．９０となるようにするの
が好ましい。ｄ　ｘ’２が０．０７より小さいと、光の
干渉による弊害を生じ、０゜９０より大きいと帯電能が
低下する。

ａ−８ｉ：Ｇｅ層中には更に他の元素、例えば炭素、酸
素、窒素などを配合し、その光特性を改良してもよい。

酸素の導入は帯電能の向上、光疲労の低減の点で有効で
ある。酸素量はＳ１原子に対し０．０１〜５ａｔ％とす
るのが好ましい。

本発明感光体は第２図に示すごとく、ａ−８ｉ：Ｇｅ層
の極性を調整して空乏層を設ける。

＄２図に示すごとき態様の感光体では、Ｎ型のａ−３ｉ
　：　Ｇｅ　Ｎ　（４）とＰ型の、ａ−８ｉ　：　Ｇｅ
層（３）の接合領域に空乏層か形成される。その結果、
光照射によってａ−８ｉ　：　Ｇｅ層には多量のキャリ
アが発生し、層（３）ないし層（４）に発生したキャリ
ア（電子）は、容易にａ−８ｉ表面層（５）側に、層（
３）ないし層（４）に発生したキャリア（ホール）は容
易にａ−３ｉ層（２）へ抽出されるため、残留電位、あ
るいはメモリー等の問題が発生しない。

（−）帯電させるときは、第２図と逆の極性調整をすれ
ばよい。

極性調整はａ−８ｉ　：　Ｇｅ層へ第■族原子または第
■族原子を入れることにより行なえばよい。

第■族原子としては第１ＩＩＡ族原子、特に硼素が適当
であり、第Ｖ族原子としては第ＶＡ族原子、特に燐が適
当である。

第■族原子の導入量は、Ｓｉ原子に対し２００ｐｐｍ、
より好ましくは２００　ｐｐｍ以下、よ、り好ましくは
３〜１．００　ｐｐｍ、第Ｖ族原子はＳ１原子に対して
５０ｐｐｍ以下、より好ましくは　１〜２０ｐ凹である
。

感光体を正帯電で使用するときｊよ、第■族原子の量を
基板側に富、表面層側で貧にするのがよく、また表面層
側に少量の第Ｖ族原子を用いて表面層側ａ−８ｉ　：　
ＧｅをＮ型、基板側に第■Ａ原子を用いてＰ型としても
よい。

感光体を負帯電で使用するときは、第■族原子の量を基
板側に貧、表面層で富とするのが好ましく、または第Ｖ
族原子を基板側に用い、表面層をＰ型、基板側をＮ型と
してもよい。

この様な配置をとることにより、感光体の帯電極性に対
する逆バイアス効果が高くなり、帯電能の向」二および
残留電位の低減に効果をもたらすことができる。

本発明感光体はａ−３ｉ：Ｇｅ層の上および下側にａ−
３ｉ層を設ける。ａ−８ｉ層をａ−８ｉ二〇〇層の両側
に設けることにより、ａ　　Ｓｊ：Ｇｅ層で発生したキ
ャリアの移動が容易になり、また表面または基板からの
電荷の注入が抑制され、帯電能が向上する。

ａ−３ｉ層の厚さはそれぞれ１〜５０μｍ、より好まし
くは、５〜３０μｍである。厚さ力弓帽０より小さい場
合は、帯電時の電荷の注入を抑制する効果が低くなり、
帯電能の低下をまねき、５０μ輸より天外い場合は、キ
ャリアの移動距離が長くなることから、トラップされる
機会が増え残留電位の上昇をまねいてしまう等の弊害が
ある。

本発明においてはａ−８ｉ層の極性も調整して逆方向バ
イアスとなるよう接合する。（＋）帯電で使用するとき
は第２図に示すごとく、基板側ａ−９ｉ層（２）をＰ型
、ａ−３ｉ表面層（５）をＮ型とする。露光により発生
するキャリアは、上記構成により移動方向に障壁がなく
なるため、極めて容易に基板または表面に移行する。

（＋）帯電のときは第２図に示すごとく、７エルミレベ
ルに対し基板側ａ−８ｉ層（２）が最も高い準位を、ａ
−８ｉ表面層（５）が最も低い準位を有するようなバン
ドギャップ構成をとる。（−）帯電の場合はこの逆とす
る。

ａ−３ｉ層の極性もａ−８ｉ　：　Ｇｅ層の場合と同様
、第■族または第■族原子を用いて調整すればよい。

第■族および第■族原子の添加量もａ−８ｉ　：　Ｇｅ
層について述べたのと同様である。

ａ−８ｉＪ￥１には更に炭素、酸素、窒素などを導入し
てもよい。ａ−３ｉ表面層に炭素を導入すると、表面の
耐湿性が向上すると共に電荷保持率や透光性が改良され
る。炭素の含量は、Ｓｉ原子とＣ原子の合計量の３０ａ
ｔ％以上、特に５０ａｔ％以上が好ましい。

酸素または窒素は暗抵抗の改良、光疲労の低減に特に有
用である。特に酸素を基板に接したａ　−３ｉ層に多く
導入すると、基板上の荷電の注入を防止でき、感光体の
帯電能が向上する。酸素含量は、Ｓｉ原子に対し０．０
５〜５ａｔ％、より好ましくは０．１〜２ａｔ％とする
のが適当である。

本発明感光体は常法により製造することができる。即ち
、ＳｉＨ，，５ｉ２Ｈ，等をＨ２，Ａｒ等適当なキャリ
アガス、および所要のへテロ原子と共にグロー放電して
、Ａ１等の基板上にａ　　Ｓｉ層を形成し、更にその上
にＳｉＨ，、ＧｅＨ，、およびその他のへテロ原子を含
んだガスをグロー族ｔにより沈着させ、更に、同様にし
てａ−８ｉ層をその上に形成させることにより製造すれ
ばよい。

発明の効果 本発明感光体においては、ａＳｉ：Ｇｅ層がａ−８ｉ　
を母体とした眉間にはさまれ、しかもａ−３ｉ：Ｇｅに
完全に空乏層が設けられており、その結果、ａ−３ｉ：
Ｇｅ層中に発生したキャリアが上層および下層のａ−３
ｉ層のいずれにも移動し得るため、移動距離が短がくな
り、ａ−３ｉ　：　Ｇｅ層中でトラップされる機会が少
なくなる。その結果残留電位の低下が図れる。

さらに、空乏層を設けることによりキャリア発生効率が
上がり、暗減衰は低下し残留電位が減少するため感度が
向上し、疲労が少なくなる。

以下、実施例をあげて本発明を説明する。

実施例１　（感光体Ａの製造） 工程（１）： 第３図に示すグロー放電分解装置にお°いて、まず回転
ポンプ（２０）を、それに続いて拡散ポンプ（２１）を
作動させ、反応室（２２）の内部を１０〜６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、＠１〜第３及び第５調整弁（１０
）、（１１）、（１２）、（１４）を開放し、第１タン
ク（５）よりＨ２１ｆス、第２タンク（６）よりｉｏｏ
％ＳｉＨ，ガス、第３タンク（７）よりＨ２で２００　
ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、さらに第５タンク（
９）よりｏ２ｉスを出力デー’）１Ｋｇ７ｃｍ２の下で
マス７０−コントローラー（１５）　、（１６）、（１
７）、（Ｉ９）内へ流入させた。そして、各マスフロー
コントローラーの目盛を調整して、Ｈ２の流量を４９４
　ｓｅｃｍ、　Ｓ　ｉＨ、を１００ｓｃｃｍ％Ｂ２Ｈ６
／Ｈ２をＳ　、　　Ｏｓｅｅｍ、０２を１．０ｓｅｃｍ
となるように設定して、反応室（２２）内へ流入した。

夫々の流量が安定した後に、反応室（２２）の内圧が１
．０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板
（２３）としては、直径８０闘のアルミニウムドラムを
用いて２５０°Ｃに予め加熱しておき、各ガス流量が安
定し、内圧が安定した状態で高周波電源（２４）を投入
し、電極板（２５）に２　Ｓ　Ｏｕ＋ａｔｔｓの電力（
周波数１３．　５６Ｍ）ｌｚ）を印加してグロー放電を
発生させた。このグロー放電を約４．８時間持続して行
ない、導電性基板（２３）　（第１図（１））上に水素
、硼素ならびに微量の酸素を含む厚さ約１２μｍのａ　
　Ｓｉ光導電層（２）を形成した。

工程（２）： ａ−６ｉ光導電層が形成されると、高周波電源（２４）
から電力印加を停止するとともに、マス７０−コントロ
ーラーの流量を０設定にし、反応室（２２）内を十分脱
気した。その後、第１タンク（５）よりＨ２ガスを４７
８　ｓｃｅｍ、第２タンク（６）より１００％ＳｉＨ，
を１００５ｃｃｎ＋、第３タンク（７）よりＨ２で２０
０　ｐｐＨに希釈したＢ２Ｈ６ガスを４ｓｅｃｍ、　第
４タンク（８）よりＧ　ｅ　Ｈ＋　１１”スを１７ｓｅ
ｃｍ、および＠５タンク（９）より０２ガスを１　ｓｅ
ｃｍ反応室内部に流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒに調
整した上で高周波電源を投入して２５０Ｉｌｌａｔｔｓ
の電力を印加した。６０分間放電を続け、約２．５μＩ
のａ−８ｉ：Ｇｅ層（３）を形成した。尚、このときの
ゲルマニウム含有量は約２５ａｔ％であった。

工程（３）： ａ　　Ｓｉ光導電層が形成されると、高周波電源（２４
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラーの流量をＯ設定にし、反応室（２２）内を十分
脱気した。その後、第１タンク（５）よりＨ２ガスを４
８０．５ｓｅｃｍ、第２タンク（６）より１００％Ｓｉ
Ｈ４を１００　ｓｅｃｍ、第３タンク（７）よりＨ２で
２００ｐ凹に希釈したＢ２Ｈ６ガスを１　、　５５ｃｃ
ｎ＋、第４タンク（８）よりＧｅＨ４，ｆｒＸを１７ｓ
ｅｃｍ、および第５タンク（９）より０２ガスを１　ｓ
ｅｃｍ反応室内部に流入させ、内圧を１．０゛Ｔ　ｏｒ
ｒに調整した上で高周波電源を投入して２５０１ｕａｔ
ｔｓの電力を印加した。６０分間放電を続は約２．５μ
＋ｎのａ　　Ｓｉ　：　Ｇｅ　Ｍ　（４）を形成した。

尚、このときのデルマニウム含有量は約２５ａｔ％であ
った。

工程（４）： Ｈ２で２００　ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈ６ガスの流量を
０．　５ｓｅｃ＋ｎ　、　Ｈ：ガスを４９８．’　５ｓ
ｅｃｍとする以外、工程（１）と同様にしてａ−８ｉ層
（５）を形成した。ａ　　Ｓｉ層の厚さは１２μｍとし
た。

こうして得られた感光体を粉像転写型複写機（王Ｐ６５
０Ｚ：　　ミノルタカメラ（株）製）にセットし、（＋
）帯電にてコピーしたところ、解像力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、５００００枚の連続複写を行なっても画像特性の
低下は認められず、最後まで良好なコピーが得られた。

更に、３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複写
でもその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変
わることはなかった。

得られた感光体を以下、Ａと云う。

比較例１　（感光体Ｓの製造） 実施例１と同様にして、ａ−８ｉ層（２）が１３μｍ、
ａ−８ｉ：Ｇｅ層（３）が５μＩＩおよびａ−３ｉ層（
５）力弓２μｍの感光体を製造した（但し、ａ−８ｉ：
Ｇｅ層（４）は設けなかった）。得られた感光体を以下
、感光体Ｓと云う。

比較例２　（感光体Ｔの製造） 実施例１の工程（１）と同様にして、厚さ１３μｍのａ
　　Ｓｉ層を、次いで工程（２）と同様にして厚さ５μ
ｍのａ−３ｉ：Ｇｅ層を、および工程（１）と同様にし
て厚さ１２μｍのａ　　Ｓｉ層をＡＩドラム上に形成せ
しめ、感光体を製造した。得られた感光体を以下、感光
体Ｔと云う。

比較例３　（感光体Ｕの製造） 工程（２）、工程（３）および工程（４）を省き、工程
（１）のみでａ−３ｉ層（２）の厚さを３０．ｌｊｍと
する以外、実施例１と同様にして感光体を得た。得られ
た感光体を以下、感光体Ｕと云う。

［評価試験　１１ 上記実施例１お工び比較例１〜３で得られた感光体Ａ、
Ｓ、ＴおよびＵを６００■にコロナ帯電した後、分光感
度を測定したところ第４図に示す結果を得た。図中、（
Ａ）、（Ｓ）、（Ｔ）および（Ｕ）はそれぞれ対応する
感光体Ａ、Ｓ、Ｔ、Ｕがら得られた結果を示す。棒軸は
波長（ｎｍ）、経軸は感度（ｓｃｍ／ｅｒｇ）を示す。

第４図から明らかなごとく、本発明感光体は、長波長光
に対し高感度を有すると共に、短波長光に対する感度も
損なわれないことがわかる。従ってＬＢＰやＰＰＣの両
方に使用することができる。

［評価試験　２］ 感光体Ａ、Ｓ、ＴおよびＵを用い、半導体レーザーを光
源としたレーザービームプリンターで、１３　ｃｍ／　
ｓｅｅの速度で実、写を試みたところ、感光体Ａ、Ｓお
よびＴでは良好な画像が得られたが、感光体Ｕではカブ
リが発生した。

感光体Ａでは最も高速のレーザービームプリンター（３
２ｃｍ／　ｓｅｃ　）でも鮮明な画像を得ることができ
、メモリーは発生しなかった。

［評価試験３１ 感光イｔｊＡ、Ｓ、ＴおよびＵを６００ｖに帯電するの
に要したコロナチャージャーの電流密度（μＡ／ｃｍ２
）をチャーツヤ−より感光体に流入する電流と帯電面積
を測定することにより求めた。

結果を表−１に示す。

表−１ 以上の結果から、本発明感光体は帯電特性において優れ
ていることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明感光体の模式的断面図、第２図は（＋）
帯電で用いる本発明感光体をバンドギャップで示した模
式図、第３図は感光体製造用装置、および第４図は本発
明感光体および空乏層を設けないａ−８ｉまたはａ−８
ｉ：Ｇｅ系感光体の波長と感度の関係を示すグラフであ
る。 （１）・・・基板、　（２）・・・ａ−８ｉ層、（３）
　−ａ−８ｉ　：　Ｇｅ層、　＜４　）　−ａ−８ｉ：
Ｇｅ層、（５）・・・ａ−３ｉ層、 （Ａ）・・・本発明感光体Ａ、　（Ｓ）・・・比較例１
の感光体Ｓ、　（Ｔ）・・・比較例２の感光体Ｔ、（Ｕ
）　　・・・比較例３の感光体Ｕ。 第１図 第２図 第３図 第４図 差長［ｎｍ〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導電性基板上に、アモルファスシリコンを母体とし
   た層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とした
   層、およびアモルファスシリコンを母体とした層を順次
   積層して成る電子写真感光体において、アモルファスシ
   リコンゲルマニウムを母体とする層内に空乏層を設けた
   ことを特徴とする電子写真感光体。