JPS613407A - 光学的露光装置 - Google Patents
光学的露光装置Info
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- JPS613407A JPS613407A JP59123725A JP12372584A JPS613407A JP S613407 A JPS613407 A JP S613407A JP 59123725 A JP59123725 A JP 59123725A JP 12372584 A JP12372584 A JP 12372584A JP S613407 A JPS613407 A JP S613407A
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- semiconductor wafer
- gas
- exposed surface
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学的露光装置、特に半導体ウエノ・表面のよ
うな被露光表面に予め定められたパターンを光学的に形
成するのに適した光学的露光装置に関する。
うな被露光表面に予め定められたパターンを光学的に形
成するのに適した光学的露光装置に関する。
光学的露光装置はパターンを光照射する手段、パターン
の像を被露光表面に形成するようにパターンから得られ
る光を被露光表面に指向する手段、並びに被露光表面の
被露光位置を変えるように被露光表面を移動する手段を
含んでいる。
の像を被露光表面に形成するようにパターンから得られ
る光を被露光表面に指向する手段、並びに被露光表面の
被露光位置を変えるように被露光表面を移動する手段を
含んでいる。
被露光表面へのパターンの像の形成を高精度をもって行
うためにはパターンの像が被露光表面に正確に生ずるよ
うに焦点合せを行う必要がある。
うためにはパターンの像が被露光表面に正確に生ずるよ
うに焦点合せを行う必要がある。
焦点合せを行う装置は被露光表面と光指向手段との間隔
の、予め定められた基準からのずれを検出する手段およ
びそのずれを補償するように被露光表面を夢動する手段
を含む。、ずれ検出手段は、多くの場合、被露光表面に
向けて気体が放出される気体放出孔を有し、更に前記ず
れにもとづく気体放出孔からの放出気体流量の変化を検
出する手段を有する。しかし、気体放出孔は一般に被露
光表面に向けられる光の光軸と一致した軸をもっている
。したがって、気体放出孔は少なくとも光軸を通る光を
妨害しない程度の大きさをもっていなければならないこ
とから、被露光表面と光指向手段との間隔の、予め定め
られた基準からのずれにもとづく気体放出孔からの放出
気体流量の変化を検出するためには、その検出のために
必要な被露光表面領域が必然的に広くならざるを得ない
。これは、被露光表面の周縁部に、露光の用に供され得
ない、広いむだ領域が必要になることを意味する。
の、予め定められた基準からのずれを検出する手段およ
びそのずれを補償するように被露光表面を夢動する手段
を含む。、ずれ検出手段は、多くの場合、被露光表面に
向けて気体が放出される気体放出孔を有し、更に前記ず
れにもとづく気体放出孔からの放出気体流量の変化を検
出する手段を有する。しかし、気体放出孔は一般に被露
光表面に向けられる光の光軸と一致した軸をもっている
。したがって、気体放出孔は少なくとも光軸を通る光を
妨害しない程度の大きさをもっていなければならないこ
とから、被露光表面と光指向手段との間隔の、予め定め
られた基準からのずれにもとづく気体放出孔からの放出
気体流量の変化を検出するためには、その検出のために
必要な被露光表面領域が必然的に広くならざるを得ない
。これは、被露光表面の周縁部に、露光の用に供され得
ない、広いむだ領域が必要になることを意味する。
本発明の目的は被露光表面の周縁部に、露光の用に供さ
れ得ない広いむだな領域が生ずるのを防止し、かつ高ス
ループツトを得るのに適した光学的露光装置を提供する
ことにある。
れ得ない広いむだな領域が生ずるのを防止し、かつ高ス
ループツトを得るのに適した光学的露光装置を提供する
ことにある。
本発明によれば、パターンは光照射され、それによって
パターンから得られる光はパターンの像に指向される。
パターンから得られる光はパターンの像に指向される。
被露光表面はその被露光位置が変えられるように移動さ
れる。
れる。
被露光表面と光指向手段との間の、予め定められた基準
からのずれを検出手段およびそのずれを補償するように
被露光表面を移動する手段が備えられている。検出手段
はそれぞれ被露光表面の互いに異なる位置に向けて気体
が放出される複数個の気体放出孔を被露光表面に向けら
れる光の光軸の周シに配置する手段と、被露光表面の互
いに異なる位置の各々と光指向手段との間隔の予め定め
られた基準からのずれにもとづく複数個の気体放出孔の
各々からの放出気体流量の変化を検出する手段とを含ん
でいる。
からのずれを検出手段およびそのずれを補償するように
被露光表面を移動する手段が備えられている。検出手段
はそれぞれ被露光表面の互いに異なる位置に向けて気体
が放出される複数個の気体放出孔を被露光表面に向けら
れる光の光軸の周シに配置する手段と、被露光表面の互
いに異なる位置の各々と光指向手段との間隔の予め定め
られた基準からのずれにもとづく複数個の気体放出孔の
各々からの放出気体流量の変化を検出する手段とを含ん
でいる。
第１図を参照するに、水銀ランプのような光源１から放
出される光はコンデンサー２に集光され、レチクル又は
マスクと呼ばれる透明板３に形成されたパターンを照射
する。透明板３を透過した光はパターンの縮小像又は等
倍像が被露光表面である半導体クエハ４の表面に形成さ
れるように投影レンズ５によって半導体ウェハ４に向け
られる。
出される光はコンデンサー２に集光され、レチクル又は
マスクと呼ばれる透明板３に形成されたパターンを照射
する。透明板３を透過した光はパターンの縮小像又は等
倍像が被露光表面である半導体クエハ４の表面に形成さ
れるように投影レンズ５によって半導体ウェハ４に向け
られる。
半導体ウェハ４はウェハホルダー６によって保持され、
該ホルダーは移動台７によって支持されている。移動台
７は移動台８によって支持され、そしてその移動台上で
駆動装置９によってＸ軸方向に移動され得る。移動台８
は移動台１０によって支持され、そしてその移動台上で
駆動装置１１によってＸ軸と直交するＹ軸方向に移動さ
れ得る。
該ホルダーは移動台７によって支持されている。移動台
７は移動台８によって支持され、そしてその移動台上で
駆動装置９によってＸ軸方向に移動され得る。移動台８
は移動台１０によって支持され、そしてその移動台上で
駆動装置１１によってＸ軸と直交するＹ軸方向に移動さ
れ得る。
移動台１０と固定台１２の間には移動台１３が介在され
、この移動台は、駆動装置１４によってＸ軸方向に移動
されたとき、移動台１０をＸ軸およびＹ軸と直角をなす
Ｚ軸方向、すなわち半導体ウェハ４に向けられる光の光
軸方向に移動され得る。
、この移動台は、駆動装置１４によってＸ軸方向に移動
されたとき、移動台１０をＸ軸およびＹ軸と直角をなす
Ｚ軸方向、すなわち半導体ウェハ４に向けられる光の光
軸方向に移動され得る。
移動台７の駆動装置９によるＸ軸方向への移動および移
動台８の駆動装置１１によるＹ軸方向へ、 の移動、
したがって半導体ウェハ４のＸ軸方向およびＹ軸方向へ
の２次元移動はコンピユー・夕１５（第２図）が駆動装
置９および１．１を制御することＫよってステップ状に
行われる。レーザー光を利用する位置測定装置１６は半
導体フェノ・４上の、露光位置すなわち光軸位置に移動
された被露光領域のＸ軸およびＹ軸方向の位置を測定す
る。その測定された位置がコンピュータ１５による設定
位置と一致しているかどうかはコンピュータ１５によっ
て判断され、もし設定位置と測定された位置との間に差
があればコンピュータ１５はその差を補償するように駆
動装置９および１１ｆ：制御する。
動台８の駆動装置１１によるＹ軸方向へ、 の移動、
したがって半導体ウェハ４のＸ軸方向およびＹ軸方向へ
の２次元移動はコンピユー・夕１５（第２図）が駆動装
置９および１．１を制御することＫよってステップ状に
行われる。レーザー光を利用する位置測定装置１６は半
導体フェノ・４上の、露光位置すなわち光軸位置に移動
された被露光領域のＸ軸およびＹ軸方向の位置を測定す
る。その測定された位置がコンピュータ１５による設定
位置と一致しているかどうかはコンピュータ１５によっ
て判断され、もし設定位置と測定された位置との間に差
があればコンピュータ１５はその差を補償するように駆
動装置９および１１ｆ：制御する。
第２図を参照するに、投影レンズ４はレンズホルダー１
６′によって保持され、該ホルダーはその下端において
光通過孔を有し、該光通過孔の軸は光軸と一致している
。ホルダー１６′は更ニソの下端において光軸の周シに
配置された４つの互 （いに独立した気
体放出部１７８〜１７ｄを有する。
６′によって保持され、該ホルダーはその下端において
光通過孔を有し、該光通過孔の軸は光軸と一致している
。ホルダー１６′は更ニソの下端において光軸の周シに
配置された４つの互 （いに独立した気
体放出部１７８〜１７ｄを有する。
第３図から理解されるように、気体放出部１７ａおよび
１７ＣはＸ軸上に、気体放出部１７ｂおよび１７ｄはＹ
軸上にそれぞれ配置されている。
１７ＣはＸ軸上に、気体放出部１７ｂおよび１７ｄはＹ
軸上にそれぞれ配置されている。
気体放出部１７８〜１７ｄは気体導入室１８ａ〜１”８
ｄおよびこれらに通じる気体放出孔１９ａ〜１９ｄを有
する。気体導入源２０内の空気又は窒素ガスのような一
定圧力の気体は気体導入室−１８ａ 〜１８ｄを介して
気体放出孔１９ａ〜１９ｄから半導体ウェハ４の表面に
向けて放出される。
ｄおよびこれらに通じる気体放出孔１９ａ〜１９ｄを有
する。気体導入源２０内の空気又は窒素ガスのような一
定圧力の気体は気体導入室−１８ａ 〜１８ｄを介して
気体放出孔１９ａ〜１９ｄから半導体ウェハ４の表面に
向けて放出される。
４つの気体放出部１７ａ〜１７ｄにそれぞれ対応する差
圧変換器２１８〜２１ｄ（２１ｂおよび２１ｄは図示省
略）およびニードルバルブ２２ａ〜２２ｄ （２２ｂお
よび２２ｄは図示省略）が備えられ、差圧変換器２１ａ
〜２１ｄは気体導入源２０からの気体をニードルパルプ
２２ａ〜２２ｄを通して大気に放出することによって得
られる一定の基準圧力と、気体放出孔１９ａ−１９ａ全
通してそれらと対向する半導体ウェハ４の表面部分に気
体を放出したときのその背圧との差、すなわち差圧に対
する電気信号をそれぞれ発生する。これらの電気信号は
差圧変換器２１８〜２１ｄの特性のちがいを補正するた
めの利得調整回路２３ａ〜２３ｄを介してコンピュータ
１５に与えられる。
圧変換器２１８〜２１ｄ（２１ｂおよび２１ｄは図示省
略）およびニードルバルブ２２ａ〜２２ｄ （２２ｂお
よび２２ｄは図示省略）が備えられ、差圧変換器２１ａ
〜２１ｄは気体導入源２０からの気体をニードルパルプ
２２ａ〜２２ｄを通して大気に放出することによって得
られる一定の基準圧力と、気体放出孔１９ａ−１９ａ全
通してそれらと対向する半導体ウェハ４の表面部分に気
体を放出したときのその背圧との差、すなわち差圧に対
する電気信号をそれぞれ発生する。これらの電気信号は
差圧変換器２１８〜２１ｄの特性のちがいを補正するた
めの利得調整回路２３ａ〜２３ｄを介してコンピュータ
１５に与えられる。
コンピュータ１５は利得調整回路２３８〜２３ｄの出力
のうちの一つを選択し、端子２４に出力する。端子２４
に出力された電気信号は移動台１０をＺ軸方向に移動す
るように駆動装置１４にフィードバックされる。
のうちの一つを選択し、端子２４に出力する。端子２４
に出力された電気信号は移動台１０をＺ軸方向に移動す
るように駆動装置１４にフィードバックされる。
一例として、気体放出孔１９ａと対向する半導体ウェハ
４の表面部分の投影レンズ５に対する間隔が予め定めら
れた基準値からずれているとすれば、そのずれに応じて
気体放出孔１９から放出される気体の流量が変化し、こ
の流量変化はその背圧変化として差圧変換器２１ａによ
って検出される。差圧変換器２１ａからは背圧変化に対
応する電気信号が引出され、利得調整回路２３ａを介し
てコンピュータ１５によシ端子２４に出力される。
４の表面部分の投影レンズ５に対する間隔が予め定めら
れた基準値からずれているとすれば、そのずれに応じて
気体放出孔１９から放出される気体の流量が変化し、こ
の流量変化はその背圧変化として差圧変換器２１ａによ
って検出される。差圧変換器２１ａからは背圧変化に対
応する電気信号が引出され、利得調整回路２３ａを介し
てコンピュータ１５によシ端子２４に出力される。
この端子に出力された電気信号は駆動装置１４に与えら
れ、この駆動装置は前記背圧変化、したがってずれを補
償するように半導体ウニ・・４をＺ軸方向に移動する。
れ、この駆動装置は前記背圧変化、したがってずれを補
償するように半導体ウニ・・４をＺ軸方向に移動する。
焦点合せおよび露光の手順を第４図を参照しながら説明
しよう。理解を容易にするために、半導体ウェハ４に向
けられる光の光軸の座標位置すなわち露光位置をＸ−Ｙ
座標系の原点（Ｏ，Ｏ）とスル。また、コンピュータ１
５は半導体ウェハ４を予め定められた方向に１ステツプ
ずつ順次移動するように駆動装置９および１０を制御す
るものものとする。更に、半導体ウェハ４上の、現在露
光位置くある被露光領域の露光に次いで露光される領域
、すなわち次の被露光領域の座標位置を（ｘｌ 、ｙ、
）とする。
しよう。理解を容易にするために、半導体ウェハ４に向
けられる光の光軸の座標位置すなわち露光位置をＸ−Ｙ
座標系の原点（Ｏ，Ｏ）とスル。また、コンピュータ１
５は半導体ウェハ４を予め定められた方向に１ステツプ
ずつ順次移動するように駆動装置９および１０を制御す
るものものとする。更に、半導体ウェハ４上の、現在露
光位置くある被露光領域の露光に次いで露光される領域
、すなわち次の被露光領域の座標位置を（ｘｌ 、ｙ、
）とする。
ステップＡ
コンピュータ１５は座標位置（” ＋ Ｙｌ ）にあ
る次の露光′須域の表面が予め定められた基準位置から
光軸方間にどの程度ずれているかを測定ないしは検出す
るために気体放出部１７ａ〜１７ｄのうちのいずれを用
いるかを決定する。このためには、後述するステップＤ
、Ｆにおける半導体ウェハ４の移動量を可能な限り少な
くし、それによシスループツトを向上させる点から、第
３図を参照するに、ｙＩ≧ｘＩでかつｙ１≧−Ｘ！のと
きは気体放出部１７ｂを、ｙＩ、＞ｘｌでかっｙＩ〉−
Ｘ、のときは気体放出部１７Ｃを、ｙＩ≦Ｘ！でかつｙ
１≦−Ｘ、のときは気体放出部１７ｄを、そしてＹＩ＞
Ｘ＋でかつＹＩ＜Ｘｔのときけ気体放出部１７ａを使用
するという基準を用いるとよい。なお、ここでの気体放
出部１７８〜１７ｄの選択は利得制御回路２３ａ〜２３
ｄの選択にはがならない。
る次の露光′須域の表面が予め定められた基準位置から
光軸方間にどの程度ずれているかを測定ないしは検出す
るために気体放出部１７ａ〜１７ｄのうちのいずれを用
いるかを決定する。このためには、後述するステップＤ
、Ｆにおける半導体ウェハ４の移動量を可能な限り少な
くし、それによシスループツトを向上させる点から、第
３図を参照するに、ｙＩ≧ｘＩでかつｙ１≧−Ｘ！のと
きは気体放出部１７ｂを、ｙＩ、＞ｘｌでかっｙＩ〉−
Ｘ、のときは気体放出部１７Ｃを、ｙＩ≦Ｘ！でかつｙ
１≦−Ｘ、のときは気体放出部１７ｄを、そしてＹＩ＞
Ｘ＋でかつＹＩ＜Ｘｔのときけ気体放出部１７ａを使用
するという基準を用いるとよい。なお、ここでの気体放
出部１７８〜１７ｄの選択は利得制御回路２３ａ〜２３
ｄの選択にはがならない。
ステップＢ
選択された気体放出部の座標位置を（Ｘｏ、Ｙｏ）（固
定）とすると、コンピュータ１５は選択された座標位置
（ｘｏ、ｙｏ）と次の被露光位置（ｘ、。
定）とすると、コンピュータ１５は選択された座標位置
（ｘｏ、ｙｏ）と次の被露光位置（ｘ、。
Ｙｔ ）とのずれ、すなわちＸ、−ｘｏ＝＝ΔＸ、ｙＩ
Ｙｏ＝Δｙを計算する。
Ｙｏ＝Δｙを計算する。
ステップＣ
コンピュータ１５はΔＸ、Δｙが零であるかどうかを判
断する。
断する。
ステップＤ
ステップＣにおいてΔＸ、Δｙのいずれが零でない場合
は、コンピュータ１５は次の露光位置（ｘｔ 、ＹＩ）
が選択された気体放出部の座標位置（Ｘｏ ｌ Ｙｏ
）と一致するまで半導体ウェハ４を移動するように駆動
装置９および／または１１を制御する。
は、コンピュータ１５は次の露光位置（ｘｔ 、ＹＩ）
が選択された気体放出部の座標位置（Ｘｏ ｌ Ｙｏ
）と一致するまで半導体ウェハ４を移動するように駆動
装置９および／または１１を制御する。
ステップＥ
ステップＣにおいてΔｘ＝０．Δｙ−０と判断された場
合、またはステップＤに２いて半導体ウェハ４を移動す
ることによってΔｘ＝０．Δｙ＝０となった場合は、座
標位置（ｘｏ ｒ ｙｏ ）において、この位置にあ
る次の被露光領域表面の予め定められた位置からの光軸
方向におけるずれΔＨが選択された（Ｘｏ 、 ３’ｏ
）座標位置にある気体放出部、それに対応する差圧
検出器およびそれに接続された利得制御回路によって測
定され、コンピュータ１５に取込まれる。
合、またはステップＤに２いて半導体ウェハ４を移動す
ることによってΔｘ＝０．Δｙ＝０となった場合は、座
標位置（ｘｏ ｒ ｙｏ ）において、この位置にあ
る次の被露光領域表面の予め定められた位置からの光軸
方向におけるずれΔＨが選択された（Ｘｏ 、 ３’ｏ
）座標位置にある気体放出部、それに対応する差圧
検出器およびそれに接続された利得制御回路によって測
定され、コンピュータ１５に取込まれる。
ステップＦ
コンピュータ１５は（ｘｏ ＋ ｙｏ ）座標位置にあ
る次の被露光位置を原点（ｏ、ｏ）に一致させるべく半
導体クエハ４をＸｏ ＋ Ｙｏだけ移動させるように駆
動装置９，１１を制御する。
る次の被露光位置を原点（ｏ、ｏ）に一致させるべく半
導体クエハ４をＸｏ ＋ Ｙｏだけ移動させるように駆
動装置９，１１を制御する。
ステップＧ
コンピュータ１５は原点に移動された次の被露光領域を
ΔＨだけＺ軸方向に移動させるように駆動装置１４を制
御する。これによって、次の被露ステップＨ このようにして焦点合せが完了した次の被露光領域の露
光が行われる。
ΔＨだけＺ軸方向に移動させるように駆動装置１４を制
御する。これによって、次の被露ステップＨ このようにして焦点合せが完了した次の被露光領域の露
光が行われる。
なお、ステップＥまで（但し、ステップＤが必要な場合
はステップＣまで）は当初原点にあった被露光領域の露
光が行われ続けてもよい。
はステップＣまで）は当初原点にあった被露光領域の露
光が行われ続けてもよい。
ここまでに述べた実施例によってもたらされる利点は要
約すると次の通りである。
約すると次の通りである。
（１）気体放出孔は光軸と一致する軸をもっておらず、
光軸の周ルに配置されている。したがって、気体放出孔
の大きさは光軸を通る光の制限を受けることなしに望み
通シに小さくされ得る。これは、焦点合せのために必要
な被露光表面領域の面積が小さくされ得ること、したが
って被露光表面の周縁部に生ずる、露光の用に供され得
ないむだな領域の面積が小さくされ得ることを意味する
。
光軸の周ルに配置されている。したがって、気体放出孔
の大きさは光軸を通る光の制限を受けることなしに望み
通シに小さくされ得る。これは、焦点合せのために必要
な被露光表面領域の面積が小さくされ得ること、したが
って被露光表面の周縁部に生ずる、露光の用に供され得
ないむだな領域の面積が小さくされ得ることを意味する
。
（２） 光軸と一致しない気体放出孔およびそれから
放出される気体の放出流量変化検出手段はそれぞれ複数
個備えられているため、これらを、焦点合せに際しての
半導体ウェハのＸ軸およびＹ軸方向の移動量をできるだ
け小さくするように選択して使用することができる。こ
の点で、既述した実施例は高スループツトを得るのに適
したものであると言うことができる。
放出される気体の放出流量変化検出手段はそれぞれ複数
個備えられているため、これらを、焦点合せに際しての
半導体ウェハのＸ軸およびＹ軸方向の移動量をできるだ
け小さくするように選択して使用することができる。こ
の点で、既述した実施例は高スループツトを得るのに適
したものであると言うことができる。
既述した実施例において、コンピュータ１５は利得制御
回路２３ａ〜２３ｄの出力信号を平均化し、その平均値
を利用して焦点合せを行うべく駆動装置１４を制御する
ようにしても、よい。これらの基本になる考え方は光軸
と一致している半導体ウェハの被露光領域の、予め定め
られた位置からの光軸方向におけるずれがその光軸の周
シにある気体放出孔１９８〜１９ｄにそれぞれ対向する
半導体ウェハ表面部分の、予め定められた位置からの光
軸方向におけるずれの平均値に等しいとみなしているこ
とである。
回路２３ａ〜２３ｄの出力信号を平均化し、その平均値
を利用して焦点合せを行うべく駆動装置１４を制御する
ようにしても、よい。これらの基本になる考え方は光軸
と一致している半導体ウェハの被露光領域の、予め定め
られた位置からの光軸方向におけるずれがその光軸の周
シにある気体放出孔１９８〜１９ｄにそれぞれ対向する
半導体ウェハ表面部分の、予め定められた位置からの光
軸方向におけるずれの平均値に等しいとみなしているこ
とである。
半導体ウェハの周縁部の露光の場合は、気体放出孔１７
８〜１７ｄのうちの１個または複数のものは半導体ウェ
ハからはみ出して焦点合せの用に供せられ得ない場合が
あシ、この場合はそのはみ出した気体放出孔に関する電
気信号は平均化の対象から除外される。気体放出孔が半
導体ウェハからはみ出した場合とそうでない場合とでは
得られる電気信号の大きさに極端な差が生ずるから、は
−み出しの有無をそれぞれの気体放出孔に関する電
気信号が予め定められたレベル以上であるかないかとい
う点からコンピュータ１５に判断させ、そして、はみ出
しのないときに得られる予め定められたレベル以上の電
気信号のみの平均化をコンピュータ１５に行わせる。コ
ンピュータ１５は予め定められたレベル以上の電気信号
のみの平均化を行うべく、次の第１表に示されるように
１６通夛の判断を行う。表中、Ｌは利得制御回路２３８
〜２３ｄの出力が予め定められたレベル以上であること
を、Ｓは以下であることを示す。
８〜１７ｄのうちの１個または複数のものは半導体ウェ
ハからはみ出して焦点合せの用に供せられ得ない場合が
あシ、この場合はそのはみ出した気体放出孔に関する電
気信号は平均化の対象から除外される。気体放出孔が半
導体ウェハからはみ出した場合とそうでない場合とでは
得られる電気信号の大きさに極端な差が生ずるから、は
−み出しの有無をそれぞれの気体放出孔に関する電
気信号が予め定められたレベル以上であるかないかとい
う点からコンピュータ１５に判断させ、そして、はみ出
しのないときに得られる予め定められたレベル以上の電
気信号のみの平均化をコンピュータ１５に行わせる。コ
ンピュータ１５は予め定められたレベル以上の電気信号
のみの平均化を行うべく、次の第１表に示されるように
１６通夛の判断を行う。表中、Ｌは利得制御回路２３８
〜２３ｄの出力が予め定められたレベル以上であること
を、Ｓは以下であることを示す。
第１表
〔発明の効果〕
本発明によれば、被露光表面の周縁部に露光の用に供さ
れ得ない広いむだな領域が生ずるのを防止し、かつ高ス
ループツトを得るのに適した光学的露光装置が提供され
る。
れ得ない広いむだな領域が生ずるのを防止し、かつ高ス
ループツトを得るのに適した光学的露光装置が提供され
る。
第１図は本発明にもとづく一実施例を示す光学的露光装
置の概略斜視図、第２図は焦点合せ手段の概略図、第３
図は第２図のレンズホルダーの下面図、第４図は露光の
手順を示すフローを示す図である。 １・・・光源、３・・・透明板、５・・・投影レンズ、
６・・・ウェハホルダー、７．８．１０・・・移動台、
１５・・・コンピュータ、１６・・・位置測定装置、１
７・・・気体放出部、２１・・・差圧変換器、２３・・
・利得調整回路。
置の概略斜視図、第２図は焦点合せ手段の概略図、第３
図は第２図のレンズホルダーの下面図、第４図は露光の
手順を示すフローを示す図である。 １・・・光源、３・・・透明板、５・・・投影レンズ、
６・・・ウェハホルダー、７．８．１０・・・移動台、
１５・・・コンピュータ、１６・・・位置測定装置、１
７・・・気体放出部、２１・・・差圧変換器、２３・・
・利得調整回路。
Claims (1)
- １、パターンを光照射する手段；前記パターンの像を被
露光面に形成するように前記パターンから得られる光を
前記被露光表面に指向する手段；前記被露光表面の被露
光位置を変えるように前記被露光表面を移動する手段；
前記被露光表面と前記光指向手段との間隔の、予め定め
られた基準からのずれを検出する手段；並びに前記ずれ
を補償するように前記被露光表面を移動する手段を有し
、前記検出手段はそれぞれ前記被露光表面の互いに異な
る位置に向けて気体が放出される複数個の気体放出孔を
前記被露光表面に向けられる光の光軸の周りに配置する
手段および前記被露光表面の互いに異なる位置の各々と
前記光指向手段との間隔の前記予め定められた基準から
のずれにもとづく前記複数個の気体放出孔の各々からの
放出気体流量の変化を検出する手段を有する光学的露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123725A JPS613407A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光学的露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123725A JPS613407A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光学的露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613407A true JPS613407A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14867815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123725A Pending JPS613407A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光学的露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5944382A (en) * | 1996-10-09 | 1999-08-31 | Center For Design Research And Development N.V. | Adjustable seating |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59123725A patent/JPS613407A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5944382A (en) * | 1996-10-09 | 1999-08-31 | Center For Design Research And Development N.V. | Adjustable seating |
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