JPS6140526A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
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- JPS6140526A JPS6140526A JP16272184A JP16272184A JPS6140526A JP S6140526 A JPS6140526 A JP S6140526A JP 16272184 A JP16272184 A JP 16272184A JP 16272184 A JP16272184 A JP 16272184A JP S6140526 A JPS6140526 A JP S6140526A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270722 Crocodylidae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- LNNWVNGFPYWNQE-GMIGKAJZSA-N desomorphine Chemical compound C1C2=CC=C(O)C3=C2[C@]24CCN(C)[C@H]1[C@@H]2CCC[C@@H]4O3 LNNWVNGFPYWNQE-GMIGKAJZSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/223—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
- G01K1/18—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element for reducing thermal inertia
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感温部を薄膜状の橋架部に設けたために熱容
量が小さくなり、微少熱量で昇温可能な高速応答の感温
部をもつサーミスタ形温度センサにおいて、感温部の熱
容量をできるだけ小さくさせるとともに、高抵抗部のサ
ーミスタ材料も使用できるように工夫した温度センサに
関する。
量が小さくなり、微少熱量で昇温可能な高速応答の感温
部をもつサーミスタ形温度センサにおいて、感温部の熱
容量をできるだけ小さくさせるとともに、高抵抗部のサ
ーミスタ材料も使用できるように工夫した温度センサに
関する。
本出願人は、先に熱線風速計、ビラニー真空計、ガス検
出器などに応用できる局部加熱用小形の電熱器として本
発明と同様な嬌架槽造をもち、消費電力が小さく、高速
応答性の電熱器（たとえば、特願昭５４−２７５５．９
）を提案した。また、同様のｍ架構造で、瀉架槽造材料
層にサーミスタ材料を用いた「光センサ」を提案し、橋
架部に電熱部とサーミスタ材料層及びガス感応物質層を
配した［ガス検出器Ｊ′をも提案している。
出器などに応用できる局部加熱用小形の電熱器として本
発明と同様な嬌架槽造をもち、消費電力が小さく、高速
応答性の電熱器（たとえば、特願昭５４−２７５５．９
）を提案した。また、同様のｍ架構造で、瀉架槽造材料
層にサーミスタ材料を用いた「光センサ」を提案し、橋
架部に電熱部とサーミスタ材料層及びガス感応物質層を
配した［ガス検出器Ｊ′をも提案している。
本発明は、上述のような櫛架購造の薄膜状濁架部にサー
ミスタ材料層を設け、このサーミスタ材料層を感温部と
する温度センサで、電熱部とも組合せることも可能とし
、ｍ架部の熱容量を特に小さくさせるために、ｗＩＡ架
部領域内にサーミスタ材料層の配置を限定し、かつ、ア
モルファスシリコンのような高抵抗率のサーミスタ材料
も使用できるように電極となる導電体層により、１架部
中央付近のサーミスタ材料層をサンドイッチにし、その
導電体層の重なる領域のサーミスタ材料層の厚み方向の
抵抗のみを検出できるようにして、通電加熱や受光加熱
により、最も温度上昇する嬌架部中央付近の温度を有効
に検出できるように改良した温度センサに関するもので
ある。
ミスタ材料層を設け、このサーミスタ材料層を感温部と
する温度センサで、電熱部とも組合せることも可能とし
、ｍ架部の熱容量を特に小さくさせるために、ｗＩＡ架
部領域内にサーミスタ材料層の配置を限定し、かつ、ア
モルファスシリコンのような高抵抗率のサーミスタ材料
も使用できるように電極となる導電体層により、１架部
中央付近のサーミスタ材料層をサンドイッチにし、その
導電体層の重なる領域のサーミスタ材料層の厚み方向の
抵抗のみを検出できるようにして、通電加熱や受光加熱
により、最も温度上昇する嬌架部中央付近の温度を有効
に検出できるように改良した温度センサに関するもので
ある。
以下、図面を参照しながら詳細に説明する。第１図は、
本発明による温度センサを、たとえば、ビラニー真空ゲ
ージに好適な構造にした一実施例を説明するための平面
図、第２図は、第１図のＩ−Ｉ線における横断面図で、
図中、１は、ポリイミド板、２は、ポリイミド１に接着
剤１１により張りつけた銅はくである。３は、電気絶縁
層で、たとえば、０．２ｆ＊厚程度の窒化けい素膜（Ｓ
１ｓ Ｎ４膜）であり、プラズマＣＶＤ技術とホトリ
ソグラフィー技術により、容易に作製できる。４ａ１４
ｂは導電体層であり、櫛架部の領域内に残るようにホト
リソグラフィー技術によりパターン形成された約０．５
Ｐ飢厚のアモルファスシリコン（α下、ａ−５ｉとよぶ
）層である高抵抗率のサーミスタ材料層５を８！！架部
中央付近ではさんであるので、両県、電体層から取り出
したリード線９ａ１９ｂからみた電気抵抗は、上部導電
体層４ｂと下部導電体層４ａの重なり合う領域のａ−５
ｉ層５の上下厚み方向の電気抵抗とみなすことができる
。従って、感温部は、両導電体層４ａ、４ｂの重なり合
う領域とみなされる。ａ−３ｉ５５は、プラズマＣＶＤ
技術で容易に作製でき、たとえば、それぞれクロム（Ｃ
ｒ）とアルミニウム（ＡＩ）の二重層の金属導体から成
る導電体Ｍｌｒ ｔ ａ ＋ ４ ｂとオーム性接触が
得られやすいように、両電極側をリン（Ｐ）などをドー
プして低抵抗化した方がよい。尚、サーミスタ材料とし
ては、Ｂ定数が大きい方が望ましく、実験によれば、Ｐ
をドープしないａ−５ｔ材料の方が、Ｂ定数が大きいの
で、Ｐをドープするのは、ａ−３ｉ層５のうち、導電体
Ｗ４ａ＋４ｂ側のほんの薄い層（たとえば、それぞれ５
００Ａ厚程度の層）とすればよい。
本発明による温度センサを、たとえば、ビラニー真空ゲ
ージに好適な構造にした一実施例を説明するための平面
図、第２図は、第１図のＩ−Ｉ線における横断面図で、
図中、１は、ポリイミド板、２は、ポリイミド１に接着
剤１１により張りつけた銅はくである。３は、電気絶縁
層で、たとえば、０．２ｆ＊厚程度の窒化けい素膜（Ｓ
１ｓ Ｎ４膜）であり、プラズマＣＶＤ技術とホトリ
ソグラフィー技術により、容易に作製できる。４ａ１４
ｂは導電体層であり、櫛架部の領域内に残るようにホト
リソグラフィー技術によりパターン形成された約０．５
Ｐ飢厚のアモルファスシリコン（α下、ａ−５ｉとよぶ
）層である高抵抗率のサーミスタ材料層５を８！！架部
中央付近ではさんであるので、両県、電体層から取り出
したリード線９ａ１９ｂからみた電気抵抗は、上部導電
体層４ｂと下部導電体層４ａの重なり合う領域のａ−５
ｉ層５の上下厚み方向の電気抵抗とみなすことができる
。従って、感温部は、両導電体層４ａ、４ｂの重なり合
う領域とみなされる。ａ−３ｉ５５は、プラズマＣＶＤ
技術で容易に作製でき、たとえば、それぞれクロム（Ｃ
ｒ）とアルミニウム（ＡＩ）の二重層の金属導体から成
る導電体Ｍｌｒ ｔ ａ ＋ ４ ｂとオーム性接触が
得られやすいように、両電極側をリン（Ｐ）などをドー
プして低抵抗化した方がよい。尚、サーミスタ材料とし
ては、Ｂ定数が大きい方が望ましく、実験によれば、Ｐ
をドープしないａ−５ｔ材料の方が、Ｂ定数が大きいの
で、Ｐをドープするのは、ａ−３ｉ層５のうち、導電体
Ｗ４ａ＋４ｂ側のほんの薄い層（たとえば、それぞれ５
００Ａ厚程度の層）とすればよい。
本実施例は、ビラニー真空ゲージへの応用例であるので
、ｍ架部には、電流を通じることにより発熱する導電体
層６＋ ６ａｌ ６ｂｌ ５ｃを電気絶縁層３の下に密
着し、かつ、飼はく２から電気的に分踵するための電気
絶縁層７の上に形成しである。導電体層６＋ ６ａ＋
６ｂ＋ ６ｃは、たとえば、白金（Ｐｔ）のスパッタ膜
やモリブデンシリサイドなどの金属シリサイドなどのＣ
ＶＤ膜のＱ、３７Ｌ％厚程度の膜厚で形成できる。６＋
６ａ＋ ６ｂ、ｅｃは、一体層であるが、導電体層６
のうち、リード線ｌＱａ 、 １０ｂを取り出す領域に
対応させて、左右の電極部をｌ□ａ、６ｂとし、発熱す
る橋架部領域を６０としている。導電体層６として、金
属シリサイドを使用したときは、リード線１０ａ 、
１０ｂの引き出しのため、左右電極部６ａ＋６ｂには、
ＡＩ蒸着膜などを形成させる必要がある。８ａ＋８ｂは
銅はく２をエッチにより除去した溝であり、８Ｃは、溝
８ａ、８ｂの形成の際、エッチ時間を長くし、サイドエ
ッチを積極的に利用して、上部の多層薄膜構造の嬌架部
を残し、鰐を除去し貫通させた空どう部である。この溝
８ａ＋８ｂと空どう部８Ｃの作製は、リード線９’ａ
＋ ９ｂ ； １０ａ ＋ ］、Ｏｂの引き出し前
にホトリソグラフィー技術を用いて容易に形成できる。
、ｍ架部には、電流を通じることにより発熱する導電体
層６＋ ６ａｌ ６ｂｌ ５ｃを電気絶縁層３の下に密
着し、かつ、飼はく２から電気的に分踵するための電気
絶縁層７の上に形成しである。導電体層６＋ ６ａ＋
６ｂ＋ ６ｃは、たとえば、白金（Ｐｔ）のスパッタ膜
やモリブデンシリサイドなどの金属シリサイドなどのＣ
ＶＤ膜のＱ、３７Ｌ％厚程度の膜厚で形成できる。６＋
６ａ＋ ６ｂ、ｅｃは、一体層であるが、導電体層６
のうち、リード線ｌＱａ 、 １０ｂを取り出す領域に
対応させて、左右の電極部をｌ□ａ、６ｂとし、発熱す
る橋架部領域を６０としている。導電体層６として、金
属シリサイドを使用したときは、リード線１０ａ 、
１０ｂの引き出しのため、左右電極部６ａ＋６ｂには、
ＡＩ蒸着膜などを形成させる必要がある。８ａ＋８ｂは
銅はく２をエッチにより除去した溝であり、８Ｃは、溝
８ａ、８ｂの形成の際、エッチ時間を長くし、サイドエ
ッチを積極的に利用して、上部の多層薄膜構造の嬌架部
を残し、鰐を除去し貫通させた空どう部である。この溝
８ａ＋８ｂと空どう部８Ｃの作製は、リード線９’ａ
＋ ９ｂ ； １０ａ ＋ ］、Ｏｂの引き出し前
にホトリソグラフィー技術を用いて容易に形成できる。
以上のように本発明をビラニー真空ゲージとして実施し
た場合、櫛架部の熱容量が小さくでき、かつ、薄膜状で
あるので、真空中のガスとの接触面積が、従来のｐｔ線
などに比し非常に大きくとれるため高速・高感度となる
こと、Ｂ定数の大きなサーミスタ材料を発熱用導電体層
とは独立に採用できること、更に、サーミスタ材料が、
ａ−３ｉのように大きな光導電性を有していても、金属
などの上部導電体層を重ねているので、感温部には、光
が当らないようにでき温度によるサーミスタ抵抗の変化
のみを検出できるなどの利点がある。
た場合、櫛架部の熱容量が小さくでき、かつ、薄膜状で
あるので、真空中のガスとの接触面積が、従来のｐｔ線
などに比し非常に大きくとれるため高速・高感度となる
こと、Ｂ定数の大きなサーミスタ材料を発熱用導電体層
とは独立に採用できること、更に、サーミスタ材料が、
ａ−３ｉのように大きな光導電性を有していても、金属
などの上部導電体層を重ねているので、感温部には、光
が当らないようにでき温度によるサーミスタ抵抗の変化
のみを検出できるなどの利点がある。
本発明を赤外線などの光センサとして実施する場合は、
第１図および第２図における通電により発熱させる導電
体層６、電気絶縁層７およびリード線１０ａ ＋ １０
ｂを除去し、光の吸収層としての全黒などの層を櫛架部
の中央付近の上部導電体層４ｂ上に配し１ｃ構造にすれ
ばよい。受光部となるｍ架部の熱容量が小さくできるの
で、高速・高感度の熱形の光センサが実現できること、
高抵抗系のサーミスタ材料５を採用することにより高感
度化できること、更に、光導電性のサーミスタ材料５を
用い全黒層で充分吸収しきれない光があったとしても上
部導電体Ｍ４ｂでじゃ光されるので、受光によるサーミ
スタ材料５の温度変化に伴う抵抗変化のみ検出できるな
どの利点がある。
第１図および第２図における通電により発熱させる導電
体層６、電気絶縁層７およびリード線１０ａ ＋ １０
ｂを除去し、光の吸収層としての全黒などの層を櫛架部
の中央付近の上部導電体層４ｂ上に配し１ｃ構造にすれ
ばよい。受光部となるｍ架部の熱容量が小さくできるの
で、高速・高感度の熱形の光センサが実現できること、
高抵抗系のサーミスタ材料５を採用することにより高感
度化できること、更に、光導電性のサーミスタ材料５を
用い全黒層で充分吸収しきれない光があったとしても上
部導電体Ｍ４ｂでじゃ光されるので、受光によるサーミ
スタ材料５の温度変化に伴う抵抗変化のみ検出できるな
どの利点がある。
以上の規則から明らかなように、本発明によると櫛架部
の熱容量を極めて小さくできるので、通電による発熱を
利用する場合は、その消費電力が小さく、受光などの外
部加熱を利用する場合は、その受光量が少なくて済み、
高感度で高速応答性のある温度センサが提供できる。
の熱容量を極めて小さくできるので、通電による発熱を
利用する場合は、その消費電力が小さく、受光などの外
部加熱を利用する場合は、その受光量が少なくて済み、
高感度で高速応答性のある温度センサが提供できる。
第１１Ｕは、本発明による温度センサを、ビラニー真空
ゲージへの応用を考えて実施した一実施例を説明するた
めの平面図、第２図は、第１図の■−■線における断面
図である。 ±・・・・ポリイミド板、 ２・・・・銅はく、 ３
・・・・電気絶縁層、 ４ａ＋４ｂ・自・導電体層、
５・・・・サーミスタ材料Ｆ７、６１ ６ａ＋ ６ｂ
＋ ６ｃｍ・・・通電により発熱させるための導電体層
、 ７・・・・電気絶縁層、 ８ａ１８ｂ・・・・溝、
８ｃ・・・・空どう部、 ９ａ ｌ ９ｂ ；
ｔｏａ ＋ １０ｂ 、、、、リード線、 １１・・・
・接首剤。
ゲージへの応用を考えて実施した一実施例を説明するた
めの平面図、第２図は、第１図の■−■線における断面
図である。 ±・・・・ポリイミド板、 ２・・・・銅はく、 ３
・・・・電気絶縁層、 ４ａ＋４ｂ・自・導電体層、
５・・・・サーミスタ材料Ｆ７、６１ ６ａ＋ ６ｂ
＋ ６ｃｍ・・・通電により発熱させるための導電体層
、 ７・・・・電気絶縁層、 ８ａ１８ｂ・・・・溝、
８ｃ・・・・空どう部、 ９ａ ｌ ９ｂ ；
ｔｏａ ＋ １０ｂ 、、、、リード線、 １１・・・
・接首剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、橋架部に感温部を設けた橋架構造の温度センサにお
いて、空どうを橋架する薄膜状の橋架構造材料層のうち
、少なくとも一層を電気絶縁層３で形成し、該電気絶縁
層３の橋架部領域内に感温材料であるサーミスタ材料層
５を配し、該サーミスタ材料層５を上部導電体層４ｂと
下部導電体層４ａとで橋架部中央付近において、はさむ
ように重ね合せ、該重ね合せ領域におけるサーミスタ材
料層５の厚み方向の電気抵抗を検出するようにしたこと
を特徴とする温度センサ。 ２、空どうを橋架する薄膜状の橋架構造材料層のうち、
一層を導電体層６とし、該導電体層６に電流を通じるこ
とにより、橋架部を発熱させるようにした特許請求の範
囲第１項記載の温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162721A JPH0733979B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162721A JPH0733979B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140526A true JPS6140526A (ja) | 1986-02-26 |
| JPH0733979B2 JPH0733979B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15760013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59162721A Expired - Lifetime JPH0733979B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733979B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267629A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Japan Atom Energy Res Inst | 高磁場領域における極低温計測用温度計 |
| JPS63277581A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Onoda:Kk | 軽量気泡コンクリ−トの防水施工方法 |
| JPH0257302A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Daiken Trade & Ind Co Ltd | 凹凸模様を有する無機質化粧板の製造方法 |
| JPH02206733A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Mitsuteru Kimura | 赤外線センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119381A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-13 | Mitsuteru Kimura | Electric heater |
| JPS5629130A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature sensor |
| JPS56108204U (ja) * | 1980-01-23 | 1981-08-22 | ||
| JPS5870588A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 温度センサとその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP59162721A patent/JPH0733979B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119381A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-13 | Mitsuteru Kimura | Electric heater |
| JPS5629130A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature sensor |
| JPS56108204U (ja) * | 1980-01-23 | 1981-08-22 | ||
| JPS5870588A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 温度センサとその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267629A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Japan Atom Energy Res Inst | 高磁場領域における極低温計測用温度計 |
| JPS63277581A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Onoda:Kk | 軽量気泡コンクリ−トの防水施工方法 |
| JPH0257302A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Daiken Trade & Ind Co Ltd | 凹凸模様を有する無機質化粧板の製造方法 |
| JPH02206733A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Mitsuteru Kimura | 赤外線センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733979B2 (ja) | 1995-04-12 |
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