JPS6140055A - カラ−フオトセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトセンサに関し、特にカラー読取のための
カラーフォトセンサに関する。

〔従来技術〕

従来、ファクシミリ、やデジタル複写機や文字読取装置
等の画像情報処理装置の光入力部として用いられる光電
変換装置において、光電変換素子としてフォトセンサが
利用されることは一般に良く知られている。特に、近年
においてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センナを形成し、これを用いて高感度な画像処理装置を
構成する。ことも行なわれている。この様な長尺ライン
セイサを構成するフォトセンサの一例としては、光導電
材料として非晶質シリコン（以下ａ−８１と記す）等を
含む光導電層上に受光部となる間隙を形成する様に対向
して配置された一対の声属等からなる電極が設けられて
いる。プレナー型の光導電型フォトセンナを挙げること
ができる。

この様な７オトセンサをセンサユニットとじて用いてカ
ラー読取のためのカラーフォトセンサを実現するため、
受光部にカラーフィルターを設けることが行なわれてい
る。即ち、たとえば赤色（６）、緑色に）及び青色（Ｂ
）の各フィルターを隣接して位置する３つのセンナユニ
ットの受光部に付設せしめ、これら３つのセンサユニッ
トからＲ出力信号、Ｇ出力信号及びＢ出力信号を得て、
上記３つのセンサユニットの受光部で構成される１画素
の出力信号とするものである。

従来、カラーフィルターとしては、ゼラチン、ポパール
等の親水性樹脂に染料を混合したいわゆる染色フィルタ
ーが広く用いられている。ところが、この様なカラーフ
ィルターを７オトセンサに適用すると種々の問題がある
。

即ち、カラー７オトセン？製造においてカラーフィルタ
ーを形成するには、先ずセンサユニットに上記樹脂を塗
布し、しかる後に所望位置を所望の染料によシ染色する
のであるが、この染色プロセスは湿式処理であるため、
既に形成されているセンサユニツ）ａ−８ｌの特性に悪
影響を与える。

また、カラーフィルターを付与すべきセンナユニットの
表面は電極その他が形成されているため平坦ではなく、
かなシの凹凸があり、この様な凹凸面に高精度にて微細
な染色パターンを形成することは著しく困難である。更
に、染色フィルターは耐光性及び耐熱性が十分ではなく
、使用時において常に強い光照射を受けるフォトセンサ
において染色フィルターを用いるとカラーフォトセンサ
の性能劣化が生じ易い。

近年、染料や顔料等の色素薄膜を蒸着により形成する方
法が提案されており（特開昭５５−１４６４０６号公報
）−この種の方法によりカラーフォトセンサのカラーフ
ィルターを形成し、上記染色ジイルターの場合の欠点を
解消することが考えられる。

ところで、上記？、如きカラーフォトセンサのセンサユ
ニットを構晟するａ−８ｔの製造法としてはプラズマＣ
ＶＤ法、反応性スパッタリング法、イオｙ　ｆ　ｖ−テ
ィング法等があシ、いづれもグロー放電によって反応が
促進せしめられる。しかし、いづれの場合においても高
い光導電率を有する良質゛のａ−８１膜を得るには比較
的低い放電電力で膜形成を行なう必要がある。しかしな
がら、この様な低い放電電力で゛の膜形成によシ得られ
た光導電゛層砿ガラスやセラミック等からなる基板との
密着性が十分ではなく、その後の電極形成時のフリトリ
ソグラフィ一工程等を□経る際に膜はがれを生じ易いと
いう□問題かあった。　　　□ ′　　そとで、従来、膜はがれを防止するために、基□
板表面を荒らした後にａ−８ｔを堆積させる方法が採用
されている。即ち、予め基板表面を、化学□的に例えば
フッ酸等によシエッチングしたす、あるい唸物理的に例
えばブラシ等゛によシ擦過したシして門くのである。と
ころが、この様な手゛法は以下に示す様な欠点を有する
。

（１）　　フッ酸等の薬品を用いる場合には洗浄ライン
における装置が複雑且つ゛′高価格になる。

（２）基板表面の凹凸の程度を制御することが困難であ
る。

（３）基板表面の粗面化時に微視的欠陥が発生し易く、
該微視的欠陥上に堆積するａ−８ｔ膜の特性が異なるた
めに特性のバラツキが発生し易い。

従って、以上の様なａ−８ｌ層を有するセンサユニット
を用いてカラーフォトセンサを作製す不とセンナユニッ
ト間の特性のばらつきが大きく、□適正な色信号を得る
ためにはばらつき補正のための補正回路を付属させるこ
とが必要となるという問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、長期にわたって
良好な性能を維持でき且つ各センサユニット間に特性の
ばらつきの少ない低コストのカラーフォトセンサを提供
することを目的とする。゛〔発明の概要〕 本発明によれば、上記の如き目的は、基板上に非晶質シ
リコンを主成分とする光導電層が形成されており該光導
電層の同一表面に受光部の少表くとも−部を構成□する
間隔を設けて一対の電極が配設されており且つ受光部に
対応する位置に蒸着により形成された色素層からなるカ
ラーフィルターが設けられているセンサユニッ）ｆ色信
号を分解する数だけ複数個近接して配置してなるカラー
フォトセンサにおいて、各センサユニットの光導電層が
屈接率の異なる２層以上の積層膜からなシ、該積層膜の
最下層の屈折率が６３２８Ｘの波長の光において３，２
以下であることを特徴とする、カラーフォトセンサによ
り達成される。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の具体的実施例を説明する。

尚、本明細書においては光導電層のうちの最下層１ｋａ
−８ｉ下びき層と称し、その上の１または複数の層’１
ａ−８ｔ層と称することもある。

第１図線本発明のカラーフォトセンサをアレイ状に配列
してなるカラーフォトセンサアレイの一実施例を示す部
分平面図でちゃ、第２図はそのＸ−Ｙ断面図である。図
において、１は基板である。

２はａ−８ｔ下びき層であり、３はａ　−Ｓｉ層であり
、これらによシ光導電層が構成されている。４はオーミ
ックコンタクト層であるｎ層であシ、５は導電層即ち電
極である。６は保護層である。７はカラーフィルターで
ある。

基板１としては、コーニング社製＋７０５９、コーニン
グ社製す７７４０　、東京応化社製ＳＣＧ　、石英ガラ
ス等のガラス、あるいは部分ブレースセラミック等のセ
ラミックその他を用いることができる。

光導電層はａ−８１ｉ主成分とする非晶質材料からなり
、ａ−８ｉ下びき層２は屈折率３．２以下であるのが好
ましい。また、ａ−８ｔ層３は屈折率が３．２よシ大、
好ましくは３．４程度である。光導電層はプラズマＣＶ
Ｄ法、反応性スパッタリング法、イオングレーティング
法等の方法、特にプラズマＣＶＤ法によ層形成される。

かくして形成される光導電層においては層形成時に取シ
込まれる水素のために応力が発生し、この応力が大きす
ぎると基板との密着性が劣化し、膜剥れが生じ易くなる
。

光導電層の応力の大きさは層形成時の条件、たとえばグ
ロー放電の放電電力、基板温度、原料ガス組成、原料ガ
ス圧を適宜設定することによシコントロールすることが
できる。そして、基板１に隣接するａ−８ｔ下びき層２
として、たとえば比較的大きな放電電力にてグロー放％
を行なって、応力の小さい層を形成することにょシ基板
１との密着性を良好に保つことができる。

一方、光導電層の応力は該層の屈折率との相関が大であ
シ、一般に応力が小さいと屈折率も小さいことが判って
いる。また、光導電層の光導電率を良好なものとするた
めに祉比較的低い放電電力にてグロー放電を行なうこと
が必要であることも判りている。

従って、基板１上に先ず比較的大きな放電電力にてグロ
ー放電を行なって屈折率の比較的小さい、たとえば屈折
率３．２以下のａ　−８１下びき層２を形成した後、比
較的小さな放電電力にてグロー放電を行なって屈折率の
比較的大きい、たとえば屈折率３．４程度の高光導電率
を有するａ　−Ｓｉ層３を形成するのが好ましい。

電極５はたとえばＡｔ等の導電膜からなる〇保護層６は
ＳｉＮ：Ｈ等の絶縁性無機物膜あるいは各種の絶縁性有
機樹脂膜である。

カラーフィルター７は熱的に安定で且つ昇華性を示す顔
料等の色素を蒸着せしめることにより薄膜状に形成した
ものである。この様なカラーフィルター形成用の色素と
しては、アセトアセチックアニリド系、ナフトール類の
モノアゾ系、ポリサイフリック系、分散系、油溶性系、
インダンスレン系、７タにシアニン系など種々のものが
例示できる。特に好適なものとして、７タロシアニン系
、ペリレン系、イソインドリノン系、アントラキノン系
、キナクリドン系色素かあげられる。以下に　　　　　
゛代表的な色素を例示する。

７タロシアニン系色素の例としては、メタルフリーフタ
ルシアニン、銅７タロシアニン、ベリリウム７りｐシア
ニン、マグネシウムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニ
ン、チタニウム７タロシアニン、錫フタ日シアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロシアニン、クロム７
タロシアニン、モリブデンフタロシアニン、マンガンフ
タロシアニン、鉄フタ日シアニン、コバルトフタ四シア
ニン、ニッケル７タロシアニン、パラジウムフタ四シア
ニン、白金７タロシアニンが挙げられる。

ペリレン系色素としてはくリレンテトラカルボン酸誘導
体が好ましく、その例としては次のようなものが挙げら
れる。

（以下■〜■の記号で示す） ■　上式においてＲ１が−■であるもの■　　　ｐ　　
　　Ｒ４＃−ＣＭ、　　ｕ■　上式においてＲ１が−（
）−ｏＣＨ３であるもの■　　　／／　　　　Ｒ１ｔｔ
　＜ΣＯＣ２Ｈ５ｔｒ但し、ペリレンテトラカルぎン酸
誘導体は必らずしもこれらに限定されるものではない。

このようなペリレンテトラカルデン酸誘導体として市販
されているものとしては、 パリオグンレッドＬ　３８７０　ＨＤ　（ＢＡＳＦ製）
ノやりオグンレッドＬ３８８０ＨＤ（ｐ　　）／　ｆ　
ノ母−ムレッド　ＢＬ　　　　（ヘキスト製）ペリンド
マルーンＲ６４３４Ｃパ’（エル製）ペリンドレッド　
Ｒ６４１８（ｔｒ　　　）□ ヘリオファーストマルー／Ｅｉ３Ｒ（＃　　　）カヤセ
ラトスカーレットＥ−２Ｒ（日本化薬製）カヤセットデ
ルトートＤ　　　（＃　　　）イ／Ｌ／ｆゾンレッ　ド
ＢＰＴ　　　　　　（チノ堂ガイギー製）など（いずれ
も商品名）があげられる。

イソインドリノン系色素紘、ヘテロ原子食合む芳香族縮
合多環構造を有しておシ、基本的には下記式のように表
わすことができる。

４．５，６．７位が塩素で置換されていないものも含め
ることができるが、耐光性、耐溶剤性の点では置換型の
方が好まＩ７い。

式中Ｒの構造によって色は黄色からオレンジ、赤かっ色
と変化するが、多彩さとそのシャーシな分光特性から特
に黄色色素として優れている。

代表的なイソインドリノン系色素の例は前記式中のＲが
次のものとしてあげられる。

但しイソインドリノン系色素は必ずしもこれらに限定さ
れるものではない。

このようなイソインドリノン系色素として市販されてい
るものとしては、 イルガジンイエロー２ＧＬＴ　、　２ＧＬＴＥ　、　２
ＧＬＴＮ（チパガイギー製） リオノグンイエロー３ＧＸ　　　　　　　（東洋インキ
製）ファーストグンスーパーイエｏ　−ＧＲ、ＧＲＯ、
ＧＲＯＨ（大日本インキ製） イルガジンイエロー２ＲＬＴ　、　３ＲＬＴ　、　３Ｒ
ＬＴＮ（チパ〃イギー製） リオノダンイエローＲＸ　　　　　　　　（東洋インキ
製）リソールファーストイエロー１８４０　　（ＢＡＳ
Ｆ製）カヤセットイエローＥ−２ＲＬ　、　Ｅ−３ＲＬ
１７６（日本化薬製） クロモ７タールオレンジ２Ｇ（チパガイギー製）イルガ
ジンレッド２ＢＬＴ　　　　　　　　（チパガイギー製
）なと（いずれも商品名）が挙げられる。

また、アントラキノン系色素とは、アントラキノンの誘
導体及び類似のキノンをいう。

代表的なアントラキノン系黄色色素の構造の一例を次に
示す。

０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　υ但し
、アントラキノン系色素としては、必ずしもこれらに限
定されるものではない。

このようなアントラキノン系色素として市販されている
ものとしては、 クロモ７タールイエローＡ２Ｒ（チ／ザイギー製）、Ｃ
ＩＡ７０６００ヘリオファーストイエローＥ３Ｒ（バイ
エル類）ノ臂すオグンイエμｍＬ１５６０　　　（ＢＡ
８Ｆ裏）　　　　６８４２０カヤセットイエローＥ−Ｒ
（日本化薬製）ＣＩＡ６５０４９クロモフタールイエロ
ーＡＧＲ（チバガイギ−，ＩＪ）パイプラストイエロー
Ｅ２Ｇ　　　（バイエ刈巣）二ホンスレンイエローＧＣ
Ｎ　　　（住友化学製）　　　６７３００ミケスレンイ
エローＧＫ　　　　（三井東圧Ｂ）　　　６１７２５イ
ンダンスレンプリンテイングイエローＧＯＫ（ヘキスト
製）　　　５９１００アントラゾールイエローＶ（ヘキ
スト製）　　　６０５３１ミケスレンソリユブルイエロ
ー１２Ｇ　（三井東圧製）　　　　６０６０５ミケスレ
ンイエローＧＦ　　　　（三井東圧製）　　　６６５１
０ニホンスレンイエローＧＧＦ　　　（ｆｆｌ友化学製
）　　　６５４３０インダンスレンイエロー３Ｇ　（バ
イエル類）　　　６５４０５ニホンスレンイエロー４Ｇ
Ｌ　　　（住友化学製）パランスレンイエローＰＧＡ　
　　　　　　　（ＢＡＳＦ製）　　　　　６８４００チ
パノンイエｌ−１−２Ｇ　　　　　（チパガイギ−ＪＡ
）インダンスレンイエローＦ２ＧＣ（へＡ−ス）製）ア
ントラゾールイエローＩＧＧ　　（ヘキスト製）インダ
ンスレンイエロー５ＧＦ　　（ＢＡＳＦ製）ミケスレン
イエロー３ＧＬ　　　　（ヨ廟伍英）インダンスレンイ
エローＬＧＦ　　（ＢＡＳＦｆｆ）モノライトイエロー
ＦＲ（ＩＣＩ製） カヤセットイエローＥ−ＡＲ（日本化薬製）など（いづ
れも商品名）があげられる。

キナクリドン系色素とは（１）式で示される基本骨格を
もち、それから導かれる誘導体をも含めたものを示す。

誘導体の例としては などがあけられる。またこれらの混合物の場合もある。

分光特性的にはいずれも優れたマゼンタの特性を有して
いる。

具体的な色素としては リオノグンマゼンタＲ（商品名：東洋インキ製）ファー
ストダンス−バーマゼンタＲ，Ｒ８（商品名二大日本イ
ンキ製） シンカシアレッドＢＲＴ、ＹＲＴ、　（商品名：デュポ
ン製）シンカシアパイオレッ）ＢＲＴ　　　（商品名：
デュポン製）など（いづれも商品名）が挙げられる。

この様な色素の蒸着に際しては、予め保護層６上に所望
のパターンのマスクを配置しておくか、または選択的に
加熱を行なうξとによシ所望部分にのみ色素層を形成せ
しめてフィルター７とする。

あるいは、一旦全面均一に蒸着を行なった後に不要部分
の色素層をフォトリソグラフィーの手法たとえばドライ
エツチング等によシ除去して所望部分にのみフィルター
７を形成することもできる。

カラー読取のためには、たとえば第１図に示され乏如く
、連続する３つの７オトセンサの受光部上にそれぞれＲ
フィルター７、Ｇフィルター７′及びＢフィルター７〃
ヲ付設し、これら３つの受光部から１画素１０を構成す
ればよい。フォトセンサアレイにはこの様な画素１０が
連続して配列されることになる。

以下、本発明を実施例によシ詳細に説明する。

実施例１： 両面研摩筒のガラス基板（コーニング社製＄７０５９）
に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通常の
洗浄を施した。次いで、容量結合型のグロー放電分解装
置内に該ガラス基板１をセットし、ｌＸｌ０　　Ｔｏｒ
ｒの排気真空下で２３０℃に維持した。

次イで、該装置内にエピタキシャルグレート９純５ＩＨ
４ガス（小松電子社製）を１０　ＳＣＣＭの流量で流入
せしめ、ガス圧ｆ　０．０７　Ｔｏｒｒに設定した。そ
の後、１３、５６　ＭＨｚの高周波電源を用い、入力電
圧２．ＯｋＶ。

ＲＦ　（Ｒａｄｌｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　）放電電力
１２０Ｗて２分間グロー放電を行ない、厚さ約４００Ｘ
のａ−８１下びき層を形成した。次いで、直ちに入力電
圧を０、３　ｋＶに下げ、放電電力８Ｗで４．５時間グ
ロー放電を行ない、厚さ約０．８μのａ　−８１層全形
成した。

続いて、Ｈ２で１０％に希釈したＳ　ｉＨ４とＨ２で１
００　ｐｐｍに希釈したＰＨ３とを混合比１：１０で混
合したガス全原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミ
ックコンタクト層であるｎ中層（厚さ約０．１５μ）を
堆積せしめた。次に電子ビーム蒸着法でＵを０．３μ厚
に堆−積せしめて、導電層を形成した。

続いて、デジ型フォトレジスト（シル−社製ＡＺ　−１
３７０）　ｔ−用いて所望の形状にフォトレジストノ臂
ターンを形成した後、リン酸（８５容景チ水溶液）、硝
酸（６０容量チ水溶液）、氷酢酸、及び水を１６：１：
２：１の容積比で混合した液□（以下、「エツチング液
」という）で露出部分の導電層を除去した。次いで、平
行平板型の装置を用いたプラズマエツチング法で、ＲＦ
放電電力１２０Ｗ１ガス圧０．０７　ＴｏｒｒでＣＦ４
ガスによるドライエツチングを行表りて露出部分のｎ中
層を除去した・次いでフートレジストを剥離せしめた。

次に、Ｈ２で１０９６に希釈したＳ　ＩＨ４と洲、全混
合比１：５で混合したガスを原料として、放１！電力３
０Ｗ、ガス圧０．１　Ｔｏｙｙで２時間グロー放電し、
０．７μｍの窒化シリコン層を形成した。

次に、この保護層上にスピンナー塗布法によシ、ポジ型
フォトレジスト（東京応化社製、商品名０ＤＵＲ１０１
３）を１００ＯＯＸの膜厚に塗布した。

１２０℃２０分のシリベーク全行゛なったあと、遠紫外
光にてマスク露光を行ない０ＤＵＲＩＯＩＯシリーズ専
用現像液に３分浸漬し、同じく専用リンス液に２分浸漬
して、レジストマスクを形成し起・次に、レジストマス
クの形成されたフォトセンサ全面に露光を行ない、溶剤
に可溶とした。続いて、フォト′センサとＭ（１？−ト
に詰めたＣｕ　７タロシアニンを簀空容器内に設置し、
真空度１０−５〜１Ｏ−６Ｔｏｒ−においてＭｏが一ト
を４５０〜５５０℃に加熱し、Ｃｕフタロシアニンの蒸
着を行なった。膜厚は　　　２０００Ｘとした。しかる
後に０ＤＵＲＩＯＩＯシリーズ専用現像液中にて浸“漬
攪拌全行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜の
不要部分を除去することによ□ってパターン状青色色素
層を形成した。

同様な方法で赤色色素層としてイルガジンレツドＢＰＴ
　（’商品名二″チバガイギー社製ＣＩＡ７１１２７）
管、緑色色素層としてｐｂフタロシアニンを用いて、カ
ラーフィルターを形成し、カラーフォトセンサを製造し
た。　　　　　　　。

一方、□比較のため、上記と同じガラス基板の狭量チ水
溶液）及び酢酸を１：５：４０の容積比で混合した液で
３０秒間処理し、ａ−８ｉ下ひき層を形成しないことを
除いて上記工程と同様にしてゾレナー型フォトセンサ（
以下、「基板酸処理有・下びき層無の７オトセンサ」と
略称する）を製造した。

以上２種類の７オトセンサについて、同一条件にてカラ
ーフィルター側から白色光を入射せし゛めて得られる光
電流値を比較したところ双方でほぼ同様の値が得られた
。これによシ、本発明フォトセンサにおけるａ−８ｉ下
びき層２の存在はＳ／Ｎｔ−劣化せしめることがないと
いうことが分る。

次に、以上２種類の７オトセンサについて、同一条件に
てヒートサイクルによる耐久性試験を行なったところ、
同様に膜はがれは発生せず、十分な密着性を有すること
が分った。

実施例２： 実施例１の７オトセンサ製造工程において、ａ−８１下
びき層２の形成の際に、放電電力及び放電時間を以下の
組合せにしてグレー放電を行なうことを除いて、実施例
１と同様の工種ヲ行なった・その結果、放電電力８０Ｗ
及び５０Ｗの場合には膜はがれを生ずることなくフォト
センサを得ることができたが、放電電力３０Ｗ、８Ｗ及
び４Ｗの場合にはフォトレジストＡＺ−１３７０ｔ−用
いたフォトリソグラフィ一工程（超音波洗浄機による洗
浄を含む）中に膜はがれが生じ、目的とする良好なフォ
トセンサ２得ることができなかった。

実施例３：　　　　一 実施例１及び２におけると同様にしてａ−８ｔ下びき層
２を形成した後に基板ｌを取出し、基板１上に形成され
たａ−８１下びき層２の屈折率を測定した。グロー放電
の放電電力とａ　−Ｓｉ下びき層２の屈折率との関係を
第３図に示す。

基板と光導電層との密着性は膜形成におけるグロー放電
の放電電力に関係しておシ、膜はがれは薄膜の内部構造
に依存して誘起される真性応力と、基板との熱膨張係数
の差に依存した内部応力との合成による全応力に起因す
ると考えられている。

そこで、上記基板１上に形成されたａ−８１下びき層２
の全応力を測定した。グロー放電の放電電力とａ　−Ｓ
ｉ下びき層２の全応力との関係を第４図に示す。応力は
圧縮応力として現われ、放電電力が１０Ｗ付近で最大値
を示すが、放電電力の増大とともに応力が小さくなる。

放電電力の増大につれて応力が小さくなるのれ主に膜中
に多くなる？イドが引張ル応力を発生し、圧縮応力を相
殺するためであると考えられる。

前記の通シ、光導電層の光導電率は膜形成における放電
電力に関係し、所要の光導電特性を得るためには比較的
低い放電電力で堆積を行なうことが必要であシ、従って
上記実施例１及び２におけるａ−８１層３位比較的低い
放電電力にて堆積されたのである。

以上から、本発明フォトセンサのａ　−Ｓｉ下びき゛層
２は応力緩和層としての作用を有しており、基板と光導
電層との密着性を向上させる効果を発揮することが分る
。また、本発明フォトセンサにおいては、Ｓ／Ｎｉ良好
に保つためにはａ−８ｉ下びき層２の厚さはあまシ厚く
ない方が好ましく、たとえばａｏｏｏＸ以下であるのが
望ましい。

実施例４： 実施例１の７オトセンサ製造工程において、ａ−８ｔ層
３の形成の後に放電電力ｙ、−ａ　ｏ　ｗに上げて２５
分間グロー放電を行ない、更にａ−８１層を形成するこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。

第５図はかくして得られたプレナー型フォトセンサの部
分断面図であり、第２図と同様の部分を示す。第５図に
おいて、第２図と同様の部材には同一符号を付してあシ
、３′はａ　−Ｓｉ層である。

ａ−８１層３′の厚さは０．３μであシ、この層の単位
厚さ当シの形成速度は放電電力を上げたためａ−８１層
３の単位厚さ当シの形成速度よシも著しく大きい。

本実施例により得られたフォトセンサにおいてはａ−８
１下びき層２、ａ−８１層３及びａ−８ｉ層３′によシ
光導電層が構成される。本実施例フォトセンサによれば
ａ−８ｔ層の膜厚増加により、得られる光電流は実施例
１のものより大きい。

実施例５： 実施例１のフォトセンサ製造工程において、ａ−８ｉ下
びき層２の形成の際に基板温度Ｙｒ７０℃に維持し、放
電電力８Ｗで１５分間グロー放電することを除いて、実
施例１と同様の工程を行なった。

同一の条件でａ−８ｔ下びき層２ｔ−形成した時点で基
板１ｖＬ−取出してａ−８ｉ下びき層２の屈折率測定を
行なったところ３．１０であった。

本実施例において得られたフォトセンサは実施例１にお
いて得られたフォトセンサと同様に良好なものであった
。

実施例６： 実施例１の７オトセンサ製門工程において、ａ−８１下
びき層２の形成の際に原料ガスとしてＨ２で５ｇ６に希
釈した５ＩＨ４￥ｒ用い、放電電力３０Ｗで１０分間タ
ロー放電することを除いて、実施例′１と同様の工程を
行なった。

同一の条件でａ　−８１下びき層２を形成した時点で基
板を取出してａ−８ｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．０２であった。

本実施例において得られたフォトセンサは実施例１にお
いて得られたフォトセンサと同様に良好なものであった
。

実施例７： 実施例１の７オトセンサ製造工程において、１−８１下
びき層２の形成の際にガス圧をＯ−３０Ｔｏｒｒとし、
放電電力５０Ｗで５分間グロー放電することを除いて、
実施例１と同様の工程を行なっ喪。

同一の条件でａ−８１下びき層２を形成した時点で基板
を取出してａ−８ｉ下びき層２の屈折率測定を行なった
ところ３．１２であった。

本実施例において得られた７オトセンサは実施例１にお
いて得られたフォトセンサと同様に良好なものであった
。

実施例８： 実施例１と同様な方法によシ、同一基板１に８６４個の
７オトセンサをプレイ状に並べて製造した。尚、この際
、７オトセンサの配列社、カラーフィルターが第１図に
示される様にＲ，Ｇ、Ｂの繰返し配列を形成する様にな
された。これはフォトリソグラフィ一工程の際のマスク
を適宜設定することによシ容易に行なうことができる。

かくして得られた長尺フォトセンサアレイの概略部分平
面図を第６図に示す。第６図において、１１紘個別電極
であり、１２は共通電極であり、１３はカラーフィルタ
ーである。この長尺フォトセンサアレイの密度は８ピツ
）／ｍであり、Ａ６版幅の長さを有する。

本実施例において得られたフォトセンサアレイのビット
間における光電流及び暗電流の均一性を測定した。尚、
この際、Ｒ，Ｇ、Ｂ′各フィルター透過後の光量が均一
となる様な入射光を用いた。

その結果を第７図に示す。

一方、比較のために、実施例１記載の基板酸処理有・下
びき層無の方法によシ、同一基板上に８６４個の７オト
センサをアレイ状に並べて製造した長尺フォトセンサア
レイのビット間における光電流及び暗電流の均一性を同
様にして測定した。

その結果を第８図に示す。

第７図と第８図との比較によシ、本発明７オトセンサに
おいては、基板上に微視的欠陥がなく、またａ　−８１
下びき層が応力緩和層として作用しているために、光導
電特性の均一性が極めて良好であることが分る◎ 実施例９： 赤色色素としてノがパームレッドＢＬ　（ヘキスト社製
）ｆ：用い４００〜５００℃の加熱によシ膜厚２０００
１に赤色色素層からなる赤色カラーフィルターを形成す
る以外は、実施例１と同様にしてカラーフォトセンサを
製造した。

かくして得られたフォトセンサにおけるカラーフィルタ
ーと従来の染色カラーフィルターとの性能比較を試みた
。

（１）耐熱性 ２５０℃で１時間の耐熱性試験を行なったところ、従来
の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化した（ピー
ク透過率１０チ以上、ピーク波長シフ）ｌＯｎｍ以上）
が、本実施例における蒸着フィルターでは分光特性の変
化は小さかった（ピーク透過率５％以内、ピーク波長シ
フ）５ｎｍ以内）。

（２）耐光性 Ｘｅ２７１５００時間照射の耐光性試験を行なったとこ
ろ、従来の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化し
た（ピーク透過率１０％以上、ピーク波長シフ）１０ｎ
ｍ以上）が、本実施例における蒸着フィルターでは分光
特性の変化は殆んどなかったＯ 〔発明の効果〕 以上の如き本発明のカシ−７オトセンサにおいては、カ
ラーフィルターの形成は色素の蒸着によシ行なわれ、そ
のパターン形成には通常の７オトリソでラフイーの手法
を用いることができるので、カラーフィルター形成時に
ａ−８１光導電層の特性を劣化せしめることは殆んどな
い。また、パターン形成がフォトリソグラフィーにより
行なわれることから凹凸面上でのフィルター形成を正確
に行なうことができ、高精度なカラーフィルターを形成
することができる。

更に、本発明カラーフォトセンサのカラーフィルターは
蒸着によ層形成された色素層であるので入射光に対する
耐光性及び耐熱性に優れておシ、長期にわたって良好な
性能全維持し得る。

また、本発明カラーフォトセンサによれば、センナユニ
ット間の特性の均一化をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明カラーフォトセンサの平面図であシ、第
２図はそのＸ−、Ｙ断面図である。第３図及び第４図は
ａ−８ｔ下ひき層の特性を示すグラフである。第５図線
本発明７オトセンサの部分断面図である。第６図はフォ
トセンサアレイの部分平面図であり、第７．図及び第８
図はその光電流及び暗電流の特性金示すグラフである。 。 に基板、２：ａ−８１下びき層、３．３’　：　ａ−８
ｉ層、４：ｎ中層、５二導電層、６：保護層、７１二カ
ラーフイルター。 第１図 第２図 光 第３図 族ｆｔ力　（Ｗ） 第５図 第６図 第７図 ビ′ット献

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に非晶質シリコンを主成分とする光導電層
   が形成されており該光導電層の同一表面に受光部の少な
   くとも一部を構成する間隔を設けて一対の電極が配設さ
   れており且つ受光部に対応する位置に蒸着により形成さ
   れた色素層からなるカラーフィルターが設けられている
   センサユニットを色信号を分解する数だけ複数個近接し
   て配置してなるカラーフォトセンサにおいて、各センサ
   ユニットの光導電層が屈接率の異なる２層以上の積層膜
   からなり、該積層膜の最下層の屈折率が６３２８Åの波
   長の光において３．２以下であることを特徴とする、カ
   ラーフォトセンサ。
2. （２）色素層が顔料を主成分とする、第１項のカラーフ
   ォトセンサ。
3. （３）光導電層の最下層の厚さが３０００Å以下である
   、第１項のカラーフォトセンサ。