JPS6141259Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は多素子型光電変換装置の改良に係り、
特にデユワー構造の真空冷却容器を用いた多素子
型赤外線検知装知におけるリード線導出用セラミ
ツク端子板の改良に関するものである。

一般に２元または３元化合物半導体よりなる赤
外線検知用の光電変換素子は、通常液体窒素温度
（略77〓）程度まで冷却した状態で用いられる。
従つて従来の赤外線検知用の多素子型光電変換装
置は、第１図に示すように例えばガラス管とコバ
ールリングによつて構成された内管１と外管２と
からなるデユワー構造の真空冷却容器からなり、
外管２の一部に赤外線透過窓３を設けると共に、
該透過窓３に対向した内管１に配設した冷却台４
上に多素子型赤外線検知素子５を設置し、かかる
デユワー構造の内管１内に例えばジユールトムソ
ン式等の冷却器１１あるいは、液体窒素等の冷媒
を収納して動作中の前記検知素子５を所定の低温
に冷却する構成がとられている。

一方かかる構成における多素子型赤外線検知素
子５からの信号出力は、該素子５の両側部に配置
された中継端子板６を介して複数本のリード線７
によつて前記外管２器壁の一部を横断する形で封
着した環状円板形のセラミツク端子板８上の気密
に導出した複数の導電膜パターン９より取り出さ
れるわけであるが、その複数の導電膜パターン９
端部には、さらに前記セラミツク端子板８の外周
に隣接して付設された環状円板形のプリント板１
２にそれぞれ対応するように取付けられた素子動
作用の各バイアス抵抗１３が接続リード線１４の
半田付けによつて接続されている。

ところで上述の如き構成の光電変換装置におい
て赤外線検知用の光電変換素子５の素子数が例え
ば50素子から180素子乃至はそれ以上と多素子化
されるに従つて、前記セラミツク端子板８上に配
設する複数の導電膜パターン９の配設数も増大さ
せる必要から該導電膜９のパターンが微細化され
るため、これら導電膜パターンと前記バイアス抵
抗１３とを接続する接続用リード線１４の線径も
必然的に細くなり、該リード線１４を図示のよう
曲げた形で半田付けするといつた接続作業が煩雑
となると共に、接続が不完全になり易い欠点があ
つた。特に前記セラミツク端子板８と外周に隣接
して付設された環状円板形のプリント板１２とが
一体的な構成でないため、接続された細径のリー
ド線１４が振動等によつてはずれ易い不都合もあ
つた。

本考案の目的は、上述のような従来の欠点を解
消するため、セラミツク端子板上の導電膜パター
ンとバイアス抵抗とをリード線で接続することを
排除し、前記導電膜パターンに直接バイアス抵抗
を接続するように改良された赤外線検知用の多素
子型光電変換装置の構造を提供するものであり、
さらに具体的には、多素子型光電変換素子のリー
ド線導出用の導電膜パターンをそなえて外管の一
部を横断するように封着したセラミツク端子板の
各導電膜パターン端部にバイアス抵抗実装用の貫
通孔を設けた構成を特徴とするものである。

以下図面を用いて本考案の好ましい実施例につ
いて詳細に説明する。

第２図は本考案を適用した赤外線検知用多素子
型光電変換装置の一実施例を示す縦断面図、第２
図はセラミツク端子板を部分的に示す平面図であ
り、第１図と同等部分には同一符号を付してい
る。即ち第２図において、本装置の主体とするデ
ユワー構造の冷却容器は、ガラス製の内管１と外
管２とからなり、それらの間の排気管１０を通し
て真空排気されている。内管１の端部にはクーリ
ングボトムと呼ばれる冷却台４を介して中継端子
板６と一体に構成されたセラミツク板上に支持さ
れた多素子型光電変換素子５が設置され、該光電
変換素子に対向する外管２側にゲルマニウム等か
らなる赤外線透過窓３が封着されている。また外
管２の一部には、該外管２を横断する形で環状円
板形のセラミツク端子板８がコバールリング２
ａ，２ｂを介して封着され、該セラミツク端子板
８の表面には、前記光電変換素子５の複数の受光
部（図示せず）と接続したリード線７を個別に管
外へ導出するための導電膜パターン９をそなえて
いる。ここまでの構成は、従来周知のいわゆる多
素子型赤外線検知装置の構成と特に変りはないわ
けであるが、本考案においては、前記セラミツク
端子板８上の各導電膜パターン９と素子動作用の
バイアス抵抗を簡便に接続できるように、前記セ
ラミツク端子板８は第３図の部分平面図によつて
明らかなようにその表面にそなえている各導電膜
パターン９の端部に前記バイアス抵抗１３を取り
付ける部品実装用の貫通孔３１が設けられてい
る。従つて、前記導電膜パターン９端部の貫通孔
３１に第２図に示した形で前記バイアス抵抗１３
をそれぞれ半田付け等により直接接続する構成と
すれば、従来例で述べた如き、バイアス抵抗接続
用のプリント板及び半田接続が不完全となりやす
いリード線を用いる必要がなくなり、バイアス抵
抗の接続作業が容易となる。

以下の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、セラミツク端子板に設けられた光電変換素子
のリード線導出用の各導電膜パターン端部に、部
品実装用の貫通孔を設けることにより、該貫通孔
を介して前記各導電膜パターンに素子動作用のバ
イアス抵抗を容易、かつ確実に半田接続すること
ができるので作業性及び信頼性が向上する利点を
有する。また従来用いていたバイアス抵抗用プリ
ント板やリード線等が不要となり構成部品が低減
される経済的な効果もあり、各種多素子型光電変
換装置に適用して極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の多素子型光電変換装置を説明す
る縦断面図、第２図は本考案に係る赤外線検知用
の多素子型光電変換装置の一実施例を示す縦断面
図、第３図は、本考案に係るセラミツク端子板の
平面図である。 図において１は内管、２は外管、２ａ，２ｂは
コバールリング、５は多素子型光電変換素子、７
はリード線、８はセラミツク端子板、９は導電膜
パターン、１３は素子動作用バイアス抵抗、３１
は部品実装用貫通孔を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 内管と外管とからなる真空デユワー構造の冷却
   容器を主体とし、該内管の真空スペース側に多素
   子型光電変換素子を支持せしめるとともに、該光
   電変換素子のリード線を、前記外管器壁の一部を
   横断する形で封着したセラミツク端子板上の導電
   膜パターンを介して気密に導出してなる多素子型
   光電変換装置において、前記端子板上の各導出導
   電膜パターン端部に部品実装用の貫通孔を設けた
   ことを特徴とする多素子型光電変換装置。