JPS6189659A - カラ−フオトセンサ - Google Patents
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- JPS6189659A JPS6189659A JP59210493A JP21049384A JPS6189659A JP S6189659 A JPS6189659 A JP S6189659A JP 59210493 A JP59210493 A JP 59210493A JP 21049384 A JP21049384 A JP 21049384A JP S6189659 A JPS6189659 A JP S6189659A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はフォトセンサに関し、特にカラー読取のための
カラーフォトセンサに肯する。
カラーフォトセンサに肯する。
［従来の技術］
従来、ファクシミリやデジタル複写機や文字読取装置等
の画像情報処理装置の光入力部として用いられる光電変
換装置において、光電変換素子としてフォトセンサが使
用されることは一般に良く知られている。特に、近年に
おいてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ラインセ
ンサを形成し、これを用いて高感度な画像読取を行なう
こともなされている。この様な長尺ラインセンサを構成
するフォトセンサの一例としては、光導電材料として非
晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等を含む光導電層
の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間隔を
設けて１対の電極を形成してなるプレナー型の光導電型
フォトセンサを挙げることができる。
の画像情報処理装置の光入力部として用いられる光電変
換装置において、光電変換素子としてフォトセンサが使
用されることは一般に良く知られている。特に、近年に
おいてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ラインセ
ンサを形成し、これを用いて高感度な画像読取を行なう
こともなされている。この様な長尺ラインセンサを構成
するフォトセンサの一例としては、光導電材料として非
晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等を含む光導電層
の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間隔を
設けて１対の電極を形成してなるプレナー型の光導電型
フォトセンサを挙げることができる。
この様なフォトセンサをセンサユニットとして用いてカ
ラー読取のためのカラー７オトセンサを実現するため、
受光部にカラーフィルターを設けることが行なわれてい
る。即ち、たとえば赤色（Ｒ）、緑色ＣＧ）及び青色（
Ｂ）の各フィルターを隣接して位置する３つのセンサユ
ニ７）の受光部に付設せしめ、これら３つのセンサユニ
ットからＲ出力信号、Ｇ出力信号及びＢ出力信号を得て
、上記３つのセンサユニットの受光部で構成される１画
素の出力信号とするものである。
ラー読取のためのカラー７オトセンサを実現するため、
受光部にカラーフィルターを設けることが行なわれてい
る。即ち、たとえば赤色（Ｒ）、緑色ＣＧ）及び青色（
Ｂ）の各フィルターを隣接して位置する３つのセンサユ
ニ７）の受光部に付設せしめ、これら３つのセンサユニ
ットからＲ出力信号、Ｇ出力信号及びＢ出力信号を得て
、上記３つのセンサユニットの受光部で構成される１画
素の出力信号とするものである。
従来、カラーフィルターとしては、ゼラチン、ポバール
等の親水性樹脂□に染料を混合したいわゆる染色フィル
ターが広く用ムられている。ところが、この様なカラー
フィルターをフォトセンサに適用すると種々の問題があ
る。
等の親水性樹脂□に染料を混合したいわゆる染色フィル
ターが広く用ムられている。ところが、この様なカラー
フィルターをフォトセンサに適用すると種々の問題があ
る。
即ち、カラーフォトセンサ製造においてカラーフィルタ
ーを形成するには、先ずセンサユニー／ ）に上記樹脂
を塗布し、しかる後に所望位置を所望の染料により染色
するのであるが、この染色プロセスは湿式処理であるた
め、既に形成されているセンサユニットのａ−５ｊの特
性に悪影響を与える。また、カラーフィルターを付与す
べきセンサユニットの表面は電極その他が形成されてい
るため平坦ではなく、かなりの凹凸があり、この様な凹
凸面に高精度にて微細な染色パターンを形成することは
著るしく困難である。更に、染色フィルターは耐光性及
び耐熱性が十分ではなく、使用時において常に強い光照
射を受けるフォトセンサにおいて染色フィルターを用い
るとカラーフォトセンサの性能劣化が生じ易い。
ーを形成するには、先ずセンサユニー／ ）に上記樹脂
を塗布し、しかる後に所望位置を所望の染料により染色
するのであるが、この染色プロセスは湿式処理であるた
め、既に形成されているセンサユニットのａ−５ｊの特
性に悪影響を与える。また、カラーフィルターを付与す
べきセンサユニットの表面は電極その他が形成されてい
るため平坦ではなく、かなりの凹凸があり、この様な凹
凸面に高精度にて微細な染色パターンを形成することは
著るしく困難である。更に、染色フィルターは耐光性及
び耐熱性が十分ではなく、使用時において常に強い光照
射を受けるフォトセンサにおいて染色フィルターを用い
るとカラーフォトセンサの性能劣化が生じ易い。
近年、染料や顔料等の色素薄膜を蒸着により形成する方
法が提案されており（特開昭５５−１４６４０６号公報
）、この種の方法によりカラーフォトセンサのカラーフ
ィルターを形成し、上記、１ 染色フィルターの場合の欠点を解消することが考えられ
る。
法が提案されており（特開昭５５−１４６４０６号公報
）、この種の方法によりカラーフォトセンサのカラーフ
ィルターを形成し、上記、１ 染色フィルターの場合の欠点を解消することが考えられ
る。
ところで、上記の如きカラーフォトセンサのセンサユニ
ットを構成するａ−５ｉの製造法としてはプラズマＣＶ
Ｄ法、反応性スパッタリング法、イオンブレーティング
法等があり、いづれもグロー放電によって反応が促進せ
しめられる。しかし、いづれの場合においても高い光導
電率を有する良質のａ−５ｉｌｌ々を得るには比較的低
い放電型力士膜形成を行なう必要がある。しかしながら
、この様な低い放電電力での膜形成により得られた光導
電層はガラスやセラミック等からなる基体との密着性が
十分ではなく、その後の電極形成時のフォトリソグラフ
ィ一工程等を経る際に膜はがれを生じ易いという問題が
あった。
ットを構成するａ−５ｉの製造法としてはプラズマＣＶ
Ｄ法、反応性スパッタリング法、イオンブレーティング
法等があり、いづれもグロー放電によって反応が促進せ
しめられる。しかし、いづれの場合においても高い光導
電率を有する良質のａ−５ｉｌｌ々を得るには比較的低
い放電型力士膜形成を行なう必要がある。しかしながら
、この様な低い放電電力での膜形成により得られた光導
電層はガラスやセラミック等からなる基体との密着性が
十分ではなく、その後の電極形成時のフォトリソグラフ
ィ一工程等を経る際に膜はがれを生じ易いという問題が
あった。
そこで、従来、膜はがれを防止するために、基体表面を
荒らした後にａ−３ｔを堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基体表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よりエツチング口たり、あるいは物理的に例えばブラシ
等により擦過したりしておくのである。ところが、この
様な手法は以下に示す様な欠点を有する。
荒らした後にａ−３ｔを堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基体表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よりエツチング口たり、あるいは物理的に例えばブラシ
等により擦過したりしておくのである。ところが、この
様な手法は以下に示す様な欠点を有する。
（１）フッ酸等の薬品を用いる場合には洗浄ラインにお
ける装こが複雑且つ高価格になる。゛（２）基体表面の
凹凸の程度を制御することが困難である。
ける装こが複雑且つ高価格になる。゛（２）基体表面の
凹凸の程度を制御することが困難である。
（３）基体表面の粗面化時に微視的欠陥が生じ易く、該
微視的欠陥上に堆積するａ−３ｉ膜の特性が異なるため
に特性のバラツキが発生し易し）。
微視的欠陥上に堆積するａ−３ｉ膜の特性が異なるため
に特性のバラツキが発生し易し）。
従って、以上の様なａ−３ｉ層を有するセンサユニット
を用いてカラー２オドセンサを作製するとセンサユニッ
ト間の特性のばらつきが大きく、適正な色信号を得るた
めにはばらつき補正のための補正回路を付属させること
が必要になるという問題があった。
を用いてカラー２オドセンサを作製するとセンサユニッ
ト間の特性のばらつきが大きく、適正な色信号を得るた
めにはばらつき補正のための補正回路を付属させること
が必要になるという問題があった。
［目的］
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、長期にわたって
良好な性能を維持でき且つ各センサユニット間に特性の
ばらつきの少ない低コストのカラーフォトセンサを提供
することを目的とする。
良好な性能を維持でき且つ各センサユニット間に特性の
ばらつきの少ない低コストのカラーフォトセンサを提供
することを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段］
本発明によれば、以上の如き目的は、基板上に非晶質シ
リコンを主成分とする光導電層が形成されており該光導
電層の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間
隔を設けて一対の電極が配設されており且つ受光部に対
応する位置に蒸着により形成された色素層からなるカラ
ーフィルターか設けられているセッサユニットを色信号
を分解する数だけ複数個近接して配置してなるカラーフ
ォトセンサにおいて、各センサユニットの光導電層が膜
厚方向に関し少なくともその一部において屈折率が１便
厚方向に連続的に変化しており且つ該光導電層の基体表
面近傍の屈折率が６３２８Ａの波長の光において３．２
以下であることを特徴と−する、カラーフォトセンサに
より達成される。
リコンを主成分とする光導電層が形成されており該光導
電層の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間
隔を設けて一対の電極が配設されており且つ受光部に対
応する位置に蒸着により形成された色素層からなるカラ
ーフィルターか設けられているセッサユニットを色信号
を分解する数だけ複数個近接して配置してなるカラーフ
ォトセンサにおいて、各センサユニットの光導電層が膜
厚方向に関し少なくともその一部において屈折率が１便
厚方向に連続的に変化しており且つ該光導電層の基体表
面近傍の屈折率が６３２８Ａの波長の光において３．２
以下であることを特徴と−する、カラーフォトセンサに
より達成される。
［実施例］
以下１本発明の具体的実施例を説明する。
尚、本明細書においては光導電層のうちの基体表面に近
接する層をａ−３ｉ下びき層と称し、その上の１または
複数の層をａ−３ｉ層と称することもある。本発明にお
ける光導電層はａ−３ｉ下びき層とそのすぐ上の層との
間において屈折率が膜厚方向に連続的に変化する部分が
形成されているのが好ましい。また、ａ−５ｉ層のうち
には光導電率の高い層を含むのが好ましい。
接する層をａ−３ｉ下びき層と称し、その上の１または
複数の層をａ−３ｉ層と称することもある。本発明にお
ける光導電層はａ−３ｉ下びき層とそのすぐ上の層との
間において屈折率が膜厚方向に連続的に変化する部分が
形成されているのが好ましい。また、ａ−５ｉ層のうち
には光導電率の高い層を含むのが好ましい。
本発明カラーフォトセンサにおいては、センサユニット
の光導電層が膜厚方向に関し少なくともその一部におい
て屈折率が膜厚方向に連続的に変化しており且つ該光導
電層の基体表面近傍の屈折率が６３２８への波長の光に
おいて３．２以下であるが、この様な光導電層はプラズ
マＣＶＤ法、反応性スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法等の方法においてグロー放電を行なう際の条件
たとえば放電電力、基体温度、原料ガス組成、原料ガス
圧等を適宜設定することにより形成することができる。
の光導電層が膜厚方向に関し少なくともその一部におい
て屈折率が膜厚方向に連続的に変化しており且つ該光導
電層の基体表面近傍の屈折率が６３２８への波長の光に
おいて３．２以下であるが、この様な光導電層はプラズ
マＣＶＤ法、反応性スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法等の方法においてグロー放電を行なう際の条件
たとえば放電電力、基体温度、原料ガス組成、原料ガス
圧等を適宜設定することにより形成することができる。
第１図は本発明のカラーフォトセンサを７レイ状に配列
してなるカラーフォトセンサアレイの一実施例を示す部
分平面図であり、第２図はそのＸ−Ｙ断面図である０図
において、１は基体である。２はａ−３ｔ下びき層であ
り、３はａ−Ｓｉ層であり、これらにより光導電層が構
成されている。４はオーミックコンタクト層であるｎ＋
層である。５は導電層即ち電極である。６は保護層であ
る。７はカラーフィルターである。
してなるカラーフォトセンサアレイの一実施例を示す部
分平面図であり、第２図はそのＸ−Ｙ断面図である０図
において、１は基体である。２はａ−３ｔ下びき層であ
り、３はａ−Ｓｉ層であり、これらにより光導電層が構
成されている。４はオーミックコンタクト層であるｎ＋
層である。５は導電層即ち電極である。６は保護層であ
る。７はカラーフィルターである。
尚、第２図においては、ａ−Ｓｉ下びき層２とａ−５ｉ
層３との境界を明確に図示しているが、実際はこの境界
は連続的に屈折率が変化して双方の層の中間の性質を有
する層となっている。
層３との境界を明確に図示しているが、実際はこの境界
は連続的に屈折率が変化して双方の層の中間の性質を有
する層となっている。
基体１としてはコーニング社製＃７０５９、コーニング
社製＃７７４０、東京応化社製ＳＣＧ、石英ガラス等の
ガラス、あるいは部分グレーズセラミック等のセラミッ
クその他を用いることができる。
社製＃７７４０、東京応化社製ＳＣＧ、石英ガラス等の
ガラス、あるいは部分グレーズセラミック等のセラミッ
クその他を用いることができる。
光導電層はａ−５ｔを主成分とする非晶質材料からなり
、ａ−５ｔ下びき層２は屈折率３．２以下である。また
、ａ−３ｉ層３は屈折率が３．２より大、好ましくは３
．４程度である。光導電層はプラズマＣＶＤ法、反応性
スパッタリング法、イオンブレーティング法等の方法、
特にプラズマＣＶＤ法により形成される。かくして形成
される光導電層においては層形成時に取込まれる水素の
ために応力が発生し、この応力が大きすぎると基体との
密着性が劣化し、膜剥れが生じ易くなる。
、ａ−５ｔ下びき層２は屈折率３．２以下である。また
、ａ−３ｉ層３は屈折率が３．２より大、好ましくは３
．４程度である。光導電層はプラズマＣＶＤ法、反応性
スパッタリング法、イオンブレーティング法等の方法、
特にプラズマＣＶＤ法により形成される。かくして形成
される光導電層においては層形成時に取込まれる水素の
ために応力が発生し、この応力が大きすぎると基体との
密着性が劣化し、膜剥れが生じ易くなる。
光導電層の応力の大きさは層形成時の条件、たとえばグ
ロー放電の放電電力、基体温度、原料ガス組成、原料ガ
ス圧を適宜設定することによりコントロールすることが
できる。そして、基体ｌに隣接するａ−Ｓｉ下びきＦｊ
２として、たとえば比較的大きな放電電力にてグロー放
電を行なって、応力の小さい層を形成することにより基
体ｌとの密着性を良好に保つことができる。
ロー放電の放電電力、基体温度、原料ガス組成、原料ガ
ス圧を適宜設定することによりコントロールすることが
できる。そして、基体ｌに隣接するａ−Ｓｉ下びきＦｊ
２として、たとえば比較的大きな放電電力にてグロー放
電を行なって、応力の小さい層を形成することにより基
体ｌとの密着性を良好に保つことができる。
一方、光導電層の応力は該層の屈折率との相関が大であ
り、９一般に応力が小さいと屈折率も小さいことが分っ
ている。また、光導電層の光導電率を良好なものとする
ためには比較的低い放電電力にてグロー放電を行なうこ
とが必要であることも分っている。
り、９一般に応力が小さいと屈折率も小さいことが分っ
ている。また、光導電層の光導電率を良好なものとする
ためには比較的低い放電電力にてグロー放電を行なうこ
とが必要であることも分っている。
従って、基体ｌ上に先ず比較的大きな放電電力にてグロ
ー放電を行なって屈折率の比較的小さい、たとえば屈折
率３．２以下のａ−３ｉ下びき層２を形成した後、放電
電力を徐々に比較的小さな電力まで減少させながら堆積
を継続して膜厚方向に屈折率の連続的に変化している部
分を形成し、更に上記比較的小さな放電電力にてグロー
放電を行なって屈折率の比較的大きい、たとえば屈折率
３．４程度の高光導電率を有するａ−Ｓｔ層３を形成す
るのが好ましい。
ー放電を行なって屈折率の比較的小さい、たとえば屈折
率３．２以下のａ−３ｉ下びき層２を形成した後、放電
電力を徐々に比較的小さな電力まで減少させながら堆積
を継続して膜厚方向に屈折率の連続的に変化している部
分を形成し、更に上記比較的小さな放電電力にてグロー
放電を行なって屈折率の比較的大きい、たとえば屈折率
３．４程度の高光導電率を有するａ−Ｓｔ層３を形成す
るのが好ましい。
電極５はたとえばＡＩ等の導電膜からなる。
保護層６はＳｉＮ：Ｈ等の絶縁性無機物膜あるいは各種
の絶縁性有機樹脂膜である。
の絶縁性有機樹脂膜である。
カラーフィルター７は熱的に安定で且つ昇華性を示す顔
料等の色素を蒸着せしめることにより薄膜状に形成した
ものである。この様なカラーフィルター形成用の色素と
しては、アセトアセチ、クアニリド系、ナフトール類の
モノアゾ系、ポリサイフリック系、分散系、油溶性系、
インダンスレン系、フタロシアニン系など種々のものが
例示できる。特に好適なものとして、フタロシアニン系
、ペリレン系、イソインドリノン系、アントラキノン系
、キナクリドン系色素があげられる。以下に代表的な色
素を例示する。
料等の色素を蒸着せしめることにより薄膜状に形成した
ものである。この様なカラーフィルター形成用の色素と
しては、アセトアセチ、クアニリド系、ナフトール類の
モノアゾ系、ポリサイフリック系、分散系、油溶性系、
インダンスレン系、フタロシアニン系など種々のものが
例示できる。特に好適なものとして、フタロシアニン系
、ペリレン系、イソインドリノン系、アントラキノン系
、キナクリドン系色素があげられる。以下に代表的な色
素を例示する。
フタロシアニン系色素の例としては、メタルフリーフタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、ヘリリウムフタロシア
ニン、マグネシウムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニ
ン、チタニウムフタロシアニン、錫フタロシアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロ／アニン、クロムフ
タロシアニン、モリブデンフタロシアニン、マンガンフ
タロシアニン、鉄フタロシアニン、コバルトフタロ／ア
ニン、ニッケ°ルフタロ／アニン、ノやラノウムフタロ
シアニン、白金フタロシアニンが挙げられる。
ロシアニン、銅フタロシアニン、ヘリリウムフタロシア
ニン、マグネシウムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニ
ン、チタニウムフタロシアニン、錫フタロシアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロ／アニン、クロムフ
タロシアニン、モリブデンフタロシアニン、マンガンフ
タロシアニン、鉄フタロシアニン、コバルトフタロ／ア
ニン、ニッケ°ルフタロ／アニン、ノやラノウムフタロ
シアニン、白金フタロシアニンが挙げられる。
被リレン系色素としてはべりレンチトラカルボン酸誘導
体が好ましく、その例としては次のようなものが挙げら
れる。
体が好ましく、その例としては次のようなものが挙げら
れる。
（以下■〜■の記号で示す）
■ 上式においてＲ１が−Ｈであるもの■ ｔｔ
Ｒ／／−ＣＨ５ｐ■ 上式においてＲ，が（＞Ｏ
ＣＨ３であるもの■ ｐ Ｒｌｔｔ＜＼ＯＣ
２Ｈ５〃但し、ペリレンテトラカルボン酸誘導体は必ら
ずしもこれらに限定されるものではない。
Ｒ／／−ＣＨ５ｐ■ 上式においてＲ，が（＞Ｏ
ＣＨ３であるもの■ ｐ Ｒｌｔｔ＜＼ＯＣ
２Ｈ５〃但し、ペリレンテトラカルボン酸誘導体は必ら
ずしもこれらに限定されるものではない。
このようなペリレンテトラカルボン酸誘導体として市販
されているものとしては、 パリオグンｖ ））’ Ｌ ３８７０ ＨＤ （ＢＡＳ
Ｆ製）パリオグンレソドＬ ３８８０ＨＤ （ｔｔ
）ノボパームレッド ＢＬ ’（ヘキスト製）Ｋ
リンドマルーンＲ６４３４（バイエル環）ペリンドレノ
ド Ｒ６４１８（” ）ヘリオファーストマルーン
Ｅ３Ｒ（ｔｔ ）カヤセットスヵーレソトＥ−２Ｒ
（日本化薬製）カヤセットボルドーＥ−Ｄ （〃”
’）イル〃ノンレッドＢｌ）Ｔ （チバガイギ
ー契りなど（いずれも商品名）があげられる。
されているものとしては、 パリオグンｖ ））’ Ｌ ３８７０ ＨＤ （ＢＡＳ
Ｆ製）パリオグンレソドＬ ３８８０ＨＤ （ｔｔ
）ノボパームレッド ＢＬ ’（ヘキスト製）Ｋ
リンドマルーンＲ６４３４（バイエル環）ペリンドレノ
ド Ｒ６４１８（” ）ヘリオファーストマルーン
Ｅ３Ｒ（ｔｔ ）カヤセットスヵーレソトＥ−２Ｒ
（日本化薬製）カヤセットボルドーＥ−Ｄ （〃”
’）イル〃ノンレッドＢｌ）Ｔ （チバガイギ
ー契りなど（いずれも商品名）があげられる。
インインドリノン系色素は、ヘテロ原子全含む芳香族縮
合多環構造を有しておシ、基本的には下記式のように表
わすことができる。
合多環構造を有しておシ、基本的には下記式のように表
わすことができる。
４．５，６．７位が塩素で置換されていないものも含め
ることができるが、耐光性、耐溶剤性の点では置換型の
方が好ましい。
ることができるが、耐光性、耐溶剤性の点では置換型の
方が好ましい。
式中Ｒの構造によって色は黄色からオレン・ゾ、赤かっ
色と変化するが、多彩さとそのシャープな分光特性から
特に黄色色素として優れている。
色と変化するが、多彩さとそのシャープな分光特性から
特に黄色色素として優れている。
代表的なイソインドリノン系色素の例は前記式中のＲが
次のものとしてあげられる。
次のものとしてあげられる。
但しイソインドリノン系色素は必ずしもこれらに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
このようなイソインドリツノ系色素として市販されてい
るものとしては、 イルガノンイエロー２ＧＬＴ 、 ２ＧＬＴＥ 、 ２
Ｃ，ＬＴＮ（チバガイギー製） リオノク゛ンイエロー３ＧＸ （東洋イン
キ製）ファーストグンスーノや一イエローＧＲ、ＧＲＯ
、ＧＲＯ）（（大日本インキ製） イルガノンイエロー２ＲＬＴ 、 ３ＲＬＴ 、 ３Ｒ
ＬＴＮ（チバガイギー製） リオノグンイエローＲＸ （東洋インキ
製）リソールファーストイエロー１８４０ （ＢＡＳ
Ｆ製）カヤセットイエローＥ−２ＲＬ 、 Ｅ−３ＲＬ
１７６（日本化薬製） クロモフタールオレンノ２Ｇ（チバガイギー製）イルガ
ソンレノド２ＢＬＴ （チバガイギー製
）など（いずれも商品名）が挙げられる。
るものとしては、 イルガノンイエロー２ＧＬＴ 、 ２ＧＬＴＥ 、 ２
Ｃ，ＬＴＮ（チバガイギー製） リオノク゛ンイエロー３ＧＸ （東洋イン
キ製）ファーストグンスーノや一イエローＧＲ、ＧＲＯ
、ＧＲＯ）（（大日本インキ製） イルガノンイエロー２ＲＬＴ 、 ３ＲＬＴ 、 ３Ｒ
ＬＴＮ（チバガイギー製） リオノグンイエローＲＸ （東洋インキ
製）リソールファーストイエロー１８４０ （ＢＡＳ
Ｆ製）カヤセットイエローＥ−２ＲＬ 、 Ｅ−３ＲＬ
１７６（日本化薬製） クロモフタールオレンノ２Ｇ（チバガイギー製）イルガ
ソンレノド２ＢＬＴ （チバガイギー製
）など（いずれも商品名）が挙げられる。
また、アントラキノン系色素とはアノトラキノンの誘導
体及び類似のキノンをいう。
体及び類似のキノンをいう。
代表的なアントラキノン系黄色色素の構造の一例を次に
示す。
示す。
／内も
Ｎ
但し、アントラキノン系色素としては、必ずしもこれら
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
このようなアントラキノン系色素として市販されている
ものとしては、 りｏモアター７１ｚイエ０−Ａ２Ｒ（チハｊｆ イキ−
，！ ） ＣＩ／１６７０６００ヘリオフアーストイエ
ローＥ３Ｒ（バイエル製）ノぐリオグンイエローＬ１５
００ （ＢＡＳＦ製） ６８４２０カヤセット
イエローＥ−Ｒ（日本化薬製）ＣＩＡ６６５０４９クロ
モフタールイエローＡＧＲ（チパガイギー製）ハイプラ
ストイエローＥ２Ｇ （バイエル製）二ホンスレン
イエローＧＣＮ （住友化学製） ６７３００
ミケスレンイエローＧＫ （三井東圧製）
６１７２５インダンスレンクリンチイングイエローＧＯ
Ｋ（ヘキストｉ） ５９１００アントラゾールイエ
ローＶ （ヘキストｆｆ） ６０５３１ミケスレ
ンソリープルイエロー１２Ｇ （三井東圧製）
６０６０５ミケスレンイエローＣＦ （三井東
圧製） ６６５１０ニホンスレフイエローＧＧＦ
（住友化学製） ６５４３０インダンスレンイ
エロー３Ｇ （バイエル製） ６５４０５ニホン
スレンイエロー４ＧＬ（住友化学製）ノ母ランスレンイ
エローＰＧＡ （ＢＡＳＦ製）
６８４００チバノンイエロー２Ｇ（チバガイギ−＃）
インダンスレンイエローＦ２ＧＣ（ヘキストＨ）アント
ラゾールイエローＩＧＧ （ヘキスト製）インダンス
レンイエロー５ＧＦ （ＢＡＳＦ製）ミケスレンイエ
ロー３ＧＬ （三井東圧製）インダンスレンイエロ
ーＬＧＦ （ＢＡＳＦ製）モノライトイエローＦＲ（
ＩＣＩ製） カヤセットイエローＥ−ＡＲ（日本化薬製）など（いづ
れも商品名）があげられる。
ものとしては、 りｏモアター７１ｚイエ０−Ａ２Ｒ（チハｊｆ イキ−
，！ ） ＣＩ／１６７０６００ヘリオフアーストイエ
ローＥ３Ｒ（バイエル製）ノぐリオグンイエローＬ１５
００ （ＢＡＳＦ製） ６８４２０カヤセット
イエローＥ−Ｒ（日本化薬製）ＣＩＡ６６５０４９クロ
モフタールイエローＡＧＲ（チパガイギー製）ハイプラ
ストイエローＥ２Ｇ （バイエル製）二ホンスレン
イエローＧＣＮ （住友化学製） ６７３００
ミケスレンイエローＧＫ （三井東圧製）
６１７２５インダンスレンクリンチイングイエローＧＯ
Ｋ（ヘキストｉ） ５９１００アントラゾールイエ
ローＶ （ヘキストｆｆ） ６０５３１ミケスレ
ンソリープルイエロー１２Ｇ （三井東圧製）
６０６０５ミケスレンイエローＣＦ （三井東
圧製） ６６５１０ニホンスレフイエローＧＧＦ
（住友化学製） ６５４３０インダンスレンイ
エロー３Ｇ （バイエル製） ６５４０５ニホン
スレンイエロー４ＧＬ（住友化学製）ノ母ランスレンイ
エローＰＧＡ （ＢＡＳＦ製）
６８４００チバノンイエロー２Ｇ（チバガイギ−＃）
インダンスレンイエローＦ２ＧＣ（ヘキストＨ）アント
ラゾールイエローＩＧＧ （ヘキスト製）インダンス
レンイエロー５ＧＦ （ＢＡＳＦ製）ミケスレンイエ
ロー３ＧＬ （三井東圧製）インダンスレンイエロ
ーＬＧＦ （ＢＡＳＦ製）モノライトイエローＦＲ（
ＩＣＩ製） カヤセットイエローＥ−ＡＲ（日本化薬製）など（いづ
れも商品名）があげられる。
キナクリドン系色素とは（Ｉ）式で示される基本骨格を
もち、それから導かれる誘導体をも含めたものを示す。
もち、それから導かれる誘導体をも含めたものを示す。
す
誘導体の例としては
などがあけられる。まだこれらの混合物の場合もある。
分光特性的にはいずれも優れたマゼンタの特性を有して
いる。
いる。
具体的な色素としては
リオノグンマゼンタＲ（商品速：東洋インキ製）ファー
ストグンスー・ソ斗マゼンタＲ，Ｒ３（商品名二人日本
インキ製） シンカシアレッドＢＲＴ、 ＹＲＴ、 （商品名：デュ
ポン製）シン力シアパイオレッ）ＢＲＴ （商品名
：デーボン製）など（いづれも商品名）が挙げられる。
ストグンスー・ソ斗マゼンタＲ，Ｒ３（商品名二人日本
インキ製） シンカシアレッドＢＲＴ、 ＹＲＴ、 （商品名：デュ
ポン製）シン力シアパイオレッ）ＢＲＴ （商品名
：デーボン製）など（いづれも商品名）が挙げられる。
この様な色素の蒸着に際しては、予め保護層６上に所望
のパターンのマスクを配置しておくか、または選択的に
加熱を行なうことにより所望部分にのみ色素層を形成せ
しめてフィルター７とする。あるいは、一旦全面均一に
蒸着を行なった後に不要部分の色素層をフォトリソグラ
フィーの手法たとえばドライエツチング等により除去し
て所望部分にのみフィルター７を形成することもできる
。
のパターンのマスクを配置しておくか、または選択的に
加熱を行なうことにより所望部分にのみ色素層を形成せ
しめてフィルター７とする。あるいは、一旦全面均一に
蒸着を行なった後に不要部分の色素層をフォトリソグラ
フィーの手法たとえばドライエツチング等により除去し
て所望部分にのみフィルター７を形成することもできる
。
カラー読取のためには、たとえば第１図に示される如く
、連続する３つのフォトセンサの受光部上にそれぞれＲ
フィルター７、Ｇフィルター７′及びＢフィルター７″
を付設し、これら３つの受光部から１画素１０を構成す
ればよい、フォトセンサアレイにはこの様な画素ｌＯが
連続して配列されることになる。
、連続する３つのフォトセンサの受光部上にそれぞれＲ
フィルター７、Ｇフィルター７′及びＢフィルター７″
を付設し、これら３つの受光部から１画素１０を構成す
ればよい、フォトセンサアレイにはこの様な画素ｌＯが
連続して配列されることになる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１：
両面研斤済のガラス基体（コーニング社製＃７０５９）
に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通常の
洗浄を施した０次いで、容量結合型のグロー放電分解装
置内に該ガラス基体ｌを所望パターンのマスクで覆った
後セットし、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒの排気真空下で２３
０℃に維持した。次いで、該装置内にエピタキシャルグ
レード純ＳｉＨ４ガス（小松電子社製）を１０５００Ｍ
の流量で流入せしめ、ガス圧を０．０７Ｔｏｒｒに設定
した。その後、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用い、
入力電圧２．０ｋＶ、ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）放電電力１２０Ｗで２分間グロー放電を行
ない、厚さ約４００人のａ−５ｔ下びき層２を形成した
０次いで、徐々に入力電圧を下げ５分後に０．３ｋＶに
設定した。その後、入力電圧０ 、３ ｋＶ、放電電力
８Ｗで４゜５時曲グロー放電を行ない、厚さ約０．８５
＃Ｌのａ’−５ｉ層３を形成した。
に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通常の
洗浄を施した０次いで、容量結合型のグロー放電分解装
置内に該ガラス基体ｌを所望パターンのマスクで覆った
後セットし、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒの排気真空下で２３
０℃に維持した。次いで、該装置内にエピタキシャルグ
レード純ＳｉＨ４ガス（小松電子社製）を１０５００Ｍ
の流量で流入せしめ、ガス圧を０．０７Ｔｏｒｒに設定
した。その後、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用い、
入力電圧２．０ｋＶ、ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）放電電力１２０Ｗで２分間グロー放電を行
ない、厚さ約４００人のａ−５ｔ下びき層２を形成した
０次いで、徐々に入力電圧を下げ５分後に０．３ｋＶに
設定した。その後、入力電圧０ 、３ ｋＶ、放電電力
８Ｗで４゜５時曲グロー放電を行ない、厚さ約０．８５
＃Ｌのａ’−５ｉ層３を形成した。
続いて、Ｈ２で１０％に希釈した５ｆＨ４とＨ２でｌｏ
Ｏｐｐｍに希釈したＰＨ３とを混合比１：１０で混合し
たガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミック
コンタクト層であるｎ＋層（厚さ約０．１５ＪＬ）を堆
積せしめた。次に、電子ビーム蒸着法でＡＩを０．３ル
厚に堆積せしめて、導電層を形成した。
Ｏｐｐｍに希釈したＰＨ３とを混合比１：１０で混合し
たガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミック
コンタクト層であるｎ＋層（厚さ約０．１５ＪＬ）を堆
積せしめた。次に、電子ビーム蒸着法でＡＩを０．３ル
厚に堆積せしめて、導電層を形成した。
続いて、ポジ型フォトレジスト（シプレ二社製ＡＺ−１
３７０）、を用いて所望の形状にフォトレジストハター
ンを形成した後、リン酸（８５ｆＪＩ％水溶液）、硝酸
（６０容量％水溶液）、氷酢酸、及び水を１６：１：２
：１の容積比で混合した液（以下、「エツチング液ｌ」
という）で露出部分の導電層を除去した０次いで、平行
平板型の装置を用いたプラズマエツチング法で、ＲＦ放
電電力１２０Ｗ、ガス圧０．０７ＴｏｒｒでｃＦ４ガス
によるドライエツチングを行なって露出部分のｎ十層を
除去した０次いでフォトレジストを剥離せしめた。
３７０）、を用いて所望の形状にフォトレジストハター
ンを形成した後、リン酸（８５ｆＪＩ％水溶液）、硝酸
（６０容量％水溶液）、氷酢酸、及び水を１６：１：２
：１の容積比で混合した液（以下、「エツチング液ｌ」
という）で露出部分の導電層を除去した０次いで、平行
平板型の装置を用いたプラズマエツチング法で、ＲＦ放
電電力１２０Ｗ、ガス圧０．０７ＴｏｒｒでｃＦ４ガス
によるドライエツチングを行なって露出部分のｎ十層を
除去した０次いでフォトレジストを剥離せしめた。
次にＨ２で１０％に希釈したＳ ｉ Ｈ４とＮＨ３とを
混合比ｌ：５で混合したガスを原料として用い、放電電
力３０Ｗ、ガス圧０．ＩＴｏ ｒ ｒで２時間グロー放
電し、０．７終厚の窒、化シリコン層を形成した。
混合比ｌ：５で混合したガスを原料として用い、放電電
力３０Ｗ、ガス圧０．ＩＴｏ ｒ ｒで２時間グロー放
電し、０．７終厚の窒、化シリコン層を形成した。
次に、この保護層上にスピンナー塗布法によりポジ型フ
ォトレジスト（東京応化社製０ＤＵＲＩＯ１３）を１０
０００人の膜厚に塗布した。１２０°０２０分のプリベ
ークを行なった後、遠赤外光にてマスク露光を行ない０
ＤＵＲ１０１０シリーズ専用現像液に３分浸漬し同じく
専用リンス液に２分浸漬してレジストマスクを形成した
０次に。
ォトレジスト（東京応化社製０ＤＵＲＩＯ１３）を１０
０００人の膜厚に塗布した。１２０°０２０分のプリベ
ークを行なった後、遠赤外光にてマスク露光を行ない０
ＤＵＲ１０１０シリーズ専用現像液に３分浸漬し同じく
専用リンス液に２分浸漬してレジストマスクを形成した
０次に。
レジストマスクの形成されたフォトセンサ全面に露光を
行ない、溶剤に可溶とした。続いて、フォトセンサとＭ
Ｏポートに詰めたＣｕフタロシアニンを真空容器内に設
置し、真空度ｔｏ−５〜１Ｏ−６ＴｏｒｒにおいてＭＯ
ポートを４５０〜５５０℃に加熱し、Ｃｕフタロシアニ
ンの蒸着を行なった。膜厚は２０００人とした。しかる
後に０ＤＵＲＩＯＩＯシリーズ専用現像液中にて浸漬か
くはんを行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜
の不要部分を除去することによってパターン状青色色素
層を形成した。同様な方法で赤色色素層としてイルガジ
ンレッドＢＰＴ（チバガイギー社製ＣｌＮｏ、７１１２
７）を、緑色色素層としてｐｂフタロシアニンを用いて
、カラーフィルターを形成し、カラーフォトセンサを製
造した。
行ない、溶剤に可溶とした。続いて、フォトセンサとＭ
Ｏポートに詰めたＣｕフタロシアニンを真空容器内に設
置し、真空度ｔｏ−５〜１Ｏ−６ＴｏｒｒにおいてＭＯ
ポートを４５０〜５５０℃に加熱し、Ｃｕフタロシアニ
ンの蒸着を行なった。膜厚は２０００人とした。しかる
後に０ＤＵＲＩＯＩＯシリーズ専用現像液中にて浸漬か
くはんを行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜
の不要部分を除去することによってパターン状青色色素
層を形成した。同様な方法で赤色色素層としてイルガジ
ンレッドＢＰＴ（チバガイギー社製ＣｌＮｏ、７１１２
７）を、緑色色素層としてｐｂフタロシアニンを用いて
、カラーフィルターを形成し、カラーフォトセンサを製
造した。
一方、比較のため、上記と同じガラス基体の表面をフッ
酸（４９容量％水溶液）、硝ａ（６０容量％水溶液）及
び酢酸を１：５：４０の容積比で混合した液で３０秒間
処理し、ａ−Ｓｔ下びき層を形成しないことを除いて上
記工程と同様にしてプレナー型フォトセンサ（以下、［
！！ｉ体酸処理有・下びき層無の７オトセンサ」と略称
する）を製造した。
酸（４９容量％水溶液）、硝ａ（６０容量％水溶液）及
び酢酸を１：５：４０の容積比で混合した液で３０秒間
処理し、ａ−Ｓｔ下びき層を形成しないことを除いて上
記工程と同様にしてプレナー型フォトセンサ（以下、［
！！ｉ体酸処理有・下びき層無の７オトセンサ」と略称
する）を製造した。
以上２種類のカラーフォトセンサについて、同一条件に
てカラーフィルター側から白色光を入射せしめて得られ
る光電流値を比較したところ双方でほぼ同様の値が得ら
れた。これにより、本発明のフォトセンサにおけるａ−
５ｉ下びき層？の存在はＳ／Ｎを劣化せしめることがな
いということが分る。
てカラーフィルター側から白色光を入射せしめて得られ
る光電流値を比較したところ双方でほぼ同様の値が得ら
れた。これにより、本発明のフォトセンサにおけるａ−
５ｉ下びき層？の存在はＳ／Ｎを劣化せしめることがな
いということが分る。
次に、以上２種類のカラーフォトセンサについて、同一
条件にてヒートサイクルによる耐久性試験を行なったと
ころ、同様に膜はがれは発生せず、十分な密着性を有す
ることが分った。
条件にてヒートサイクルによる耐久性試験を行なったと
ころ、同様に膜はがれは発生せず、十分な密着性を有す
ることが分った。
実施例２：
実施例１の本発明のフォトセンサ製造工程において、ａ
−５ｉ下びき層２の形成の際に、最初に設定される放電
電力（以後「放電電力１」と略す）及び該放電電力ｌで
の放電時間を以下の組合せにしてグロー放電を行なうこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
−５ｉ下びき層２の形成の際に、最初に設定される放電
電力（以後「放電電力１」と略す）及び該放電電力ｌで
の放電時間を以下の組合せにしてグロー放電を行なうこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
その結果、放電゛心力８０Ｗ及び５０Ｗの場合にはＩＱ
はがれを生ずることなくフォトセンサを得ることができ
たが、放電電力３０Ｗ、８Ｗ及び４Ｗの場合にはフォト
レジストＡＺ−１３７０を用いたフォトリソグラフィ一
工程（超音波洗浄機による洗節を含む）中に膜はがれが
生じ、目的とする良好なフォトセンサを得ることができ
なかった。
はがれを生ずることなくフォトセンサを得ることができ
たが、放電電力３０Ｗ、８Ｗ及び４Ｗの場合にはフォト
レジストＡＺ−１３７０を用いたフォトリソグラフィ一
工程（超音波洗浄機による洗節を含む）中に膜はがれが
生じ、目的とする良好なフォトセンサを得ることができ
なかった。
実施例３：
実施例１及び２におけると同様にしてａ−５ｉ下びき層
２を形成した後に基体ｌを取出し、基体１上に形成され
たａ−３ｔ下びき層２の屈折率を測定した。グロー放電
の放電電力とａ−３ｔ下びき層２の屈折率との関係を第
３図に示す。
２を形成した後に基体ｌを取出し、基体１上に形成され
たａ−３ｔ下びき層２の屈折率を測定した。グロー放電
の放電電力とａ−３ｔ下びき層２の屈折率との関係を第
３図に示す。
基体と光導電層との密着性は膜形成におけるグロー放電
の放電電力に関係しており、膜はがれは薄膜の内部構造
に依存して誘起される真性応力と、基体との熱膨張係数
の差に依存した内部応力との合成による全応力に起因す
ると考えられている。そこで、上記基体ｌ上に形成され
たａ−５ｉ下びき層２の全応力を測定した。グロー放電
の放電電力ｌとａ−Ｓｉ下びき層２の全応力との関係を
第４図に示す、応力は圧縮応力として現われ、放電電力
ｌがＩＯＷ付近で最大値を示すが、放電電力ｌの増大と
ともに応力が小さくなる。放電電力１の増大につれて応
力が小さくなるのは主に膜中に多くなるボイドが引っ張
り応力を発生し、圧縮応力を相殺するためであると考え
られる。
の放電電力に関係しており、膜はがれは薄膜の内部構造
に依存して誘起される真性応力と、基体との熱膨張係数
の差に依存した内部応力との合成による全応力に起因す
ると考えられている。そこで、上記基体ｌ上に形成され
たａ−５ｉ下びき層２の全応力を測定した。グロー放電
の放電電力ｌとａ−Ｓｉ下びき層２の全応力との関係を
第４図に示す、応力は圧縮応力として現われ、放電電力
ｌがＩＯＷ付近で最大値を示すが、放電電力ｌの増大と
ともに応力が小さくなる。放電電力１の増大につれて応
力が小さくなるのは主に膜中に多くなるボイドが引っ張
り応力を発生し、圧縮応力を相殺するためであると考え
られる。
前記の通り、光導電層の光導電率は膜形成における放電
電力に関係し、所要の光導電特性を得るためには比較的
低い放電電力で堆積を行なうことが必要であり、従って
上記実施例１及び２におけるａ−５ｉ層３は比較的低い
放電電力にて堆積されたのである。
電力に関係し、所要の光導電特性を得るためには比較的
低い放電電力で堆積を行なうことが必要であり、従って
上記実施例１及び２におけるａ−５ｉ層３は比較的低い
放電電力にて堆積されたのである。
以上から、本発明カラーフォトセンサのａ−５ｉ下びき
層２は応力緩和、層としてめ作用を有しており、基体と
光導電層との密着性を向上させる効果を発揮することが
分る。また、このフォトセンサにおいては、Ｓ／Ｎを良
好に保つためにはａ−５ｉ下びき層２の厚さはあまり厚
くない方が好ましく、たとえば３０００Å以下であるの
が望ましい。
層２は応力緩和、層としてめ作用を有しており、基体と
光導電層との密着性を向上させる効果を発揮することが
分る。また、このフォトセンサにおいては、Ｓ／Ｎを良
好に保つためにはａ−５ｉ下びき層２の厚さはあまり厚
くない方が好ましく、たとえば３０００Å以下であるの
が望ましい。
実施例４：
実施例１の本発明のフォトセンサ製造工程において、ａ
−３ｉ層３の形成の後に放電電力を８０Ｗに上げて２５
分間グロー放電を行ない、更にａ−３ｉ層を形成するこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
−３ｉ層３の形成の後に放電電力を８０Ｗに上げて２５
分間グロー放電を行ない、更にａ−３ｉ層を形成するこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
第５図はかくして得られたプレナー型のフォトセンサの
部分断面図であり、第２図と同様の部分を示す、第５図
において、第２図と同様の部材には同一符号を付してあ
り、３′はａ−Ｓｉ層である。ａ−Ｓ１層３′の厚さは
０．３μであり、この層の単位厚さ当りの形成速度は放
電電力を上げたため、ａ−Ｓｉ層３の単位厚さ当りの形
成速度よりも著るしく大きい。
部分断面図であり、第２図と同様の部分を示す、第５図
において、第２図と同様の部材には同一符号を付してあ
り、３′はａ−Ｓｉ層である。ａ−Ｓ１層３′の厚さは
０．３μであり、この層の単位厚さ当りの形成速度は放
電電力を上げたため、ａ−Ｓｉ層３の単位厚さ当りの形
成速度よりも著るしく大きい。
本実施例によって得られたフォトセンサにおいてはａ−
３ｉ下びき層２、ａ−５ｉ層３及びａ−Ｓｉ層３′によ
り光導電層が構成される０本実施例フォトセンサアレイ
によればａ−５ｆ層の膜厚増加により、得られる光電流
は実施例１のものより大きい。
３ｉ下びき層２、ａ−５ｉ層３及びａ−Ｓｉ層３′によ
り光導電層が構成される０本実施例フォトセンサアレイ
によればａ−５ｆ層の膜厚増加により、得られる光電流
は実施例１のものより大きい。
実施例５：
実施例１の本発明のフォトセンサ製造工程において、ａ
−３ｉ下びき層２の形成の際に基体温度を７０℃に維持
し、放電電力ｌを８Ｗとし１５分間グロー放電す°るこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
−３ｉ下びき層２の形成の際に基体温度を７０℃に維持
し、放電電力ｌを８Ｗとし１５分間グロー放電す°るこ
とを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
同一の条件でａ −Ｓ ｆ下びき層２を形成した時点で
基体１を取出してａ−３ｉ下びき層２の屈折率測定を行
なったところ３．１０であった。
基体１を取出してａ−３ｉ下びき層２の屈折率測定を行
なったところ３．１０であった。
本実施例において得られたフォトセンサは実施例１にお
いて１：Ｐられた本発明のフォトセンサと同様に良好な
ものであった。
いて１：Ｐられた本発明のフォトセンサと同様に良好な
ものであった。
実施例６：
実施例１の本発明のフォトセンサ製造工程において、ａ
−３ｉ下びき層２の形成の際に原料ガスとして Ｈ２で
５％に希釈したＳ ｉ Ｈ４を用い、放電電力ｌを３０
Ｗとし１０分間グロー放電することを除いて、実施例１
と同様の工程を行なった。
−３ｉ下びき層２の形成の際に原料ガスとして Ｈ２で
５％に希釈したＳ ｉ Ｈ４を用い、放電電力ｌを３０
Ｗとし１０分間グロー放電することを除いて、実施例１
と同様の工程を行なった。
同−の条件でａ−Ｓｉ下びき層２を形成した時点で基体
１を取出してａ−３ｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．０２であった。
１を取出してａ−３ｉ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．０２であった。
本実施例において得られたフォトセンサは実施例１にお
いて得られた本発明のフォトセンサと同様に良好なもの
であった。
いて得られた本発明のフォトセンサと同様に良好なもの
であった。
実施例７：
実施例１の本発明のフォトセンサ製造工程において、ａ
−Ｓｉ下びき層２の形成の際にガス圧を０．３０Ｔｏｒ
ｒとし、放電電力ｌを５０Ｗとし５分間グロー放電する
ことを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
−Ｓｉ下びき層２の形成の際にガス圧を０．３０Ｔｏｒ
ｒとし、放電電力ｌを５０Ｗとし５分間グロー放電する
ことを除いて、実施例１と同様の工程を行なった。
同一の条件でａ−３ｉ下びき層２を形成した時点で基体
ｌを取出してａ−３ｔ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１２であった。
ｌを取出してａ−３ｔ下びき層２の屈折率測定を行なっ
たところ３．１２であった。
本実施例において得られたフォトセンサは実施例１にお
いて得られた本発明のフォトセンサと同様に良好なもの
であった。
いて得られた本発明のフォトセンサと同様に良好なもの
であった。
実施例８：
実施例１と同様な方法により、同−基体上に８６４個の
フォトセンサを７レイ状に並べて製造した。尚、この際
、フォトセンサの配列は、カラーフィルターが第１図に
示される様にＲ，Ｇ、Ｈの繰返し配列を形成する様にな
された。これはフォトリソグラフィ一工程の際のマスク
を適宜設定することにより容易に行なうことができる。
フォトセンサを７レイ状に並べて製造した。尚、この際
、フォトセンサの配列は、カラーフィルターが第１図に
示される様にＲ，Ｇ、Ｈの繰返し配列を形成する様にな
された。これはフォトリソグラフィ一工程の際のマスク
を適宜設定することにより容易に行なうことができる。
かくして得られた長尺フォトセンサアレイの概略部分平
面図を第６図に示す、第６図において、１１は個別電極
であり、１２は共通電極であり、１３はカラーフィルタ
ーである。この長尺フォトセンサアレイの密度は８ビツ
ト／ ｍ ｍであり、Ａ６版幅の長さを有する。
面図を第６図に示す、第６図において、１１は個別電極
であり、１２は共通電極であり、１３はカラーフィルタ
ーである。この長尺フォトセンサアレイの密度は８ビツ
ト／ ｍ ｍであり、Ａ６版幅の長さを有する。
本実施例において得られたフォトセンサアレイのビット
間における光電流及び暗電流の均一性を測定した。尚、
この際、Ｒ，Ｇ、Ｂ各フィルター透過後の光量が均一と
なる様な入射光を用いた。
間における光電流及び暗電流の均一性を測定した。尚、
この際、Ｒ，Ｇ、Ｂ各フィルター透過後の光量が均一と
なる様な入射光を用いた。
その結果を第７図に示す。
一方、比較のために、実施例１記載の基体酸処理有・下
びき層無の□方法により同−基体上に８６４個の７オト
センサをアレイ状に並べて製造した長尺フォトセンサア
レイのビット間における光電流及び暗電流の均一性を同
様にして測定した。その結果を第８図に示す。
びき層無の□方法により同−基体上に８６４個の７オト
センサをアレイ状に並べて製造した長尺フォトセンサア
レイのビット間における光電流及び暗電流の均一性を同
様にして測定した。その結果を第８図に示す。
第７図と第８図との比較により１本発明カラーフォトセ
ンサにおいては、基体上に微視的欠陥がなく、またａ−
５ｉ下びき層が応力緩和層として作用しているために、
光導電特性の均一性が極めて良好であることが分る。
ンサにおいては、基体上に微視的欠陥がなく、またａ−
５ｉ下びき層が応力緩和層として作用しているために、
光導電特性の均一性が極めて良好であることが分る。
実施例９：
赤色色素としてノボパームレッドＢＬ（ヘキスド社製）
を用い、４００〜５００℃の加熱により膜厚２０００人
に赤色色素層からなる赤色カラーフィルターを形成する
以外は、実施例１と同様に□してカラーフォトセンサを
製造した。
を用い、４００〜５００℃の加熱により膜厚２０００人
に赤色色素層からなる赤色カラーフィルターを形成する
以外は、実施例１と同様に□してカラーフォトセンサを
製造した。
かくして得られたカラーフォトセンサにおけるカラーフ
ィルターと従来のカラーフィルターとの性能比較を試み
た。
ィルターと従来のカラーフィルターとの性能比較を試み
た。
（１）耐熱性
２５０℃で１時間の耐熱性試験を行なったところ、従来
の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化した（ピー
ク透過１１０５以上、ピーク波長シフトｌＯｎｍ以上）
が、本実施例における蒸着フィルターでは分光特性の変
化は小さかった 。
の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化した（ピー
ク透過１１０５以上、ピーク波長シフトｌＯｎｍ以上）
が、本実施例における蒸着フィルターでは分光特性の変
化は小さかった 。
（ピーク透過率５％以内、ピーク波長シフト５ｎｍ以内
）。
）。
（２）耐光性
Ｘｅランプ５００時間照射の耐光性試験を行なったとこ
ろ、従来の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化し
た（ピーク透過率１０％以上、ピーク波長シフｌ１−１
Ｏｎ以上）が１本実施例における蒸着フィルターでは分
光特性の変化は殆どなかった。
ろ、従来の染色フィルターでは分光特性が大幅に変化し
た（ピーク透過率１０％以上、ピーク波長シフｌ１−１
Ｏｎ以上）が１本実施例における蒸着フィルターでは分
光特性の変化は殆どなかった。
以上の実施例においては、一定の屈折率を有するａ−Ｓ
ｉ下びき層２と一定の屈折率を有するａ−Ｓｔ層３との
間に膜厚方向に屈折率の連続的に変化している層が形成
されている例を示したが、本発明カラーフォトセンサに
おいては、膜厚方向に所定の厚さに一定の屈折率を有す
るａ−５ｉ下びき層２を形成することなく、基体ｌの表
面から徐々に連続的に膜厚方向に屈折率の連続的に変化
している層が形成されていてもよい。
ｉ下びき層２と一定の屈折率を有するａ−Ｓｔ層３との
間に膜厚方向に屈折率の連続的に変化している層が形成
されている例を示したが、本発明カラーフォトセンサに
おいては、膜厚方向に所定の厚さに一定の屈折率を有す
るａ−５ｉ下びき層２を形成することなく、基体ｌの表
面から徐々に連続的に膜厚方向に屈折率の連続的に変化
している層が形成されていてもよい。
［発明の効果］
以上の如き本発明のカラーフォトセ／すにおいては、カ
ラーフィルターの形成は色素の蒸着により行なわれ、そ
のパターン形成には通常のフォトリソグラフィーの手法
を用いることができるので、カラーフィルター形成時に
ａ−Ｓｉ光光電電層特性を劣化せしめることは殆どない
。また、パターン形成がフォトリングラフイーにより行
なわれることから、凹凸面上でのフィルター形成を正確
に行なうことができ、高精度なカラーフィルターを形成
することができる。
ラーフィルターの形成は色素の蒸着により行なわれ、そ
のパターン形成には通常のフォトリソグラフィーの手法
を用いることができるので、カラーフィルター形成時に
ａ−Ｓｉ光光電電層特性を劣化せしめることは殆どない
。また、パターン形成がフォトリングラフイーにより行
なわれることから、凹凸面上でのフィルター形成を正確
に行なうことができ、高精度なカラーフィルターを形成
することができる。
更に１本発明カラーフォトセンサのカラーフィルターは
蒸着により形成された色素層であるので入射光に対する
耐光性及び耐熱性に優れており。
蒸着により形成された色素層であるので入射光に対する
耐光性及び耐熱性に優れており。
長期にわたって良好な性能を維持し得る。
また、本発明カラーフォトセンサによれば、センサユニ
ット間の特性の均一化をはかることができる。
ット間の特性の均一化をはかることができる。
また、本発明カラーフォトセンサにおいては、センサユ
ニットの光導電層の屈折率が膜厚方向に連続的に変化し
ているので、層界面における応力緩和が良好になされ密
着性が良好であり、また、使用時において層界面での反
射が極めて小さくなり光量ロスを防止できる。
ニットの光導電層の屈折率が膜厚方向に連続的に変化し
ているので、層界面における応力緩和が良好になされ密
着性が良好であり、また、使用時において層界面での反
射が極めて小さくなり光量ロスを防止できる。
第１図は本発明のカラーフォトセンサの平面図であり、
第２図はそのＸ−Ｙ断面図である。第３図及び第４図は
ａ−Ｓｉ下びき層の特性を示すグラフである。第５図は
本発明フォトセンサの部分断面図である。：ｉＳ６図は
フォトセンサアレイの部分平面図であり、第７図及び第
８図はその光電流及び暗電流の特性を示すグラフである
。 に基体 ２：ａ−５ｉ下びき層 ３．３’：ａ−Ｓｉ層 ４：ｎ十層 ５：導電層 ″６：保護層 ７：カラーフィルター 第１ドｌ ： ゝ・７°。 第２図 光 第３図 ズづ（ｔ″１千色゛）］ＩＷノ 第５図 第６図 ビットｄ文
第２図はそのＸ−Ｙ断面図である。第３図及び第４図は
ａ−Ｓｉ下びき層の特性を示すグラフである。第５図は
本発明フォトセンサの部分断面図である。：ｉＳ６図は
フォトセンサアレイの部分平面図であり、第７図及び第
８図はその光電流及び暗電流の特性を示すグラフである
。 に基体 ２：ａ−５ｉ下びき層 ３．３’：ａ−Ｓｉ層 ４：ｎ十層 ５：導電層 ″６：保護層 ７：カラーフィルター 第１ドｌ ： ゝ・７°。 第２図 光 第３図 ズづ（ｔ″１千色゛）］ＩＷノ 第５図 第６図 ビットｄ文
Claims (3)
- （１）基板上に非晶質シリコンを主成分とする光導電層
が形成されており該光導電層の同一表面に受光部の少な
くとも一部を構成する間隔を設けて一対の電極が配設さ
れており且つ受光部に対応する位置に蒸着により形成さ
れた色素層からなるカラーフィルターが設けられている
センサユニットを色信号を分解する数だけ複数個近接し
て配置してなるカラーフォトセンサにおいて、各センサ
ユニットの光導電層が膜厚方向に関し少なくともその一
部において屈折率が膜厚方向に連続的に変化しており且
つ該光導電層の基体表面近傍の屈折率が６３２８Åの波
長の光において３．２以下であることを特徴とする、カ
ラーフォトセンサ。 - （２）色素層が顔料を主成分とする、特許請求の範囲第
１項のカラーフォトセンサ。 - （３）光導電層の基体表面近傍の厚さ３０００Å以下の
部分の屈折率が３．２以下である、特許請求の範囲第１
項のカラーフォトセンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210493A JPS6189659A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | カラ−フオトセンサ |
| US06/781,733 US4724323A (en) | 1984-10-04 | 1985-09-30 | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| DE3587805T DE3587805T2 (de) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Bildsensor, Sensorelemente zur Verwendung auf dem Bildsensor und Verfahren zur Herstellung der Sensorelemente. |
| EP85112546A EP0177044B1 (en) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| US07/101,949 US4746535A (en) | 1984-10-04 | 1987-09-25 | Method of making photosensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210493A JPS6189659A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | カラ−フオトセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189659A true JPS6189659A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH0462470B2 JPH0462470B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=16590261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210493A Granted JPS6189659A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-09 | カラ−フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014030769A1 (en) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160478A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Photoelectric converter |
| JPS56138968A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56138967A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56167370A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar cell |
| JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
| JPS598368A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Toshiba Corp | カラ−イメ−ジセンサ− |
| JPS5943568A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59210493A patent/JPS6189659A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160478A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Photoelectric converter |
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| JPS56138967A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
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| JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
| JPS598368A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Toshiba Corp | カラ−イメ−ジセンサ− |
| JPS5943568A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014030769A1 (en) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
| US8872120B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
| US9972655B2 (en) | 2012-08-23 | 2018-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462470B2 (ja) | 1992-10-06 |
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