JPS614115A - 電気接点材 - Google Patents
電気接点材Info
- Publication number
- JPS614115A JPS614115A JP12367184A JP12367184A JPS614115A JP S614115 A JPS614115 A JP S614115A JP 12367184 A JP12367184 A JP 12367184A JP 12367184 A JP12367184 A JP 12367184A JP S614115 A JPS614115 A JP S614115A
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- contact material
- metal
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- electric contact
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気・電子機器とその部品に用いられる貴金
属を被覆した電気接点材に代りうる安価で高性能の電気
接点材に関するしのである。
属を被覆した電気接点材に代りうる安価で高性能の電気
接点材に関するしのである。
一般に電気・電子機器とその部品のスイッチ、リレー、
コネクター、ＩＣソケット等の電気接続部には、Ａｕ
、Ｐｄ 、Ｐｔ 、Ａｇなどの貴金属やその合金、例え
ばＡＵ−Ａｇ、ＡＬＩ −ＡＱ−Ｐｄ −Ｇｅ ｌＡｇ
７Ｐｄ 、Ｐｄ−Ｉｒ 、Ａ。
コネクター、ＩＣソケット等の電気接続部には、Ａｕ
、Ｐｄ 、Ｐｔ 、Ａｇなどの貴金属やその合金、例え
ばＡＵ−Ａｇ、ＡＬＩ −ＡＱ−Ｐｄ −Ｇｅ ｌＡｇ
７Ｐｄ 、Ｐｄ−Ｉｒ 、Ａ。
Ｃｄ Ｏ，Ａｇ ＷＣ，ＡＱ Ｎｉ 等（７）合金が
、電気回路条件や使用条件によって選択使用されている
。例えばアーク放電損耗を伴う大電流から中電流の開閉
用途では、高融点と高温度が要求され、一方微細電流の
開閉や接続では、接触抵抗とその安定性を得るために導
電性と耐食性が要求されており、これ等を満足させるた
めに導電性基体上に上記貴金属を被着して電気接点材を
形成している。
、電気回路条件や使用条件によって選択使用されている
。例えばアーク放電損耗を伴う大電流から中電流の開閉
用途では、高融点と高温度が要求され、一方微細電流の
開閉や接続では、接触抵抗とその安定性を得るために導
電性と耐食性が要求されており、これ等を満足させるた
めに導電性基体上に上記貴金属を被着して電気接点材を
形成している。
近年エレクトロニクスの発展に伴い、微弱電流の接続や
０Ｎ−ＯＦＦ信号を、入力させるキースイッチなどの用
途が拡大しでおり、負金属、特にＡｕの要求が拡大して
いる。Ａｕは上記微弱電流の開閉や、接続に有効である
ことが知られているが、高価な貴金属であるため、経済
的負担となっている。そのため可及的に薄膜化したり、
局在化して使用することが望まれでいる。
０Ｎ−ＯＦＦ信号を、入力させるキースイッチなどの用
途が拡大しでおり、負金属、特にＡｕの要求が拡大して
いる。Ａｕは上記微弱電流の開閉や、接続に有効である
ことが知られているが、高価な貴金属であるため、経済
的負担となっている。そのため可及的に薄膜化したり、
局在化して使用することが望まれでいる。
しかしながら簿膜化は不可避的ピンホールや機械的損耗
によりＣｕなどの基体卑金属の露出腐食を起し、電気接
続性を劣化する。また局在化は接点部の可及的小型化に
より、周辺に露出する卑金属基体の腐食生成物がＡｕ表
面にクリープし、接触不良を起す原因となる。史にはＡ
ｌｌと基体卑金属との熱拡散す電気接続性の劣化の原因
となっている。Ａ Ｉ＋に代え（比較的安価な貴金属で
あるＡ（ｌやＰｄの使用ら考えられるが、これらはポリ
マーや硫化などの絶縁性皮膜を発生し易く、接触抵抗を
若しく不安定なものとする欠点がある。
によりＣｕなどの基体卑金属の露出腐食を起し、電気接
続性を劣化する。また局在化は接点部の可及的小型化に
より、周辺に露出する卑金属基体の腐食生成物がＡｕ表
面にクリープし、接触不良を起す原因となる。史にはＡ
ｌｌと基体卑金属との熱拡散す電気接続性の劣化の原因
となっている。Ａ Ｉ＋に代え（比較的安価な貴金属で
あるＡ（ｌやＰｄの使用ら考えられるが、これらはポリ
マーや硫化などの絶縁性皮膜を発生し易く、接触抵抗を
若しく不安定なものとする欠点がある。
最近前記ＯＮ −ＯＦ Ｆ信号やデジタル信号の入力用
に接触抵抗の安定した安価な導電ゴムが用いられるよう
になった。これは接触抵抗の高低よりも安定性が求めら
れＣいるためである。
に接触抵抗の安定した安価な導電ゴムが用いられるよう
になった。これは接触抵抗の高低よりも安定性が求めら
れＣいるためである。
しかしながら金同志の接触抵抗が数１ｒＬΩＣあるのに
対し、導電ゴムでは１００Ωオーダーの甚しく大きな接
触抵抗となる。このため接触抵抗が低く、Ａｌｌ被覆接
点材に代りうる安価な接点材−の開発が強く望まれてい
る。
対し、導電ゴムでは１００Ωオーダーの甚しく大きな接
触抵抗となる。このため接触抵抗が低く、Ａｌｌ被覆接
点材に代りうる安価な接点材−の開発が強く望まれてい
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、メタルシリサイド
を利用することにより、貴金属を被覆した電気接点材に
代りつる安価で高性能の電気接点材を開発したもので、
導電性基体上の少なくとも接点部にメタルシリサイドを
被着したことを特徴とするものである。
を利用することにより、貴金属を被覆した電気接点材に
代りつる安価で高性能の電気接点材を開発したもので、
導電性基体上の少なくとも接点部にメタルシリサイドを
被着したことを特徴とするものである。
即ち本発明はＣｕ 、 Ｃｕ合金、Ｆｅ合金、Ｎｉ合金
等の導電性基体上の少なくとも接点部又は全面にＰｄｚ
Ｓｉ、ＰｔＳｉ、Ｎ１５ｉｚ、Ｃｏ５１ｚ、ＷＳｉｚ、
Ｍｏ５ｉｚ、 Ｔａ５ｉｚ、Ｎｂ５ｉｚ、１−ｉＳｉｚ。
等の導電性基体上の少なくとも接点部又は全面にＰｄｚ
Ｓｉ、ＰｔＳｉ、Ｎ１５ｉｚ、Ｃｏ５１ｚ、ＷＳｉｚ、
Ｍｏ５ｉｚ、 Ｔａ５ｉｚ、Ｎｂ５ｉｚ、１−ｉＳｉｚ。
Ｚｒ５ｉｚ、ｌ−１ｆｓｉｚ、ＶＳｉｚ等のメタルシリ
サイドを被着したものである。これ等メタルシリサイド
の被着は、スパッタリングや蒸着などのＰＶＤ法、気相
化学反応を応用したＣＶＤ法にＪ、り容易に行なうこと
かできる。また金属とシリコンを同時にスパッタするか
、又は金属とシリコンを二層に被着してから、加熱拡散
してメタルシリナイドを形成することもできる。更にメ
タルシリサイド粉末を焼結し、これを基板上にろう付は
等により被着することもできる。
サイドを被着したものである。これ等メタルシリサイド
の被着は、スパッタリングや蒸着などのＰＶＤ法、気相
化学反応を応用したＣＶＤ法にＪ、り容易に行なうこと
かできる。また金属とシリコンを同時にスパッタするか
、又は金属とシリコンを二層に被着してから、加熱拡散
してメタルシリナイドを形成することもできる。更にメ
タルシリサイド粉末を焼結し、これを基板上にろう付は
等により被着することもできる。
上記メタルシリサイドは１２００〜２３００℃の高融点
を有し、化学的に安定で、硬質ぐあり、しかも高い導電
性を有し、これを導電ｔ！１基体上°の少なくとも接点
部に被着することにより、貴金属を被覆した接点材に代
りうる接触抵抗の小さい、安定した電気接続性を有する
電気接点材を得ることができる。即ちメタルシリサイド
の固有抵抗は１０〜１００μΩ・α程麿ぐ、Ａｌｌ
２．４μΩ・αやグラファイト（ａＩＩｌｌｈ向）ノ１
００〜２００μΩ・１に対抗できるもので、微弱電流キ
ースイッチやコネクターの一部に使用されＣいる導電ゴ
ムの１０〜１０３μΩ・０よりもはるかに小さい。
を有し、化学的に安定で、硬質ぐあり、しかも高い導電
性を有し、これを導電ｔ！１基体上°の少なくとも接点
部に被着することにより、貴金属を被覆した接点材に代
りうる接触抵抗の小さい、安定した電気接続性を有する
電気接点材を得ることができる。即ちメタルシリサイド
の固有抵抗は１０〜１００μΩ・α程麿ぐ、Ａｌｌ
２．４μΩ・αやグラファイト（ａＩＩｌｌｈ向）ノ１
００〜２００μΩ・１に対抗できるもので、微弱電流キ
ースイッチやコネクターの一部に使用されＣいる導電ゴ
ムの１０〜１０３μΩ・０よりもはるかに小さい。
例えばＴｉ Ｓｉ ｚはＴｉの５５μ０・ｃｍよりも小
さい１０〜２０μΩ・αであり、メタルシリサイドは金
属に匹敵する導電性を有し、かつ熱的、化学的に安定で
金属よりも硬く、耐摩耗性も優れてい′る。更にメタル
シリサイドは貴金属に比較し、はるかに安く電気接点材
のコス１−を低減づることができる。
さい１０〜２０μΩ・αであり、メタルシリサイドは金
属に匹敵する導電性を有し、かつ熱的、化学的に安定で
金属よりも硬く、耐摩耗性も優れてい′る。更にメタル
シリサイドは貴金属に比較し、はるかに安く電気接点材
のコス１−を低減づることができる。
（１）Ｃｕ−９，３％Ｎｉ−２，５％３ｎ合金基板上に
、スパッタリング法により厚さ約０．２μのＰｄｚＳｉ
とｐｔ３ｉを被着させて本発明接点材を形成した。これ
にういてＡ！＋プルーブ（先端半径２．５＃＋ＩＩ＋＞
を用いて荷ｍ ’ １．７０ ｇ、電流１００１ｒＬＡ
の条件で接触抵抗を測定した。これ等の結果を電気メツ
キ法により厚さ０．５μのＡＵとＰｄをメッキした従来
の接点材と比較して第１表に示す。
、スパッタリング法により厚さ約０．２μのＰｄｚＳｉ
とｐｔ３ｉを被着させて本発明接点材を形成した。これ
にういてＡ！＋プルーブ（先端半径２．５＃＋ＩＩ＋＞
を用いて荷ｍ ’ １．７０ ｇ、電流１００１ｒＬＡ
の条件で接触抵抗を測定した。これ等の結果を電気メツ
キ法により厚さ０．５μのＡＵとＰｄをメッキした従来
の接点材と比較して第１表に示す。
第１表
【
【
（２）粉末焼結法によりＷＳｉｚとＮｂ５ｉｚチツプ（
１１１１，５１１１＃ｌ、長さ１．５Ｍ、厚さ０，３．
）を形成し、これをリードリレー用の Ｆｅ −４２％
Ｎ１合金基板にろう付けにより取イｑ【プＣ１不発明接
点材を形成した。これにづい℃ぞの１個を可動接点とし
、これを挾んで２個の固定接点をセットしてリレーを組
立でた。これについ（電圧３０Ｖ、電流１Ａ、振動数１
１−ｌ ｚの条件で接点寿命試験を行ない、溶着しく動
作不良どなるまでの振動回数を測定した。これ等の結果
を電気メツキ法により厚さ２．５μのＡ ＬｌとＲｈを
メッキした従来接点材の場合と比較し′（第２表に示す
。
１１１１，５１１１＃ｌ、長さ１．５Ｍ、厚さ０，３．
）を形成し、これをリードリレー用の Ｆｅ −４２％
Ｎ１合金基板にろう付けにより取イｑ【プＣ１不発明接
点材を形成した。これにづい℃ぞの１個を可動接点とし
、これを挾んで２個の固定接点をセットしてリレーを組
立でた。これについ（電圧３０Ｖ、電流１Ａ、振動数１
１−ｌ ｚの条件で接点寿命試験を行ない、溶着しく動
作不良どなるまでの振動回数を測定した。これ等の結果
を電気メツキ法により厚さ２．５μのＡ ＬｌとＲｈを
メッキした従来接点材の場合と比較し′（第２表に示す
。
第２表
−上記実施例から明らかなように、本発明接点材は従来
の接点材と比較し、接触抵抗が小さく、接点寿命を著し
く向上できることが判る。
の接点材と比較し、接触抵抗が小さく、接点寿命を著し
く向上できることが判る。
このように本発明によれば、貴金属を被覆した従来の接
点材より電気接続性が優れ、かつ安価な電気接点祠を提
供し得るもので、工業上顕著な効果を奏するｂのＣある
。
点材より電気接続性が優れ、かつ安価な電気接点祠を提
供し得るもので、工業上顕著な効果を奏するｂのＣある
。
Claims (1)
- 導電性基体上の少なくとも接点部にメタルシリサイドを
被着したことを特徴とする電気接点材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12367184A JPS614115A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 電気接点材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12367184A JPS614115A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 電気接点材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614115A true JPS614115A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14866410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12367184A Pending JPS614115A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 電気接点材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614115A (ja) |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP12367184A patent/JPS614115A/ja active Pending
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