JPH01280903A - 周波数可変同調回路 - Google Patents
周波数可変同調回路Info
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- JPH01280903A JPH01280903A JP11098588A JP11098588A JPH01280903A JP H01280903 A JPH01280903 A JP H01280903A JP 11098588 A JP11098588 A JP 11098588A JP 11098588 A JP11098588 A JP 11098588A JP H01280903 A JPH01280903 A JP H01280903A
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- Japan
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- impressed voltage
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- tuning circuit
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Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波装置に用いられる周波数可変同調回路に
関し、特に可変容量ダイオードを用いた同調回路に関す
る。
関し、特に可変容量ダイオードを用いた同調回路に関す
る。
従来、この種の周波数可変同調回路は、同調機能として
用いる可変容量ダイオードの印加電圧と容量変化の特性
が同一のものを複数(n)個並列結合する構成になって
おり、これらダイオードの直列抵抗成分子sをr S
/ nに低減し、同調回路のクォリティファクタQを改
善する手法として用いられている。なお、Q=ωL/r
、ただし、ωは角周波数、Lは同調回路のインダクタン
ス、rは同調回路の抵抗とする。
用いる可変容量ダイオードの印加電圧と容量変化の特性
が同一のものを複数(n)個並列結合する構成になって
おり、これらダイオードの直列抵抗成分子sをr S
/ nに低減し、同調回路のクォリティファクタQを改
善する手法として用いられている。なお、Q=ωL/r
、ただし、ωは角周波数、Lは同調回路のインダクタン
ス、rは同調回路の抵抗とする。
上述した従来の周波数可変同調回路では、同調回路のQ
を改善することはできるが、印加電圧に対する周波数可
変の直線性については改善されないという欠点がある。
を改善することはできるが、印加電圧に対する周波数可
変の直線性については改善されないという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、印加電圧に対
する周波数可変特性の直線性を改善した周波数可変同調
回路を提供することにある。
する周波数可変特性の直線性を改善した周波数可変同調
回路を提供することにある。
本発明の構成は、可変容量ダイオードを複数個並列接続
して構成された周波数可変同調回路において、前記可変
容量ダイオードが、互いに印加電圧に対する容量変化特
性の異なる特性を有するものであることを特徴とする。
して構成された周波数可変同調回路において、前記可変
容量ダイオードが、互いに印加電圧に対する容量変化特
性の異なる特性を有するものであることを特徴とする。
次に本発明の図面により詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図であり、トランジス
タQ+の高周波増幅回路における入力周波数同調回路を
示している。周波数可変の入力同調回路は、2個の可変
容量ダイオードCVI、CV2と、コンデンサC2と、
インダクタンスL1とからなり、この回路に周波数電圧
印加端子VTuから抵抗R,を介して同調電圧が印加さ
れる。
タQ+の高周波増幅回路における入力周波数同調回路を
示している。周波数可変の入力同調回路は、2個の可変
容量ダイオードCVI、CV2と、コンデンサC2と、
インダクタンスL1とからなり、この回路に周波数電圧
印加端子VTuから抵抗R,を介して同調電圧が印加さ
れる。
入力信号は、入力端子RFINから入力され、コンデン
サCI + C3を介して同調回路のインダクタンスL
1と接続され、高周波増幅回路のトランジスタQ1のベ
ースに供給される。このトランジスタQ1のベースには
電源端子■ccから抵抗R2゜抵抗R5により分圧され
たバイアス電圧が供給され、そのエミッタには抵抗R4
、コンデンサC4が接続され、そのコレクタには電源端
子VCCから高周波チョークコイルL2が接続され、出
力信号はコンデンサC5を介して出力端子RFourか
らら出力される。
サCI + C3を介して同調回路のインダクタンスL
1と接続され、高周波増幅回路のトランジスタQ1のベ
ースに供給される。このトランジスタQ1のベースには
電源端子■ccから抵抗R2゜抵抗R5により分圧され
たバイアス電圧が供給され、そのエミッタには抵抗R4
、コンデンサC4が接続され、そのコレクタには電源端
子VCCから高周波チョークコイルL2が接続され、出
力信号はコンデンサC5を介して出力端子RFourか
らら出力される。
第2図(a)、(b)は可変容量ダイオードの特性図を
示しており、第2図(a)が印加電圧■8対ダイオード
の端子問答JIC,の特性を、第2図(b)が第2図(
a>の特性の印加電圧V。
示しており、第2図(a)が印加電圧■8対ダイオード
の端子問答JIC,の特性を、第2図(b)が第2図(
a>の特性の印加電圧V。
に対する容量変化の傾き(微分係数)の変化特性を示し
ている。
ている。
本実施例の可変容量ダイオードCV、の微分係数の特性
を、第3図(a)のように、低印加電圧VLでピークの
ある特性のものとし、可変容量ダイオードCv2の微分
特性を、第3図(b)のように、高印加電圧VHでピー
クのある特性とした場合、これら可変容量ダイオードC
vl、Cv2の合成特性は、第3図(c)のように、低
電圧および高電圧共に高い微分係数をもつ特性となる。
を、第3図(a)のように、低印加電圧VLでピークの
ある特性のものとし、可変容量ダイオードCv2の微分
特性を、第3図(b)のように、高印加電圧VHでピー
クのある特性とした場合、これら可変容量ダイオードC
vl、Cv2の合成特性は、第3図(c)のように、低
電圧および高電圧共に高い微分係数をもつ特性となる。
従って、可変容量ダイオードCV、またはCV2のみを
用いた同調回路に比べて印加電圧に対する微分係数が広
範囲にわたって平坦になることにより、印加電圧単位あ
たりの容量変化の傾きの線型領域範囲が拡大されること
になり、印加電圧に対する周波数変動の直線性を改善す
ることができる。
用いた同調回路に比べて印加電圧に対する微分係数が広
範囲にわたって平坦になることにより、印加電圧単位あ
たりの容量変化の傾きの線型領域範囲が拡大されること
になり、印加電圧に対する周波数変動の直線性を改善す
ることができる。
第4図は本発明の第2の実施例の回路図で、エミッタ接
地型トランジスタQ2が高周波発振回路を構成する場合
の周波数可変同調回路を示している。発振回路は、トラ
ンジスタQ21バイアス抵抗R2,R4、ベース抵抗R
3、コンデンサC3およびチョークコイルL2からなり
、L型同調回路は、可変容量ダイオードCv 1 +
CV 21コンデンサC2およびインダクタンスL3か
なり、抵抗R5を介して同調電圧が同調電圧印加端子V
T、から供給され、発振出力はインダクタンスLlから
コンデンサC1を介して出力端子○SCから出力される
。
地型トランジスタQ2が高周波発振回路を構成する場合
の周波数可変同調回路を示している。発振回路は、トラ
ンジスタQ21バイアス抵抗R2,R4、ベース抵抗R
3、コンデンサC3およびチョークコイルL2からなり
、L型同調回路は、可変容量ダイオードCv 1 +
CV 21コンデンサC2およびインダクタンスL3か
なり、抵抗R5を介して同調電圧が同調電圧印加端子V
T、から供給され、発振出力はインダクタンスLlから
コンデンサC1を介して出力端子○SCから出力される
。
この場合も、第1の実施例と同様に、可変容量ダイオー
ドCvl、 Cy2に容量可変特性の異なる可変容量ダ
イオードを用いることにより、印加電圧単位あたりの容
量変化の傾きの線型領域を拡大することができる。
ドCvl、 Cy2に容量可変特性の異なる可変容量ダ
イオードを用いることにより、印加電圧単位あたりの容
量変化の傾きの線型領域を拡大することができる。
以上説明したように本発明は、印加電圧に対する容量変
化特性の異なる可変容量ダイオードを並列接続した周波
数可変回路を用いることにより、ダイオードの直列抵抗
成分の低減とともに印加電圧単位当りの容量変化の傾き
の線型領域範囲を広げることが出来、この線型領域範囲
の広がりによって印加電圧変動及び周囲温度変動等に対
する同調周波数変動率の線型性を広範囲に渡って向上さ
せることができる。
化特性の異なる可変容量ダイオードを並列接続した周波
数可変回路を用いることにより、ダイオードの直列抵抗
成分の低減とともに印加電圧単位当りの容量変化の傾き
の線型領域範囲を広げることが出来、この線型領域範囲
の広がりによって印加電圧変動及び周囲温度変動等に対
する同調周波数変動率の線型性を広範囲に渡って向上さ
せることができる。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図(a)、(
b)は可変容量ダイオードの印加電圧に対する容量特性
図および微分係数特性図、第3図(a)、(b)、(c
)は第1図に用いる2個の可変容量ダイオードCv 1
、 Cy2およびその組合せの微分係数特性図、第4
図は本発明の第2の実施例の回路図である。 01〜C5・・・コンデンサ、CVl、CV2・・・可
変容量ダイオード、L、、R3・・・インダクタンス、
R2・・・高周波チョークコイル、Ql、Q2・・・ト
ランジスタ、R1−R4・・・抵抗、○SC・・・発振
出力端子、RF IN、 RF out −RF入力端
子、■cc・・・電源端子、VT(1・・・同調電圧印
加端子。
b)は可変容量ダイオードの印加電圧に対する容量特性
図および微分係数特性図、第3図(a)、(b)、(c
)は第1図に用いる2個の可変容量ダイオードCv 1
、 Cy2およびその組合せの微分係数特性図、第4
図は本発明の第2の実施例の回路図である。 01〜C5・・・コンデンサ、CVl、CV2・・・可
変容量ダイオード、L、、R3・・・インダクタンス、
R2・・・高周波チョークコイル、Ql、Q2・・・ト
ランジスタ、R1−R4・・・抵抗、○SC・・・発振
出力端子、RF IN、 RF out −RF入力端
子、■cc・・・電源端子、VT(1・・・同調電圧印
加端子。
Claims (1)
- 可変容量ダイオードを複数個並列接続して構成された周
波数可変同調回路において、前記可変容量ダイオードが
、互いに印加電圧に対する容量変化特性の異なる特性を
有するものであることを特徴とする周波数可変同調回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098588A JPH01280903A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 周波数可変同調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098588A JPH01280903A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 周波数可変同調回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280903A true JPH01280903A (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=14549480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11098588A Pending JPH01280903A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 周波数可変同調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126062U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH045661U (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-20 | ||
| JPH0485809U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-27 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP11098588A patent/JPH01280903A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126062U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH045661U (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-20 | ||
| JPH0485809U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-27 |
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