JPS613473A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
- Publication number
- JPS613473A JPS613473A JP59123154A JP12315484A JPS613473A JP S613473 A JPS613473 A JP S613473A JP 59123154 A JP59123154 A JP 59123154A JP 12315484 A JP12315484 A JP 12315484A JP S613473 A JPS613473 A JP S613473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phthalocyanine
- polyvinylidene
- film
- photovoltaic device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は光起電力素子に関し、更に詳しくは、光電エネ
ルギー変換効率および安定性に優れた、フタロシアニン
を分散質とする光起電力素子に関する。
ルギー変換効率および安定性に優れた、フタロシアニン
を分散質とする光起電力素子に関する。
（発明の背景）
従来、光起電力素子としては、結晶性シリコン、アモル
７７スシリコン、ＧａＡｓ、Ｉ ｎ Ｐ ／ ＣｄＳＳ
ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ等の無機化合物を用いた素子が知られ
ている。しかしながら、これらの素子は光電エネルギー
変換効率が５〜２３％と比較的高くても原料が高価であ
、りたり、製作技術が複雑であったりするため、素子も
高価にならざるを得なかった。
７７スシリコン、ＧａＡｓ、Ｉ ｎ Ｐ ／ ＣｄＳＳ
ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ等の無機化合物を用いた素子が知られ
ている。しかしながら、これらの素子は光電エネルギー
変換効率が５〜２３％と比較的高くても原料が高価であ
、りたり、製作技術が複雑であったりするため、素子も
高価にならざるを得なかった。
そこで安価な材料を用い、しかも大面積化が容易な光起
電力素子を得るために、有機化合物が見直されつつある
現状である。特にフタロシアニン化合物は、極めて安定
な有機化合物であり、また半導性を有する等の点から、
光起電力素子材料として注目され、多くの報告がなされ
ている。
電力素子を得るために、有機化合物が見直されつつある
現状である。特にフタロシアニン化合物は、極めて安定
な有機化合物であり、また半導性を有する等の点から、
光起電力素子材料として注目され、多くの報告がなされ
ている。
例えば、フタロシアニンの微粒子を高分子化合物中に分
散せしめた光活性層薄膜が光起電力素子として有効に使
用できることが知られている（米国特許第４．１７５．
９８１号）。この場合、障壁金属としてはアルミニウム
を使用し、フタロシアニンとしてはＸ−型無金属フタロ
シアニンを用い、そのバインダー用高分子としては暗絶
縁性のよいもの、特にポリスチレン、ポリアクリロニト
リル、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、スチレン−
アクリロニトリル共重合体およびポリビニルカルバゾー
ルが通しているとされている。これらの高分子中に、Ｘ
−型無金属フタロシアニンを分散させた薄膜を用いて形
成された光起電力素子は１〜１７μＷ／ｃＪの単色入射
光に対して、１．４〜４％の光電エネルギー変換効率を
示している。
散せしめた光活性層薄膜が光起電力素子として有効に使
用できることが知られている（米国特許第４．１７５．
９８１号）。この場合、障壁金属としてはアルミニウム
を使用し、フタロシアニンとしてはＸ−型無金属フタロ
シアニンを用い、そのバインダー用高分子としては暗絶
縁性のよいもの、特にポリスチレン、ポリアクリロニト
リル、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、スチレン−
アクリロニトリル共重合体およびポリビニルカルバゾー
ルが通しているとされている。これらの高分子中に、Ｘ
−型無金属フタロシアニンを分散させた薄膜を用いて形
成された光起電力素子は１〜１７μＷ／ｃＪの単色入射
光に対して、１．４〜４％の光電エネルギー変換効率を
示している。
また光電エネルギー変換効率は用いる高分子により劇的
には変化しないと明記されている。ちなみに１７μＷ／
−の単色入射光における光電エネルギー変換効率は２．
０〜２．９％である。
には変化しないと明記されている。ちなみに１７μＷ／
−の単色入射光における光電エネルギー変換効率は２．
０〜２．９％である。
また、このようなアルミニウムを障壁金属としたフタロ
シアニン分散型光起電力素子は６μＷ／ｄという微弱光
照射下では良好な光電エネルギー変換効率を示すが、光
強度の増加に伴い、その光電エネルギー変換効率は低下
し、１００ ｍＷ／ａａという強光照射下では０．０２
％に減少することが報告されている（Ｒ，０，Ｌｏｕｔ
ｆ ｙ、Ｊ、Ｈ。
シアニン分散型光起電力素子は６μＷ／ｄという微弱光
照射下では良好な光電エネルギー変換効率を示すが、光
強度の増加に伴い、その光電エネルギー変換効率は低下
し、１００ ｍＷ／ａａという強光照射下では０．０２
％に減少することが報告されている（Ｒ，０，Ｌｏｕｔ
ｆ ｙ、Ｊ、Ｈ。
５ｈａｒｐ、Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｐｈｙ’ｓ、７上（３）。
Ｐ１２１１ （１９７９））。
なお、′これらの光電エネルギー変換効率の値は、アル
ミニウム電極を透過した光量（アルミニウム電極の光透
過率は１０〜５０％）に対する値（η工と略記すること
もある）であり、従って照射光基準の光電エネルギー変
換効率（ηと略記することもある）の値は、上記の値の
１／１０〜１／２であり、従って光照射下で取り出しう
る電力値は非常に低いものとなる。
ミニウム電極を透過した光量（アルミニウム電極の光透
過率は１０〜５０％）に対する値（η工と略記すること
もある）であり、従って照射光基準の光電エネルギー変
換効率（ηと略記することもある）の値は、上記の値の
１／１０〜１／２であり、従って光照射下で取り出しう
る電力値は非常に低いものとなる。
更にアルミニウムを障壁金属とし、Ｘ−型無金属フタロ
シアニンの樹脂分散膜を光活性層とした光起電力素子は
、非常に不安定であることが報告されている（Ｒ，Ｑ、
Ｌｏｕｔ ｆ ｙ、、Ｊ、Ｈ，Ｓｈａ ｒｐＳＣｏに、
Ｈｓ ｉ’ａ ｏＳＲ，ＨＯＳＪ。
シアニンの樹脂分散膜を光活性層とした光起電力素子は
、非常に不安定であることが報告されている（Ｒ，Ｑ、
Ｌｏｕｔ ｆ ｙ、、Ｊ、Ｈ，Ｓｈａ ｒｐＳＣｏに、
Ｈｓ ｉ’ａ ｏＳＲ，ＨＯＳＪ。
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５２ （８）、Ｐ５２１８
（１９８１）） 。
（１９８１）） 。
一方、障壁金属としてインジウムを用いると、１３５ｍ
Ｗ／ｃＩＩ！の光強度でＡＭＯの擬似太陽光を照射した
場合、開放電圧０．４５ Ｖ、短絡電流密度０．２ｍＡ
／ｃＩｉｌおよびη約０，０３％が得られるが、１１日
後にその効率は初期値の５７％に低下することが報告さ
れている（Ｓｏｌａｒ Ｃｅ１ｌｓ。
Ｗ／ｃＩＩ！の光強度でＡＭＯの擬似太陽光を照射した
場合、開放電圧０．４５ Ｖ、短絡電流密度０．２ｍＡ
／ｃＩｉｌおよびη約０，０３％が得られるが、１１日
後にその効率は初期値の５７％に低下することが報告さ
れている（Ｓｏｌａｒ Ｃｅ１ｌｓ。
上、Ｐ２Ｓ５ （１９８２））。
また鉛を障壁金属としたＸ−型無金属フタロシアニン樹
脂分散型光起電力素子も報告されている（Ｊ、Ａｐｐ
１．Ｐｈｙｓ、５２ （８）、Ｐ５２１Ｂ（１９８１）
）が、光電エネルギー変換効率はインジウムを用いた場
合の約１／１０であり、またその安定性については示唆
すらされていない。
脂分散型光起電力素子も報告されている（Ｊ、Ａｐｐ
１．Ｐｈｙｓ、５２ （８）、Ｐ５２１Ｂ（１９８１）
）が、光電エネルギー変換効率はインジウムを用いた場
合の約１／１０であり、またその安定性については示唆
すらされていない。
更にＸ−型無金属フタロシアニン樹脂分散型の新規光起
電力素子として、ｎ−型半導体を窓材料として用いるＸ
−型無金属フタロシアニン樹脂分散型光電変換素子が提
案されており（Ｒ，Ｏ，Ｒｏｕｔｆｙ、Ｙ、Ｈ，Ｓｈｉ
ｎｇ、Ｄ、に、Ｍｕｒｔｉ、５ｏｌａｒ Ｃｅ１ｌ
ｓ、５．Ｐ２Ｓ５（１９８２）、硫化カドミウム−Ｘ−
型無金属フタロシアニン／ポリエステル分散膜−金とい
うペテロ接合素子も報告されている。この素子を用い、
開放電圧０．６２ Ｖ、短絡電流密度０．１３ｍＡ／ｃ
ｎ＋およびｔ＋ ０．０２７％（ＡＭＯ１８７ｍＷ／ｃ
ｄの照射光）が得られるが、その素子の長期安定性につ
いては全く言及されておらず、わずかに酸化亜鉛をｎ−
型半導体として用いた素子の長期安定性が優れていると
報告されているのみである。
電力素子として、ｎ−型半導体を窓材料として用いるＸ
−型無金属フタロシアニン樹脂分散型光電変換素子が提
案されており（Ｒ，Ｏ，Ｒｏｕｔｆｙ、Ｙ、Ｈ，Ｓｈｉ
ｎｇ、Ｄ、に、Ｍｕｒｔｉ、５ｏｌａｒ Ｃｅ１ｌ
ｓ、５．Ｐ２Ｓ５（１９８２）、硫化カドミウム−Ｘ−
型無金属フタロシアニン／ポリエステル分散膜−金とい
うペテロ接合素子も報告されている。この素子を用い、
開放電圧０．６２ Ｖ、短絡電流密度０．１３ｍＡ／ｃ
ｎ＋およびｔ＋ ０．０２７％（ＡＭＯ１８７ｍＷ／ｃ
ｄの照射光）が得られるが、その素子の長期安定性につ
いては全く言及されておらず、わずかに酸化亜鉛をｎ−
型半導体として用いた素子の長期安定性が優れていると
報告されているのみである。
以上に述べたように、従来のフタロシアニンを分散質と
して利用する光起電力素子は、いずれもそれほど優れた
光電エネルギー変換率が得られるものではなかった。
して利用する光起電力素子は、いずれもそれほど優れた
光電エネルギー変換率が得られるものではなかった。
本発明者らは、先に電気的に特異な性質を有する高分子
化合物、すなわちポリビニリデン系化合物にＸ−型無金
属フタロシアニンを分散させた膜を光活性層として用い
た光起電力素子が改善された光電エネルギー変換効率を
有することを見出したが（特願昭５９−５９２５８号）
、この光起電力素子は、安定性についてはまだ充分なも
のとはいえなかった。
化合物、すなわちポリビニリデン系化合物にＸ−型無金
属フタロシアニンを分散させた膜を光活性層として用い
た光起電力素子が改善された光電エネルギー変換効率を
有することを見出したが（特願昭５９−５９２５８号）
、この光起電力素子は、安定性についてはまだ充分なも
のとはいえなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、前記従来技術の有する欠点を除去し、
容易にかつ安価に、優れた光電エネルギー変換効率を達
成し、しかも安定性にも優れた、フタロシアニンを分散
質とする光起電力素子を提供することにある。
容易にかつ安価に、優れた光電エネルギー変換効率を達
成し、しかも安定性にも優れた、フタロシアニンを分散
質とする光起電力素子を提供することにある。
（発明の概要）
本発明者らは、上記目的達成のため、鋭意研究の結果、
障壁電極に鉛層または硫化カドミウム層を用いることに
より、前記フタロシアニン樹脂分散型光電変換素子の安
定性が格段に高められることを見出し、本発明に到達し
た。
障壁電極に鉛層または硫化カドミウム層を用いることに
より、前記フタロシアニン樹脂分散型光電変換素子の安
定性が格段に高められることを見出し、本発明に到達し
た。
本発明の光起電力素子は、フタロシアニンを分散状態で
含有するポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光
活性層とし、これを鉛または硫化カドミウムの障壁電極
とオーミック電極とで挟んで成ることを特徴とする。
含有するポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光
活性層とし、これを鉛または硫化カドミウムの障壁電極
とオーミック電極とで挟んで成ることを特徴とする。
本発明によれば、従来の光起電力素子に比して容易かつ
安価に、より改善された光電エネルギー変換効率を有し
、更に安定性が格段に高められた光起電力素子を提供す
ることができる。
安価に、より改善された光電エネルギー変換効率を有し
、更に安定性が格段に高められた光起電力素子を提供す
ることができる。
本発明の光起電力素子は、フタロシアニンを分散状態で
含有するポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光
活性層としている。
含有するポリビニリデン系化合物から成るフィルムを光
活性層としている。
本発明に用いられるフタロシアニンとしては、種々の既
知の金属または無金属フタロシアニンが挙げられるが、
特にＸ−型無金属フタロシアニンが好ましい。
知の金属または無金属フタロシアニンが挙げられるが、
特にＸ−型無金属フタロシアニンが好ましい。
ここでＸ−型無金属フタロシアニンとは、ブラッグ角度
において、７．５．９．１．１６．７．１７．３および
２２．３度に強いＸ線回折図形を有するもので、その強
度比は第４図に示すように必ずしも、米国特許第３．３
５７．９８９号明細書に記載のものと一致するものでな
くてもよい。なお第４図中のＡは米国特許第３．３５７
．９８９号明細書から引用したＸ−型無金属フタロシア
ニンのＸ線回折図、Ｂ、ＣおよびＤは各種製法によるＸ
−型無金属フタロシアニンのＸ線回折図（いずれも銅に
α）を示す。
において、７．５．９．１．１６．７．１７．３および
２２．３度に強いＸ線回折図形を有するもので、その強
度比は第４図に示すように必ずしも、米国特許第３．３
５７．９８９号明細書に記載のものと一致するものでな
くてもよい。なお第４図中のＡは米国特許第３．３５７
．９８９号明細書から引用したＸ−型無金属フタロシア
ニンのＸ線回折図、Ｂ、ＣおよびＤは各種製法によるＸ
−型無金属フタロシアニンのＸ線回折図（いずれも銅に
α）を示す。
また無金属フタロシアニンは市販顔料、その硫酸処理品
または昇華精製品を用いることもできるが、例えば、ジ
リチウムフタロシアニンを経由した精製法またはＪ、Ａ
ｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、。
または昇華精製品を用いることもできるが、例えば、ジ
リチウムフタロシアニンを経由した精製法またはＪ、Ａ
ｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、。
１０３、Ｐ４６２９ （１９８１）に記載されているフ
タロシアニンの種々の錯体を経由した精製法、更にこれ
らの方法と硫酸処理または昇華精製とを併用した方法等
により精製を行っ；得られる高純度フタロシアニンを用
いることが好ましい。
タロシアニンの種々の錯体を経由した精製法、更にこれ
らの方法と硫酸処理または昇華精製とを併用した方法等
により精製を行っ；得られる高純度フタロシアニンを用
いることが好ましい。
ここで高純度フタロシアニンとは好ましくは純度９５％
以上、更に好ましくは９７．５％以上のものをいう。
以上、更に好ましくは９７．５％以上のものをいう。
Ｘ−型無金属フタロシアニンは、上記のごとき精製法で
得られるα−型無金属フタロシアニンに、ボールミル等
の機械的エネルギーを加える等の方法により容易に製造
できる。
得られるα−型無金属フタロシアニンに、ボールミル等
の機械的エネルギーを加える等の方法により容易に製造
できる。
本発明に用いられるポリビニリデン系化合物としては、
例えばビニリデンフルオライド、ビニリデンクロライド
、ビニリデンシアナイド等の重合体またはこれらと他の
共重合成分との共重合体が挙げられる。これらの（共）
重合体はいかなる重合法により製造されたものでもよく
、通雷成形材 料として市販されているものをそ
のまま、またはこれらを再沈澱法により精製して使用す
ることができる。またポリビニリデンシアナイドまたは
その共重合体は、□Ｈ，Ｇ１１ｂｅｒｔ等のＪ、Ａｍ。
例えばビニリデンフルオライド、ビニリデンクロライド
、ビニリデンシアナイド等の重合体またはこれらと他の
共重合成分との共重合体が挙げられる。これらの（共）
重合体はいかなる重合法により製造されたものでもよく
、通雷成形材 料として市販されているものをそ
のまま、またはこれらを再沈澱法により精製して使用す
ることができる。またポリビニリデンシアナイドまたは
その共重合体は、□Ｈ，Ｇ１１ｂｅｒｔ等のＪ、Ａｍ。
Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、７６、Ｐ４Ｏ１０（１９５４）、
同１工、Ｐ１６６９ （１９５６）に記載されている
方法等により容易に製造できる。
同１工、Ｐ１６６９ （１９５６）に記載されている
方法等により容易に製造できる。
これらのく共）重合体の重合度は特に制限されず、フタ
ロシアニン分散質のバインダーとして機能すればよく、
一般に１，０００〜５，０００程度の重合度のものが好
ましい。これらの（共）Ｍ合体を例示すると、ポリビニ
リデンフルオライドとしては、例えばＫＦ−ポリマー（
商品名、呉羽化学工業（株）製）、Ｆｏｒａｆ Ｊｏｎ
（商品名、Ｐｒｏｄｕｉｔｓ Ｃｈｉｍｉｑｕｅｓ
社製）等が、ポリビニリデンクロライドとしては、例え
ばサラン（旭化成（株）製、ビニリデンクロライド−ビ
ニルクロライド共重合体の商品名）、ビニリデンクロラ
イド−アクリロニトリル共重合体（Ｐｏ１ｙｓｃｉｅｎ
ｃｅｓ、Ｉｎｃ製）等が挙げられる。
ロシアニン分散質のバインダーとして機能すればよく、
一般に１，０００〜５，０００程度の重合度のものが好
ましい。これらの（共）Ｍ合体を例示すると、ポリビニ
リデンフルオライドとしては、例えばＫＦ−ポリマー（
商品名、呉羽化学工業（株）製）、Ｆｏｒａｆ Ｊｏｎ
（商品名、Ｐｒｏｄｕｉｔｓ Ｃｈｉｍｉｑｕｅｓ
社製）等が、ポリビニリデンクロライドとしては、例え
ばサラン（旭化成（株）製、ビニリデンクロライド−ビ
ニルクロライド共重合体の商品名）、ビニリデンクロラ
イド−アクリロニトリル共重合体（Ｐｏ１ｙｓｃｉｅｎ
ｃｅｓ、Ｉｎｃ製）等が挙げられる。
前記無金属フタロシアニンとポリビニリデン系化合物と
の混合割合には特に制限はないが、形成される膜厚とも
関係するが、１：４〜４：１の重量割合が好ましい。フ
タロシアニン含有量があまり多すぎると形成される膜の
強度が低下し、膜に亀裂が生じ易く、またあまり少な（
すぎると光電エネルギー変換効率が悪くなり、実用的で
なくなる。特に好ましい重量割合は２：３〜３：２であ
ある。
の混合割合には特に制限はないが、形成される膜厚とも
関係するが、１：４〜４：１の重量割合が好ましい。フ
タロシアニン含有量があまり多すぎると形成される膜の
強度が低下し、膜に亀裂が生じ易く、またあまり少な（
すぎると光電エネルギー変換効率が悪くなり、実用的で
なくなる。特に好ましい重量割合は２：３〜３：２であ
ある。
本発明の光起電力素子を製造するに際して用いられる溶
媒は、ポリビニリデン系化合物を熔解または膨潤しうる
ちので、かつフタロシアニンの結晶形を維持しうるちの
であればよい。ポリビニリデンフルオライドまたはポリ
ビニリデンシアナイドについては、例えばジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラメチルウレア
等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。またポリビニリ
デンクロライドについては、例えばシクロヘキサノン、
イソホロン等のカルボニル化合物、Ｎ−メチルピロリド
ン、テトラメチルウレア等の非プロトン性極性溶媒が好
ましい。またエピクロルヒドリン、ジクロルメタン等の
ハロゲン化物または一般の有機溶媒を希釈剤として併用
することもできる。
媒は、ポリビニリデン系化合物を熔解または膨潤しうる
ちので、かつフタロシアニンの結晶形を維持しうるちの
であればよい。ポリビニリデンフルオライドまたはポリ
ビニリデンシアナイドについては、例えばジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラメチルウレア
等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。またポリビニリ
デンクロライドについては、例えばシクロヘキサノン、
イソホロン等のカルボニル化合物、Ｎ−メチルピロリド
ン、テトラメチルウレア等の非プロトン性極性溶媒が好
ましい。またエピクロルヒドリン、ジクロルメタン等の
ハロゲン化物または一般の有機溶媒を希釈剤として併用
することもできる。
本発明においてポリビニリデン系化合物は光活性層内で
フタロシアニンと何らかの相互作用を持ち、光電エネル
ギー変換効率を向上させるものであるが、この効率を低
下させない範囲内で他の高分子化合物を添加含有させて
もよい。例えばポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル
、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等
を、ポリビニリデン系化合物に対して、好ましくは５０
重量％以下の割合で添加することができる。
フタロシアニンと何らかの相互作用を持ち、光電エネル
ギー変換効率を向上させるものであるが、この効率を低
下させない範囲内で他の高分子化合物を添加含有させて
もよい。例えばポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル
、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等
を、ポリビニリデン系化合物に対して、好ましくは５０
重量％以下の割合で添加することができる。
さらに本発明の光活性層には、例えばクマリン６、ロー
ダミン６Ｇ、ペリレン−９等の色素増感剤、例えばクロ
ラニル、テトラシアノキノジメタン、トリニトロフルオ
レノン、ヨウ素等の電子受容性化合物等を添加すること
もできる。
ダミン６Ｇ、ペリレン−９等の色素増感剤、例えばクロ
ラニル、テトラシアノキノジメタン、トリニトロフルオ
レノン、ヨウ素等の電子受容性化合物等を添加すること
もできる。
本発明の光起電力素子は、前記光活性層を、障壁電極と
オーミック電極とで挟持して成る構造を有するが、その
製造工程には何ら制限はない。
オーミック電極とで挟持して成る構造を有するが、その
製造工程には何ら制限はない。
本発明の光起電力素子においては、障壁電極として鉛層
または硫化カドミウム層が使用される。
または硫化カドミウム層が使用される。
鉛層は通常半透明で用いられ、ガラス、透明高分子フィ
ルム等の基板上に、またはＸ−型無金属フタロシアニン
樹脂分散膜上に、真空蒸着、スパンクリング等の手法ま
たは有機鉛等を用いたＣＶＤ法等の手法により形成され
て用いられる。さらに透明導電性膜として市販されてい
るＮＥＳＡ、ＩＴＯ膜等の上に電気的にメッキする等の
方法により形成することもできる。
ルム等の基板上に、またはＸ−型無金属フタロシアニン
樹脂分散膜上に、真空蒸着、スパンクリング等の手法ま
たは有機鉛等を用いたＣＶＤ法等の手法により形成され
て用いられる。さらに透明導電性膜として市販されてい
るＮＥＳＡ、ＩＴＯ膜等の上に電気的にメッキする等の
方法により形成することもできる。
一方、硫化カドミウム層は、通常、可視光に対し透明ま
たは半透明で用いられ、ガラスまたは透明高分子フィル
ム等の基板上に、またはＮＥＳＡ、ＩＴＯ膜等の上に真
空蒸着、スパッタリング、スクリーン印刷、スプレー熱
分解、近接気相輸送法等の手法で形感される。ＮＥＳＡ
、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を基板とした場合は、電気
化学的手法により形成することもできる。
たは半透明で用いられ、ガラスまたは透明高分子フィル
ム等の基板上に、またはＮＥＳＡ、ＩＴＯ膜等の上に真
空蒸着、スパッタリング、スクリーン印刷、スプレー熱
分解、近接気相輸送法等の手法で形感される。ＮＥＳＡ
、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を基板とした場合は、電気
化学的手法により形成することもできる。
またオーミック電極上に形成したＸ−型無金属フタロシ
アニン樹脂分散膜上に硫化カドミウム膜を形成する場合
には、真空蒸着またはスパッタリングを用いることが好
ましい。
アニン樹脂分散膜上に硫化カドミウム膜を形成する場合
には、真空蒸着またはスパッタリングを用いることが好
ましい。
鉛障壁電極は光起電力の起源となる障壁を形成する電極
であるとともに光を光活性層にまで透過させる窓の役も
兼ねるため、例えば可視光を０６５％以上、通常、１〜
５０％透過する半透明膜に形成されるが、この範囲に限
定されるものではない。
であるとともに光を光活性層にまで透過させる窓の役も
兼ねるため、例えば可視光を０６５％以上、通常、１〜
５０％透過する半透明膜に形成されるが、この範囲に限
定されるものではない。
硫化カドミウム膜も同様に光起電力の起源となる接合を
形成する膜であるとともに光を光活性層にまで透過させ
る窓の役も兼ねるため、可視光を充分に透過す−る必要
がある。硫化カドミウム膜は、本来、可視光に対しほぼ
透明であるで、可視光の透過率が１０％以上（通常は２
０〜９５％）になるように形成されるが、この範囲に限
定されるものではない。
形成する膜であるとともに光を光活性層にまで透過させ
る窓の役も兼ねるため、可視光を充分に透過す−る必要
がある。硫化カドミウム膜は、本来、可視光に対しほぼ
透明であるで、可視光の透過率が１０％以上（通常は２
０〜９５％）になるように形成されるが、この範囲に限
定されるものではない。
本発明におけるオーミック電極としては、仕事関数の大
きい金属またはその金属酸化物、例えば金、銀、白金、
銅、酸化スズ、酸化インジウム等が好ましく用いられる
。これらはガラスまたは透明高分子フィルム等の基板上
に、または分散膜上に、真空蒸着、スパッタリング等の
手法により形成されて用いられる。また前記金属板の形
で使用することもでき、さらに透明導電性膜として市販
されているＮＥＳＡ、、ＩＴＯ膜等を使用することもで
きる。
きい金属またはその金属酸化物、例えば金、銀、白金、
銅、酸化スズ、酸化インジウム等が好ましく用いられる
。これらはガラスまたは透明高分子フィルム等の基板上
に、または分散膜上に、真空蒸着、スパッタリング等の
手法により形成されて用いられる。また前記金属板の形
で使用することもでき、さらに透明導電性膜として市販
されているＮＥＳＡ、、ＩＴＯ膜等を使用することもで
きる。
本発明の光起電力素子を得るには、まず前記フタロシア
ニン１重量部に対して、ポリビニリデン系化合物０．２
５〜４重量部および前記溶媒１〜３００重量部を混合し
、さらに所望により、前記の高分子化合物、色素増感剤
、電子受容性化合物等を添加混合する。次いで得られた
混合物を、例えばボールミル、超音波分散、５ｐｅｘ社
製のＭｉｘｅｒ Ｍｉｌｌ、ペイントシェーカー、ジ
ェットミル鳩の分散手段により均一に分散し、得られた
分散液を障壁電極またはオーミンク電極上に塗布する。
ニン１重量部に対して、ポリビニリデン系化合物０．２
５〜４重量部および前記溶媒１〜３００重量部を混合し
、さらに所望により、前記の高分子化合物、色素増感剤
、電子受容性化合物等を添加混合する。次いで得られた
混合物を、例えばボールミル、超音波分散、５ｐｅｘ社
製のＭｉｘｅｒ Ｍｉｌｌ、ペイントシェーカー、ジ
ェットミル鳩の分散手段により均一に分散し、得られた
分散液を障壁電極またはオーミンク電極上に塗布する。
分散は必要に応じて加熱下にまたは冷却下に行うことが
できる。分散時間は全体の量、液の粘度、分散温度、分
散手段等により変化するので一概には言えないが、一般
に１０分間ないし５時間の範囲が好ましい。電極への塗
布方法としては、スピンコーティング法、アプリケータ
ー法、ワイヤーバー法、ドクターブレード法、スクリー
ン印刷法等の種々の方法を用いることができる。
できる。分散時間は全体の量、液の粘度、分散温度、分
散手段等により変化するので一概には言えないが、一般
に１０分間ないし５時間の範囲が好ましい。電極への塗
布方法としては、スピンコーティング法、アプリケータ
ー法、ワイヤーバー法、ドクターブレード法、スクリー
ン印刷法等の種々の方法を用いることができる。
電極への塗布は、乾燥時の膜厚が好ましくは０．０５〜
５０μｍ、特に好ましくは０．１〜１０μｍとなるよう
に塗布する。
５０μｍ、特に好ましくは０．１〜１０μｍとなるよう
に塗布する。
次いでこれを乾燥した後、基板上の電極が障壁電極の場
合には、オーミック電極を、またオーミック電極の場合
には、障壁電極を、真空蒸着、スパッタリング等の手法
により形成する。
合には、オーミック電極を、またオーミック電極の場合
には、障壁電極を、真空蒸着、スパッタリング等の手法
により形成する。
本発明の光起電力素子の構造の一例を、そのエネルギー
変換効率測定系とともに、第１図に示す。
変換効率測定系とともに、第１図に示す。
光起電力素子の光電エネルギー変換効率の評価は、光照
射量と負荷抵抗両端の電圧変化を測定して算出される。
射量と負荷抵抗両端の電圧変化を測定して算出される。
その際負荷抵抗を適宜選ぶことにより、開放電圧（Ｖｏ
ｃ）、短絡電流密度（ＪｓＣ）および最適負荷条件を見
出すことができる。
ｃ）、短絡電流密度（ＪｓＣ）および最適負荷条件を見
出すことができる。
エネルギー変換効率（照射光基準）ηは次式により算出
される。
される。
（ＦＦは曲線因子、Ｐｉは単位面積当たりの照射光エネ
ルギーである） エネルギー変換効率η（照射光基準）とη工（電極透過
光基準）との関係は次式のとおりである。
ルギーである） エネルギー変換効率η（照射光基準）とη工（電極透過
光基準）との関係は次式のとおりである。
ηア＝ −Ｘ １００ （％）
（Ｔは障壁電極の光の透過率（％）である）（発明の効
果） 本発明の光起電力素子は、フタロシアニンを分散質とし
て利用し、ポリビニリデン系化合物をバインダーとして
用い、しかも障壁電極として鉛層または硫化カドミウム
層を用いることにより、従来の光起電力素子に比して、
光電エネルギー変換効率と安門性を格段に向上させるこ
とができる。
果） 本発明の光起電力素子は、フタロシアニンを分散質とし
て利用し、ポリビニリデン系化合物をバインダーとして
用い、しかも障壁電極として鉛層または硫化カドミウム
層を用いることにより、従来の光起電力素子に比して、
光電エネルギー変換効率と安門性を格段に向上させるこ
とができる。
また本発明の光起電力素子は、安１！］ｉに大面積のも
のを安易に製造することができ、また光センサーとして
用いることができるなど、工業的実用価値は極めて高い
ものである。
のを安易に製造することができ、また光センサーとして
用いることができるなど、工業的実用価値は極めて高い
ものである。
（発明の実施例）
以下、本発明を実施例により説明するが、これにより本
発明の範囲が限定されるものではない。
発明の範囲が限定されるものではない。
実施例１
高純度α−型無金属フタロシアニン２０ｇおよび直径１
０ｔｍのセラミックス製ボール４００ｇを内容積４００
ｍ ｊ＋のセラミックス製ボールミルに仕込み、毎分
１００回転で７０時間微粉砕した。
０ｔｍのセラミックス製ボール４００ｇを内容積４００
ｍ ｊ＋のセラミックス製ボールミルに仕込み、毎分
１００回転で７０時間微粉砕した。
得られたフタロシアニンは高純度Ｘ−型粘結晶形あった
。
。
この高純度Ｘ−型型金金属フタロシアニン０■、ポリビ
ニリデンフルオライド２０■およびテトラメチルウレア
１．２ ｍ ｌを混合し、−１５℃で２０分間分散を行
い、スラリーを形成させた。得られたスラリーをスピン
ナーヘッド上に固定した透明導電ガラス面に滴下し、ス
ピンナーを８０Ｏｒｐｍで５秒間回転させて膜を形成さ
せた。この膜を１００℃で２４時間真空乾燥し、溶媒を
完全に除去して薄膜素子を作成した。次いでこの素子膜
の上面に鉛を真空蒸着し、半透明の電極を形成させ、本
発明の光起電力素子を得た。この光起電力素子の、白色
光および６１７ｎｍの各種強度の照射光に対するエネル
ギー変換効率ηを測定した。その結果を第１表に示す。
ニリデンフルオライド２０■およびテトラメチルウレア
１．２ ｍ ｌを混合し、−１５℃で２０分間分散を行
い、スラリーを形成させた。得られたスラリーをスピン
ナーヘッド上に固定した透明導電ガラス面に滴下し、ス
ピンナーを８０Ｏｒｐｍで５秒間回転させて膜を形成さ
せた。この膜を１００℃で２４時間真空乾燥し、溶媒を
完全に除去して薄膜素子を作成した。次いでこの素子膜
の上面に鉛を真空蒸着し、半透明の電極を形成させ、本
発明の光起電力素子を得た。この光起電力素子の、白色
光および６１７ｎｍの各種強度の照射光に対するエネル
ギー変換効率ηを測定した。その結果を第１表に示す。
第１表
またこの光起電力素子の白色光（７５，８ｍＷ／−）照
射時のＪｓｃおよびＶｏｃはそれぞれ１１３μＡ／ｃｊ
および０．６４ Ｖであった。これらの値はＲ，Ｏ，Ｌ
ｏｕｔｆｙ等がＪ、Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ、 、 ５２
（８）、 Ｐ５２１８ （１９８１）で報告している
、鉛障壁電極〜Ｘ−型無金属フタロシアニン−ポリビニ
ルカルバゾール分散光起電力素子の場合の値（Ｊ ｓ
ｃ ７．２ ＃Ａ／ｃ＋Ｉ！およびＶ。
射時のＪｓｃおよびＶｏｃはそれぞれ１１３μＡ／ｃｊ
および０．６４ Ｖであった。これらの値はＲ，Ｏ，Ｌ
ｏｕｔｆｙ等がＪ、Ａｐｐ １．Ｐｈｙｓ、 、 ５２
（８）、 Ｐ５２１８ （１９８１）で報告している
、鉛障壁電極〜Ｘ−型無金属フタロシアニン−ポリビニ
ルカルバゾール分散光起電力素子の場合の値（Ｊ ｓ
ｃ ７．２ ＃Ａ／ｃ＋Ｉ！およびＶ。
ｃｏ、５３Ｖ （ＡＭＯ，擬似太陽光照射時））に比し
て非常に高い値である。
て非常に高い値である。
これらの結果から、本発明の光起電力素子が優れた光電
エネルギー変換効率を示すことが明らか ゛である。
エネルギー変換効率を示すことが明らか ゛である。
実施例２
α−型無金属フタロシアニンを錯体化し、水で分解する
ことにより精製を行った。この精製α〜型型金金属フタ
ロシアニン純度９９．９％）を用い、以下実施例１と同
様に処理して高純度Ｘ−型型金金属フタロシアニン得た
。
ことにより精製を行った。この精製α〜型型金金属フタ
ロシアニン純度９９．９％）を用い、以下実施例１と同
様に処理して高純度Ｘ−型型金金属フタロシアニン得た
。
得られた高純度Ｘ−型型金金属フタロシアニンよびポリ
ビニリデンフルオライドを用い、溶媒としてテトラメチ
ルウレア０．９ ｍ ｊ！およびエピクロルヒドリン０
．３ ｍ ７！を用い、スピンナーの回転数を６０Ｏｒ
ｐｍとし、その他は実施例１と同様に処理して本発明の
光起電力素子を得た。
ビニリデンフルオライドを用い、溶媒としてテトラメチ
ルウレア０．９ ｍ ｊ！およびエピクロルヒドリン０
．３ ｍ ７！を用い、スピンナーの回転数を６０Ｏｒ
ｐｍとし、その他は実施例１と同様に処理して本発明の
光起電力素子を得た。
この光起電力素子に光強度７５．８ｍＷ／ｃＪの白色光
を照射し、短絡電流の経時変化を測定した。
を照射し、短絡電流の経時変化を測定した。
その結果を第２図に示す。
比較例１
実施例２で得られたＸ−型無金属フタロシアニンを用い
、障壁電極としてアルミニウムを真空蒸着し、その他は
実施例２と同様に処理して光起電力素子を得た。
、障壁電極としてアルミニウムを真空蒸着し、その他は
実施例２と同様に処理して光起電力素子を得た。
この光起電力素子の６１７ｎｍの各種強度の照射光に対
するηを測定した。その結果を第１表に示す。
するηを測定した。その結果を第１表に示す。
またこの光起電力素子に光強度７５．８ｍＷ／ｃ＋（の
白色光を照射し、短絡電流の経時変化を測定した。その
結果を第２図に示す。図中、ＥＸは実施例、ＣＥＸは比
較例を示す。
白色光を照射し、短絡電流の経時変化を測定した。その
結果を第２図に示す。図中、ＥＸは実施例、ＣＥＸは比
較例を示す。
第２図の結果から、本発明の光起電力素子が比較例の場
合に比して格段に優れた安定性を示すことが明らかであ
る。
合に比して格段に優れた安定性を示すことが明らかであ
る。
実施例３
実施例２で得られたＸ−型無金属フタロシアニン３０■
、ポリビニリデンフルオライド２０■、テトラメチルウ
レアＱ、９ ｍ １２およびエピクロルヒドリン０．３
ｍ Ｉ！を混合し、−１５℃で３０分間分散を行い、
スラリーを形成させた。
、ポリビニリデンフルオライド２０■、テトラメチルウ
レアＱ、９ ｍ １２およびエピクロルヒドリン０．３
ｍ Ｉ！を混合し、−１５℃で３０分間分散を行い、
スラリーを形成させた。
このスラリーを用い、鉛を半透明に真空蒸着したガラス
基板上に、ワイヤーバー法で膜を形成させた。この膜を
室温で２４時間真空乾燥し、溶媒を完全に除去して薄膜
素子を作成した。この素子膜の上面に金を蒸着し、本発
明の光起電力素子を得た。
基板上に、ワイヤーバー法で膜を形成させた。この膜を
室温で２４時間真空乾燥し、溶媒を完全に除去して薄膜
素子を作成した。この素子膜の上面に金を蒸着し、本発
明の光起電力素子を得た。
この光起電力素子の１力月保存下におけるＪｓＣの経時
変化を測定した（６１’？ｎｍの単色光で光強度０．０
７４７ ｍＷ／ｃ＋ｆの光を照射）。その結果を第３図
に示す。
変化を測定した（６１’？ｎｍの単色光で光強度０．０
７４７ ｍＷ／ｃ＋ｆの光を照射）。その結果を第３図
に示す。
比較例２
鉛の代わりに、アルミニウムを用い、その他は実施例３
と同様にして光起電力素子を得た。この光起電力素子の
１力月保存下におけるＪｓｃの経時変化を測定した。こ
の結果を第３図に示す（図中、ＥＸは実施例、ＣＥＸは
比較例を示す）。
と同様にして光起電力素子を得た。この光起電力素子の
１力月保存下におけるＪｓｃの経時変化を測定した。こ
の結果を第３図に示す（図中、ＥＸは実施例、ＣＥＸは
比較例を示す）。
第３図から、障壁電極に鉛を用いた本発明の光起電力素
子は、アルミニウムを用いた比較例の素子に比して格段
に安定であることが分る。
子は、アルミニウムを用いた比較例の素子に比して格段
に安定であることが分る。
実施例４
Ａ、Ｓ、Ｂａｒａｎｓｋｉ等の報告（Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ、Ｓａｃ、、１２Ｂ （５）。
ｏｃｈｅｍ、Ｓａｃ、、１２Ｂ （５）。
Ｐ９６３ （１９８１））に従って透明導電性膜（ＩＴ
Ｏ）上に硫化カドミウム膜を厚さ約０．３μｍとなるよ
うに電着した。
Ｏ）上に硫化カドミウム膜を厚さ約０．３μｍとなるよ
うに電着した。
別に実施例２で得られたＸ−型無金属フタロシアニン３
０曙、ポリビニリデンフルオライド２０■、テトラメチ
ルウレア０．９ ｍ ｌ！およびエピクロルヒドリン０
．３ ｍ ｌ！を混合し、−１５℃で３０分間分散を行
い、スラリーを形成させた。得られスラリーをスピンナ
ーヘッド上に固定した前記硫化カドミウム膜上に滴下し
、スピンナーを６０ｏｒｐｍで５秒間回転させて膜を形
成させた。この膜を１００℃で２４時間真空乾燥し、溶
媒を完全に除去して薄膜素子を作成した。次いでこの素
子膜の上面に金を真空蒸着してオーミック電極を形成さ
せ、本発明の光起電力素子を得泥。この光起電力素子あ
、白色光および６１７ｎｍの各種強度の照射光に対する
ηを測定した。その結果を第１表に示す。
０曙、ポリビニリデンフルオライド２０■、テトラメチ
ルウレア０．９ ｍ ｌ！およびエピクロルヒドリン０
．３ ｍ ｌ！を混合し、−１５℃で３０分間分散を行
い、スラリーを形成させた。得られスラリーをスピンナ
ーヘッド上に固定した前記硫化カドミウム膜上に滴下し
、スピンナーを６０ｏｒｐｍで５秒間回転させて膜を形
成させた。この膜を１００℃で２４時間真空乾燥し、溶
媒を完全に除去して薄膜素子を作成した。次いでこの素
子膜の上面に金を真空蒸着してオーミック電極を形成さ
せ、本発明の光起電力素子を得泥。この光起電力素子あ
、白色光および６１７ｎｍの各種強度の照射光に対する
ηを測定した。その結果を第１表に示す。
第１表の結果から、ηは光強度が増加してもほぼ一定値
を示し、本発明の光起電力素子が優れていることが分る
。
を示し、本発明の光起電力素子が優れていることが分る
。
またこの光起電力素子の白色光（７５，８ｍＷ／ｃＩＩ
＋）照射時のＪｓｃおよびＶｏｃはそれぞれ３５５μＡ
／ｃｄおよびｏ、 ａ ｏ ｖであった。これらの値は
Ｒ，Ｏ，Ｌｏｕｔｆｙ等が５ｏｌａｒ Ｃｅ１ｌ ｓ
、５．Ｐ３３１ （１９８２）で報告している、Ｗ化
カドミウム〜Ｘ−型無金属フタロシアニン／ポリエステ
ル（ＰＥ２００）分散膜〜金の光起電力素子の場合の値
（Ｊｊｃ１３０ＩＩＡ／ｃｎｆおよびＶｏｃｏ、６２Ｖ
ＣＡＭＯ１擬似太陽擬似太陽光８御 結果から、本発明の光起電力素子の光電変換特性が優れ
ていることが明らかである。
＋）照射時のＪｓｃおよびＶｏｃはそれぞれ３５５μＡ
／ｃｄおよびｏ、 ａ ｏ ｖであった。これらの値は
Ｒ，Ｏ，Ｌｏｕｔｆｙ等が５ｏｌａｒ Ｃｅ１ｌ ｓ
、５．Ｐ３３１ （１９８２）で報告している、Ｗ化
カドミウム〜Ｘ−型無金属フタロシアニン／ポリエステ
ル（ＰＥ２００）分散膜〜金の光起電力素子の場合の値
（Ｊｊｃ１３０ＩＩＡ／ｃｎｆおよびＶｏｃｏ、６２Ｖ
ＣＡＭＯ１擬似太陽擬似太陽光８御 結果から、本発明の光起電力素子の光電変換特性が優れ
ていることが明らかである。
また前記本発明の光起電力素子に、強度７５．８ｍ Ｗ
／ ｅｒａの白色光を照射し、短絡電流の経時変化を
測定した。この結果を第２図に示す。
／ ｅｒａの白色光を照射し、短絡電流の経時変化を
測定した。この結果を第２図に示す。
第２図の結果から、本発明の光起電力素子が比較例の場
合に比して格段に優れた安定性を示すことが明らかであ
る。
合に比して格段に優れた安定性を示すことが明らかであ
る。
さらに前記本発明の光起電力素子の１力月保存下におけ
るＪｓｃの経時変化を測定した（６１７ｎｍの単色光で
光強度１． ６ ６ ｍＷ／ａｎ！光を照射）。
るＪｓｃの経時変化を測定した（６１７ｎｍの単色光で
光強度１． ６ ６ ｍＷ／ａｎ！光を照射）。
その結果を第３図に示す。第３図から、障壁電極に硫化
カドミウムを用いた本発明の光起電力素子は、アルミニ
ウムを用いた比較例の素子に比して格段に安定であるこ
とが分る。
カドミウムを用いた本発明の光起電力素子は、アルミニ
ウムを用いた比較例の素子に比して格段に安定であるこ
とが分る。
また、白色光照射下（ ７ ５． ８ ｍＷ／ｃ−＋＋
Ｉ）の光電エネルギー変換率ηは、初期値０． ０ ５
４％、１６日後０． ０ ５ ６％、２６日後０、０
５５％であり、２６日間の保存では、効率の低下はみら
れず、非常に安定性の高い光起電力素子であることが明
らかである。
Ｉ）の光電エネルギー変換率ηは、初期値０． ０ ５
４％、１６日後０． ０ ５ ６％、２６日後０、０
５５％であり、２６日間の保存では、効率の低下はみら
れず、非常に安定性の高い光起電力素子であることが明
らかである。
第１図は本発明の光起電力素子の構造の一例とそのエネ
ルギー変換効率測定系を示す断面略図、第２図は白色光
照射下の短絡電流の経時変化を示す図、第３図は６１７
ｎｍの単色光照射下の短絡電流密度の経時変化を示す図
、第４図はＸ−型無金属フタロシアニンのＸ線回折図（
銅にα）である。 １・・・フタロシアニン粒子、２・・・ポリビニリデン
系化合物、３・・・鉛半透明膜、４・・・導電膜電極、
５・・・ガラス基板、６、６１・・・銀ペースト、７、
７′・・・リード線、８・・・負荷抵抗、９・・・エレ
クトロメーター。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 第２図
ルギー変換効率測定系を示す断面略図、第２図は白色光
照射下の短絡電流の経時変化を示す図、第３図は６１７
ｎｍの単色光照射下の短絡電流密度の経時変化を示す図
、第４図はＸ−型無金属フタロシアニンのＸ線回折図（
銅にα）である。 １・・・フタロシアニン粒子、２・・・ポリビニリデン
系化合物、３・・・鉛半透明膜、４・・・導電膜電極、
５・・・ガラス基板、６、６１・・・銀ペースト、７、
７′・・・リード線、８・・・負荷抵抗、９・・・エレ
クトロメーター。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）フタロシアニンを分散状態で含有するポリビニリ
デン系化合物から成るフィルムを光活性層とし、これを
鉛または硫化カドミウムの障壁電極とオーミック電極と
で挟んで成ることを特徴とする光起電力素子。 - （２）フタロシアニンがＸ−型無金属フタロシアニンで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光起
電力素子。 - （３）ポリビニリデン系化合物が、ビニリデンフルオラ
イド、ビニリデンクロライド、もしくはビニリデンシア
ナイドの重合体またはこれらの化合物と他の共重合成分
との共重合体であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123154A JPH0652800B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123154A JPH0652800B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613473A true JPS613473A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0652800B2 JPH0652800B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=14853513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123154A Expired - Lifetime JPH0652800B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652800B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316679A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-01-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子の製造方法 |
| JP2017212473A (ja) * | 2017-09-12 | 2017-11-30 | 三菱ケミカル株式会社 | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559497A (en) * | 1978-07-03 | 1980-01-23 | Xerox Corp | Photovoltaic element |
| JPS55140277A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Ricoh Co Ltd | Organic phtotovoltaic element |
| JPS5780780A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photovoltaic element |
| JPS5857758A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123154A patent/JPH0652800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559497A (en) * | 1978-07-03 | 1980-01-23 | Xerox Corp | Photovoltaic element |
| JPS55140277A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Ricoh Co Ltd | Organic phtotovoltaic element |
| JPS5780780A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photovoltaic element |
| JPS5857758A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316679A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-01-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子の製造方法 |
| JP2017212473A (ja) * | 2017-09-12 | 2017-11-30 | 三菱ケミカル株式会社 | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652800B2 (ja) | 1994-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1096022A (en) | Photovoltaic cell | |
| US6653701B1 (en) | Semiconductor device and production method thereof | |
| US4127738A (en) | Photovoltaic device containing an organic layer | |
| US6153824A (en) | Photo-semiconductive electrode and photo-electic cell using the same | |
| US4175982A (en) | Photovoltaic cell | |
| Minami et al. | Improvement of the performance of particulate phthalocyanine photovoltaic cells by the use of polar polymer binders | |
| JP2004063274A (ja) | 光電変換材料、半導体電極、並びにそれを用いた光電変換素子 | |
| JP2004200068A (ja) | 光電変換材料、半導体電極、並びにそれを用いた光電変換素子 | |
| Jana et al. | Periodic voltammetry as a successful technique for synthesizing CdSe semiconductor films for photo-electrochemical application | |
| CN113394343B (zh) | 一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
| JPS613473A (ja) | 光起電力素子 | |
| US20180226203A1 (en) | Light-absorbing material containing perovskite compound, and perovskite solar cell including the same | |
| JPH06177410A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JP3269247B2 (ja) | 有機太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2003243053A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| Sanjay et al. | Natural dyes extracted from fruits of Phyllanthus reticulatus as sensitizers in ZnO nanorods based dye sensitized solar cells | |
| JPS60201672A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2004319120A (ja) | 半導体電極の作製方法、並びにそれを用いた光電変換素子 | |
| US20180226202A1 (en) | Light-absorbing material containing perovskite compound and perovskite solar cell including the same | |
| JPS6316679A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPH01208873A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2947593B2 (ja) | 積層型有機太陽電池 | |
| JPH0547995B2 (ja) | ||
| JPS6310909B2 (ja) | ||
| JPH03285365A (ja) | 太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |