JPS6130104A - 周波数変調回路 - Google Patents
周波数変調回路Info
- Publication number
- JPS6130104A JPS6130104A JP14969884A JP14969884A JPS6130104A JP S6130104 A JPS6130104 A JP S6130104A JP 14969884 A JP14969884 A JP 14969884A JP 14969884 A JP14969884 A JP 14969884A JP S6130104 A JPS6130104 A JP S6130104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variable capacitance
- diode
- temperature compensation
- capacitance diode
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ゛
本発明は、入力信号に応じて容量が変化する可変容量ダ
イオードを用いて周波数変調を行い、且つ温度補償を施
して安定化を図った周波数変調回路に関するものである
。
イオードを用いて周波数変調を行い、且つ温度補償を施
して安定化を図った周波数変調回路に関するものである
。
同調回路に可変容量ダイオードを接続し、その可変容量
ダイオードに入力信号を加えて、その容量変化により発
振周波数を変化させる従来の周波数変調回路に於いては
、フリーラン々弐、同調回路温度補償方式、自動位相制
御（ＡＰＣ）方式等が適用されていた。フリーラン方式
は、温度補償手段を施さないものであるから、±５Ｘ１
０−３程度の低い安定度となり、余り使用されない方式
である。又同調回路温度補償方式は゛、同調回路のイン
ダクタンスやコンデンサに対して温度補償を施したもの
で、±１〜２Ｘ１０−３程度の安定度が得られる。又Ａ
ＰＣ方式は、温度変化に対しても発振位相が一定化され
るように制御するものであり、それによって±５Ｘ１０
−’程度の安定度が得られる。
ダイオードに入力信号を加えて、その容量変化により発
振周波数を変化させる従来の周波数変調回路に於いては
、フリーラン々弐、同調回路温度補償方式、自動位相制
御（ＡＰＣ）方式等が適用されていた。フリーラン方式
は、温度補償手段を施さないものであるから、±５Ｘ１
０−３程度の低い安定度となり、余り使用されない方式
である。又同調回路温度補償方式は゛、同調回路のイン
ダクタンスやコンデンサに対して温度補償を施したもの
で、±１〜２Ｘ１０−３程度の安定度が得られる。又Ａ
ＰＣ方式は、温度変化に対しても発振位相が一定化され
るように制御するものであり、それによって±５Ｘ１０
−’程度の安定度が得られる。
第２図は、従来の周波数変調回路の一例の要部回路図を
示し、ＩＮは入力端子、Ｃ１，Ｃ２，は結合コンデンサ
、Ｃ３は同調コンデンサ、Ｃ４゜Ｃ５はバイパスコンデ
ンサ、Ｒ１−Ｒ３は抵抗、ＲＶＩは可変抵抗、ＤＩはダ
イオード、Ｖｃ】は変調用の可変容量ダイオード、ＩＣ
は発振用集積回路、Ｌは同調インダクタンス、十Ｖは電
源電圧、ＯＵＴは出力端子である。
示し、ＩＮは入力端子、Ｃ１，Ｃ２，は結合コンデンサ
、Ｃ３は同調コンデンサ、Ｃ４゜Ｃ５はバイパスコンデ
ンサ、Ｒ１−Ｒ３は抵抗、ＲＶＩは可変抵抗、ＤＩはダ
イオード、Ｖｃ】は変調用の可変容量ダイオード、ＩＣ
は発振用集積回路、Ｌは同調インダクタンス、十Ｖは電
源電圧、ＯＵＴは出力端子である。
発振用集積回路ＩＣ（例えば、ＭＣ１６４８）は、発振
用トランジスタ等を含み、端子（１）には電源電圧＋■
が加えられ、端子（３）は出力端子１０ＵＴに接続され
、端子（５）はコンチンへ０５を介して接地され、端子
（７）は直接接地され、端子（１ｍ、 （１２）間に同
調コンデンサＣ３と同調インダクタンスＬとが接続され
ている。この同調コンデンサＣ３と同調インダクタンス
Ｌとからなる同調回路は、コンデンサＣ４を介して接地
され、又コンデンサＣ３を介して変調用の可変容量ダイ
オードＶＣＩと接続され、無信号時の可変容量ダイオー
ドＶＣＩの容量と、同調コンデンサＣ３の容量と、同調
インダクタンスＬとにより、中心周波数が決定されるこ
とになる。
用トランジスタ等を含み、端子（１）には電源電圧＋■
が加えられ、端子（３）は出力端子１０ＵＴに接続され
、端子（５）はコンチンへ０５を介して接地され、端子
（７）は直接接地され、端子（１ｍ、 （１２）間に同
調コンデンサＣ３と同調インダクタンスＬとが接続され
ている。この同調コンデンサＣ３と同調インダクタンス
Ｌとからなる同調回路は、コンデンサＣ４を介して接地
され、又コンデンサＣ３を介して変調用の可変容量ダイ
オードＶＣＩと接続され、無信号時の可変容量ダイオー
ドＶＣＩの容量と、同調コンデンサＣ３の容量と、同調
インダクタンスＬとにより、中心周波数が決定されるこ
とになる。
入力端子ＩＮに加えられた信号は、コンデンサＣ１を介
して可変容量ダイオードＶＣＩに加えられる。この可変
容量ダイオードＶＣＩには、電源電圧＋Ｖを抵抗Ｒ１，
Ｒ２で分圧した電圧と、可変抵抗ＲＶＩと抵抗Ｒ３で分
圧した電圧とがそれぞれ両端に加えられて、直線性の良
い変調特性が得られるように、逆バイアス電圧が設定さ
れている。なお、ダイオードＤ１は、可変容量ダイード
ｖＣ１の温度補償用のダイオードである。
して可変容量ダイオードＶＣＩに加えられる。この可変
容量ダイオードＶＣＩには、電源電圧＋Ｖを抵抗Ｒ１，
Ｒ２で分圧した電圧と、可変抵抗ＲＶＩと抵抗Ｒ３で分
圧した電圧とがそれぞれ両端に加えられて、直線性の良
い変調特性が得られるように、逆バイアス電圧が設定さ
れている。なお、ダイオードＤ１は、可変容量ダイード
ｖＣ１の温度補償用のダイオードである。
入力信号に対応して可変容量ダイオードＶＣＩの容量が
変化し、この可変容量ダイオードＶＣＩは、コンデンサ
Ｃ２を介して同調回路と結合されているので、同調周波
数が変化する。従って、発振用集積回路ＩＣによる発振
周波数が変化し、出力端子ＯＵＴから周波数変調信号が
出力されることになる。
変化し、この可変容量ダイオードＶＣＩは、コンデンサ
Ｃ２を介して同調回路と結合されているので、同調周波
数が変化する。従って、発振用集積回路ＩＣによる発振
周波数が変化し、出力端子ＯＵＴから周波数変調信号が
出力されることになる。
第２図に示す従来例の周波数変調回路に於いては、ダイ
オードＤ１により変調用の可変容量ダイオードｖＣ１の
温度補償を行うことができるが、同調インダクタンスＬ
を含む同調回路の温度補償まで行うことができず、従っ
て、安定度は、例えば、±１〜２Ｘ１０−”程度が限度
となる。一方、ＡＰＣ方式は、安定度が±５Ｘ１０−’
程度に改善されるものであるが、回路構成が複雑で、高
価となる欠点がある。本発明は、比較的簡単な構成によ
り、ＡＰＣ方式程度の安定度が得られるようにすること
を目的とするものである。
オードＤ１により変調用の可変容量ダイオードｖＣ１の
温度補償を行うことができるが、同調インダクタンスＬ
を含む同調回路の温度補償まで行うことができず、従っ
て、安定度は、例えば、±１〜２Ｘ１０−”程度が限度
となる。一方、ＡＰＣ方式は、安定度が±５Ｘ１０−’
程度に改善されるものであるが、回路構成が複雑で、高
価となる欠点がある。本発明は、比較的簡単な構成によ
り、ＡＰＣ方式程度の安定度が得られるようにすること
を目的とするものである。
本発明の周波数変調回路は、入力信号を変調用可変容量
ダイオードに加え、該変調用可変容量ダイオードの容量
変化に対応して発振周波数を変化させる周波数変調回路
に於いて、温度補償用のダイオードやサーミスタ等の温
度補償用素子を接続した温度補償用可変容量ダイオード
を、前記変調用可変容量ダイオードにコンデンサを介し
て並列に接続したものである。
ダイオードに加え、該変調用可変容量ダイオードの容量
変化に対応して発振周波数を変化させる周波数変調回路
に於いて、温度補償用のダイオードやサーミスタ等の温
度補償用素子を接続した温度補償用可変容量ダイオード
を、前記変調用可変容量ダイオードにコンデンサを介し
て並列に接続したものである。
温度補償用素子を介して温度補償用可変容量ダイオード
に電圧を印加するから、温度に対応して温度補償用の可
変容量ダイオードの容量が変化し、この温度補償用の可
変容量ダイオードは、変調用の可変容量ダイオードとコ
ンデンサを介して並列に接続されているので、温度によ
る周波数変調特性の変化を補償することができる。
に電圧を印加するから、温度に対応して温度補償用の可
変容量ダイオードの容量が変化し、この温度補償用の可
変容量ダイオードは、変調用の可変容量ダイオードとコ
ンデンサを介して並列に接続されているので、温度によ
る周波数変調特性の変化を補償することができる。
（実施例〕
以下図面を参照して、本発明の実施例について詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の実施例の回路図であり、第２図と同
一符号は同一部分を示し、Ｒ４，Ｒ５は抵抗、ＲＶ２は
可変抵抗、Ｄ２．Ｄ３は温度補償用ダイオード、ＶＯ２
は温度補償用の可変容量ダイオード、Ｃ６は結合コンデ
ンサである。温度補償用の可変容量ダイオードＶＣ２に
は、ダイオードＤ２．Ｄ３、可変抵’ｔｆＲＶ２、抵抗
Ｒ４，Ｒ５により逆バイアスが加えられる。温度補償用
のダイオードＤ２．Ｄ３の接続個数や可変抵抗ＲＶ２の
調整により、同調回路を含む全体的な温度補償を行う為
の逆バイアスが設定される。
一符号は同一部分を示し、Ｒ４，Ｒ５は抵抗、ＲＶ２は
可変抵抗、Ｄ２．Ｄ３は温度補償用ダイオード、ＶＯ２
は温度補償用の可変容量ダイオード、Ｃ６は結合コンデ
ンサである。温度補償用の可変容量ダイオードＶＣ２に
は、ダイオードＤ２．Ｄ３、可変抵’ｔｆＲＶ２、抵抗
Ｒ４，Ｒ５により逆バイアスが加えられる。温度補償用
のダイオードＤ２．Ｄ３の接続個数や可変抵抗ＲＶ２の
調整により、同調回路を含む全体的な温度補償を行う為
の逆バイアスが設定される。
この実施例に於いては、温度補償用のダイオードＤ２．
Ｄ３が電源電圧＋Ｖ側に接続されているが、温度補償特
性の傾きが反対である場合は、抵抗Ｒ４と直列に温度補
償用のダイオードを接続するものである。即ち、温度変
化による可変容量ダイオードＶＣ２の逆バイアス特性が
、温度補償用のダイオードＤ２．Ｄ３を可変抵抗ＶＲ２
に直列に接続した場合と、抵抗Ｒ４に直列に接続した場
合とでは、反対となるものである。 −又温度補償用の
可変容量ダイオードＶＣ２は、コンデンサＣ６を介して
同調回路に接続されているので、変調用の可変容量ダイ
オード■Ｃ１とは、コンデンサＣ２，Ｃ６を介して並列
に一接続された構成となる。従って、温度補償用の可変
容量ダイオードＶＣ２の容量変化が、周波数変調特性に
無関係に温度補償を行うことができる。
Ｄ３が電源電圧＋Ｖ側に接続されているが、温度補償特
性の傾きが反対である場合は、抵抗Ｒ４と直列に温度補
償用のダイオードを接続するものである。即ち、温度変
化による可変容量ダイオードＶＣ２の逆バイアス特性が
、温度補償用のダイオードＤ２．Ｄ３を可変抵抗ＶＲ２
に直列に接続した場合と、抵抗Ｒ４に直列に接続した場
合とでは、反対となるものである。 −又温度補償用の
可変容量ダイオードＶＣ２は、コンデンサＣ６を介して
同調回路に接続されているので、変調用の可変容量ダイ
オード■Ｃ１とは、コンデンサＣ２，Ｃ６を介して並列
に一接続された構成となる。従って、温度補償用の可変
容量ダイオードＶＣ２の容量変化が、周波数変調特性に
無関係に温度補償を行うことができる。
又温度補償用のダイオードＤ２．Ｄ３の代わりに、サー
ミスタやポジスタ等の感温抵抗等の温度補償用素子を用
いることも可能であり、又ダイオードとを組合せて接続
することも可能である。このような素子を用いた場合は
、温度補償用の可変容量ダイオードＶＣ２の逆バイアス
を温度により大きく変化させて、同調回路を含む全体的
な温度特性が悪い場合でも、温度補償を施すことが可能
となるものである。
ミスタやポジスタ等の感温抵抗等の温度補償用素子を用
いることも可能であり、又ダイオードとを組合せて接続
することも可能である。このような素子を用いた場合は
、温度補償用の可変容量ダイオードＶＣ２の逆バイアス
を温度により大きく変化させて、同調回路を含む全体的
な温度特性が悪い場合でも、温度補償を施すことが可能
となるものである。
以上説明したように、本発明は、ダイオードＤ２、Ｄ３
等の温度補償用素子を接続した温度補償用の可変容量ダ
イオードＶＣ２を、変調用の可変容量ダイオードＶＣ１
にコンデンサを介して並列に接続したものであり、ＡＰ
Ｃ方式のような複雑な回路構成を用いることなく、ＡＰ
Ｃ方式とほぼ同様な±５Ｘ１０−’程度の安定度を容易
に得ることができる利点がある。
等の温度補償用素子を接続した温度補償用の可変容量ダ
イオードＶＣ２を、変調用の可変容量ダイオードＶＣ１
にコンデンサを介して並列に接続したものであり、ＡＰ
Ｃ方式のような複雑な回路構成を用いることなく、ＡＰ
Ｃ方式とほぼ同様な±５Ｘ１０−’程度の安定度を容易
に得ることができる利点がある。
第１図は本発明の実施例の要部回路図、第２図は従来例
の要部回路図である。 ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、ＶＣＩは変調用可
変容量ダイオード、ＶＯ２は温度補償用可変容量ダイオ
ード、Ｄ１〜Ｄ３は温度補償用のダイオード、Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ６は結合コンデンサ、Ｃ３は同調コンデンサ、Ｃ
４，Ｃ５はバイパスコンデンサ、Ｒ１−Ｒ５は抵抗、Ｒ
ＶＩ、ＲＶ２は可変抵抗、Ｌは同調インダクタンス、Ｉ
Ｃは発振用集積回路である。
の要部回路図である。 ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、ＶＣＩは変調用可
変容量ダイオード、ＶＯ２は温度補償用可変容量ダイオ
ード、Ｄ１〜Ｄ３は温度補償用のダイオード、Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ６は結合コンデンサ、Ｃ３は同調コンデンサ、Ｃ
４，Ｃ５はバイパスコンデンサ、Ｒ１−Ｒ５は抵抗、Ｒ
ＶＩ、ＲＶ２は可変抵抗、Ｌは同調インダクタンス、Ｉ
Ｃは発振用集積回路である。
Claims (1)
- 入力信号を変調用可変容量ダイオードに加え、該変調用
可変容量ダイオードの容量変化に対応して発振周波数を
変化させる周波数変調回路に於いて、温度補償用素子を
接続した温度補償用可変容量ダイオードを、前記変調用
可変容量ダイオードにコンデンサを介して並列に接続し
たことを特徴とする周波数変調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14969884A JPS6130104A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 周波数変調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14969884A JPS6130104A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 周波数変調回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130104A true JPS6130104A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15480858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14969884A Pending JPS6130104A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 周波数変調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012976A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | C-Mac Quartz Crystals Limited | A variable reactance tuning circuit |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14969884A patent/JPS6130104A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012976A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | C-Mac Quartz Crystals Limited | A variable reactance tuning circuit |
| GB2378330B (en) * | 2001-08-02 | 2005-08-10 | C Mac Quartz Crystals Ltd | A variable reactance tuning circuit |
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