JPS6130739B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6130739B2 JPS6130739B2 JP54090195A JP9019579A JPS6130739B2 JP S6130739 B2 JPS6130739 B2 JP S6130739B2 JP 54090195 A JP54090195 A JP 54090195A JP 9019579 A JP9019579 A JP 9019579A JP S6130739 B2 JPS6130739 B2 JP S6130739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- impurity region
- high concentration
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に半導体ウエーハを拡
散工程中にサンプリングして検査するプロービン
グテスト用のモニタ・パターンを備えた半導体装
置に関する。
散工程中にサンプリングして検査するプロービン
グテスト用のモニタ・パターンを備えた半導体装
置に関する。
半導体ウエーハに多数の半導体集積回路素子を
形成する場合に、個々の素子の一偶にモニタ・パ
ターンを形成し、該モニタ・パターンによつてト
ランジスタ素子特性などを検査して不純物拡散層
の深さや濃度を工程途中で制御する方法が用いら
れる、 該検査方法はベース領域などに探針を接触させ
て測定するプロービングテストと呼ばれるが、一
枚のウエーハに形成される素子数が多いために、
時間の浪費を避け、またウエーハ内の位置による
バラツキをも知るために、手動によるサンプリン
グが通常行われており、量産工程にあつては歩留
を保持するために極めて重要なテストであると共
に、微細な調整を必要とするために多くの工数を
要する工程である。
形成する場合に、個々の素子の一偶にモニタ・パ
ターンを形成し、該モニタ・パターンによつてト
ランジスタ素子特性などを検査して不純物拡散層
の深さや濃度を工程途中で制御する方法が用いら
れる、 該検査方法はベース領域などに探針を接触させ
て測定するプロービングテストと呼ばれるが、一
枚のウエーハに形成される素子数が多いために、
時間の浪費を避け、またウエーハ内の位置による
バラツキをも知るために、手動によるサンプリン
グが通常行われており、量産工程にあつては歩留
を保持するために極めて重要なテストであると共
に、微細な調整を必要とするために多くの工数を
要する工程である。
このようなプロビングテストで測定するトラン
ジスタ素子特性の内、特に重要なのは電流増巾率
（ｈFE）であり、安定した製作工程では例えば第
１図ａ及びｂに示すような横巾250μｍ、縦巾130
μｍ程度のモニタ・パターンを形成して、電流増
巾率（ｈFE）のみを推定する測定方法が用いられ
ている。
ジスタ素子特性の内、特に重要なのは電流増巾率
（ｈFE）であり、安定した製作工程では例えば第
１図ａ及びｂに示すような横巾250μｍ、縦巾130
μｍ程度のモニタ・パターンを形成して、電流増
巾率（ｈFE）のみを推定する測定方法が用いられ
ている。
第１図ａは平面図で、第１図ｂは第１図ａの
AA′断面図を示しており、npn型素子の場合には
ｎ型エピタキシヤル層１内に、P+型ベース領域
２を形成せしめ、該ベース領域２を横切つてn+
型エミツタ領域３を形成せしめている。そして、
ベース領域２の両側領域の中心位置２′及び２″に
それぞれ探針を接触せしめて、両探針間に数Ｖの
電圧を印加し、電流を流すと第１図ｂに示してい
るエミツタ領域３の下部のベース領域の厚み４に
逆比例した抵抗があらわれる。これをピンチ抵抗
と称しているが、このようなピンチ抵抗は通常数
ＫΩから数十ＫΩで、高抵抗があらわれると高い
ｈFEのトランジスタが形成されていることにな
り、このピンチ抵抗を測定して、ｈFEを推定し拡
散工程の制御を行なう。
AA′断面図を示しており、npn型素子の場合には
ｎ型エピタキシヤル層１内に、P+型ベース領域
２を形成せしめ、該ベース領域２を横切つてn+
型エミツタ領域３を形成せしめている。そして、
ベース領域２の両側領域の中心位置２′及び２″に
それぞれ探針を接触せしめて、両探針間に数Ｖの
電圧を印加し、電流を流すと第１図ｂに示してい
るエミツタ領域３の下部のベース領域の厚み４に
逆比例した抵抗があらわれる。これをピンチ抵抗
と称しているが、このようなピンチ抵抗は通常数
ＫΩから数十ＫΩで、高抵抗があらわれると高い
ｈFEのトランジスタが形成されていることにな
り、このピンチ抵抗を測定して、ｈFEを推定し拡
散工程の制御を行なう。
しかしながらこのように２本の探針を近接して
接触させるには、探針の線径に限界があり、強い
接触圧力を加えることは難かしく、そのために表
面で接触抵抗が生じて正確なピンチ抵抗値を得る
ことができない問題がある。
接触させるには、探針の線径に限界があり、強い
接触圧力を加えることは難かしく、そのために表
面で接触抵抗が生じて正確なピンチ抵抗値を得る
ことができない問題がある。
そうすれば誤つたｈFEを推定することになり所
期の特性の半導体素子に制御することが難かしく
なる。
期の特性の半導体素子に制御することが難かしく
なる。
本発明はこのような問題点を除去して、正確な
ピンチ抵抗値を得ることを目的として、一導電型
の半導体基板と、該半導体基板上に形成された反
対導電型のエピタキシヤル層と、該エピタキシヤ
ル層に形成された該半導体基板に達する第１の一
導電型高濃度不純物領域と、該エピタキシヤル層
に形成され該半導体基板に達しない第２の一導電
型高濃度不純物領域と、該第１および第２の高濃
度不純物領域に接続される一導電型の不純物領域
と、該不純物領域を横断し、かつ該不純物領域よ
り浅く形成された反対導電型の不純物領域を有す
るモニタパターンを具備することを特徴とする。
ピンチ抵抗値を得ることを目的として、一導電型
の半導体基板と、該半導体基板上に形成された反
対導電型のエピタキシヤル層と、該エピタキシヤ
ル層に形成された該半導体基板に達する第１の一
導電型高濃度不純物領域と、該エピタキシヤル層
に形成され該半導体基板に達しない第２の一導電
型高濃度不純物領域と、該第１および第２の高濃
度不純物領域に接続される一導電型の不純物領域
と、該不純物領域を横断し、かつ該不純物領域よ
り浅く形成された反対導電型の不純物領域を有す
るモニタパターンを具備することを特徴とする。
以下、本発明を一実施例によつて詳細に説明す
る。
る。
第２図ａ及びｂはウエーハ内の個々の集積回路
素子に形成された本発明のモニタパターンの１パ
ターンの一実施例で、第２図ａは平面図で、第２
図ｂは第２図ａのBB′断面図である。
素子に形成された本発明のモニタパターンの１パ
ターンの一実施例で、第２図ａは平面図で、第２
図ｂは第２図ａのBB′断面図である。
図において、Ｐ型半導体基板１０にn+型埋込
拡散層１２を拡散形成した後、該基板上にｎ型エ
ピタキシヤル層１１を積層し、次いでp+型素子
分離領域１３を形成する。その際に同時にP+型
高濃度領域１４をも拡散形成する。
拡散層１２を拡散形成した後、該基板上にｎ型エ
ピタキシヤル層１１を積層し、次いでp+型素子
分離領域１３を形成する。その際に同時にP+型
高濃度領域１４をも拡散形成する。
次いでＰ型ベース領域１５を拡散形成するが、
該ベース領域１５は一端が素子分離領域１３と接
続し、他端は上記の高濃度領域１４を包含したパ
ターン領域となつている。
該ベース領域１５は一端が素子分離領域１３と接
続し、他端は上記の高濃度領域１４を包含したパ
ターン領域となつている。
次いでn+型エミツタ領域１６をベース領域の
中央部分にベース領域を横断して形成せしめる。
中央部分にベース領域を横断して形成せしめる。
これらはすべて公知のフオトリソグラフイ技術
と拡散技術とを用いて集積回路素子と同時に形成
されるものである。
と拡散技術とを用いて集積回路素子と同時に形成
されるものである。
モニタパターンをこのような構造に形成せしめ
ると、ピンチ抵抗は第２図ｂに示しているエミツ
タ領域１６の下部のベース領域の厚み１７に逆比
例した値となるが、一端は高濃度の素子分離領域
Ｂと接続しているので、探針を用いずに、半導体
基板の裏面より測定端子を取ることができる。
ると、ピンチ抵抗は第２図ｂに示しているエミツ
タ領域１６の下部のベース領域の厚み１７に逆比
例した値となるが、一端は高濃度の素子分離領域
Ｂと接続しているので、探針を用いずに、半導体
基板の裏面より測定端子を取ることができる。
そして他端には探針を接触せしめるのであるが
該接触部分はP+型高濃度領域１４と重複して拡
散形成している位置１５′であり、非常に高濃度
となつているので、表面抵抗も低く、又その位置
にたゞ１本の探針のみを接触せしめるのであるか
ら線径が太くて強い探針を強く圧着して、接触抵
抗を大巾に減少せしめ得るので、正確なピンチ抵
抗値を測定することができて、従つて実際値によ
く一致したｈFEを知ることができる。
該接触部分はP+型高濃度領域１４と重複して拡
散形成している位置１５′であり、非常に高濃度
となつているので、表面抵抗も低く、又その位置
にたゞ１本の探針のみを接触せしめるのであるか
ら線径が太くて強い探針を強く圧着して、接触抵
抗を大巾に減少せしめ得るので、正確なピンチ抵
抗値を測定することができて、従つて実際値によ
く一致したｈFEを知ることができる。
又、プロービングテストには１本の探針のみの
接触圧着操作でよいので、測定が容易で工数の減
少となり、自動的に測定させることも困難ではな
い。
接触圧着操作でよいので、測定が容易で工数の減
少となり、自動的に測定させることも困難ではな
い。
以上、説明したように本発明は実際の集積回路
素子によく一致したｈFEを知ることができるため
に、工程途中のトランジスタ特性の制御が容易に
なり、高品質の半導体装置の形成に役立ち、しか
も作業工数を減少させる効果もあり、極めて価値
高いものと言える。尚、上記説明ではnpn型半導
体素子を用いたが、npn型素子に適用できること
は当然である。
素子によく一致したｈFEを知ることができるため
に、工程途中のトランジスタ特性の制御が容易に
なり、高品質の半導体装置の形成に役立ち、しか
も作業工数を減少させる効果もあり、極めて価値
高いものと言える。尚、上記説明ではnpn型半導
体素子を用いたが、npn型素子に適用できること
は当然である。
第１図ａ及びｂは従来のモニタパターン、第２
図ａ及びｂは本発明のモニタパターンのそれぞれ
平面図及び断面図を示している。 図中、１３は素子分離領域、１４は同時に形成
される高濃度領域、１５はベース領域、１６はエ
ミツタ領域である。
図ａ及びｂは本発明のモニタパターンのそれぞれ
平面図及び断面図を示している。 図中、１３は素子分離領域、１４は同時に形成
される高濃度領域、１５はベース領域、１６はエ
ミツタ領域である。
Claims (1)
- １ 一導電型の半導体基板と、該半導体基板上に
形成された反対導電型のエピタキシヤル層と、該
エピタキシヤル層に形成され、該半導体基板に達
する第１の一導電型高濃度不純物領域と、該エピ
タキシヤル層に形成され該半導体基板に達しない
第２の一導電型高濃度不純物領域と、該第１およ
び第２の高濃度不純物領域に接続される一導電型
の不純物領域と、該不純物領域を横断し、かつ該
不純物領域より浅く形成された反対導電型の不純
物領域を有するモニタパターンを具備することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9019579A JPS5613741A (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9019579A JPS5613741A (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5613741A JPS5613741A (en) | 1981-02-10 |
| JPS6130739B2 true JPS6130739B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=13991692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9019579A Granted JPS5613741A (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5613741A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121176A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 不凍液組成物 |
-
1979
- 1979-07-16 JP JP9019579A patent/JPS5613741A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5613741A (en) | 1981-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3465427A (en) | Combined transistor and testing structures and fabrication thereof | |
| US5347226A (en) | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction | |
| US3609537A (en) | Resistance standard | |
| CN112838020B (zh) | 背面金属化工艺的监控方法 | |
| JPS6130739B2 (ja) | ||
| US3440715A (en) | Method of fabricating integrated circuits by controlled process | |
| JPS6150389B2 (ja) | ||
| JPH0531307B2 (ja) | ||
| JPS6148927A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5892232A (ja) | ウエ−ハ検査装置 | |
| JPS5923422Y2 (ja) | 半導体素子形成ウエ−ハ | |
| JPS58158939A (ja) | 半導体ウエハ−、チツプの測定方法 | |
| JPS61181140A (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
| JPS60153137A (ja) | 半導体装置の寸法測定方法 | |
| JP2530722Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05157780A (ja) | 抵抗素子プロセスモニター装置 | |
| JPS618939A (ja) | 半導体装置 | |
| CN113267714A (zh) | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 | |
| JPS6235530A (ja) | 半導体素子の測定方法 | |
| JPS5927097B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01115135A (ja) | 誘電体分離半導体装置 | |
| JPS61287239A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07115119A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59105375A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62219937A (ja) | 半導体ウエ−ハ |