JPS6130070A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
- Publication number
- JPS6130070A JPS6130070A JP59151381A JP15138184A JPS6130070A JP S6130070 A JPS6130070 A JP S6130070A JP 59151381 A JP59151381 A JP 59151381A JP 15138184 A JP15138184 A JP 15138184A JP S6130070 A JPS6130070 A JP S6130070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- layer
- photosensor
- lower electrodes
- photocurrent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は基板上に光電変換部を有するフォトセンサに関
する。
する。
本発明によるフォトセンサは、たとえばファクシミリや
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
［従来技術〕
従来のフォトセンサとしては、ＣＯＤを用いた１次元ア
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺のフォトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺のフォトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
そこで、長尺のフォトセンサを構成するものとして、プ
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
第４図は、従来のプレナー型の光導電型フォトセンサの
一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は、
第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は、
第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
同図において、基板ｌ上には、光導電層２が形成され、
さらにオーミックコンタクト層３を介して電極４および
５が形成されている。
さらにオーミックコンタクト層３を介して電極４および
５が形成されている。
光導電層２の材料は、カルコゲナイド、ＣｄＳ、Ｃｄ５
Ｓｅ 、非晶質シリコン（以下、ａ−９ｉと記す）等で
ある。また、電極４および５の間隙によって受光部６が
形成されている。
Ｓｅ 、非晶質シリコン（以下、ａ−９ｉと記す）等で
ある。また、電極４および５の間隙によって受光部６が
形成されている。
光導電層２は、受光部６からの光の強度によってその抵
抗値が変化する。したがって、電極４および５に所定の
電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流（以下
、光電流とする）を得ることができる。
抗値が変化する。したがって、電極４および５に所定の
電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流（以下
、光電流とする）を得ることができる。
ここで光電流Ｉは、電極４および５の間隔Ｌ、電極４お
よび５の対向している長さＷとすると、Ｗ／Ｌに比例す
ることが知られている。したがって、大きな光電流Ｉを
得るためには、間隔りを小さく、長さＷを大きくする必
要がある。そのために、第４図ＣＡ）に示されるように
、間隔りをできるだけ小さくするとともに、電極４およ
び５をくし状に形成し、長さＷを長くしている。
よび５の対向している長さＷとすると、Ｗ／Ｌに比例す
ることが知られている。したがって、大きな光電流Ｉを
得るためには、間隔りを小さく、長さＷを大きくする必
要がある。そのために、第４図ＣＡ）に示されるように
、間隔りをできるだけ小さくするとともに、電極４およ
び５をくし状に形成し、長さＷを長くしている。
しかしながら、このような従来のフォトセンサでは、間
隔りが小さくなる程、また長さＷが長くなる程、ファイ
ンパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電流
を得ることはできなかった。
隔りが小さくなる程、また長さＷが長くなる程、ファイ
ンパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電流
を得ることはできなかった。
［発明の目的］
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は簡単な構成で十分大きな光電流を得ることが
できるフォトセンサを提供することにある。
その目的は簡単な構成で十分大きな光電流を得ることが
できるフォトセンサを提供することにある。
［発明の概要］
上記目的を達成するために、本発明によるフォトセンサ
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続されていることを特徴とする。
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続されていることを特徴とする。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図である。
一実施例の製造工程図である。
まず、十分に洗浄されたガラス基板１０１の全面に、ス
パッタリングによりアルミニウム（ＡＩ）層１０２を厚
さ約０．５１Ｌｍ形成する［第１図（Ａ）］ 。
パッタリングによりアルミニウム（ＡＩ）層１０２を厚
さ約０．５１Ｌｍ形成する［第１図（Ａ）］ 。
次に、フォトレジストを用いたフォトリングラフィ法に
よって、ＡＩＦｆｊ１０２から下電極１０３および１０
４を形成する［第１図（Ｂ）］。ただし、本本実例では
、下電極１０３と１０４との間隔は約８ルｍである。
よって、ＡＩＦｆｊ１０２から下電極１０３および１０
４を形成する［第１図（Ｂ）］。ただし、本本実例では
、下電極１０３と１０４との間隔は約８ルｍである。
続いて、下電極１０３および１０４に渡って厚さ０．８
１Ｌｍのａ−５ｉの光導電層１０５を形成する［第１図
（Ｃ）］ 。
１Ｌｍのａ−５ｉの光導電層１０５を形成する［第１図
（Ｃ）］ 。
ａ−Ｓｉの光導電層１０５は、次のようにして形成され
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度１０−６ Ｔｏｒｒ、温度２３０℃で５ｊＨ４ガ
スを流量１１０５ＣＣ流入させ、ガス圧をＱ 、 ０７
Ｔｏｒｒに設定する。そして、１３．５６ＭＨｚの高周
波電源を用い、入力電圧０．３ＫＶ、放１１力８Ｗで、
４．５時間のグロー放電を行い、ａ−３ｉの光導電層１
０５を形成する。
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度１０−６ Ｔｏｒｒ、温度２３０℃で５ｊＨ４ガ
スを流量１１０５ＣＣ流入させ、ガス圧をＱ 、 ０７
Ｔｏｒｒに設定する。そして、１３．５６ＭＨｚの高周
波電源を用い、入力電圧０．３ＫＶ、放１１力８Ｗで、
４．５時間のグロー放電を行い、ａ−３ｉの光導電層１
０５を形成する。
次に、上記装置内において、ＳｉＨ４をＨ２で１０％に
希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１１００ｐｐに希釈し
たガスとを、１：１０の割合で混合した原料ガスを用い
、放電電力３０Ｗでグロー放電を行う。これによって、
光導電層１０５上にオーミックコンタクト用のｎ中層１
０６が厚さ０．１５１Ｌｍ堆積される［第１図（Ｄ）］
。
希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１１００ｐｐに希釈し
たガスとを、１：１０の割合で混合した原料ガスを用い
、放電電力３０Ｗでグロー放電を行う。これによって、
光導電層１０５上にオーミックコンタクト用のｎ中層１
０６が厚さ０．１５１Ｌｍ堆積される［第１図（Ｄ）］
。
次に、スパッタリングにより厚さ０ 、３ ｇｍのＡ１
層１０７が上記基板の全面に形成される［第１図（Ｅ）
］。
層１０７が上記基板の全面に形成される［第１図（Ｅ）
］。
続いて、第１図（Ｂ）に示されるように、下電極１０３
および１０４と同位置且つ同間隔で、ＡＩ層１０７から
上電極１０８および１０９を形成する［第１図（Ｆ）］
。
および１０４と同位置且つ同間隔で、ＡＩ層１０７から
上電極１０８および１０９を形成する［第１図（Ｆ）］
。
そして、プラズマエツチング装置内で、上電極１０８お
よび１０９をマスクとして、ＣＦ４ガスによるドライエ
ツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧Ｑ 、 Ｑ ７
Ｔｏｒｒ）を行い、ｎ中層ｉｏａを除去し受光部１１
０を形成する［第１図（Ｇ）］ 。
よび１０９をマスクとして、ＣＦ４ガスによるドライエ
ツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧Ｑ 、 Ｑ ７
Ｔｏｒｒ）を行い、ｎ中層ｉｏａを除去し受光部１１
０を形成する［第１図（Ｇ）］ 。
このように、光導電層１０５を上下両電極によって接続
したフォトセンサでは、従来に比べて４〜５倍の光電流
を得ることができた。
したフォトセンサでは、従来に比べて４〜５倍の光電流
を得ることができた。
第２図は、本発明の第２実施例の断面図である。本実施
例では、下電極１０３および１０４の間隔Ｌ１を１２ｇ
ｍ、上電極１０８および１０９の間隔Ｌ２を８ｐＬｍと
した。
例では、下電極１０３および１０４の間隔Ｌ１を１２ｇ
ｍ、上電極１０８および１０９の間隔Ｌ２を８ｐＬｍと
した。
このように、Ｌ、＞Ｌ２とすることで、Ｌ１＝Ｌ２の場
合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることができ
た。
合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることができ
た。
第３図は、本発明の第３実施例の製造工程図である。
まず、十分に洗浄されたガラス基板２０１の全 。
面に、スパッタリングによりＡＩ層２０２を厚さ約０．
５ＪＬｍ形成する［第３図（Ａ）］ 。
５ＪＬｍ形成する［第３図（Ａ）］ 。
次に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法に
よって、Ａｔ層２０２から下電極２０３および２０４を
形成する［第３図（Ｂ）］ 。
よって、Ａｔ層２０２から下電極２０３および２０４を
形成する［第３図（Ｂ）］ 。
続いて、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配置
し、グロー放電装置内に設置し、装置内を真空度１０−
’３ Ｔｏｒｒ、温度２３０℃とする。そして、５ｆＨ
４をＨ２で１０％に希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１
１００ｐｐに希釈したガスとを、１：１０の割合で混合
した原料ガスを用い、放電電力３０Ｗでグロー放電を行
う。これによって、下電極２０３と２０４に渡ってオー
ミックコンタクト用のｎ中層２０５が厚さ０．１５ＪＬ
ｍ堆積される［第３図（Ｃ）］。
し、グロー放電装置内に設置し、装置内を真空度１０−
’３ Ｔｏｒｒ、温度２３０℃とする。そして、５ｆＨ
４をＨ２で１０％に希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１
１００ｐｐに希釈したガスとを、１：１０の割合で混合
した原料ガスを用い、放電電力３０Ｗでグロー放電を行
う。これによって、下電極２０３と２０４に渡ってオー
ミックコンタクト用のｎ中層２０５が厚さ０．１５ＪＬ
ｍ堆積される［第３図（Ｃ）］。
次に、下電極２０３．２０４およびｎ中層２０５上に、
フォトレジスト２０６を厚さ１〜２ｇｍ塗布して約２０
分間プリベークする。そして、下電極２０３および２０
４をマスクとして。
フォトレジスト２０６を厚さ１〜２ｇｍ塗布して約２０
分間プリベークする。そして、下電極２０３および２０
４をマスクとして。
基板２０１の裏面から超高圧水銀灯で４０秒間紫外線（
ＵＶ）を照射し［第３図（Ｄ）］ 、下電極２０３およ
び２０４上のフォトレジスト２０７および２０８を残し
て他を除去する［第３図（Ｅ）］。
ＵＶ）を照射し［第３図（Ｄ）］ 、下電極２０３およ
び２０４上のフォトレジスト２０７および２０８を残し
て他を除去する［第３図（Ｅ）］。
続いて、プラズマエツチング装置内で、ＣＦ４ガスによ
るドライエツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧０
、０７ Ｔａｒｔ）を行い、下電極２０３および２０４
上のｎ中層２０５を残して他を除去する［第３図（Ｆ）
］。
るドライエツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧０
、０７ Ｔａｒｔ）を行い、下電極２０３および２０４
上のｎ中層２０５を残して他を除去する［第３図（Ｆ）
］。
次に、フォトレジスト２０７および２０８を除去した後
［第３図（Ｇ）］ 、第１図（Ｃ）〜（Ｇ）と同様に、
ａ−Ｓｉの光導電層２０９゜オーミックコンタクト用の
ｎ中層２１０、ＡＩ層２１１から上電極２１２および２
１３が各々形成される［第３図（Ｈ）〜（Ｋ）］ 。
［第３図（Ｇ）］ 、第１図（Ｃ）〜（Ｇ）と同様に、
ａ−Ｓｉの光導電層２０９゜オーミックコンタクト用の
ｎ中層２１０、ＡＩ層２１１から上電極２１２および２
１３が各々形成される［第３図（Ｈ）〜（Ｋ）］ 。
このようにして形成された本実施例では、下型−極２０
３および２０４にもオーミックコンタクト用のｎ中層２
０５が形成され、第１および第２実施例よりも更に大き
な光電流を得ることができた。
３および２０４にもオーミックコンタクト用のｎ中層２
０５が形成され、第１および第２実施例よりも更に大き
な光電流を得ることができた。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によるフォトセンサ
は、ａ−５ｉ等の光電変換部のト下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続されているために
、従来と同様の電極パターンを用いても大きな光電流を
得ることができ、駆動が容易となる。
は、ａ−５ｉ等の光電変換部のト下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続されているために
、従来と同様の電極パターンを用いても大きな光電流を
得ることができ、駆動が容易となる。
また、電極が２層形成されているために、断線等のりベ
アが容易となり、歩留りが大幅に向トする。
アが容易となり、歩留りが大幅に向トする。
さらに、十分に厚い電極を有するために、センサの基板
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向上
する。
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向上
する。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図、 第２図は、本発明の第２実施例の断面図、第３図は、本
発明の第３実施例の製造工程図。 第４図は、従来のプレナー型の光′導電型フォトセンサ
の一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は
、第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。 ｉｏｔ、２０１．ガラス基板、 １０３．１０４，２０３，２０４．下電極１０８．１０
９，２１２，２１３Ｈ上電極１０５．２０９；光導電層 第 （Ａ） ４ μｍ （Ｂ）
一実施例の製造工程図、 第２図は、本発明の第２実施例の断面図、第３図は、本
発明の第３実施例の製造工程図。 第４図は、従来のプレナー型の光′導電型フォトセンサ
の一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は
、第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。 ｉｏｔ、２０１．ガラス基板、 １０３．１０４，２０３，２０４．下電極１０８．１０
９，２１２，２１３Ｈ上電極１０５．２０９；光導電層 第 （Ａ） ４ μｍ （Ｂ）
Claims (1)
- （１）基板上に光電変換部を有するフォトセンサにおい
て、 微小間隔で対向配置されるとともに前記 光電変換部の上下面に接続された電極を有し、該上下の
電極が電気的に接続されていることを特徴とするフォト
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151381A JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151381A JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130070A true JPS6130070A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15517326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151381A Pending JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469058A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Alps Electric Co Ltd | Photosensor |
| JPH04300354A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Friedrich Dinkelman | 帯状繊維面状物品を連続的に研摩する方法及び装置 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP59151381A patent/JPS6130070A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469058A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Alps Electric Co Ltd | Photosensor |
| JPH04300354A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Friedrich Dinkelman | 帯状繊維面状物品を連続的に研摩する方法及び装置 |
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