JPS614066A - インターフエース層を用いる電子写真画像化方法および部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般的には電子写真画像化装置に係り、特に
インターフェース層を含む電子写真画像化部材とそのよ
うな部材の利用方法とに関する。

（従来の技術） 電子写真画像化部材の画像化表面に、静電的手段で画像
を形成し、現像することは周知である。

最も広く使用されている一つの処理方法は、ゼログラフ
ィで例えば、米国特許 第２．２９７．６９１号に記述されている。多くの異る
型式の感光体を電子写真画像化処理に使用することがで
きる。そのような電子写真画像化部材には、無機材ｒ１
、有機材料及びその混合材料が含まれる。電子写真画像
化部材には一つ又は複数の層が雷仙発生機能を果し、他
の層が電荷キャリヤの転送機能を果す隅接した層を備え
るものもあり、又は電荷の発生と電荷キャリヤの転送の
両機能を果す単一の層からなるものもある。これら電子
写真画像化部材は、損耗改善のために保護被膜で覆うこ
とがある。カールソン（ＣａｒｌＳＯｎ）型式の電子写
真画像化処理では、保護被膜は、その外面上に最初に伺
着された静電荷を、次の画像化サイクルを繰返す前に、
保護被膜とその下方の光導電層との間のインターフェー
スに形成するものでなｌプればならない。保護被膜は、
樹脂、光導電材料等を含む多くの有機材料及び無機材料
からつくることができる。

無定型セレンを基礎にした電子写真画像化部材は、全色
光性セ（を改善し、速度を増加させ、またカラー複写能
力を改善するために改良された。改啼　　　　良された
部材は、通常、セレン・テルルの合金を基礎にする。セ
レン電子写真画像化部材は、電荷発生と電荷転送の両機
能を果すセレン・テルル合金層を含む単一層として組立
てることができる。

セレン電子写真画像化部材は、また、対えばセレン合金
電荷転送層とこれに近接り−るセレン・テルル含金電荷
発生層というような多層とすることできる。これらのセ
レン・テルル含金電荷発生層を含む多層電子写真画像化
部月はサイクリング（繰返し動作）中、電気的不安定石
が変化するのが特徴である。例えば、重吊比約１０％の
テルルを含むセレン、テルル合金の電荷発生層どセ１ノ
ン・ヒ素合金の電信転送層を含む多層電子写真画像化部
材には、かなりの値の残留電位」−ｙ♂が現われる。

残留電位上昇はり−イクル率、十冒した′／ｊ：Ａ度に
お【ノる熱サイクリング、及び電子写真画像化部材イ１
近のランプ間のクエましくない相互作用にＪ：つ−でさ
らに悪化する。残留電位上昇はサイクリングと共に、留
電位の値が累積的に増加するものである。残留電位は高
レベルの光露出による感光体の光放電後、感光体の表面
で測定される電位である。残留電位は光導電層の容積内
又は素子の層間のインターフェースにとらえられた正電
荷（正帯電装置の場合）が存在Ｊることの現れである。

残留電位上昇の速度及びその最終飽和値は、一般に、シ
イクル率の増加と共に−ｊ二昇することが観察されてい
る。感光体が記憶中でも、機器が動作中でも、室温以−
Ｆの温度における感光体の平衡状態では、残留電位は、
イの上昇率及び飽和値両方が一時的に増加するのが一般
である。同様に、セレン・テルル合金の電荷発生層を含
む電子写真画像化部材を、複写機、印刷機又はプリンタ
の画像化部材として使用して、例えば、タングステン電
球又は白熱室内電球の光で波長６００ナノメータから７
００ナノメータ範囲の放射光に露出すると、容積内に吸
収された放射によって、次の使用時には、残留電位が著
しく増加する。

（発明の目的と要約） 従って、上述した欠点を克服する画像化装置を提供する
のが本発明の目的である。

また、熱的サイクリングが行われても、残留電位上背が
少ない電子写真画像化部材を提供するのも本発明の［１
的である。

急速なサイクリングが行われても、残留電位上昇の少な
い電子写真画像化部材を１Ｒ供するのも本発明の目的で
ある。

均一な照明に露出した後の４ｊイクリング中にも、残留
電位上昇の少ない電子写真画像化部材を提供するのも本
発明の目的である。

均一な照明に画像化部材を事前に露出した結果として、
残留電位上昇が少ない電子写真画像化部材を提供するの
ｂ本発明の目的である。

低い残留電位１−昇特竹をもつ一方、サイクリング中、
背景電位の電位降下も少ない電子写真画像化部材を提供
するのも本発明の目的である。

前記の目的及びその他の目的は、本発明に従って、電気
的伝導面をもつ一つの基板、一つの電荷転送層、本質的
にハロゲン添加セレンからなる一つの薄い連続したイン
ターフェース層、及び少くとも一つのセレン・テルル合
金の光導電電荷発生層を含む電子写真画像化部材を提供
することによって達成される。この電子写真画像化部材
は、カールソン型式画像化処理に適する薄い保護被膜層
のような伯の層を含むことができる。この電子写真画像
化部材は、電子写真画像化部ｌ上に実質的に均一な正静
電荷を付着さ１！ること、電子写真画像化部材を電磁放
射の画像パターンに露出し、それに［レン・テルル合金
光導電性電荷発生層が応答することによって静電潜像を
電子写真画像化部Ｈ上に形成させること、静電的に吸引
される１〜す微粉末を用いて前記静電潜像を減少して、
画像の形にｌ−す微粉末を付着させること、付着したト
ナ微粉末を受信部材に転写すること、及び電子写真画像
化部材を均一な光放電を受【）させることを伴う処理に
使用することができる。この処理は、自動化装置におい
て何ｍも繰返えされてもよい。

基板は、不透明でも、実質的に透明でもよく、また必要
な機械的特性をもつ多くの適当な材わ１を含むことがで
きる。全体の基板は、導電面の材わ１と同一の材料で構
成してもよいが、又は導電面はｆ　　　　　単に基板の
被膜とすることもできる。適当な導電月利は、どれでも
使用できる。通常の導電材料には、例えば、アルミニウ
ム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、ステンレス鋼、
銅、曲鉛、銀、スズ等がある。導電層は、所望の光導電
性部材の使用に従って、厚さを実質的に広い範囲内に弯
えることができる。従って、導電層は通常、厚さが約５
０オンダスト［］−ムから数センチメートルの範囲であ
る。可撓性の電子写真画像化部材が必要なときは、厚さ
は約１００オングストロームから約７５０オングストロ
ームの間がよい。基板には、有機材料及び無機材料を含
む仙のど／ｖな通常の材料を使用してもよい。通常の基
板月利には、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリア
ミド、ポリウレタン等を含み、この目的のために知られ
ている多くの樹脂のＪ：うな絶縁性、不導電材料を使用
する。被膜基板又は無被膜基板には可撓性のものも剛性
のものもあり、また、例えば、平板、円筒形ドラム、巻
き形、無終端可撓ベルトのような種種の形状のものがあ
る。

場合によっては、電気伝導面とそれに続いて設けられる
層との間に、結着を改善するための中間層が望まれるこ
とがある。そのような中間層を使用するときは、乾燥厚
さ約０．１マイクロメータから約５フイタ０メータまで
の層を使ｌ′Ｔ１号−るりが好ましい。通常の結着層に
は、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ピロリドン、ポリウレタン、ポリメタクリル酸メチル等
のにうな薄膜形成重合体を使用する。

電荷転送Ｉ斜は、純粋セレン、セレン・ヒ素合金、セレ
ン・ヒ素・ハロゲン濃度、及びセレン・ハロゲンからな
るグループから選択される。電荷転送層は、ハロゲン添
加セレンヒ素合金で構成するのが好ましい。通常、ハロ
ゲン添加セレン・ヒ素合金の電荷転送層には、重量比１
００万分の１０から重量比１００万分の２００までのハ
ロゲンが添加される。ヒ素を含まないハロゲン混入セレ
ン電荷転送層を利用するときは、ハロゲーンの含量は重
用比約１００万分の２０以下にしな【ノれば’ｔＥら４
Ｔい。ヒ素を含まない厚いハロゲン添加セレン電荷転送
層でハロゲンの含量を多くすると、過度の暗減衰を生じ
る。暗減衰は、多層画像化部材では、実質ト、全ｊｎ素
の関数どなるからである。

−〇　 上素を含まない厚いハロゲン添加セレン電荷転送層でハ
ロゲンを多ｍに含む画１象化部林については、例えば、
シウフイニイ（ＣｉｕＨｉｎｉ）に与えられた米国特許
第３．６３５．７０５号、スネリング（Ｓｎｅｌ　Ｉ　
１ｎｏ）に与えられた米国特許第３，６３９，１２０号
及び１９８１年６月６日付発行のリコー（Ｉ（ｉｃｏｈ
）の日本特許公告第Ｊ５　６１４２５３７号に記述され
ている。本発明の画像化部材では、臨Ｗ的、明瞭に、分
離された、薄いハロゲン添加セレン・インターフェース
層には、高レベルの塩素を添加することが必要である。

電荷転送層には、ハロゲン添加セレン・ヒ素合金を使用
するのが好ましい。通常、ハロゲン添加セレン・ヒ素合
金電荷転送層は、重量比約９９．５パーセントから約９
９．９パーセントまでのセレンと、重量比約０．１パー
セントから約０．５パーセントのヒ素と重聞比約１００
万分の１０から約１００万分の２００までのハロゲンを
含む。後者のハロゲン濃度は公称濃度である。

パ公称ハロゲン瀧度″という表現は、るつぼで蒸発され
る合金中のハロゲン濃度どじて定義されるものである。

電荷転送層の厚さは、通常、約１５マイク［１メータか
ら約７５マイクロメータまでの間である。にた“ハロゲ
ン材ｒビという表現には、フッ素、塩素、臭素及びヨウ
素が含まれる。塩素は、取扱いが容易であり、かつ薄膜
内で安定である（明かに外部へ拡散が４ｊい）ために、
好ましいハロゲンである。

電荷転送口は、真空蒸発のような任意適当な通常の技術
によつ−Ｃ蒸着できる。従って、ハロゲン添加セレン・
ヒ素合金からなる電荷転送層は、通常の真空蒸着装置に
よって蒸発されて、所望の厚さに形成される。真空蒸着
装置の蒸発容器内に使用される合金の量は、特定の真空
蒸着装置の構成および所望の電荷転送層の厚さどするた
めの伯の処理変数によって定める。蒸発中の容器内圧力
は、／１Ｘ１０’ｌ−ル稈度である。蒸発は、通常、ｆ
　　　　ＦＪ　２５０　、、Ｃ，ｈ、６　ＦＪ　３２５
　。Ｃｔ　Ｔ”　’７）ｍ　ｍ　＠　０ａ　ｒ約１５分
から２５分以内に完了する。この範囲以外の時間、温１
印及び圧力も使用できることは、当業者がよく理解して
いる通りである。通常、電荷転送層の蒸着中は、基板の
温度は約５０’Ｃから約７０°Ｃの範囲内に維持するこ
とが望ましい。電荷転送層の制作についての詳細は、エ
ッチ・ビニ１−ウィツト（Ｈ，１ｌｅＷｉｔｔ）に与え
られた米国特許第４，２９７．４２４号に開示されてい
るので、その全開示をここに引用して記載に組入れる。

インターフェース層は、電荷転送層と電荷発生用セレン
・テルル光導電層との間に配置される。

インターフェース層の材わ１は、本質的にはセレン材で
、重石比約１００万分の５０から重量比約１００万分の
２，０００までの公称ハ「１ゲン誦度ど残りをセレンど
するものである。ヒ素を追加して加えることもできるが
、比較的好ましくなく、追加ヒ素を補償するためにハ［
ｌゲンの追加が必要となる。゛公称ハロゲン濃度゛′と
いう表現は、るつぼで蒸発される合金中のハロゲン澗１
１ｆどして定義される。蒸着されたインターフェース層
のハロゲン濃度は、通常、るつぼ内で蒸発した合金の濃
度より幾分少ないものである。最適な素子特性を得るた
めには、最終インターフェース層中の実際のハロゲン含
量は、重量約１００万分の３５以上に大きくなければな
らない。ヒ素を含まない厚いハロゲン添加セレン層のハ
【コゲンの含有■を多くすると、過度の暗減衰を生じる
。暗減衰は多層画像化部材では、実質的に全ハロゲンの
関数であるからである。ヒ素を含まない厚いハロゲン添
加セレン電荷転送層でハロゲンを条間に含む画像化部材
については、例えばシイフィニイ（Ｃｉｕｆｆｉｎｉ）
に与えられた米国特許第３，６３５，７０５月、スネリ
ング（Ｓｎｅｌ　ｌ　１ｎｏ）に与えられた米国特許第
３．６３９．１２０号、及び１９８１年６月６日付発行
、リコーの特許公報 Ｊ５　６１／１２！−５３７に記述されている。本発明
の画像化部Ｉは、臨界的の明瞭に分離された、薄いハロ
ゲン添加セレンインターフ］−−ス層にだけ高レベルの
ハロゲンを混入している。ここで゛′ハロゲン′°とい
う表現は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を含むこと
を意味する。塩素は取扱いの容易さど薄Ｉ９中の塩素の
安定さく明かに外部への拡散がない）から好適なハロゲ
ンである。インターフェース層の材料は、本質的にはセ
レンであるが、最終的なインターフェース層における実
際のハロゲン濃度どして重量比、約１００万分の３５か
ら重量比約１００万分の６００までのハロゲン月利であ
る。電子写真画像化部材の暗減衰は、インターフェース
層の厚さの増加によって増加し、またハロゲン濃度の増
大とともに増加することが判明している。残留電位１胃
についての本発明の改善は、実際のハロゲン濃度が約１
００万分の３５以下の最終インターフェース層において
は認められない。最終インターフェース層における実際
のハロゲン濃度が約１００万分の６００以上になると暗
減衰が問題となる。

インターフェース層は、電子写真画像化部材の全体の画
像化面にわたって均一な電子写真特性を確保するために
、連続的かつ実質的に均一’、’ｃ　Ｔ”）ざのもでな
ければならない。インターフェース層が不連続であると
、感光体の経歴にｊ：って、背景密度と画像密度との変
調を生じる。インターフニース層は、任意適当４丁技術
によって製作できる。インターフェース層の月利が真空
蒸着技術によって蒸着されるときは、蒸着される月利は
、真空蒸着装置で蒸着される基板に近接したるつぼ内に
四かれる。インターフェース層月利はそれから適当な時
間／温石プ１］グラｌ＼にＪ：って蒸発されて、基板上
にインターフェース層を形成Ｊ−る。通常の時間／温度
プログラムでは、基板を温庶約６５℃に保持して、るつ
ぼの温度を約１４０’Ｃから約３１５℃に−１−臂させ
る間に約７分間然発が行われる。通常、圧力（ま約１０
−４トルから約１０−５１〜ルまでとする。インターフ
ェース層に使用するハロゲン添加セレン材料は、通常の
遊星蒸着装置を使用して、インターフェース口利わ１を
蒸着される以前又は以後に、基板を取除くことなくまた
遊星蒸着装置の真空は中断づることなくして、伯のセレ
ン合金層を蒸着することによって、効率的４ｆ蒸看がで
きる。

（紛れもなく連続的なインターフェース層の好適厚さは
、インターフェース層のハロゲンｌｌｌ酊にある程度に
支配される。例えば、重量比約１００万分の１００の公
称ハロゲン濃度にス・１しては約３マイクロメータ以下
の厚さを、又は重石比約１００万分の３００の公称ハロ
ゲン濃度に対しては約１マイクロメータ以下の厚さをも
つ連続インターフェース層によって満足な結果が１ｑら
れる。一般に、インターフェース層の厚さに従って、イ
ンターフェース層は、重量比約１００万分の５０から重
帛比約１００万分の２．０００までの公称ハ［１ゲン濃
度とできる。電子写真画像化部材のＩＩＦｉ減衰は、イ
ンターフ１．−ス層の厚さを増り−ど増加し、また公称
ハロゲン濃度を増Ｊ−と増加寸−ることが判明している
。公称塩素温度が重船比約１００万分の１００から重１
１）比約１００万分の３００までにおいて、約１マイク
ロメータｌ）口ら約３マイク［１メータまでの間の厚さ
をもつ連続的インターフ−［−ス層を使用して最適な結
果が得られる。

電荷転送層ど霜傭発う１層どのＩＲＩ　ｌこ、本発１！
１１の連続的インターフェース層を設りることによって
、サイクル率、１病した温度にお１プる熱１）−イクリ
ング及び電子写真画像化部材周囲のランプとコロトロン
どの好ましくない相互作用による残留電位−に胃は、電
子写真複写機、印刷機、及びプリンタでは著しく減少づ
る。

任意適当な電荷発生セレン・テルル合金光導電層を使用
り′る。通常の電荷発生セレン・テルル合金光導電月利
には、セレン・テルル合金、ハロゲン添加セレン・テル
ル合金、セレン・テルル・ヒ素合金、セレン・テルル・
ヒ素・ハロゲン合金、その他ｈ（含まれる。セレン・テ
ルル合金は、重但比約５パーセントから約／１５パーセ
ン１−までのテルルど、重量比約５パーセント以下のヒ
素と重量比約１００万分の５０以下のハロゲンとその他
をセレン成分どＪる。

セレン・テルル合金電荷発生層を準備する一つの好適実
施例では、セレン・テルル含金を粉砕し、粉砕したＵ　
ＩＩを丸めた小球をつくって、その小球を、蒸発中合金
の分別を最小にするように設計された時間／温度るつぼ
を使用する真空蒸着装置のるつぼ内で蒸発させるのであ
る。通常のるつぼ蒸発プログラムでは、電荷発生層は、
るつぼの温度を約２０℃から約３８５℃に上昇させる時
間中約１２分から約１５分間内に形成される。電荷発生
層の製作についてのその伯の訂細は、例えば、］−ツチ
・ヒユーウィツト（１１，Ｈｃｗ已１）に与えられた米
国特許第４．２９７．４２４号に開示されているので、
全体の開示をここに引用して記載に組入れる。

約１マイクロメータから約２０フイク［１メータまでの
厚さをもつ、セレン・ラルル合金電？Ｉｉｔ発生光導電
層を使用号るど満足１．’に結果が得られる。約２０マ
イクロメータ以上の厚さをｂつセレン・テルル合金電荷
発生層は、真空蒸発中、合金成分の選択的分別が起るの
で好ましく’Ｊい。また、約１マイク日メータ以下の厚
さの電荷発生層は、それを自動式電子写真複写機、印刷
機及びブリンクで、外部露出層に使用するどきは、急速
に損耗しやすい。しかしながら、厚さ０．１マイクロメ
ータの電荷発生層も、外面を無機質又は有機質の被膜で
保護すれば、使用可能である。被膜層は、光導電層でも
よいし、また光導１ｉＪでなくともよい。約５マイクロ
メータの厚さをもつ露出電荷発生層を使用すると最適の
結果が得られる。

保護被膜を使用するときは、電子写真画像化部材を通常
のカールソン型電子写真画像化処理に利用可能どしなけ
ればならない。カールソン型電子写真画像化処理では、
画像化部材が、通常、均一に帯電された後、画像形状の
放射照明に露出されて静電潜像を形成する。厚い絶縁性
被膜は、通常のカールソン型電子写真画像化処理を使用
することができないで多帯電段階を必要どするので、本
発明の画像化部材とは全く異る方法で動作される。

従゛つて、本発明の画像化部材には、通常のカールソン
型電子写真画像化処理における画像化部Ｉの使用を妨げ
る厚い絶縁性被膜を全く使用しない。

（Ｔ意適当４１通常の静電荷透過可能連続保護被膜を使
用して、被膜の外面に最初に付着した正の静電荷を、次
の画像化サイクルを繰返す前に、静電荷（お６□□ケ□
□１、イ、え□−ア。。

光導電層との間のインターフェースに形成することがで
きる。通常の静電荷透過可能連続保護被膜には、例えば
、アール・シャンク（Ｒ，Ｓｃ；ｈａｎｋ）に与えられ
た米国特許第４．４３９．５０９号に記述しであるにう
にＳｔＯの３単位ごとに少なくとも１個のシリコン結合
水Ｍｌをもつアンモニア硬化橋かけ結合シロキサン−］
ロイド・シリカ混合材による薄いポリシロキサン被膜、
ケー・才力（に、０ｋａ）に与えられた米国特許 第４，４２６．４３５＠に記述しであるＪ：うな樹脂中
に分散されＩＣ細分割された金属酸化物粒子、薄い光導
電ｆ＃１被膜等を含む。こｈら２つの特許の全開示をこ
こに引用して記載に組入れる。被ｌ１９の厚さは、使用
される特定の静電荷透過可能連続保護被膜材に従って、
通常、約０．５マイク［ｌメータから約２０マイクロメ
ータの範囲である。

（実施例） 第１図には、従来技術の電子写真画像化部材１０で、一
つの基板１２、ハロゲン添加セレン・ヒ素合金層からな
る一つの電荷転送層１４及びセレン・テルル合金からな
る一つの電荷発生層１６を含むものを示した。

　２０　一 基板１２には、必要′ＩＫ機械的特性をもつ任意適当な
１Ｊｒｔを使用することができる。通常の基板には、ア
ルミニラｌ＼、ニッケル等を含む。基板層の厚さは、経
済的考虐、電子写真画像１ヒ部材が使用される装置の段
目等を含む多くの要素によって定められる。基板は５．
０８ｍ（２００ミル）までの実質的４【厚さのもの、又
は最小厚さ約０．１２７ｍｍ（５ミル）のものもある。

一般的には、１４板の腔ざは、約０．１２７ｍｍ（５ミ
ル）から約５．０８ｍｍ（２００ミル）までの範囲であ
る。１；（仮は可撓性、又は剛性であり、また前述した
にうに異る構成のｂのがある。

電荷転送層１４は、ハロゲン添加セレン・ヒ素合金′Ｃ
構成Ｊるが、無添加合金も使用できる。この合金中に含
まれるセ１ノンの百分率は、重石比的９９．５バーゼン
トから重量比的９９．９パーセン１〜の９１ｉ′ｉ囲で
あり、νＦＩＣ含まれるヒ素の百分率は、ｆｆＴｈ目し
約０．１パーセントから重量１を約０．５パーレン１〜
までである。添加合金層に含まれる塩素、フッ素、ヨウ
素、臭素等のハロゲンの吊は、重量比的１００万分の１
０から約１０　（、）万分の２００までの範囲内である
が、好適範囲は型部比的１００万分の２０から千ｎ１比
約１００万分の１００までである。また好適ハロゲンは
塩素である。この層の厚さ【ま、通常、約１５マイクロ
メータから約７５マイク［１メータまでの範囲内にある
が、静電複写現像装置による制約、キＡ７リア転送限界
による制約及び経済的埋山から、好適厚さは約２５マイ
クロメータから約５０マイクロメ−今までの範囲内にあ
る。

電荷発生層１６は、セレン・テルル合金、ハロゲン添加
セレン・テルル合金、セレン・テルル・ヒ素合金、セレ
ン・テルル・ヒ素・ハロゲン合金等のような電荷発生セ
レン・テルル含金光導電性材料で構成される。セレン・
テルル合金を使用して優秀な結果が得られる。一般的に
、セレン・テルル合金は、合金の全重量を基礎にして、
＠量比約５５パーセントから重量比約９５パーゼン１〜
までのセレンど重量比約５パーセントからｆｆ１ｆ？ｉ
比約４５パーセントまでのテルルを含む。電荷発生層の
厚さは、テルル含量約／ＩＯパーセン１へのとき、約１
マイクロメータ以■である。セレン・テルル合金は、ｊ
：た、セレンの結晶化を最少にするために、車１１　Ｉ
ｔ約５パーセント以下のヒ素と重量比約１００万分の１
０００以下のハロゲンのＪ：うな伯の成分を含めること
ができる。

第２図に示した電子写真画像化部Ｕ２０は、電荷発生光
）９電層２４と電荷転送図２６との間のインターフェー
ス層２２がサンドウイツヂ状に設置−１られている。電
子１１転送層２６は、導電層２８に支持される。第１図
に示しＩＣ電子写真画像化部材と第２図に示した電子写
真画像化部材との主な相異は、第２図に示したインター
フェース層２２の存在である。均一な帯電、画像露出、
現像、転写、消去及び清掃のザイクルを繰返しＩこ後で
は、サイクル率、上昇した温度におりる熱サイクリング
、及び電子写真画（Ｋ＋化化部内周辺ランプと］口１〜
口（ンとの好ましくない相互作用による残留電位上昇の
ような効果は、第１図に示した電子写真画像化部材と第
２図に示した電子写真画像化部材とでは、著しく相Ｗり
る。この相Ｗを以下の例について詳細説明りる。

任意適当な現１α；技術を利用して本発明の電子写真画
像化部材１の静電潜像を現像りることができる。よく知
られている電子写真現像技術には、例えば、カスゲート
現像、磁気ブラシ現像、液体現像、パウダクラウド現像
等がある。付着したトナ画像は、任意適当な通常の転写
技術によって受信部材に転写された後、任意適当な周知
の融着技術ににって受信部材に固着される。静電潜像は
、１〜す微粉末を用いて■Ｊ像することが好ましいが、
静電潜像はまた、例えば、静電走査装置によって静電潜
像を゛読取る″ような他の方法のホス１〜（主役）とし
ても使用できる。転写後に残っている残留トナ微粉末を
除＜　７ｊめの感光体の清掃は、ブラシ清掃、羽根清棉
、布清掃等のにうな通常の清掃技術の任意適当なものに
よって実施できる。

静電潜像の消去は、任意適当な通常の方法で実施できる
。代表的な通常の消去技術には、交流コロナ放電、負コ
ロナ放電、光源からの照明、接地した導電層ブラシの接
触、及びこれらの組合せ等がある。しかしながら、本発
明の画像化部材は特に、電荷発／４一層が感度のよい波
長をもつ光源、例えば、各複写はイクルに画像化部材を
残留電位までに放電させる事前転写光、消去光、融着放
射光もれ等に画像化部材を露出させる画像装置に適して
いる。光源へ露出することににって、残留電位への放電
がコピーザイクルごとに行われるとき、本発明のインタ
ーフェース層を含まない多層セレン・テルル画像化部材
では、本発明のインターフェース層を含む多層セ１ノン
・テルル両像化部材に比較して、残留電位上昇が著しく
増加する。例えば、本発明のインターフェース層を含ま
ないセレン・テルル合金電子写真画像化部材の５００サ
イクル後の残留電位は、本発明のインターフェース層を
含むセレン・テルル合金電子写真画像化部材よりも３９
００パーレントも高くなる。

サイクル率、上屏温痕における熱サイクリング、及び電
子写真画像化部材周辺のランプと融着装置との好ましく
ない相互作用による残留電位上昇は、精密な高速亀雷子
写真複写機、印１ｉｉ１１機及びプリンタでは、極めて
９Ｔましくイ「い。そのよ−）な残品１−七位上臂は、
終局的には原画像の背Ｈ１１区域内に、１〜す現象とし
て現われるので、″汚イｒい″コピーができるからであ
る９゜ 本発明を特定の好適実施例について以下に詳細に説明す
るが、これらの例【ま単なる説明用であって、本発明は
、実施例に述べる材料、条件、処理パラメータ等に限定
されるものでないことを理解されたい。以下に示すすべ
ての比率及び百分率は、特に断りないかぎり重量比であ
る。

例　　■ 約２Ｘ１０”５１−ルの圧力においてステンレス鋼るつ
ぼから温度約３３０℃で、温度約６０℃に紺持された直
径約８．４センチメートルのアルミニウム円筒上に、塩
素添加セレン・ヒ素合金を蒸発させて、約５４マイクロ
メータの厚さをもち、重量比的０．５パーセントのヒ素
と重量比９９．５パーセントのセレンと重量比約１００
万分の２０の塩素を含む塩素添加セレン・ヒ素電荷転送
層を形成して、制御電子写真画像化部材を準備した。

この被膜された基板は、次にステンレス鋼るつぼから温
度約３２０℃、圧力約２Ｘ１０−５１−ルでセレン・テ
ルル含金を蒸発させることによって蒸着されて、厚さ約
５マイクロメータで重量比約１０パーレントのテルルど
重石比的９０パーセントのセレンを含む電荷発生セレン
光導電層を形成した。

でき上った電子写真画像化部材は、毎秒１１ｃｍの速度
で画像化部材をサイクルさせる試験装置で試験されｊ、
：。画像化部材は、最初に約９００ポル１〜の正電位に
帯電されてからｎＪ視スペク１ヘルの青色区域（約４７
０ｎｍ）にスペクトル出力をもつ露出光源に露出して電
位を約２００ポル１〜に低下させた。その後画像化部材
は、可視スペクトルの緑色区域に尖頭出力をもつ電界発
光ストリップにＪ：って澗去された。この処理を室温状
態で５００回繰返したのＩ５、第５００サイクルの終り
における残（留電位」・胃を静電電圧泪で測定した。こ
の制御画像化部材にお【−する残留電位ト胃【１１６０
ボルトであった。

例　　■ 電荷発生層の蒸着以前に、電荷転送層に連続づるインタ
ーフェース層を蒸着さ１！たほかは、例■の手順を繰返
した。連続インターフェース層は、重量比１００万分の
２００（蒸発以前のｍ度）を含む塩素添加無定形セレン
材１１を、ステンレス鋼るつぼから温度約３１５℃、圧
力約２Ｘ１０’トルで、約６０℃の湯度に維持された例
■に示した組成と厚さをもつ電荷転送層に蒸発させて、
約１マイクロメータの厚さをもち、かつ重量比約１００
万分の１５０の塩素Ｉ′１度をもつ、連続インターフェ
ースを形成した。例■に述べた組成と厚さをもつ電荷発
生層には、例■と同様な手順を適用した。連続インター
フェース層を含むこの感光部材は例■と同じく５００回
の画像化サイクルを実施した。第５００サイクル後の残
留電位−上昇は４ボルトであつ／ｊ　、従って、制御例
■の感光部材の残留電位上昇は、この例の残留電位上昇
の３、．９００パーセントであった。

例　　■ 例■ど同一の制９１１電子写真画像化部材に最初に段階
加熱サイクルを実施した以外は例■の手順を繰返した。

１７２階加熱リ−すクルでは、画像化部材を１５時間、
４６．１℃（＝１１５：）に保持して室温に戻し、その
後側■と同じサイクルを１００４ｊイクルだｉ−Ｊ　Ｆ
ｉ！返した。制御電子写真画像化部材の残留電位１−胃
は、１００サイクルにおいて、段階加熱以前の同一・感
光体の１００サイクルにおけるしのより６９７ボルト高
かった。

例　　ＩＶ 電子写真画像化部材を段階加熱４Ｊイクルを経験ざぜた
以外は、例■の手順を繰返した。段階加熱号イクルでは
、１５時間、／１６．１℃（−１１５１に保持した後、
例■ど同じサイクルを１００リイクルだけ繰返した。電
子写真画像化部材の残留電位−１１胃は、１００サイク
ルで段階加熱以前の同一の感光体よりも７ボル１〜高か
った。

従って段階加熱（こＪ：る電位上昇は、例■に述べた制
御電子写真画像化部材では、この例の感光体よりも１．
２８６パーセント高かった。

例　　Ｖ 同一の電子写真画像化部材を、単色光で波長６７０ｎｍ
、強度約３０マイクロワット／　ｒａｍ　２の光に１０
分間事前に露光させた以外は、例■の手順を繰返した。

電子写真画像化部材は、その後５０サイクルだけ例■の
手順を繰返した。事前露出（事前露出にり前の同一サイ
クル数による残留電位上昇を比較することによって決定
される）による残留電位上昇は、この制御感光体に対し
て２６５ボルトであった。

例　　■ 同一の画像化部材を、例Ｖと同一の強度の６７０ナノメ
ータの光に露出時間１０分間事前露出させた以外は、例
■の手順を繰返した。電子写真画像化部材は、そのあと
、例■の手順に従うサイクルを５０サイクル繰返した。

事前露出（例Ｖのように決定される）のための残留電位
−Ｌｎは、この電子写真画像化部材では２２ボルトであ
った。

従って、事前露出のための残留電位の上昇は、この例の
電子写真画像化部材よりも１．１０５パー１？ン１−高
かった。

例　　■ 電荷発生層を蒸着さける前に電荷転送層に連続インター
フェース層を蒸着させた以外は、例Ｔの手順を繰返した
。連続インターフェース層は、重量比１００万分の５０
（蒸発前のｆＩ度）の塩素を含む塩素添加無定形セレン
月別を、ステンレス鋼るつぼから温度約３１５℃、圧力
的２Ｘ１０−！ｌトルで、温度約６０℃に維持された例
■と）！ｌ（べた組成と厚さをもつ電荷転送層のトに蒸
発させることににつて約１マイクロメータの厚さをもち
、重量比約１００万分の４０の塩素温度をもつ連続イン
ターフェース層を形成する処理を行った。例■に述べた
組成と厚さをもつ電荷発生層にｔ、１例１と同一の手順
を適用した。第５００ザイクル後の残留電位上界は４ポ
ル１〜であった。従って、例■の残留電位上背は本例の
残留電位−１−臂より３．９００（パーセント高かつｌ
・：・ 例　　■ 電荷発生層を蒸着する以前に、電荷転送層に連続インタ
ーフェース層を蒸着したほかは、例■の手順を繰返した
１、連続インターフェース層は、中量比１００万分の８
００の塩素（蒸発前の温度）を含む塩素添加無定形セレ
ン材料をステンレス鋼のるつぼから、温度３１５℃、圧
力約２Ｘ１０’トルで、温度約６０℃に維持された例■
に述べた組成と厚さをもつ電荷転送層の」−に蒸着させ
て、約１マイクロメータの厚さをもち、宙吊比的１００
万分の３００の塩素温度をもつ連続インターフェース層
を形成する処理を行った。例■に述べた組成と厚さをも
つ電荷発生層には、例■と同一の手順を■い１こ。第５
００リイクル後の残留電位上昇は７ボルトであった。従
って、例■の感光体の残留電位上界は、この例の残留電
位上界Ｊ：りも２．１８６パーセント高かった。

例　　■ 電荷発生層を蒸着さゼる以前に、電荷転送Ｈの上に連続
インターフェース層を蒸着さｌだ以外１例Ｉの手順を繰
返した。連続インターフェース層は、無定形高純度セレ
ン層を、ステンレス鋼６つぽから、温度約３１５°Ｃ１
圧力約２Ｘ１０’トルで、温度約６０℃に維持された例
■に示した組成ど厚ざをもつ電荷転送層上に蒸発させて
、厚さ約１マイクロメータをもつ連続インターフェース
層を形成Ｊ”る処理を適用した。第１００サイクル後の
残留電位−に臂は９６ボルトであった。この高い残留電
位ト胃は、インターフェース層に塩素を含まない場合に
匹敵する。

特定の！１７適実施例について本発明を説明したが、本
発明はこのような実施例に限定されるものでなく、当業
者は本発明の精神及び特許請求の範囲内で変化や変形が
可能なことを理解されるものと名える。

【図面の簡単な説明】

第１図は、通常の従来技術の多層感光体で、電荷発生層
及び）９電性基板に支持される電荷転送層を含む−ｂの
を示す図であり、また第２図は本発明の多層感光体であ
′つて、電荷発生層、インターフェース層及び導電性基
板に支持される正孔転送層を含むものを示１図である。 （記号の説明）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一つの基板、一つの電荷転送層、ハロゲン添加セ
   レンからなる一つの薄い連続したインターフェース層、
   及び少くとも一つのセレン・テルル合金光導電性電荷発
   生層を含む電子写真画像化部材を準備する工程、前記電
   子写真画像化部材上に実質的に均一な正の静電荷を付着
   させる工程、前記電子写真画像化部材を電磁放射の画像
   パターンに露出し、これに前記セレン・テルル合金光導
   電性電荷発生層が応答する、ことによって前記画像パタ
   ーンに応じた静電潜像を前記電子写真画像化部材上に形
   成される工程、静電的に吸引されるトナ微粉末によって
   前記静電潜像を現像して前記画像パターンに応じたトナ
   微粉末吸着像を形成する工程、前記トナ微粉末吸着像を
   受信部材に転写する工程、ならびに前記電子写真画像化
   部材を光放電させる工程を含む電子写真画像化方法。
2. （２）一つの基板、一つの電荷転送層、本質的にハロゲ
   ン添加セレンからなる一つの薄い連続したインターフェ
   ース層、及び少くとも一つのセレン・テルル合金光導電
   性電荷発生層を含んでなる電子写真画像化部材。