JPS6139571A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPS6139571A JPS6139571A JP15865784A JP15865784A JPS6139571A JP S6139571 A JPS6139571 A JP S6139571A JP 15865784 A JP15865784 A JP 15865784A JP 15865784 A JP15865784 A JP 15865784A JP S6139571 A JPS6139571 A JP S6139571A
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- Japan
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- substrate
- photosensor
- image reading
- reading device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリやデジタル複写機等において使用
される画像読取装置に関する。
される画像読取装置に関する。
従来、ファクシミリやデジタル複写機や文字読取装置等
の画像情報処理装置において、光電変換素子としてフォ
トセンサが利用されることは一般によく知られている。
の画像情報処理装置において、光電変換素子としてフォ
トセンサが利用されることは一般によく知られている。
特に、近年においてはフォトセンサを一次元に配列して
長尺ラインセンナを形成し、これを用いて高感度な画像
読取を行なうことも行なわれている。この様な画像読取
装置において用いられるフォトセンサとして、従来、非
晶質シリコン（以下、ａ−８ｔと記す）等を含む光導電
層の両面に１対の電極層を形成してなるサントイ、チ型
と呼ばれているものが例示できる。このフォトセンサは
入射光によって光導電層中に発生しｆｃ１次光電流を信
号として取シ出す方式であるため信号出力が比較的小さ
い。
長尺ラインセンナを形成し、これを用いて高感度な画像
読取を行なうことも行なわれている。この様な画像読取
装置において用いられるフォトセンサとして、従来、非
晶質シリコン（以下、ａ−８ｔと記す）等を含む光導電
層の両面に１対の電極層を形成してなるサントイ、チ型
と呼ばれているものが例示できる。このフォトセンサは
入射光によって光導電層中に発生しｆｃ１次光電流を信
号として取シ出す方式であるため信号出力が比較的小さ
い。
ところで、以上の如き画像読取装置において各フォトセ
ンサを独立に駆動すると使用する駆動ＩＣの個数が多く
なシ、装置の大型化及びコストアップを招く。辷のため
、各フォトセンサの出力線をマトリックス配線してマト
リックス駆動することによシ使用する駆動ｒｃの個数を
減らすことが望ましい。
ンサを独立に駆動すると使用する駆動ＩＣの個数が多く
なシ、装置の大型化及びコストアップを招く。辷のため
、各フォトセンサの出力線をマトリックス配線してマト
リックス駆動することによシ使用する駆動ｒｃの個数を
減らすことが望ましい。
しかしながら、上記の如きサンドイッチ型フォトセンサ
においては信号出力が小さいためマトリックス駆動を行
なうには不利である。
においては信号出力が小さいためマトリックス駆動を行
なうには不利である。
そこで、近年、ａ−８ｔ等を含む光導電層の同一表面に
受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて１対の
電極を形成してなるブレ六−型と呼ばれるフォトセンサ
が用いられる様になってきている。とのフォトセンサは
光導電層中での２次光電流を信号として取り出す方式で
あるため、サンドイッチ型フォトセンサに比べ信号出力
が大きいという利点があシ、上記マトリックス駆動には
好適である。
受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて１対の
電極を形成してなるブレ六−型と呼ばれるフォトセンサ
が用いられる様になってきている。とのフォトセンサは
光導電層中での２次光電流を信号として取り出す方式で
あるため、サンドイッチ型フォトセンサに比べ信号出力
が大きいという利点があシ、上記マトリックス駆動には
好適である。
ところで、この様なプレナー型フォトセンナを構成する
ａ−８ｔの製造法としてはプラ女マＣＶＤ法、反応性ス
パッタリング法、イオングレーティング法等があシ、い
づれもグロー放電によって反応が促進せしめられる。し
かし、いづれの場合においても高い光導電率を有する良
質のａ−８ｔ膜を得るには比較的低い放電電力で膜形成
を行なう必要がある。しかしながら、この様な低い放電
電力での膜形成によシ得られた光導電層はガラスやセラ
ミック等からなる基板との密着性が十分ではなく、その
後の電極形成時のフォトリソグラフィ一工程等を経る際
に膜はがれを生じ易いという問題があった。
ａ−８ｔの製造法としてはプラ女マＣＶＤ法、反応性ス
パッタリング法、イオングレーティング法等があシ、い
づれもグロー放電によって反応が促進せしめられる。し
かし、いづれの場合においても高い光導電率を有する良
質のａ−８ｔ膜を得るには比較的低い放電電力で膜形成
を行なう必要がある。しかしながら、この様な低い放電
電力での膜形成によシ得られた光導電層はガラスやセラ
ミック等からなる基板との密着性が十分ではなく、その
後の電極形成時のフォトリソグラフィ一工程等を経る際
に膜はがれを生じ易いという問題があった。
そこで、従来、膜はがれを防止するために、基板表面を
荒らした後にａ−８１を堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基板表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よシエッチングしたり、あるいは物理的に例えばブラシ
等によシ擦過したシしておくのである。ところが、この
様な手法は以下に示す様々欠点を有する。
荒らした後にａ−８１を堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基板表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よシエッチングしたり、あるいは物理的に例えばブラシ
等によシ擦過したシしておくのである。ところが、この
様な手法は以下に示す様々欠点を有する。
（１）７ツ酸等の薬品を用いる場合には洗浄ラインにお
ける装置が複雑且つ高価格になる。
ける装置が複雑且つ高価格になる。
（２）基板表面の凹凸の程度を制御することが困難であ
る。
る。
（３）基板表面の粗面化時に微視的欠陥が発生し易く、
該微視的欠陥上に堆積するａ−８ｉ膜の特性が異なるた
めに特性のバラツキが発生し易い。
該微視的欠陥上に堆積するａ−８ｉ膜の特性が異なるた
めに特性のバラツキが発生し易い。
従って、以上の様なフォトセンサをマトリックス駆動さ
せる場合には、各ビットの信号のばらつきが大きいため
、ばらつき補正のための補正回路を付属させることが必
要であり、このため装置のコストアップをまねいていた
。
せる場合には、各ビットの信号のばらつきが大きいため
、ばらつき補正のための補正回路を付属させることが必
要であり、このため装置のコストアップをまねいていた
。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、プレナルフォト
センサを用いたフォトセンサアレイにおける各フォトセ
ンサの特性の均一性を向上させ、これにより画像読取装
置におけるマトリックス駆動を簡易且つ適正に行なわし
めることを目的とする。
センサを用いたフォトセンサアレイにおける各フォトセ
ンサの特性の均一性を向上させ、これにより画像読取装
置におけるマトリックス駆動を簡易且つ適正に行なわし
めることを目的とする。
本発明によれは、以上の如き目的は、各フォトセンサの
光導′ｔＬ層が屈折率の異なる２層以上の積層膜からな
り、該積層膜の最下層の屈折率が６３２８Ｘの波長の光
において３．２以下であることを特徴とする、画像読取
装置によシ達成される。
光導′ｔＬ層が屈折率の異なる２層以上の積層膜からな
り、該積層膜の最下層の屈折率が６３２８Ｘの波長の光
において３．２以下であることを特徴とする、画像読取
装置によシ達成される。
以下、本発明の具体的実施例を説明する。
尚、本明細書においては光導電層のうちの最下層をａ−
８ｔ下びき層と称し、その上の１または複数の層をａ−
８１層と称することもある。
８ｔ下びき層と称し、その上の１または複数の層をａ−
８１層と称することもある。
第１図は本発明画像読取装置の一実施例におけるフォト
センサアレイの部分斜視図であυ、第２図はその■−■
断面図である０図において、１は基板である。２はａ−
８ｉ下びき層であシ、３はａ−８ｉ層であシ、これらに
よシ光導を層が構成されている。
センサアレイの部分斜視図であυ、第２図はその■−■
断面図である０図において、１は基板である。２はａ−
８ｉ下びき層であシ、３はａ−８ｉ層であシ、これらに
よシ光導を層が構成されている。
４はオーミックーンタクト層であるｎ＋層である。
５はブロック共通電極であシ、６は個別電極である。７
は絶縁層であシ、８はスルーホールであシ、９はマトリ
ックス配線の上部電極である。
は絶縁層であシ、８はスルーホールであシ、９はマトリ
ックス配線の上部電極である。
基板１としては、コーニング社製≠７０５９、 コーニ
ング社製”７７４０、東京応化社製ＳＣＧ、石英ガラス
等のガラス、あるいは部分グレーズセラミック等のセラ
ミックその他を用いることができる。
ング社製”７７４０、東京応化社製ＳＣＧ、石英ガラス
等のガラス、あるいは部分グレーズセラミック等のセラ
ミックその他を用いることができる。
光導電層はａ−８ｔを主成分とする非晶質材料からなｐ
、ａ−８ｉ下ひき層２は屈折率３，２以下である。
、ａ−８ｉ下ひき層２は屈折率３，２以下である。
また、ａ−Ｓｉ層３は屈折率が３．２よシ大、好ましく
は３．４程度である。光導電層はプラズマＣＶＤ法、反
応性スパッタリング法、イオンシレーティング法等の方
法、特にプラズマＣＶＤ法によ層形成される。かくして
形成される光導電層においては層形成時に取シ込まれる
水素のために応力が発生し、この応力が大きすぎると基
板との密着性が劣化し、膜剥れが生じ易くなる。光導ｉ
１を層の応力の大きさは層形成時の条件、たとえばグロ
ー放電の放電電力、基板温度、原料ガス組成、原料ガス
圧を適宜設定することによシコントロールすることがで
きる。そして、基板１に隣接するａ−８ｔ下びき層２と
して、たとえば比較的大きな放１１！電力にてグロー放
電を行なって、応力の小、さい層を形成することによ）
基板１との密着性を良好に保つことができる。
は３．４程度である。光導電層はプラズマＣＶＤ法、反
応性スパッタリング法、イオンシレーティング法等の方
法、特にプラズマＣＶＤ法によ層形成される。かくして
形成される光導電層においては層形成時に取シ込まれる
水素のために応力が発生し、この応力が大きすぎると基
板との密着性が劣化し、膜剥れが生じ易くなる。光導ｉ
１を層の応力の大きさは層形成時の条件、たとえばグロ
ー放電の放電電力、基板温度、原料ガス組成、原料ガス
圧を適宜設定することによシコントロールすることがで
きる。そして、基板１に隣接するａ−８ｔ下びき層２と
して、たとえば比較的大きな放１１！電力にてグロー放
電を行なって、応力の小、さい層を形成することによ）
基板１との密着性を良好に保つことができる。
電力、光導電層の応力は該層の屈折率との相関が犬であ
シ、一般に応力が小さいと屈折率も小さいことが判って
いる。また、光導電層の光導電率を良好なものとするた
めには比較的低い放電電力にてグロー放電を行なうこと
が必要であることも判っている。
シ、一般に応力が小さいと屈折率も小さいことが判って
いる。また、光導電層の光導電率を良好なものとするた
めには比較的低い放電電力にてグロー放電を行なうこと
が必要であることも判っている。
従って、基板１上に先ず比較的大きな放電電力にてグロ
ー放電を行なって屈折率の比較的小さい、たとえば屈折
率３．２以下のａ−８ｉ下びき層２を形成した後、比較
的小さな放電電力にてグロー放電を行なって屈折率の比
較的大きい、たとえば屈折率３．４程度の高光導電率を
有するａ−Ｓｉ層３を形成するのが好ましい。
ー放電を行なって屈折率の比較的小さい、たとえば屈折
率３．２以下のａ−８ｉ下びき層２を形成した後、比較
的小さな放電電力にてグロー放電を行なって屈折率の比
較的大きい、たとえば屈折率３．４程度の高光導電率を
有するａ−Ｓｉ層３を形成するのが好ましい。
ブロック共通電極５及び個別電極６はたとえばΩ等の導
電膜からなる。
電膜からなる。
絶縁層７はＳｉＮ ： Ｈ等の絶縁性無機物膜あるいは
各種の絶縁性有機樹脂膜である。
各種の絶縁性有機樹脂膜である。
上部電極９は共通電極５及び個別電極６と同様にＢ等の
導電膜からなる。
導電膜からなる。
以下、本発明を実施例によシ詳細に説明する。
実施例１：
両面研摩済のガラス基板（コーニング社ｉｔ！”７０５
９）に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通
常の洗浄を施した。次いで、容量結合型のグロー放電分
解装置内に該ガラス基板１を所望パターンのマスクで覆
った後セットし、ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒの排気真空下で
２３０℃に維持した。次いで、該装置内にエピタキシャ
ルグレード純ＳｉＨ４ガス（小松電子社製）を１０８Ｃ
ＣＭの流量で流入せしめ、ガス圧を０．０７ Ｔｏｒｒ
に設定した。その後、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
用い、入力電圧２．０ ｋＶ 、ＲＦ（Ｒａｄｉ。
９）に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通
常の洗浄を施した。次いで、容量結合型のグロー放電分
解装置内に該ガラス基板１を所望パターンのマスクで覆
った後セットし、ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒの排気真空下で
２３０℃に維持した。次いで、該装置内にエピタキシャ
ルグレード純ＳｉＨ４ガス（小松電子社製）を１０８Ｃ
ＣＭの流量で流入せしめ、ガス圧を０．０７ Ｔｏｒｒ
に設定した。その後、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
用い、入力電圧２．０ ｋＶ 、ＲＦ（Ｒａｄｉ。
Ｆｒ＠ｑｕｅｎｃｙ）放電電力１２０Ｗで２分間グロー
放電を行ない、厚さ約４００Ｘのａ−８ｌ下びき層２を
形成した。次いで、直ちに入力電圧を０．３ｋＶに下げ
、放電電力８Ｗで４．５時間グロー放電を行ない、厚さ
約０．８μのλ−８ｉ層３を形成した。
放電を行ない、厚さ約４００Ｘのａ−８ｌ下びき層２を
形成した。次いで、直ちに入力電圧を０．３ｋＶに下げ
、放電電力８Ｗで４．５時間グロー放電を行ない、厚さ
約０．８μのλ−８ｉ層３を形成した。
続いて、Ｈ２で１０％に希釈したＳｉＨ４とＨ２で１０
０１００ｐｐ希釈したＰＨ３とを、混合比１：１０で混
合したガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミ
ックコンタクト層であるｎ＋層（厚さ約０．１５μ）を
堆積せしめた。次に電子ビーム蒸着法でＢを０．３μ厚
に堆積せしめて、導電層を形成した。
０１００ｐｐ希釈したＰＨ３とを、混合比１：１０で混
合したガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミ
ックコンタクト層であるｎ＋層（厚さ約０．１５μ）を
堆積せしめた。次に電子ビーム蒸着法でＢを０．３μ厚
に堆積せしめて、導電層を形成した。
続いてポジ壓フォトレジスト（シプレー社製ＡＺ−１３
７０）を用いて所望の形状に７オトレジストパターンを
形成した後、リン酸（８５容ｔ％水溶液）、硝酸（６０
容量チ水溶液）、氷酢酸、及び水を１６：１：２：１の
容積比で混合した液（以下、「エツチング液」という）
で露出部分の導電層を除去し、共通電極５及び個別電極
６を形成した。次いで、平行平板型の装置を用いたプラ
ズマエツチング法で、ＲＦ放電電力１２０Ｗ、ガス圧０
、０７ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるドライエ、チング
を行なって露出部分のｒ層を除去し、所望パターンのｎ
＋層４を形成した。次いでフォトレジストを剥離せしめ
た。
７０）を用いて所望の形状に７オトレジストパターンを
形成した後、リン酸（８５容ｔ％水溶液）、硝酸（６０
容量チ水溶液）、氷酢酸、及び水を１６：１：２：１の
容積比で混合した液（以下、「エツチング液」という）
で露出部分の導電層を除去し、共通電極５及び個別電極
６を形成した。次いで、平行平板型の装置を用いたプラ
ズマエツチング法で、ＲＦ放電電力１２０Ｗ、ガス圧０
、０７ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるドライエ、チング
を行なって露出部分のｒ層を除去し、所望パターンのｎ
＋層４を形成した。次いでフォトレジストを剥離せしめ
た。
次に、全面にポリイミド樹脂（日立化成社製ＰＩＱ ）
を塗布しベークした後に、ネガ凰の７オトレジスト（東
京応化社ｉ ＯＭＲ−８３＞を用いて所望の形状にパタ
ーンを形成した後、ポリイミド樹脂エツチング液（日立
化成社製ＰＩＱエッチャント）で不要な部分のＰＩＱを
除去し、ＯＭＲ−８３を剥離した後、３００℃で１時間
窒素雰囲気下で硬化させ、マトリックス配線のための絶
縁層７及びスルーホール８を形成せしめた。次に、電子
ビーム蒸着法によシＵを２μ厚に堆積させ、ポジ型フォ
トレジス）ＡＺ−１３７０及びエツチング液１をｍ−て
マトリックス配線の上部電極９を形成せしめ゛た。
を塗布しベークした後に、ネガ凰の７オトレジスト（東
京応化社ｉ ＯＭＲ−８３＞を用いて所望の形状にパタ
ーンを形成した後、ポリイミド樹脂エツチング液（日立
化成社製ＰＩＱエッチャント）で不要な部分のＰＩＱを
除去し、ＯＭＲ−８３を剥離した後、３００℃で１時間
窒素雰囲気下で硬化させ、マトリックス配線のための絶
縁層７及びスルーホール８を形成せしめた。次に、電子
ビーム蒸着法によシＵを２μ厚に堆積させ、ポジ型フォ
トレジス）ＡＺ−１３７０及びエツチング液１をｍ−て
マトリックス配線の上部電極９を形成せしめ゛た。
以上によシ第１図及び第２図に示される様な８６４個の
フォトセンサを有するフォトセンサアレイが得られた。
フォトセンサを有するフォトセンサアレイが得られた。
かくして得られた長尺フォトセンサアレイを３２ビ、）
Ｘ２７プロ、りのマトリ、クスに分解しマトリックス駆
動させる際の駆動回路図を第３図に示す。第３図におい
て、１１はフォトセンナアレイの光導電層を示し、１２
はシフトレジスターであり、１３は電流増幅器であシ、
１４はサンプルホールド手段で４．ｊ９．１５はスイッ
チングアレイである。
Ｘ２７プロ、りのマトリ、クスに分解しマトリックス駆
動させる際の駆動回路図を第３図に示す。第３図におい
て、１１はフォトセンナアレイの光導電層を示し、１２
はシフトレジスターであり、１３は電流増幅器であシ、
１４はサンプルホールド手段で４．ｊ９．１５はスイッ
チングアレイである。
上記のフォトセンサアレイを第３図の回路でマトリック
ス駆動した際の基板１側からの１００ノＸ１０Ｊｘの光
照射下の光電流の値を第４図に示す。
ス駆動した際の基板１側からの１００ノＸ１０Ｊｘの光
照射下の光電流の値を第４図に示す。
ビット間における光電流のばらつきが少ないことが分る
。
。
一方、比較のため、上記と同じガラス基板の表面をフッ
酸（４９容量チ水溶液）、硝酸（６０容量チ水溶液）及
び酢酸を１：５：４０の容積比で混合した液で３０秒間
処理し、ａ−８ｉ下びき層を形成しないことを除いて上
記工程と同様にしてゾレナー型フォトセンサアレイ（以
下、「基板酸処理有・下びき層無のフォトセンサアレイ
」と略称する）を製造した。
酸（４９容量チ水溶液）、硝酸（６０容量チ水溶液）及
び酢酸を１：５：４０の容積比で混合した液で３０秒間
処理し、ａ−８ｉ下びき層を形成しないことを除いて上
記工程と同様にしてゾレナー型フォトセンサアレイ（以
下、「基板酸処理有・下びき層無のフォトセンサアレイ
」と略称する）を製造した。
この基板酸処理有・下びき層無のフォトセンサアレイを
第３図の回□路でマトリックス駆動した際の・基板１＠
かＧの１００ Ｌｘ及び１０ｊｘの光、照射下の光電流
の値を第５図に示す。、ビット間における。
第３図の回□路でマトリックス駆動した際の・基板１＠
かＧの１００ Ｌｘ及び１０ｊｘの光、照射下の光電流
の値を第５図に示す。、ビット間における。
光電流のばらつきが大きいことが分る。
第４図及び第５図の比較から分る様に、得られる光電流
値は双方でほぼ同）程度である。これによシ、本発明装
置のフォトセンサアレイにおけるａ−ＩＪｉ下びき層２
の存在は充電流特性を劣化せしめることがないとい・う
ことか・分る。
値は双方でほぼ同）程度である。これによシ、本発明装
置のフォトセンサアレイにおけるａ−ＩＪｉ下びき層２
の存在は充電流特性を劣化せしめることがないとい・う
ことか・分る。
次に、以上２種類のフォトセンサアレイについて、阿−
条件にてヒートサイクルによる耐久性試験を行なりたど
ころ、同様に膜はがれは発生せず、十分な密着性を有す
ることが分った。
条件にてヒートサイクルによる耐久性試験を行なりたど
ころ、同様に膜はがれは発生せず、十分な密着性を有す
ることが分った。
実施例２：
実施例１の本発明装置のフォトセンサアレイ製造工程に
おいて、ａ−８ｉ下びき層２の形成の際に、放電電力及
び放電時間を以下の組合せにしてグロー放電を行なうこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
おいて、ａ−８ｉ下びき層２の形成の際に、放電電力及
び放電時間を以下の組合せにしてグロー放電を行なうこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
その結果、放電電力８０Ｗ及び５０Ｗの場合には膜はが
れを生することなくフォトセンサアレイを得ることがで
きたが、放電電力３０Ｗ、８Ｗ及び４Ｗの場合にはフォ
トレゾストＡＺ−１３７０を用いたフォトリソグン゛フ
ィ一工程（超音波洗浄機による洗浄を含む）中に膜はが
れが生じ、目的とする良好なフォトセン巾°アレイを得
ることができなかった。
れを生することなくフォトセンサアレイを得ることがで
きたが、放電電力３０Ｗ、８Ｗ及び４Ｗの場合にはフォ
トレゾストＡＺ−１３７０を用いたフォトリソグン゛フ
ィ一工程（超音波洗浄機による洗浄を含む）中に膜はが
れが生じ、目的とする良好なフォトセン巾°アレイを得
ることができなかった。
実施例３：
実施例１及び２におけると同様にしてａ−８ｉ下びき層
２を形成した後に基板１を取出し１、基板１上に形成さ
れたａ−８ｉ下びき層２の屈折率を測定した。
２を形成した後に基板１を取出し１、基板１上に形成さ
れたａ−８ｉ下びき層２の屈折率を測定した。
グロー放電の放電電力と１−８ｉ下びき層２゛の屈折率
との関係を第６図に示す。
との関係を第６図に示す。
基板と光導電層との密着性は膜形成におけるグロー放電
の放電電力に１係しておシ、膜はがれは薄膜の内部構造
に依存して訪起される真性応力と、基板との熱膨張係数
の差に依存した内部応力との合成による全応力に起因す
ると考えられている。
の放電電力に１係しておシ、膜はがれは薄膜の内部構造
に依存して訪起される真性応力と、基板との熱膨張係数
の差に依存した内部応力との合成による全応力に起因す
ると考えられている。
そこで、上記基板１上に形成されたａ−８，ｉ下びき層
２の全応力を測定した。グロー放電の放ｔｌｔ＆、力と
ａ−８ｉ下びき層２の全応力との関係を第７図に示す。
２の全応力を測定した。グロー放電の放ｔｌｔ＆、力と
ａ−８ｉ下びき層２の全応力との関係を第７図に示す。
応力は圧縮応力として現われ、放電電力がＩＯＷ付近で
最大値を示すが、放電電力の増大とともに応力が小さく
なる。放電電力の増大につれて応力が小さくなるのは主
に膜中に多くなるぎイドが引張シ応力を発生し、圧縮応
力を相殺するためであると考えられる。
最大値を示すが、放電電力の増大とともに応力が小さく
なる。放電電力の増大につれて応力が小さくなるのは主
に膜中に多くなるぎイドが引張シ応力を発生し、圧縮応
力を相殺するためであると考えられる。
前記の通シ、光導電層の光導電率は膜形成における放電
電力に関係し、所要の光導電特性を得るためには比較的
低い放電電力で堆積を行なうことが必要であり、従って
上記実施例１及び２・ＫおけるニーＳｔ層３は比較的低
い放電電力にて堆積されたのである。
電力に関係し、所要の光導電特性を得るためには比較的
低い放電電力で堆積を行なうことが必要であり、従って
上記実施例１及び２・ＫおけるニーＳｔ層３は比較的低
い放電電力にて堆積されたのである。
以上から、本発明装置にシけるフォトセンサアレイのａ
−８ｉ下びき層２は応力緩和層としての作用を有してお
）、基板と光導電層との密着性を向上させる効果を発揮
することが分る。また、このフォトセンサアレイにおい
ては、基板１側から光を照射して使用する場合には良好
な光導電特性を得るためａ−８ｉ下びき７８２の厚さは
あまシ厚くない方が好ましく、たとえばｌ０ＧＯ！以下
であるのが望ましい。
−８ｉ下びき層２は応力緩和層としての作用を有してお
）、基板と光導電層との密着性を向上させる効果を発揮
することが分る。また、このフォトセンサアレイにおい
ては、基板１側から光を照射して使用する場合には良好
な光導電特性を得るためａ−８ｉ下びき７８２の厚さは
あまシ厚くない方が好ましく、たとえばｌ０ＧＯ！以下
であるのが望ましい。
尚、基板１＠と反対の側、から光を入射せしめる場合に
はａ−８ｉ下びき層２での光吸収による光電変換特性へ
の影響は考厘する必要がないため、ａ−８ｉ下びき層２
はかなシ厚くても良い。
はａ−８ｉ下びき層２での光吸収による光電変換特性へ
の影響は考厘する必要がないため、ａ−８ｉ下びき層２
はかなシ厚くても良い。
実施ＮＪ４：
実施例１の本発明装置のフォトセンサアレイ製造工程に
おいて、ａ−８ｉＡｉｌｉ ３の形成の後に放電電力を
８０ＷＫ上ばて２５分間グロー放電を行ない、更にａ−
８ｉ層を形成することを除いて、実施例１と同様の工程
を行なった。
おいて、ａ−８ｉＡｉｌｉ ３の形成の後に放電電力を
８０ＷＫ上ばて２５分間グロー放電を行ない、更にａ−
８ｉ層を形成することを除いて、実施例１と同様の工程
を行なった。
第８図はかくして得られたプレナー型フォトセンサアレ
イの部分断面図であり、第２図と同様の部分を示す。第
８図において、第２図と同様の部材には同一符号を付し
てあシ、３′はａ−８ｉ Ｎである。
イの部分断面図であり、第２図と同様の部分を示す。第
８図において、第２図と同様の部材には同一符号を付し
てあシ、３′はａ−８ｉ Ｎである。
ａ−８ｉ層３′の厚さは０．３μであり、この層の単位
厚さ当シの形成速度は放電電力を上げ念ためａ−Ｓ１層
３０阜位厚さ当りの形成速度よシも著しく大きい。
厚さ当シの形成速度は放電電力を上げ念ためａ−Ｓ１層
３０阜位厚さ当りの形成速度よシも著しく大きい。
本実施例によシ得られたフォトセンチアレイにおいては
ａ−Ｓｌ下びきＰＪＪ２、ａ−８ｉ層３及びａ−ＳＩ
ＮＩ３’によシ光導ＩＩ！層が構成される０本実施例フ
ォトセンサアレイによればａ−８ｉ層の膜厚増加により
、得られる光電流は実施例１のものよシ大きい。
ａ−Ｓｌ下びきＰＪＪ２、ａ−８ｉ層３及びａ−ＳＩ
ＮＩ３’によシ光導ＩＩ！層が構成される０本実施例フ
ォトセンサアレイによればａ−８ｉ層の膜厚増加により
、得られる光電流は実施例１のものよシ大きい。
実施例５：
実施例１の本発明装置のフォトセンサアレイ製造工程に
おいて、ａ−Ｓｉ下びき層２の形成の際に基板温度を７
０℃に維持し、放電電力８Ｗで１５分間グロー放電する
ことを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
おいて、ａ−Ｓｉ下びき層２の形成の際に基板温度を７
０℃に維持し、放電電力８Ｗで１５分間グロー放電する
ことを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
同一の条件でａ−８ｌ下びき層２を形成した時点で基板
１を取出してａ−８ｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１０であり九。
１を取出してａ−８ｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１０であり九。
本実施例において得られたフォトセンサアレイは実施例
１において得られた本発明装置のフォトセンサアレイと
同様に良好なものであった。
１において得られた本発明装置のフォトセンサアレイと
同様に良好なものであった。
実施例６：
実施例１０本発明装置の７オトセンナアレイ製造工程に
おいて、ａ−８ｉ下びき膚２の形成の際に原料ガスとし
てＨ２で５チに希釈したＳ ｉ Ｈ４を用い、放電電力
３０Ｗで１０分間グロー放電することを除いて、実施例
１と同様の工程を行なった。
おいて、ａ−８ｉ下びき膚２の形成の際に原料ガスとし
てＨ２で５チに希釈したＳ ｉ Ｈ４を用い、放電電力
３０Ｗで１０分間グロー放電することを除いて、実施例
１と同様の工程を行なった。
同一の条件でａ−８ｌ下ひき０層２を形成した時点で基
板を取出してａ−Ｓｉ下びき層２の屈折率測定を行なり
たとこる３、０２でありた。
板を取出してａ−Ｓｉ下びき層２の屈折率測定を行なり
たとこる３、０２でありた。
本実施例において得られたフォトセンサアレイは実施例
１において得られた本発明装置のフォトセンサアレイと
同様に良好なものであった。
１において得られた本発明装置のフォトセンサアレイと
同様に良好なものであった。
実施例７：
実施例１０本発明装置のフォトセンサアレイ製造工程に
おいて、ａ−８ｔ下びき層２の形成の際にガス圧を０．
３０ Ｔｏｒｒとし、放電電力ｓｏｗで５分間グロー放
電することを除いて、実施例１と同様の工程を行なった
。
おいて、ａ−８ｔ下びき層２の形成の際にガス圧を０．
３０ Ｔｏｒｒとし、放電電力ｓｏｗで５分間グロー放
電することを除いて、実施例１と同様の工程を行なった
。
同一の条件でａ−８’ｌ下びき層２を形成した時点で基
板を取出してａ−Ｓｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１２であった。
板を取出してａ−Ｓｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１２であった。
本実施例において得られたフォトセンサアレイは実施例
１において得られた本発明装置の７オトセンプアレイと
同様に良好なものであった。
１において得られた本発明装置の７オトセンプアレイと
同様に良好なものであった。
実施例８：
実施例１において得られた本発明装置のフォトセンサア
レイを、第９図に示される様な駆動回路をＩＣチ、グ化
したものを用いて、マトリックス駆動せしめた。尚、第
９図において、１１はフォトセンサアレイの光導電層を
示し、１２はシフトレジスターであり、１３は電流増幅
器であシ、１４及び１４′はサンプルホールド手段であ
り、１５及ヒ１５′はスイッチングアレイであシ、１６
は差動信号増幅手段である。
レイを、第９図に示される様な駆動回路をＩＣチ、グ化
したものを用いて、マトリックス駆動せしめた。尚、第
９図において、１１はフォトセンサアレイの光導電層を
示し、１２はシフトレジスターであり、１３は電流増幅
器であシ、１４及び１４′はサンプルホールド手段であ
り、１５及ヒ１５′はスイッチングアレイであシ、１６
は差動信号増幅手段である。
以上の如き本発明画像読取装置によれば、フォトセンサ
の特性が均一化されているので補正回路を用いることな
くマトリ、クス駆動による正確な信号の読出しが可能と
なる。
の特性が均一化されているので補正回路を用いることな
くマトリ、クス駆動による正確な信号の読出しが可能と
なる。
第１図は本発明装置のフォトセンサアレイの部分斜視図
であシ、第２図はその■−■断面図であシ、第３図及び
第９図はマトリックス駆動回路図であシ、第４図及び第
５図はフォトセンサアレイの充電流特性を示すグラフで
あシ、第６図及び第７図はａ−８ｉ下ひき層の特性を示
すグラフであり、第８図はフォトセンサアレイの断面図
である。 １：基板、２：ａ−８ｌ下びき層、３：ａ−８ｉ層、４
：ｎ＋層、５ニブロック共通電極、６：個別電極、７；
絶縁層、８ニスルーホール、゛９：上部電極。 第２図 第３図 第４図 一フ 第５図 ヒ゛・ソト労（ 第６図 第８図 第９図 σ５Ｗｔ ／％＋ａごＷπ
であシ、第２図はその■−■断面図であシ、第３図及び
第９図はマトリックス駆動回路図であシ、第４図及び第
５図はフォトセンサアレイの充電流特性を示すグラフで
あシ、第６図及び第７図はａ−８ｉ下ひき層の特性を示
すグラフであり、第８図はフォトセンサアレイの断面図
である。 １：基板、２：ａ−８ｌ下びき層、３：ａ−８ｉ層、４
：ｎ＋層、５ニブロック共通電極、６：個別電極、７；
絶縁層、８ニスルーホール、゛９：上部電極。 第２図 第３図 第４図 一フ 第５図 ヒ゛・ソト労（ 第６図 第８図 第９図 σ５Ｗｔ ／％＋ａごＷπ
Claims (2)
- （１）基板上に非晶質シリコンを主成分とする光導電層
が形成されており該光導電層の同一表面に受光部の少な
くとも一部を構成する間隔を設けて一対の電極が配設さ
れているフォトセンサを複数個配列し、各フォトセンサ
をマトリックス駆動せしめる画像読取装置において、各
フォトセンサの光導電層が屈折率の異なる２層以上の積
層膜からなり、該積層膜の最下層の屈折率が６３２８Å
の波長の光において３．２以下であることを特徴とする
、画像読取装置。 - （２）光導電層の最下層の厚さが１０００Å以下である
、第１項の画像読取装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865784A JPS6139571A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 画像読取装置 |
| GB08518195A GB2163289B (en) | 1984-07-19 | 1985-07-18 | Long size image sensor unit and photosensors for use in this sensor unit and a method of manufacturing the photosensors |
| FR8511018A FR2568060B1 (fr) | 1984-07-19 | 1985-07-18 | Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs |
| DE19853525881 DE3525881A1 (de) | 1984-07-19 | 1985-07-19 | Bildsensoreinheit in langformat, fotosensoren hierfuer und verfahren zur herstellung der fotosensoren |
| US07/024,701 US4763010A (en) | 1984-07-19 | 1987-03-11 | Long size image sensor having improved consistency among individual photosensors |
| US07/169,467 US4792670A (en) | 1984-07-19 | 1988-03-10 | Method of manufacturing photosensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865784A JPS6139571A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139571A true JPS6139571A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15676497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865784A Pending JPS6139571A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-31 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113625329A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-11-09 | 清华大学 | 对伽马光子敏感的阻性板室探测器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160478A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Photoelectric converter |
| JPS56138968A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56138967A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56167370A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar cell |
| JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
| JPS598368A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Toshiba Corp | カラ−イメ−ジセンサ− |
| JPS5943568A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15865784A patent/JPS6139571A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160478A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Photoelectric converter |
| JPS56138968A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56138967A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56167370A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar cell |
| JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
| JPS598368A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Toshiba Corp | カラ−イメ−ジセンサ− |
| JPS5943568A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113625329A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-11-09 | 清华大学 | 对伽马光子敏感的阻性板室探测器 |
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