JPS6135281B2 - - Google Patents
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- JPS6135281B2 JPS6135281B2 JP20803281A JP20803281A JPS6135281B2 JP S6135281 B2 JPS6135281 B2 JP S6135281B2 JP 20803281 A JP20803281 A JP 20803281A JP 20803281 A JP20803281 A JP 20803281A JP S6135281 B2 JPS6135281 B2 JP S6135281B2
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- Japan
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- polyoxymethylene
- stretching
- absorption
- rod
- crystal
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
- B29C55/02—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets
- B29C55/04—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets uniaxial, e.g. oblique
- B29C55/06—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets uniaxial, e.g. oblique parallel with the direction of feed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/12—Dielectric heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
- B29C55/22—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of tubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/78—Arrangements for continuous movement of material
- H05B6/788—Arrangements for continuous movement of material wherein an elongated material is moved by applying a mechanical tension to it
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2059/00—Use of polyacetals, e.g. POM, i.e. polyoxymethylene or derivatives thereof, as moulding material
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- B29K2061/00—Use of condensation polymers of aldehydes or ketones or derivatives thereof, as moulding material
-
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- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/25—Solid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0037—Other properties
- B29K2995/0041—Crystalline
-
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0037—Other properties
- B29K2995/0083—Creep
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Artificial Filaments (AREA)
- Yarns And Mechanical Finishing Of Yarns Or Ropes (AREA)
Description
本発明は、引張弾性率が大きいポリオキシメチ
レンフイラメントの連続製造方法に関するもので
ある。 従来、フイラメントを製造するにあたつては、
結晶部と非晶部から成る結晶性高分子を溶融状ま
たは溶液状にして紡糸してフイラメントを形成す
るが、このようにして得られたフイラメントにお
いては、結晶部がランダムに配向しているので、
引張弾性率は小さい。したがつて、引張弾性率を
大きくするためには、次にフイラメントを長さ方
向に延伸しなければならない。フイラメントを延
伸すると、結晶の分子軸（Ｃ軸）が延伸方向に配
向するとともに結晶内の折畳まれた分子鎖がほど
けて延伸方向に伸びきる状態で再配列する（結晶
配向）。また、結晶部に挾まれた非晶部内の分子
鎖にも張力が加わり、延伸方向に配向する（非晶
配向）。結晶配向とともにこの非晶配向が高弾性
率化に大きな寄与をすることが知られている
（A.Ciferri and I.M.Ward（eds.）、Ultra−High
Modulus Polymers、Appl.Sci.Publishers、
1979）。この結果、その極限として引張弾性率は
結晶の縦弾性率の値まで大きくなるはずである。
しかし、従来の延伸方法では専らフイラメントを
熱板接触や熱風雰囲気等により外部より均一に加
熱（外部加熱）しながら延伸したり、あるいは米
国特許第3364294号に見られるように、太径のポ
リエステルトウ（繊維束）では吸湿させ誘電加熱
により内部より均一に加熱しながら延伸していた
ので、延伸する際に配向結晶化した結晶部も均一
に加熱される。その結果、結晶部の引張弾性率が
低下し、非晶部における延伸応力が不足し、従つ
て、高弾性率化に重要な役割をする非晶配向が充
分に行えなかつた。このため、引濃弾性率は理論
的に期待できる値に比べて満足できるものではな
かつた。 そこで、本発明の目的は、上述の欠点を除去
し、引張弾性率が大きいポリオキシメチレンフイ
ラメントを連続的に製造する方法を提案すること
にある。 〓〓〓
そのために、本発明では、外部加熱を併用しな
がら誘電加熱により結晶性高分子の非晶部および
結晶欠陥部を結晶部よりもより選択的に加熱しな
がら延伸し、ここで、結晶性高分子として数平均
分子量が50000以下のポリオキシメチレンを用い
る。 結晶性高分子には、分子内の極性基に付随する
双極子モーメントの運動に基づく各種の誘電緩和
吸収が存在することが知られている。低周波側か
ら結晶部内の分子鎖の動きに起因する結晶吸収
（α吸収）、非晶部内の分子鎖の大きな動きに起因
する非晶吸収（β吸収）、主に非晶部内および結
晶欠陥部の分子鎖の局所的な動きに起因する吸収
（γ吸収）などである。これらの吸収の起こる温
度、周波数は結晶性高分子の種類により異なる
が、大まかには室温付近ではα吸収のピークは１
Hz以下、β吸収のピークは1kHz〜1MHz、γ吸
収のピークは1GHz付近にある。これらの吸収は
温度とともに大きくなるとともに高周波側へ移動
し、融点付近では一体となる（N.G.McCrum、B.
E.Read and G.Williams、Anelastic and
Dielectric Effects in Polymeric Solids、John
Wiley＆Sons、1967）。 このような吸収は各吸収の周波数に対応する交
流電場を印加することにより励起され発熱源とな
る（誘電加熱）。したがつて、融点付近では各吸
収を選択的に励起することは困難となるが、融点
より低くなるとともに周波数の選択によりβ吸収
および／またはγ吸収を励起し、非晶部および結
晶欠陥部を結晶部に対して選択的に加熱すること
ができる。なお、熱伝導により結晶部も徐々に加
熱されていくので、そのまま放置すれば非晶部お
よび結晶部の全体が均一に加熱されることは言う
までもない。工業加熱用に割当てられている周波
数は13MHz〜18GHzであり、これらの周波数で
は専ら非晶部および結晶欠陥部がまず選択的に加
熱されることとなる。 本発明では、ポリオキシメチレンロツドを外部
加熱を併用しながら誘電加熱下で延伸する過程に
おいて、非晶部および結晶欠陥部が結晶部よりも
より選択的に加熱される条件下で、すなわち熱伝
導により結晶部まで加熱され、全体が均一加熱と
ならないような条件下で延伸することにより、延
伸時の結晶部の引張弾性率の低下を抑制し、分子
鎖が動き易くなつている非晶部および結晶欠陥部
に延伸応力を有効に働かせることにより、高倍率
に延伸配向させ、引張弾生率を大きくするもので
ある。本発明は、この過程において用いるポリオ
キシメチレンの数平均分子量によりその効果が著
しく異なることを見出してなしたものである。 以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。 第１図は本発明の方法を実施するのに用いられ
る装置の一例を示し、ここでロツド状のポリオキ
シメチレン１を操出ボビン２に巻回しておき、操
出機３により操出して誘電加熱装置４に送り込
む。誘電加熱装置４は、誘電加熱用円筒導波管
５、この導波管５の両端に配置した整合用円筒導
波管６Ａ，６Ｂおよび７Ａ，７Ｂ、導波管７Ａに
結合した発振器接続用矩形導波管８および導波管
７Ｂに結合したダミー接続用矩形導波管９を有
し、両端の導波管７Ａおよび７Ｂにはポリオキシ
メチレンロツドの通過する通過孔１０をあけてお
く。通過孔１０を通過したポリオキシメチレンロ
ツド１′を引取機１１を介して巻取ボビン１２に
巻取る。整合用円筒導波管６Ａおよび６Ｂの内径
は加熱用円筒導波管５の内径よりも若干大きく定
め、さらに整合用円筒導波管７Ａおよび７Ｂの内
径は整合用円筒導波管６Ａおよび６Ｂの内径より
も若干大きく定める。従つて、発振器接続用矩形
導波管８より入射されたマイクロ波（周波数
2.45GHz）は反射されることなく加熱用円筒導波
管５にTM01モードで効率よく導かれる。また、
余剰のマイクロ波は整合用円筒導波管６Ａ，６Ｂ
および７Ａ，７Ｂおよびダミー接続用矩形導波管
９を通つてマイクロ波吸収用ダミー（図示せず）
へ導かれて吸収されるので、発振源に戻つて発振
器を損傷することはない。また、誘電加熱用円筒
導波管５の外周面にはバンドヒーターを取付けて
管内の外部加熱による雰囲気温度を所定の温度と
なるようにする。この装置を動作させるにあたつ
ては、ポリオキシメチレンロツド１を操出ボビン
２より操り出し、操出機３から誘電加熱装置４を
通して引取機１１で引取り、次いで巻取ボビン１
２に巻取る。ここで、引取機１１の速度を操出機
１０の速度よりも速くすることによりポリオキシ
メチレンロツド１に任意の張力が働き、ポリオキ
シメチレンロツド１は誘電加熱用円筒導波管５の
〓〓〓
内部で連続的に加熱延伸され、目的とするポリオ
キシメチレンフイラメント１′が得られる。 本発明を以下実施例により説明するが、本発明
はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 実施例 １ この実施例では、ポリオキシメチレンロツド１
の材料として数平均分子量が5000以下のポリオキ
シメチレン（密度1.42ｇ/cm3、融点179℃）を用
い、誘電加熱装置４において、外部加熱を併用し
ながら誘電加熱延伸を行つた。かかるポリオキシ
メチレンから成る直径1.0mmの未延伸ロツド１を
誘電加熱装置４（発振周波数2.45GHz、最大出力
1.5kW、加熱用円筒導波管長0.5ｍ、内径95.6
mm）に導き、外部加熱による雰囲気温度149℃の
下で、引取機１１の引取速度を1.0ｍ／分に設定
して延伸を開始した。発振器の出力を徐々に増加
するとともに繰出機３に繰出速度を遅くして延伸
倍率を上げ、発振出力が最大出力1.5kWに到達し
た後は、この最大出力で繰出速度をさらに遅く
し、ポリオキシメチレンロツド１が破断するまで
延伸倍率を上げていつた。この場合の実験条件お
よび結果を第１表に示す。この結果からわかるよ
うに、本実施例によれば、延伸倍率が20以上、引
張弾性率が30GPa以上のポリオキシメチレンフイ
ラメントが容易に得られた。
レンフイラメントの連続製造方法に関するもので
ある。 従来、フイラメントを製造するにあたつては、
結晶部と非晶部から成る結晶性高分子を溶融状ま
たは溶液状にして紡糸してフイラメントを形成す
るが、このようにして得られたフイラメントにお
いては、結晶部がランダムに配向しているので、
引張弾性率は小さい。したがつて、引張弾性率を
大きくするためには、次にフイラメントを長さ方
向に延伸しなければならない。フイラメントを延
伸すると、結晶の分子軸（Ｃ軸）が延伸方向に配
向するとともに結晶内の折畳まれた分子鎖がほど
けて延伸方向に伸びきる状態で再配列する（結晶
配向）。また、結晶部に挾まれた非晶部内の分子
鎖にも張力が加わり、延伸方向に配向する（非晶
配向）。結晶配向とともにこの非晶配向が高弾性
率化に大きな寄与をすることが知られている
（A.Ciferri and I.M.Ward（eds.）、Ultra−High
Modulus Polymers、Appl.Sci.Publishers、
1979）。この結果、その極限として引張弾性率は
結晶の縦弾性率の値まで大きくなるはずである。
しかし、従来の延伸方法では専らフイラメントを
熱板接触や熱風雰囲気等により外部より均一に加
熱（外部加熱）しながら延伸したり、あるいは米
国特許第3364294号に見られるように、太径のポ
リエステルトウ（繊維束）では吸湿させ誘電加熱
により内部より均一に加熱しながら延伸していた
ので、延伸する際に配向結晶化した結晶部も均一
に加熱される。その結果、結晶部の引張弾性率が
低下し、非晶部における延伸応力が不足し、従つ
て、高弾性率化に重要な役割をする非晶配向が充
分に行えなかつた。このため、引濃弾性率は理論
的に期待できる値に比べて満足できるものではな
かつた。 そこで、本発明の目的は、上述の欠点を除去
し、引張弾性率が大きいポリオキシメチレンフイ
ラメントを連続的に製造する方法を提案すること
にある。 〓〓〓
そのために、本発明では、外部加熱を併用しな
がら誘電加熱により結晶性高分子の非晶部および
結晶欠陥部を結晶部よりもより選択的に加熱しな
がら延伸し、ここで、結晶性高分子として数平均
分子量が50000以下のポリオキシメチレンを用い
る。 結晶性高分子には、分子内の極性基に付随する
双極子モーメントの運動に基づく各種の誘電緩和
吸収が存在することが知られている。低周波側か
ら結晶部内の分子鎖の動きに起因する結晶吸収
（α吸収）、非晶部内の分子鎖の大きな動きに起因
する非晶吸収（β吸収）、主に非晶部内および結
晶欠陥部の分子鎖の局所的な動きに起因する吸収
（γ吸収）などである。これらの吸収の起こる温
度、周波数は結晶性高分子の種類により異なる
が、大まかには室温付近ではα吸収のピークは１
Hz以下、β吸収のピークは1kHz〜1MHz、γ吸
収のピークは1GHz付近にある。これらの吸収は
温度とともに大きくなるとともに高周波側へ移動
し、融点付近では一体となる（N.G.McCrum、B.
E.Read and G.Williams、Anelastic and
Dielectric Effects in Polymeric Solids、John
Wiley＆Sons、1967）。 このような吸収は各吸収の周波数に対応する交
流電場を印加することにより励起され発熱源とな
る（誘電加熱）。したがつて、融点付近では各吸
収を選択的に励起することは困難となるが、融点
より低くなるとともに周波数の選択によりβ吸収
および／またはγ吸収を励起し、非晶部および結
晶欠陥部を結晶部に対して選択的に加熱すること
ができる。なお、熱伝導により結晶部も徐々に加
熱されていくので、そのまま放置すれば非晶部お
よび結晶部の全体が均一に加熱されることは言う
までもない。工業加熱用に割当てられている周波
数は13MHz〜18GHzであり、これらの周波数で
は専ら非晶部および結晶欠陥部がまず選択的に加
熱されることとなる。 本発明では、ポリオキシメチレンロツドを外部
加熱を併用しながら誘電加熱下で延伸する過程に
おいて、非晶部および結晶欠陥部が結晶部よりも
より選択的に加熱される条件下で、すなわち熱伝
導により結晶部まで加熱され、全体が均一加熱と
ならないような条件下で延伸することにより、延
伸時の結晶部の引張弾性率の低下を抑制し、分子
鎖が動き易くなつている非晶部および結晶欠陥部
に延伸応力を有効に働かせることにより、高倍率
に延伸配向させ、引張弾生率を大きくするもので
ある。本発明は、この過程において用いるポリオ
キシメチレンの数平均分子量によりその効果が著
しく異なることを見出してなしたものである。 以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。 第１図は本発明の方法を実施するのに用いられ
る装置の一例を示し、ここでロツド状のポリオキ
シメチレン１を操出ボビン２に巻回しておき、操
出機３により操出して誘電加熱装置４に送り込
む。誘電加熱装置４は、誘電加熱用円筒導波管
５、この導波管５の両端に配置した整合用円筒導
波管６Ａ，６Ｂおよび７Ａ，７Ｂ、導波管７Ａに
結合した発振器接続用矩形導波管８および導波管
７Ｂに結合したダミー接続用矩形導波管９を有
し、両端の導波管７Ａおよび７Ｂにはポリオキシ
メチレンロツドの通過する通過孔１０をあけてお
く。通過孔１０を通過したポリオキシメチレンロ
ツド１′を引取機１１を介して巻取ボビン１２に
巻取る。整合用円筒導波管６Ａおよび６Ｂの内径
は加熱用円筒導波管５の内径よりも若干大きく定
め、さらに整合用円筒導波管７Ａおよび７Ｂの内
径は整合用円筒導波管６Ａおよび６Ｂの内径より
も若干大きく定める。従つて、発振器接続用矩形
導波管８より入射されたマイクロ波（周波数
2.45GHz）は反射されることなく加熱用円筒導波
管５にTM01モードで効率よく導かれる。また、
余剰のマイクロ波は整合用円筒導波管６Ａ，６Ｂ
および７Ａ，７Ｂおよびダミー接続用矩形導波管
９を通つてマイクロ波吸収用ダミー（図示せず）
へ導かれて吸収されるので、発振源に戻つて発振
器を損傷することはない。また、誘電加熱用円筒
導波管５の外周面にはバンドヒーターを取付けて
管内の外部加熱による雰囲気温度を所定の温度と
なるようにする。この装置を動作させるにあたつ
ては、ポリオキシメチレンロツド１を操出ボビン
２より操り出し、操出機３から誘電加熱装置４を
通して引取機１１で引取り、次いで巻取ボビン１
２に巻取る。ここで、引取機１１の速度を操出機
１０の速度よりも速くすることによりポリオキシ
メチレンロツド１に任意の張力が働き、ポリオキ
シメチレンロツド１は誘電加熱用円筒導波管５の
〓〓〓
内部で連続的に加熱延伸され、目的とするポリオ
キシメチレンフイラメント１′が得られる。 本発明を以下実施例により説明するが、本発明
はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 実施例 １ この実施例では、ポリオキシメチレンロツド１
の材料として数平均分子量が5000以下のポリオキ
シメチレン（密度1.42ｇ/cm3、融点179℃）を用
い、誘電加熱装置４において、外部加熱を併用し
ながら誘電加熱延伸を行つた。かかるポリオキシ
メチレンから成る直径1.0mmの未延伸ロツド１を
誘電加熱装置４（発振周波数2.45GHz、最大出力
1.5kW、加熱用円筒導波管長0.5ｍ、内径95.6
mm）に導き、外部加熱による雰囲気温度149℃の
下で、引取機１１の引取速度を1.0ｍ／分に設定
して延伸を開始した。発振器の出力を徐々に増加
するとともに繰出機３に繰出速度を遅くして延伸
倍率を上げ、発振出力が最大出力1.5kWに到達し
た後は、この最大出力で繰出速度をさらに遅く
し、ポリオキシメチレンロツド１が破断するまで
延伸倍率を上げていつた。この場合の実験条件お
よび結果を第１表に示す。この結果からわかるよ
うに、本実施例によれば、延伸倍率が20以上、引
張弾性率が30GPa以上のポリオキシメチレンフイ
ラメントが容易に得られた。
【表】
比較例 １
この比較例では数平均分子量が58000のポリオ
キシメチレン（密度1.42ｇ/cm3、融点179℃）を用
い、外部加熱を併用しながら誘電加熱延伸を行つ
た。上記ポリオキシメチレンから成る直径1.0mm
の未延伸ロツド１を実施例１と同じ誘電加熱装置
４に導いて延伸した。その際に、実施例１と同様
に外部加熱による雰囲気温度149℃で引取速度を
1.0ｍ／分に設定し、発振出力を徐々に上げなが
ら繰出速度を遅くし、最大出力1.5kWでロツド１
が破断するまで延伸倍率を上げていつた。この場
合の実験条件および結果を第２表に示す。この結
果からわかるように、この比較例では、延伸倍率
は15以下、引張弾性率は20GPa以下のポリオキシ
メチレンフイラメントしか得られなかつた。
キシメチレン（密度1.42ｇ/cm3、融点179℃）を用
い、外部加熱を併用しながら誘電加熱延伸を行つ
た。上記ポリオキシメチレンから成る直径1.0mm
の未延伸ロツド１を実施例１と同じ誘電加熱装置
４に導いて延伸した。その際に、実施例１と同様
に外部加熱による雰囲気温度149℃で引取速度を
1.0ｍ／分に設定し、発振出力を徐々に上げなが
ら繰出速度を遅くし、最大出力1.5kWでロツド１
が破断するまで延伸倍率を上げていつた。この場
合の実験条件および結果を第２表に示す。この結
果からわかるように、この比較例では、延伸倍率
は15以下、引張弾性率は20GPa以下のポリオキシ
メチレンフイラメントしか得られなかつた。
【表】
以上説明したように、本発明では外部加熱を併
用しながら誘電加熱により結晶性高分子の非晶部
および結晶欠陥部を結晶部よりも一層選択的に加
熱しながら延伸するにあたつて、結晶性高分子と
して数平均分子量が50000以下のポリオキシメチ
レンロツドを延伸に用いることによつて引張弾性
率が大きいポリオキシメチレンフイラメントを連
続的に製造できる利点がある。 本発明によつて得たフイラメントは多くの用途
に使用できる。例えば、本発明により製造したフ
イラメントを、繊維、またはフイラメント補強材
として使用する種々な材料の補強材として適用で
きるとともに、軽量であり引張弾性率が大きいこ
とが望ましいすべての用途にも適用できる。特に
光フアイバ用の被覆材やその補強材として使用す
れば効果的である。
用しながら誘電加熱により結晶性高分子の非晶部
および結晶欠陥部を結晶部よりも一層選択的に加
熱しながら延伸するにあたつて、結晶性高分子と
して数平均分子量が50000以下のポリオキシメチ
レンロツドを延伸に用いることによつて引張弾性
率が大きいポリオキシメチレンフイラメントを連
続的に製造できる利点がある。 本発明によつて得たフイラメントは多くの用途
に使用できる。例えば、本発明により製造したフ
イラメントを、繊維、またはフイラメント補強材
として使用する種々な材料の補強材として適用で
きるとともに、軽量であり引張弾性率が大きいこ
とが望ましいすべての用途にも適用できる。特に
光フアイバ用の被覆材やその補強材として使用す
れば効果的である。
第１図は本発明の方法の実施に用いられる装置
の一実施例の説明図である。 １……ロツド状のポリオキシメチレン、２……
繰出ボビン、３……繰出機、４……誘電加熱装
置、５……誘電加熱用円筒導波管、６Ａ，６Ｂ，
７Ａ，７Ｂ……整合用円筒導波管、８……発振器
接続用矩形導波管、９……ダミー接続用矩形導波
〓〓〓
管、１０……通過孔、１１……引取機、１２……
巻取ボビン。 〓〓〓
の一実施例の説明図である。 １……ロツド状のポリオキシメチレン、２……
繰出ボビン、３……繰出機、４……誘電加熱装
置、５……誘電加熱用円筒導波管、６Ａ，６Ｂ，
７Ａ，７Ｂ……整合用円筒導波管、８……発振器
接続用矩形導波管、９……ダミー接続用矩形導波
〓〓〓
管、１０……通過孔、１１……引取機、１２……
巻取ボビン。 〓〓〓
Claims (1)
- １ 数平均分子量が50000以下のポリオキシメチ
レンにより形成したポリオキシメチレンロツドを
外部加熱を併用しながら誘電的に加熱しながら連
続的に延伸することを特徴とするポリオキシメチ
レンロツドの延伸方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803281A JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
| DE8282307041T DE3278134D1 (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| CA000418315A CA1197966A (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| EP82307041A EP0084274B1 (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| US06/452,862 US4497759A (en) | 1981-12-24 | 1982-12-23 | Drawing of polyoxymethylene using dielectric heating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803281A JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58109617A JPS58109617A (ja) | 1983-06-30 |
| JPS6135281B2 true JPS6135281B2 (ja) | 1986-08-12 |
Family
ID=16549536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803281A Granted JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58109617A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173114A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-06 | Toyobo Co Ltd | ゲル状成形体の処理方法 |
| JPS60183121A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高弾性率ポリアセタ−ル成形材料 |
| JPS6198320U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | ||
| JPS61152889A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | 旭化成株式会社 | ポリアセタ−ルロ−プ |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP20803281A patent/JPS58109617A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58109617A (ja) | 1983-06-30 |
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