JPS6132998A - Ｘ線転写装置 - Google Patents
Ｘ線転写装置Info
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- JPS6132998A JPS6132998A JP15465584A JP15465584A JPS6132998A JP S6132998 A JPS6132998 A JP S6132998A JP 15465584 A JP15465584 A JP 15465584A JP 15465584 A JP15465584 A JP 15465584A JP S6132998 A JPS6132998 A JP S6132998A
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- ray
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- rays
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
- G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線強度とその強度分布を検出することによ
り良質の転写パターンが得られるＸ線転写装置の構成に
関する。
り良質の転写パターンが得られるＸ線転写装置の構成に
関する。
高密度集積回路のパターニング技術において、数人〜数
１０人の波長の軟Ｘ ’ｉｌＡ Ｓｉ域によるパターン
転写は、回折および散乱の影響がきわめて小さいことに
より解像能力が高く、微細且つ精密な転写手段として注
目されている。
１０人の波長の軟Ｘ ’ｉｌＡ Ｓｉ域によるパターン
転写は、回折および散乱の影響がきわめて小さいことに
より解像能力が高く、微細且つ精密な転写手段として注
目されている。
第６図はＸ線転写装置の従来構成を説明するためその主
要部を示す側面図である。
要部を示す側面図である。
第６図において、ｌはＸ！Ｉｊ１発生室、２はＸ線露光
室、３はコーン形ターゲット電極、４はアライメントコ
イル、５は電子銃、６はＸ線取り出し窓、７はＸ線取り
出し窓６を支持する枠体、８は左右方向へ移動可能なシ
ャッタ、９は所要のパターンが形成されたマスク、１０
は上面にＸ線レジストが塗布されたウェーハ、１１は電
子ビーム、１２．１３はＸ線である。
室、３はコーン形ターゲット電極、４はアライメントコ
イル、５は電子銃、６はＸ線取り出し窓、７はＸ線取り
出し窓６を支持する枠体、８は左右方向へ移動可能なシ
ャッタ、９は所要のパターンが形成されたマスク、１０
は上面にＸ線レジストが塗布されたウェーハ、１１は電
子ビーム、１２．１３はＸ線である。
このように構成されたＸ線転写装置において、電子銃５
で発生された電子ビーム１１はアライメントコイル４に
制御されてターゲット電極３のコーン形凹部に照射しＸ
線１２を発生させ、例えば厚さ数１０μｍのベリリュウ
ムにてなるＸ線取り出し窓６を透過したＸ＆ｊｌ１３は
マスク９に照射する。
で発生された電子ビーム１１はアライメントコイル４に
制御されてターゲット電極３のコーン形凹部に照射しＸ
線１２を発生させ、例えば厚さ数１０μｍのベリリュウ
ムにてなるＸ線取り出し窓６を透過したＸ＆ｊｌ１３は
マスク９に照射する。
その結果、Ｘ線１３は、予め形成されたマスク９の微細
パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる。
パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる。
しかし、従来のＸＮＩＡ転写装置においてＸ線１３の露
光時間は数秒〜１分程度であり、該露光時間はＸ線１３
の強度により決定されると共に、ウェーハ１０のレジス
トを均一に感光させるＸ線１３は、その強度分布が均一
でなければならない。
光時間は数秒〜１分程度であり、該露光時間はＸ線１３
の強度により決定されると共に、ウェーハ１０のレジス
トを均一に感光させるＸ線１３は、その強度分布が均一
でなければならない。
そこで、従来は転写作業に先立ってウェーハ１０の搭載
位置に、１個又は複数個のＸ線検出器を置き、Ｘ線１３
の強度または強度とその強度分布を検知し、該検知情報
に基づいて露光時間およびアライメントコイル４を調整
していた。
位置に、１個又は複数個のＸ線検出器を置き、Ｘ線１３
の強度または強度とその強度分布を検知し、該検知情報
に基づいて露光時間およびアライメントコイル４を調整
していた。
なお、Ｘ線１３の強度分布はターゲット電極３に照射す
る電子ビーム１１の入射角度を、アライメントコイル４
で調整し実行される。
る電子ビーム１１の入射角度を、アライメントコイル４
で調整し実行される。
上記Ｘ線１３の強度および強度分布を検知する従来方法
において、該検知は転写作業の開始前および転写作業中
の疑問発生時に実施していた。
において、該検知は転写作業の開始前および転写作業中
の疑問発生時に実施していた。
しかしながら、超ＬＳＩの高密度化、高性能化が進むに
従って、転写パターンの微細化および高精度化が従来以
上に必要となり、前記作業中の変動が完成品の信頼性お
よび製造歩留りの点から無視できなくなった。
従って、転写パターンの微細化および高精度化が従来以
上に必要となり、前記作業中の変動が完成品の信頼性お
よび製造歩留りの点から無視できなくなった。
そこで、前記検知を従来方法で頻繁に行うことは転写作
業を著しく阻害することになり、新規手段の出現が強（
望まれるようになった。
業を著しく阻害することになり、新規手段の出現が強（
望まれるようになった。
上記問題点の解決は、ターゲットに電子ビームを照射さ
せるＸ線発生源と該Ｘ線発生源からのＸ線が照射される
試料との中間部且つ試料に照射されるＸ線を妨げないＸ
線照射領域にＸ線強度検出器を配設してなることを特徴
とし、さらには複数個の前記検出器が前記Ｘ線発生源か
らほぼ等間隔に配設してなること、前記Ｘ線発生源と前
記試料とを仕切るＸ線取り出し窓の枠体にほぼ等間隔で
複数個の前記検出器が配設されてなること、複数個の前
記検出器が前記試料−に照射されるＸ線を遮断可能なＸ
線シャッタにほぼ等分布で配設されたこと、前記検出器
がｘ１１！露光時間を制御すること。
せるＸ線発生源と該Ｘ線発生源からのＸ線が照射される
試料との中間部且つ試料に照射されるＸ線を妨げないＸ
線照射領域にＸ線強度検出器を配設してなることを特徴
とし、さらには複数個の前記検出器が前記Ｘ線発生源か
らほぼ等間隔に配設してなること、前記Ｘ線発生源と前
記試料とを仕切るＸ線取り出し窓の枠体にほぼ等間隔で
複数個の前記検出器が配設されてなること、複数個の前
記検出器が前記試料−に照射されるＸ線を遮断可能なＸ
線シャッタにほぼ等分布で配設されたこと、前記検出器
がｘ１１！露光時間を制御すること。
前記検出器が前記ターゲ・ノドに入射される前記電子ビ
ームの入射角度を制御すること、前記検出器が半導体Ｘ
線検知器であることを特徴とする、本発明のＸ線転写装
置により達成される。
ームの入射角度を制御すること、前記検出器が半導体Ｘ
線検知器であることを特徴とする、本発明のＸ線転写装
置により達成される。
上記本発明の手段によれば、Ｘ線強度検出器をＸ線発生
源とＸ線照射試料との中間部、且つ試料に照射されるＸ
線を妨げないＸ線照射領域、即ちＸ線１２が照射される
Ｘ線取り出し窓６の支持用枠体７．または各転写作業毎
に左右方向へ移動されるシャック８等に配設したことに
より、転写作業中または連続する各転写作業毎にＸ線強
度の検知、および該検出器を複数個配設することにより
強度分布の検知が可能となった。
源とＸ線照射試料との中間部、且つ試料に照射されるＸ
線を妨げないＸ線照射領域、即ちＸ線１２が照射される
Ｘ線取り出し窓６の支持用枠体７．または各転写作業毎
に左右方向へ移動されるシャック８等に配設したことに
より、転写作業中または連続する各転写作業毎にＸ線強
度の検知、および該検出器を複数個配設することにより
強度分布の検知が可能となった。
そのため、前記各試料毎にＸ線の露光時間を設定および
アライメントコイルの調整を実施し、従来の上記問題点
が除去されることになった。
アライメントコイルの調整を実施し、従来の上記問題点
が除去されることになった。
以下に、図面を用いてよ発明になるＸ線転写装置を説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例に係わるＸ線転写装置の要部
を説明するための側面図（イ）とそのＸ線検出器の配設
状態を示す平面図、第２図は複数個の前記検出器により
前記装置を制御する方法を説明するための回路図、第３
図（イ）〜（ハ）は前記装置のターゲットに入射される
電子ビームの入射状況を説明するための側面図、第４図
（イ）〜（ハ）は第３図（イ）〜（ロ）に対応するＸ線
強度分布を説明するための平面図、第５図は本発明の他
の一実施例に係わるＸ線転写装置の要部を説明するため
の側面図（イ）とそのＸ線検出器の配設状態を示す平面
図である。
を説明するための側面図（イ）とそのＸ線検出器の配設
状態を示す平面図、第２図は複数個の前記検出器により
前記装置を制御する方法を説明するための回路図、第３
図（イ）〜（ハ）は前記装置のターゲットに入射される
電子ビームの入射状況を説明するための側面図、第４図
（イ）〜（ハ）は第３図（イ）〜（ロ）に対応するＸ線
強度分布を説明するための平面図、第５図は本発明の他
の一実施例に係わるＸ線転写装置の要部を説明するため
の側面図（イ）とそのＸ線検出器の配設状態を示す平面
図である。
第６図と共通部分には同一符号（３〜１３）を用いた第
１図において、２１はＸ線１２が照射される枠体７の上
面に配設された複数個（図は４個）のＸ線強度検出器で
あり、検出器２１は枠体７の中心に対し９０°の同心円
上に固定されている。
１図において、２１はＸ線１２が照射される枠体７の上
面に配設された複数個（図は４個）のＸ線強度検出器で
あり、検出器２１は枠体７の中心に対し９０°の同心円
上に固定されている。
このように構成されたＸ線転写装置は、第６図の従来装
置と同様に動作し、Ｘ線１３が予め形成されたマスク９
の微細パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる
が各ウェーハ１０、例えば同一パターンが順次転写され
る数１０枚のウェーハ１０は、それぞれのＸ線照射時の
Ｘ４５１強度を各検出器２１が検知し、且つ検出器２１
が複数個であることによりＸ線強度の分布を知ることが
できる。
置と同様に動作し、Ｘ線１３が予め形成されたマスク９
の微細パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる
が各ウェーハ１０、例えば同一パターンが順次転写され
る数１０枚のウェーハ１０は、それぞれのＸ線照射時の
Ｘ４５１強度を各検出器２１が検知し、且つ検出器２１
が複数個であることによりＸ線強度の分布を知ることが
できる。
従って、各ウェーハ１０のＸ線照射時間（露光時間）は
、その都度、最適値に設定可能であり、且つＸ線強度分
布の検知情報に基づいてアライメントコイル５を制御し
Ｘ線１３の強度分布を補正することができる。
、その都度、最適値に設定可能であり、且つＸ線強度分
布の検知情報に基づいてアライメントコイル５を制御し
Ｘ線１３の強度分布を補正することができる。
第２図において、２２はＡＤ変換器（ＡＤＣ）、２３は
比較・演算器、２４はアライメントコイル駆動回路、２
５はシャッタ駆動回路、２６は各検出器２１とＡＤ変換
器２２とを接続する信号線、２７はＡＤ変換器２２と比
較・演算器２３とをそれぞれ接続するＸ線強度信号線、
２８は比較・演算器２３とアライメントコイル駆動回路
２４とを接続するＸ線強度分布偏り信号線、２９は比較
・演算器２３とシャッタ駆動回路２５とを接続する平均
Ｘ線強度信号線である。
比較・演算器、２４はアライメントコイル駆動回路、２
５はシャッタ駆動回路、２６は各検出器２１とＡＤ変換
器２２とを接続する信号線、２７はＡＤ変換器２２と比
較・演算器２３とをそれぞれ接続するＸ線強度信号線、
２８は比較・演算器２３とアライメントコイル駆動回路
２４とを接続するＸ線強度分布偏り信号線、２９は比較
・演算器２３とシャッタ駆動回路２５とを接続する平均
Ｘ線強度信号線である。
かかる制御回路において、各検出器２１の出力はそれぞ
れが対向するＡＤ変換器２２によりディジタル信号に変
換され、比較・演算器２３に入力される。
れが対向するＡＤ変換器２２によりディジタル信号に変
換され、比較・演算器２３に入力される。
すると、比較・演算器２３は各検出器２１からの平均強
度および各検出器２１からの偏りとその偏り方向を計算
し、該計算結果に基づく平均Ｘ線強度信号はシャッタ駆
動回路２５に入力される反面、Ｘ線強度の偏りとその偏
り方向の信号はアライメントコイル駆動回路２４に入力
される。
度および各検出器２１からの偏りとその偏り方向を計算
し、該計算結果に基づく平均Ｘ線強度信号はシャッタ駆
動回路２５に入力される反面、Ｘ線強度の偏りとその偏
り方向の信号はアライメントコイル駆動回路２４に入力
される。
その結果、シャッタ駆動回路２５は該回路への前記入力
信号に基づきシャッタ８の開閉時間を最適値に制動し、
アライメントコイル駆動回路２４は該回路への前記入力
信号に基づきアライメントコイルを駆動し電子ビーム１
１がターゲット３に入射する角度を最適値に調整する。
信号に基づきシャッタ８の開閉時間を最適値に制動し、
アライメントコイル駆動回路２４は該回路への前記入力
信号に基づきアライメントコイルを駆動し電子ビーム１
１がターゲット３に入射する角度を最適値に調整する。
電子ビーム１１の前記最適入射角度を説明するための第
３図、第４図において、第３図（イ）は電子ビーム１１
が斜め左方からターゲット３に入射する状態、第３図Ｃ
Ｉ＋）は電子ビーム１１が真下からターゲット３に入射
する状態、第３図（ハ）は電子ビーム１１が斜め右方か
らターゲット３に入射する状態であり、第３図（イ）と
第４図（イ）、第３図（０）と第４図（ＴＩ） 、第３
図（ハ）と第４図（ハ）はそれぞれ対応させである。た
だし、ターゲット３のＶ字形凹所はその右傾斜面と左傾
斜面とがターゲット３の軸心に対し対象に形成されてお
り、第４図はＸ線強度を等高線で示す。
３図、第４図において、第３図（イ）は電子ビーム１１
が斜め左方からターゲット３に入射する状態、第３図Ｃ
Ｉ＋）は電子ビーム１１が真下からターゲット３に入射
する状態、第３図（ハ）は電子ビーム１１が斜め右方か
らターゲット３に入射する状態であり、第３図（イ）と
第４図（イ）、第３図（０）と第４図（ＴＩ） 、第３
図（ハ）と第４図（ハ）はそれぞれ対応させである。た
だし、ターゲット３のＶ字形凹所はその右傾斜面と左傾
斜面とがターゲット３の軸心に対し対象に形成されてお
り、第４図はＸ線強度を等高線で示す。
第３図（イ）と第４図（イ）において、電子ビーム１１
が斜め左方からターゲット３に入射すると、ターゲット
３からの発生したＸ線１３の中心は、ターゲット３と同
軸に置かれたウェーハ１０の中心よりも左方に偏る。
が斜め左方からターゲット３に入射すると、ターゲット
３からの発生したＸ線１３の中心は、ターゲット３と同
軸に置かれたウェーハ１０の中心よりも左方に偏る。
その反面、第３図（ハ）と第４図（ハ）に示す如く、電
子ビーム１１が斜め右方からターゲット３に入射し発生
したＸ線１３の中心は、ウェーハ１０の中心よりも右方
に偏るようになる。そして第３図（ロ）の如く、電子ビ
ーム１１が真下からターゲット３に入射し発生したＸ線
１３の中心は、当然のことながら第４図（ロ）に示す如
く、ウェーハ１０の中心に一致し、アライメントコイル
駆動回路２４の前記調整は、第３図（イ）および第３図
（ハ）に示す如き傾斜電子ビーム１１を第３図（ＩＩ）
の如く調整することである。
子ビーム１１が斜め右方からターゲット３に入射し発生
したＸ線１３の中心は、ウェーハ１０の中心よりも右方
に偏るようになる。そして第３図（ロ）の如く、電子ビ
ーム１１が真下からターゲット３に入射し発生したＸ線
１３の中心は、当然のことながら第４図（ロ）に示す如
く、ウェーハ１０の中心に一致し、アライメントコイル
駆動回路２４の前記調整は、第３図（イ）および第３図
（ハ）に示す如き傾斜電子ビーム１１を第３図（ＩＩ）
の如く調整することである。
第１図と共通部分には同一符号（３〜１３）を用いた第
５図において、３１はシャッタ８の上面に配設された複
数個（図は５個）のＸ線強度検出器であり、検出器２１
の配設はシャッタ８の上面の中心部、および該中心に対
し９０°の同心円上に固定されている。
５図において、３１はシャッタ８の上面に配設された複
数個（図は５個）のＸ線強度検出器であり、検出器２１
の配設はシャッタ８の上面の中心部、および該中心に対
し９０°の同心円上に固定されている。
このように構成されたＸ線転写装置は、第１図の装置と
同様に動作し、Ｘ線１３が予め形成されたマスク９の微
細パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる。た
だし各ウェーハ１０、例えば同一パターンが順次転写さ
れる数１０枚のウェーハ１０は、それぞれのＸ線照射時
のＸ線強度を各検出器３１が検知し、且つ検出器３１が
複数個であることによりＸ線強度の分布を、第１図の装
置と同様に知ることができる。
同様に動作し、Ｘ線１３が予め形成されたマスク９の微
細パターンをウェーハ１０のレジストに転写させる。た
だし各ウェーハ１０、例えば同一パターンが順次転写さ
れる数１０枚のウェーハ１０は、それぞれのＸ線照射時
のＸ線強度を各検出器３１が検知し、且つ検出器３１が
複数個であることによりＸ線強度の分布を、第１図の装
置と同様に知ることができる。
そこで、各検出器３１を第２図の制御回路と同様な回路
に接続し、該装置を制御すれば各ウェーハ１０は個々の
Ｘ線照射時間（露光時間）がその時々で最適値に設定可
能であり、且つＸ線強度分布の検知情報に基づいてアラ
イメントコイルを制御しＸ線１３の強度分布を補正する
ことができる。
に接続し、該装置を制御すれば各ウェーハ１０は個々の
Ｘ線照射時間（露光時間）がその時々で最適値に設定可
能であり、且つＸ線強度分布の検知情報に基づいてアラ
イメントコイルを制御しＸ線１３の強度分布を補正する
ことができる。
なお、上記実施例において第５図の構成は、Ｘ線１３の
中心部でＸ線強度を検出できるため、第１図のものより
Ｘ線強度分布の検知情報が正確である利点を有する。
中心部でＸ線強度を検出できるため、第１図のものより
Ｘ線強度分布の検知情報が正確である利点を有する。
また、上記実施例にてＸ線検出器は枠体７またはシャッ
タ８に配設されているが、本発明はかかる配設位置に限
定されず、例えばシャッタ８とマスク９との中間部に左
右動可能な支持板を設は該支持板の上面に複数個のＸ線
検出器を装着するが如（、上記特許請求の範囲に記載し
た領域での変形実施が可能である。
タ８に配設されているが、本発明はかかる配設位置に限
定されず、例えばシャッタ８とマスク９との中間部に左
右動可能な支持板を設は該支持板の上面に複数個のＸ線
検出器を装着するが如（、上記特許請求の範囲に記載し
た領域での変形実施が可能である。
以上説明した如く本発明によれば、ウェーハ等の試料に
マスクパターンをＸ線転写する際に、各試料毎に照射さ
れるＸ線強度、またはＸ線強度とその強度分布を検知で
きるため常に最適転写を可能ならしめ、且つ該検知は転
写工程を何等損なうことな〈実施できる効果はきわめて
大きい。
マスクパターンをＸ線転写する際に、各試料毎に照射さ
れるＸ線強度、またはＸ線強度とその強度分布を検知で
きるため常に最適転写を可能ならしめ、且つ該検知は転
写工程を何等損なうことな〈実施できる効果はきわめて
大きい。
第１図は本発明の一実施例に係わるＸ線転写装置の要部
を説明するための側面図（イ）第２図は複数個の前記検
出器により前記装置を制御する方法を説明するための回
路図、第３図（イ）〜（ハ）は前記装置のターゲ・ノド
に入射される電子ビームの入射状況を説明す るための側面図、 第４図（イ）〜（ハ）は第３図（イ）〜（ＩＴ）に対応
するＸ線強度分布を説明するための平面図、 第５図は本発明の他の一実施例に係わるＸ１ｌｌａ転写
装置の要部を説明するための側面図 第６図はＸ線転写装置の従来構成を説明するためその主
要部を示す側面図、 である。 図中において、 １はＸ線発生室、２はＸ線露光室、 ３はターゲット電極、 ４はアライメントコイル、 ５は電子銃、 ６はＸＶＡ取り出し窓、７は枠体、
８はＸ線シャ・ツタ、９はマスク、 １０はウ
ェーハ（試料）、１１は電子ヒーム、１２．１３ ハ）
ｌ、２１ 、３１はＸ線検出器、 ２２はＡＤ変換器、 ２３は比較・演算器、２４はア
ライメントコイル駆動回路、 ２５はシャッタ駆動回路、 ２６はＸ線強度信号線、 ２７はＸ線強度分布偏り信号線、 ２８は平均Ｘ線強度信号線、 である。 第１囚 （伺 （割 第３回
を説明するための側面図（イ）第２図は複数個の前記検
出器により前記装置を制御する方法を説明するための回
路図、第３図（イ）〜（ハ）は前記装置のターゲ・ノド
に入射される電子ビームの入射状況を説明す るための側面図、 第４図（イ）〜（ハ）は第３図（イ）〜（ＩＴ）に対応
するＸ線強度分布を説明するための平面図、 第５図は本発明の他の一実施例に係わるＸ１ｌｌａ転写
装置の要部を説明するための側面図 第６図はＸ線転写装置の従来構成を説明するためその主
要部を示す側面図、 である。 図中において、 １はＸ線発生室、２はＸ線露光室、 ３はターゲット電極、 ４はアライメントコイル、 ５は電子銃、 ６はＸＶＡ取り出し窓、７は枠体、
８はＸ線シャ・ツタ、９はマスク、 １０はウ
ェーハ（試料）、１１は電子ヒーム、１２．１３ ハ）
ｌ、２１ 、３１はＸ線検出器、 ２２はＡＤ変換器、 ２３は比較・演算器、２４はア
ライメントコイル駆動回路、 ２５はシャッタ駆動回路、 ２６はＸ線強度信号線、 ２７はＸ線強度分布偏り信号線、 ２８は平均Ｘ線強度信号線、 である。 第１囚 （伺 （割 第３回
Claims (7)
- （１）ターゲットに電子ビームを照射させるＸ線発生源
と該Ｘ線発生源からのＸ線が照射される試料との中間部
、且つ試料に照射されるＸ線を妨げないＸ線照射領域に
、Ｘ線強度検出器を配設してなることを特徴とするＸ線
転写装置。 - （２）複数個の前記検出器が前記Ｘ線発生源からほぼ等
間隔に配設してなることを特徴とする前記特許請求の範
囲第１項に記載したＸ線転写装置。 - （３）前記Ｘ線発生源と前記試料とを仕切るＸ線取り出
し窓の枠体にほぼ等間隔で複数個の前記検出器が配設さ
れてなることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項に
記載したＸ線転写装置。 - （４）複数個の前記検出器が前記試料に照射されるＸ線
を遮断可能なＸ線シャッタにほぼ等分布で配設されたこ
とを特徴とする前記特許請求の範囲第１項に記載したＸ
線転写装置。 - （５）前記検出器がＸ線露光時間を制御することを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項に記載したＸ線転写装
置。 - （６）前記検出器が前記ターゲットに入射される前記電
子ビームの入射角度を制御することを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項に記載したＸ線転写装置。 - （７）前記検出器が半導体Ｘ線検知器であることを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項に記載したＸ線転写装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15465584A JPS6132998A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Ｘ線転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15465584A JPS6132998A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Ｘ線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132998A true JPS6132998A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15588981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15465584A Pending JPS6132998A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Ｘ線転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132998A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233900A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Nichicon Corp | プラズマｘ線発生装置の制御方法 |
| WO2003096763A1 (fr) * | 2002-05-09 | 2003-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Generateur de rayons x |
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| JP2008538003A (ja) * | 2005-04-08 | 2008-10-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 包装機械のセンサ装置 |
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| JP2020527826A (ja) * | 2017-07-07 | 2020-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ビーム源を有する放射線照射システム、放射線ビーム制御のためのコンピュータ・プログラム、および方法 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15465584A patent/JPS6132998A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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