JPS6141128B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6141128B2 JPS6141128B2 JP56058660A JP5866081A JPS6141128B2 JP S6141128 B2 JPS6141128 B2 JP S6141128B2 JP 56058660 A JP56058660 A JP 56058660A JP 5866081 A JP5866081 A JP 5866081A JP S6141128 B2 JPS6141128 B2 JP S6141128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rods
- quartz glass
- carrier enclosure
- slits
- bars
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/13—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H10P72/135—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterised by a material, a roughness, a coating or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
- C30B31/103—Mechanisms for moving either the charge or heater
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、それぞれ2本の上方及び2本の下方
の、スリツトを設けられた、平行に相互に延びて
いる棒から成立つており、この場合、両方の上方
の棒の相互の間隔が両方の下方の棒に相互の間隔
よりもよりきく、また、4本の棒がそれらの端部
の領域において不動に保持されており、多数の半
導体円板が、それらの縁領域がスリツトの中に突
出するようになつている半導体中板のための石英
ガラス製の担体囲いに関するものである。
の、スリツトを設けられた、平行に相互に延びて
いる棒から成立つており、この場合、両方の上方
の棒の相互の間隔が両方の下方の棒に相互の間隔
よりもよりきく、また、4本の棒がそれらの端部
の領域において不動に保持されており、多数の半
導体円板が、それらの縁領域がスリツトの中に突
出するようになつている半導体中板のための石英
ガラス製の担体囲いに関するものである。
前述の特徴を有している担体囲いは、英国特許
第1436503号から公知である。これらの担体囲い
は、実用的に有効であることが実証されている。
第1436503号から公知である。これらの担体囲い
は、実用的に有効であることが実証されている。
本発明の課題は、高価な石英ガラスの使用を節
減の下に、半導体円板を装荷された囲いの確実な
取いを保証し、また、半導体円板の合成樹脂囲い
から石英ガラス囲いの上への速やかな移し換えを
確実にする、簡単に製造されることのできる担体
囲いを得るということにある。その上に、この担
体囲いの応用範囲を拡張することにも、あるもの
である。
減の下に、半導体円板を装荷された囲いの確実な
取いを保証し、また、半導体円板の合成樹脂囲い
から石英ガラス囲いの上への速やかな移し換えを
確実にする、簡単に製造されることのできる担体
囲いを得るということにある。その上に、この担
体囲いの応用範囲を拡張することにも、あるもの
である。
この頭初に述べられた種類の担体囲いに対する
課題は、本発明によると、支持体がそれぞれ1本
の石英ガラス管から成立つており、このラス管が
棒に対して横方向に上方及び下方に棒の間に配置
されると共にこれらに融合されることによつて解
決される。
課題は、本発明によると、支持体がそれぞれ1本
の石英ガラス管から成立つており、このラス管が
棒に対して横方向に上方及び下方に棒の間に配置
されると共にこれらに融合されることによつて解
決される。
本発明による担体囲いの他の有利な特長が、
「特許請求の範囲」第2項以下に与えられてい
る。
「特許請求の範囲」第2項以下に与えられてい
る。
以下、本発明を、その実施例を示す添附図面に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
第1図に示す担体囲いは、6個の構成部材、す
なわち、両方の上方の棒1と、両方の下方の棒2
と、棒1と棒2との間に、それらの端部領域の中
において配置された2個の石英ガラス管3とから
成立つており、これらのガラス管3は、それぞ
れ、上方及び下方の棒1及2に、場所4において
融合されている。棒1及び2は、石英ガラスから
成立つており、また、同じ幅のスリツト7から設
けられており、それらの中に、担体囲いにより支
持される半導体円板の縁領域が突出するようにな
つている。第1図から分かるように、石英ガラス
管3の端部は、下方に斜めに切断されている。な
お、この斜めの切断は、担体囲いが、大抵は円形
炉の形式である熱処理炉の中へ挿入される時に、
その挿入作業を容易とさせることを考慮している
ものである。棒1、2に対して横方向に配置さて
いる石英ガラス管3は装荷された、又は、荷を解
放された担体囲いが保持され且つ輸送されること
のできるフオーク状の取扱い具の歯6を受取るの
に役立つものである。その上、上方の棒1の端部
には、貫通された穴5が設けられており、それら
の穴5は、合成樹脂製担体囲いから、本発明によ
る担体囲いの上への半導体円板の移し換え及びそ
の逆の移し換えの際における位置めの助手段とし
て役立つものである。すなわち、合成樹脂製担体
囲いには、本発明による担体囲いの石英ガラス管
3に設けられれた穴5に対応する位置に突起が設
けられており、両担体囲いの間における半導体円
板の移し換えの際に、前者の突起が後者の穴5の
中に突出するようにすることにより、両方の担体
囲いの間における保持する確実とさせるようにす
ることを、意図しているものである。
なわち、両方の上方の棒1と、両方の下方の棒2
と、棒1と棒2との間に、それらの端部領域の中
において配置された2個の石英ガラス管3とから
成立つており、これらのガラス管3は、それぞ
れ、上方及び下方の棒1及2に、場所4において
融合されている。棒1及び2は、石英ガラスから
成立つており、また、同じ幅のスリツト7から設
けられており、それらの中に、担体囲いにより支
持される半導体円板の縁領域が突出するようにな
つている。第1図から分かるように、石英ガラス
管3の端部は、下方に斜めに切断されている。な
お、この斜めの切断は、担体囲いが、大抵は円形
炉の形式である熱処理炉の中へ挿入される時に、
その挿入作業を容易とさせることを考慮している
ものである。棒1、2に対して横方向に配置さて
いる石英ガラス管3は装荷された、又は、荷を解
放された担体囲いが保持され且つ輸送されること
のできるフオーク状の取扱い具の歯6を受取るの
に役立つものである。その上、上方の棒1の端部
には、貫通された穴5が設けられており、それら
の穴5は、合成樹脂製担体囲いから、本発明によ
る担体囲いの上への半導体円板の移し換え及びそ
の逆の移し換えの際における位置めの助手段とし
て役立つものである。すなわち、合成樹脂製担体
囲いには、本発明による担体囲いの石英ガラス管
3に設けられれた穴5に対応する位置に突起が設
けられており、両担体囲いの間における半導体円
板の移し換えの際に、前者の突起が後者の穴5の
中に突出するようにすることにより、両方の担体
囲いの間における保持する確実とさせるようにす
ることを、意図しているものである。
第2図に示された本発明による担体囲いの実施
例は、第1図に示されたものとは、上方及び下方
の棒1及び2が、それぞれの棒1,2の端部から
あらかじめ与えられた間隔に、スリツトの無い領
域8を有しており且つこれらの領域のそれぞれ
が、棒1及び2に対して横方向に且つこれらの間
に配置された石英ガラス製の追加の保持管9によ
つて融合されている点において相違している。こ
れによつて、その長さが、単位の担体囲いの2倍
又は4倍(4倍の場合には、より多数の追加の保
持管があらかじめ与えられた間隔に相互に配置さ
れている)である担体囲いが作られることができ
る。
例は、第1図に示されたものとは、上方及び下方
の棒1及び2が、それぞれの棒1,2の端部から
あらかじめ与えられた間隔に、スリツトの無い領
域8を有しており且つこれらの領域のそれぞれ
が、棒1及び2に対して横方向に且つこれらの間
に配置された石英ガラス製の追加の保持管9によ
つて融合されている点において相違している。こ
れによつて、その長さが、単位の担体囲いの2倍
又は4倍(4倍の場合には、より多数の追加の保
持管があらかじめ与えられた間隔に相互に配置さ
れている)である担体囲いが作られることができ
る。
第1及び第2図において使用されている同じ幅
のスリツト7を有している棒1及び2の代わり
に、第3図に示す実施例に示されるような棒10
も、また、使用されることもできる。この棒10
は、棒1及び2と違して、同じ幅のスリツト7及
びその幅がスリツト7の幅よりもより大きいスリ
ツト11を有している。スリツト11は、周期的
に繰返される間隔12で棒10の中に設けられて
いる。これらのスリツト11は、板状、又は、他
のように形成されたドープ剤源の受取りに役立
ち、一方、スリツト7は、この場合にも、半導体
円板の受取りのために役立つものである。このよ
うに形成された棒10を有している担体囲いは、
固体元素源の助けによるドープ方法の実施のため
に使用されるが、第1及び第2図に示す棒1及び
2を有する担体囲いは、酸化過程及び温度過程の
ような半導体円板に対する他の処理方法並びにガ
スからのドープに対して使用される。
のスリツト7を有している棒1及び2の代わり
に、第3図に示す実施例に示されるような棒10
も、また、使用されることもできる。この棒10
は、棒1及び2と違して、同じ幅のスリツト7及
びその幅がスリツト7の幅よりもより大きいスリ
ツト11を有している。スリツト11は、周期的
に繰返される間隔12で棒10の中に設けられて
いる。これらのスリツト11は、板状、又は、他
のように形成されたドープ剤源の受取りに役立
ち、一方、スリツト7は、この場合にも、半導体
円板の受取りのために役立つものである。このよ
うに形成された棒10を有している担体囲いは、
固体元素源の助けによるドープ方法の実施のため
に使用されるが、第1及び第2図に示す棒1及び
2を有する担体囲いは、酸化過程及び温度過程の
ような半導体円板に対する他の処理方法並びにガ
スからのドープに対して使用される。
第1図は本発明の1実施列の斜視図、第2図は
他の実施例の斜視図、第3図は、スリツトを設け
らた棒の1実施例の正面図である。 1,2……石英ガラス棒、3……石英ガラス
管、7,11……スリツト、9……追加の支持
管、10……石英ガラス棒。
他の実施例の斜視図、第3図は、スリツトを設け
らた棒の1実施例の正面図である。 1,2……石英ガラス棒、3……石英ガラス
管、7,11……スリツト、9……追加の支持
管、10……石英ガラス棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 それぞれ、2本の上方及び2本の下方の、ス
リツトを設けられた、平行に相互に延びている棒
から成り立つており、この場合、両方の上方の棒
の相互の間隔が、両方の棒の相互の間隔よりもよ
り大きく、また、4本の棒が、それらの端部の領
域において支持体により不動に保持されており、
多数の半導体円板が、それらの縁領域がスリツト
の中に突出するようになつている半導体円板に対
する石英ガラス製の担体囲いにおいて、支持体
が、棒の各端部領域内において上方及び下方の棒
の間に棒に対して横方向に配置され且つこれらに
融合されている各1個の石英ガラス管から成り立
つていることを特徴とする担体囲い。 2 すべての棒が、棒の端部からある与えられた
間隔にスリツトの無い領域を有しており、また、
上方の棒及び下方の棒の間に配置された石英ガラ
ス製の追加の保持管が、スリツトの無い領域にお
いて上方及び下方の棒に融合されている特許請求
の範囲第1項記載の担体囲い。 3 石英ガラス管及び追加の保持管の端部が、下
方に斜めに切断されている特許請求の範囲第1又
は2項記載の担体囲い。 4 両方の上方の棒が、それらの端部領域の中
に、それぞれ、貫通孔を有している特許請の範囲
第1、2又は3項記載の担体囲い。 5 すべての棒が、周期的に繰り返される間隔
に、半導体円板に対するスリツトよりもより大き
な幅を有しているスリツトを有している特許請求
の範囲第1項〜4項のいずれかに記載の担体囲
い。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19808021868U DE8021868U1 (de) | 1980-08-16 | 1980-08-16 | Traegerhorde fuer halbleiterscheiben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5737826A JPS5737826A (en) | 1982-03-02 |
| JPS6141128B2 true JPS6141128B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=6718055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5866081A Granted JPS5737826A (en) | 1980-08-16 | 1981-04-20 | Carrier enclosure for semiconductor disc |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5737826A (ja) |
| DE (1) | DE8021868U1 (ja) |
| FR (1) | FR2488731A1 (ja) |
| GB (1) | GB2082388B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844836U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造治具 |
| EP0100539A3 (en) * | 1982-07-30 | 1985-05-22 | Tecnisco Ltd. | Assembled device for supporting semiconductor wafers or the like |
| DE3419866C2 (de) * | 1984-05-28 | 1986-06-26 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Trägerhorde aus Quarzglas für scheibenförmige Substrate |
| DE3440111C1 (de) * | 1984-11-02 | 1986-05-15 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Traegerhorde |
| DE3441887C1 (de) * | 1984-11-16 | 1985-10-17 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Ofen fuer die Waermebehandlung von Halbleiter-Substraten |
| EP0267462A3 (en) * | 1986-11-12 | 1990-01-31 | Heraeus Amersil, Inc. | Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat) |
| DE3829159A1 (de) * | 1988-08-27 | 1990-03-08 | Westdeutsche Quarzschmelze Gmb | Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen |
| WO1996007199A2 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-07 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Quartz glass jig for the heat treatment of silicon wafers and method and device for producing same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068775A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JPS53133366A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Nec Corp | Impurity diffusion method |
-
1980
- 1980-08-16 DE DE19808021868U patent/DE8021868U1/de not_active Expired
-
1981
- 1981-04-20 JP JP5866081A patent/JPS5737826A/ja active Granted
- 1981-08-14 FR FR8115738A patent/FR2488731A1/fr active Granted
- 1981-08-14 GB GB8124972A patent/GB2082388B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2488731B3 (ja) | 1983-06-10 |
| FR2488731A1 (fr) | 1982-02-19 |
| GB2082388B (en) | 1984-05-23 |
| JPS5737826A (en) | 1982-03-02 |
| GB2082388A (en) | 1982-03-03 |
| DE8021868U1 (de) | 1981-01-29 |
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