JPS6140772Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6140772Y2 JPS6140772Y2 JP11682682U JP11682682U JPS6140772Y2 JP S6140772 Y2 JPS6140772 Y2 JP S6140772Y2 JP 11682682 U JP11682682 U JP 11682682U JP 11682682 U JP11682682 U JP 11682682U JP S6140772 Y2 JPS6140772 Y2 JP S6140772Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- reduced pressure
- winding mechanism
- plasma
- exhaust gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 20
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、原料ガスを減圧容器内のプラズマ放
電場においてプラズマ分解させて基材の表面に導
きこの基材の表面に非晶質薄膜を生成するように
したプラズマCVD装置に関するものである。
電場においてプラズマ分解させて基材の表面に導
きこの基材の表面に非晶質薄膜を生成するように
したプラズマCVD装置に関するものである。
従来、この種のプラズマCVD装置は、例えば
第１図に示すように、内部にプラズマ放電場ａを
形成してなる減圧容器ｂの一端側に基材送り出し
機構ｃと基材巻取り機構ｄとを配設し、前記基材
送り出し機構ｃから送り出される長尺な基材ｅを
前記減圧容器ｂの他端側に設けたガイドローラｆ
に案内させて前記プラズマ放電場ａを往復するよ
うに設定し、前記プラズマ放電場ａに原料ガスを
供給する原料ガス供給路ｇを設け、そして前記基
材取出機構ｄ近傍部に不要ガスを外部に排出する
排気ガス導出口ｈを設けてなるものが一般的であ
る。ｐは、この排出用ポンプであり、ｒはプラズ
マ放電用電極である。
第１図に示すように、内部にプラズマ放電場ａを
形成してなる減圧容器ｂの一端側に基材送り出し
機構ｃと基材巻取り機構ｄとを配設し、前記基材
送り出し機構ｃから送り出される長尺な基材ｅを
前記減圧容器ｂの他端側に設けたガイドローラｆ
に案内させて前記プラズマ放電場ａを往復するよ
うに設定し、前記プラズマ放電場ａに原料ガスを
供給する原料ガス供給路ｇを設け、そして前記基
材取出機構ｄ近傍部に不要ガスを外部に排出する
排気ガス導出口ｈを設けてなるものが一般的であ
る。ｐは、この排出用ポンプであり、ｒはプラズ
マ放電用電極である。
ところが、このようなものでは、排気ガスが巻
取機構ｄを通過するため、該巻取機構ｄに原料成
分が付着して、該巻取機構ｄが汚染され、その清
掃に手間がかかるという不都合がある。
取機構ｄを通過するため、該巻取機構ｄに原料成
分が付着して、該巻取機構ｄが汚染され、その清
掃に手間がかかるという不都合がある。
本考案は、このような事情に着目してなされた
もので、排気ガス導出口を減圧容器の他端側に設
けることによつて前述した不都合を解消すること
ができるプラズマCVD装置を提供するものであ
る。
もので、排気ガス導出口を減圧容器の他端側に設
けることによつて前述した不都合を解消すること
ができるプラズマCVD装置を提供するものであ
る。
以下、本考案の一実施例を第２図に従つて説明
する。
する。
減圧容器１の外方所定位置に、図示しない高周
波電源装置に接続された対をなす高周波電極２，
３を減圧容器１を介して対向配置し、これら両電
極２，３間に存する減圧容器１の内部空間にプラ
ズマ放電場４を形成している。また、この減圧容
器１の一端側には長尺なシート状の基材５を送り
出す基材送り出し機構６と該基材５を巻取る基材
巻取機構７とが配置され、他端側には基材送り出
し機構６から送り出される基材５を一且プラズマ
放電場４を通過させたのち再びプラズマ放電場４
を通過させて一端側に戻し基材巻取機構７に巻取
らせるガイドローラ８が配置されている。なお、
前記基材送り出し機構６、前記基材巻取機構７お
よび前記ガイドローラ８は、第３図に示すような
共通の基枠９に支持されており、この基枠９は前
記減圧容器１内に挿脱可能に収容されている。ま
た、前記減圧容器１内には先端部所要個所にノズ
ル１１ａ…を有しプラズマ放電場４内に原料ガス
を噴射させる原料ガス導入路１１が挿入してあ
る。そして、この減圧容器１の他端側に排気ガス
導出口１２を開口させ、この排気ガス導出口１２
に真空ポンプ（図示せず）を含む真空排気系１３
が接続してある。
波電源装置に接続された対をなす高周波電極２，
３を減圧容器１を介して対向配置し、これら両電
極２，３間に存する減圧容器１の内部空間にプラ
ズマ放電場４を形成している。また、この減圧容
器１の一端側には長尺なシート状の基材５を送り
出す基材送り出し機構６と該基材５を巻取る基材
巻取機構７とが配置され、他端側には基材送り出
し機構６から送り出される基材５を一且プラズマ
放電場４を通過させたのち再びプラズマ放電場４
を通過させて一端側に戻し基材巻取機構７に巻取
らせるガイドローラ８が配置されている。なお、
前記基材送り出し機構６、前記基材巻取機構７お
よび前記ガイドローラ８は、第３図に示すような
共通の基枠９に支持されており、この基枠９は前
記減圧容器１内に挿脱可能に収容されている。ま
た、前記減圧容器１内には先端部所要個所にノズ
ル１１ａ…を有しプラズマ放電場４内に原料ガス
を噴射させる原料ガス導入路１１が挿入してあ
る。そして、この減圧容器１の他端側に排気ガス
導出口１２を開口させ、この排気ガス導出口１２
に真空ポンプ（図示せず）を含む真空排気系１３
が接続してある。
次に、この装置の作用を説明する。
原料ガスが原料ガス導入路１１より連続的に導
入され、ノズル１１ａ…から噴射されると、この
原料ガスは、両電極２，３間を流れる高周波電流
によつてプラズマ分解され、基材５のうちプラズ
マ放電場４内にある部分に案内され、その表面に
堆積する。送り出し機構６および巻取機構７によ
つて順次基材５を移動させれば、該基材５の表面
全体に順次堆積（コーテイング）が行なわれてい
く。
入され、ノズル１１ａ…から噴射されると、この
原料ガスは、両電極２，３間を流れる高周波電流
によつてプラズマ分解され、基材５のうちプラズ
マ放電場４内にある部分に案内され、その表面に
堆積する。送り出し機構６および巻取機構７によ
つて順次基材５を移動させれば、該基材５の表面
全体に順次堆積（コーテイング）が行なわれてい
く。
一方、プラズマ分解されず、あるいは堆積され
なかつたガスは減圧容器１の他端側に設けた排気
ガス導出口１２に導かれここから外部へ排出され
る。
なかつたガスは減圧容器１の他端側に設けた排気
ガス導出口１２に導かれここから外部へ排出され
る。
このように本実施例によれば、排気ガスが従来
のように基材巻取り機構７を通過することがなく
なるので、原料成分の付着による該巻取機構７の
汚染を防止することができ、したがつて巻取機構
７を清掃する手間が省けるという効果がある。
のように基材巻取り機構７を通過することがなく
なるので、原料成分の付着による該巻取機構７の
汚染を防止することができ、したがつて巻取機構
７を清掃する手間が省けるという効果がある。
なお、本考案は前記実施例に限られないのは勿
論であり、送り出し機構、巻取機構およびガイド
ローラは基枠に一体に支持されたものでなくても
よいが前記実施例のようなものであれば基材の取
付けや取替えを容易に行なえる。また、基材はシ
ート状のものに限られず、原料ガスの導入路も前
記実施例のそれに限られるものではない。さら
に、両電極は真空容器外に設けたものに限られず
真空容器内に設けたものでもよい。
論であり、送り出し機構、巻取機構およびガイド
ローラは基枠に一体に支持されたものでなくても
よいが前記実施例のようなものであれば基材の取
付けや取替えを容易に行なえる。また、基材はシ
ート状のものに限られず、原料ガスの導入路も前
記実施例のそれに限られるものではない。さら
に、両電極は真空容器外に設けたものに限られず
真空容器内に設けたものでもよい。
以上、説明したように、本考案は、排気ガス導
出口を、減圧容器の送り出し機構および巻取機構
の設けてある側と反対側の端部に設けることによ
つて、巻取機構の汚染を防止し清掃に要した手間
を省くことができるという効果を奏するプラズマ
CVD装置を提供できるものである。
出口を、減圧容器の送り出し機構および巻取機構
の設けてある側と反対側の端部に設けることによ
つて、巻取機構の汚染を防止し清掃に要した手間
を省くことができるという効果を奏するプラズマ
CVD装置を提供できるものである。
第１図は、従来例を示す概略説明図、第２図は
本考案の一実施例を示す概略説明図、第３図は同
実施例における減圧容器内部を示す斜視図であ
る。 １……減圧容器、４……プラズマ放電場、５…
…基材、６……基材送り出し機構、７……基材巻
取機構、９……基枠、１２……排気ガス導出口。
本考案の一実施例を示す概略説明図、第３図は同
実施例における減圧容器内部を示す斜視図であ
る。 １……減圧容器、４……プラズマ放電場、５…
…基材、６……基材送り出し機構、７……基材巻
取機構、９……基枠、１２……排気ガス導出口。
Claims (1)
- 内部にプラズマ放電場を有してなる減圧容器の
一端側に基材送り出し機構と基材巻取り機構とを
配設し、前記基材送り出し機構から送り出される
長尺な基材を前記プラズマ放電場を通して一且前
記減圧容器の他端側へ導いた後再び前記減圧容器
の一端側へ帰還させて前記基材巻取機構により巻
取り得るように構成したプラズマCVD装置にお
いて、前記減圧容器の他端部に該容器内の不要ガ
スを外部へ排出するための排気ガス導出口を設け
たことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11682682U JPS5921660U (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11682682U JPS5921660U (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921660U JPS5921660U (ja) | 1984-02-09 |
| JPS6140772Y2 true JPS6140772Y2 (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=30269160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11682682U Granted JPS5921660U (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921660U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520589B2 (ja) * | 1985-06-17 | 1996-07-31 | キヤノン株式会社 | Ｃｖｄ法による堆積膜形成方法 |
-
1982
- 1982-07-31 JP JP11682682U patent/JPS5921660U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5921660U (ja) | 1984-02-09 |
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