JPS6141298Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6141298Y2 JPS6141298Y2 JP170979U JP170979U JPS6141298Y2 JP S6141298 Y2 JPS6141298 Y2 JP S6141298Y2 JP 170979 U JP170979 U JP 170979U JP 170979 U JP170979 U JP 170979U JP S6141298 Y2 JPS6141298 Y2 JP S6141298Y2
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- JP
- Japan
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- pin diode
- transistor
- circuit
- emitter
- input
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はベース接地形トランジスタの高周波
増幅回路、特にPINダイオードをエミツタと接地
間に挿入し過大入力に対する減衰に利用した増幅
回路の改良に関する。
増幅回路、特にPINダイオードをエミツタと接地
間に挿入し過大入力に対する減衰に利用した増幅
回路の改良に関する。
従来、リバースAGC方式のトランジスタ増幅
器は動作電流が少なくて電源回路を有利に構成で
きることから広く利用されている。しかしこの種
の増幅器では動作電流が小さいために過大な入力
信号に対し高周波歪を生じたり混変調特性の低下
を招く。このような欠陥は過大な入力信号に対し
歪の少ない減衰機能を与えるPINダイオードの使
用により解消され、例えば、第１図に示す通り、
ベース接地形トランジスタ１のエミツタ・アース
間にPINダイオード２を介挿して使用することが
提案された。同図PINダイオード２とエミツタ抵
抗３の接続点には高周波入力信号が供給され、ト
ランジスタ１のベースにはAGC信号が与えら
れ、コレクタに高周波出力信号が得られる。この
回路ではベースに与えられるAGC信号によつて
トランジスタ１のエミツタ電流ＩEはPINダイオ
ード２とベース抵抗３の直列回路を流れるので
PINダイオード２の入力信号に対する高周波抵抗
がその有効動作電流の範囲内で利用され過大入力
を減衰させる。
器は動作電流が少なくて電源回路を有利に構成で
きることから広く利用されている。しかしこの種
の増幅器では動作電流が小さいために過大な入力
信号に対し高周波歪を生じたり混変調特性の低下
を招く。このような欠陥は過大な入力信号に対し
歪の少ない減衰機能を与えるPINダイオードの使
用により解消され、例えば、第１図に示す通り、
ベース接地形トランジスタ１のエミツタ・アース
間にPINダイオード２を介挿して使用することが
提案された。同図PINダイオード２とエミツタ抵
抗３の接続点には高周波入力信号が供給され、ト
ランジスタ１のベースにはAGC信号が与えら
れ、コレクタに高周波出力信号が得られる。この
回路ではベースに与えられるAGC信号によつて
トランジスタ１のエミツタ電流ＩEはPINダイオ
ード２とベース抵抗３の直列回路を流れるので
PINダイオード２の入力信号に対する高周波抵抗
がその有効動作電流の範囲内で利用され過大入力
を減衰させる。
しかし、PINダイオード２の有効動作電流範囲
は2mA程度以下であるのに対して一般のトラン
ジスタの入出力特性は2mAを越えるエミツタ電
流ＩEにおいて直線性が良くPINダイオード２の
有効動作電流範囲である2mA以下ではトランジ
スタの入出力特性の歪が大きくなる範囲であつて
トランジスタの動作電流の大きい直線性の良好な
範囲でのPINダイオードによる有効な減衰特性が
得られなかつた。
は2mA程度以下であるのに対して一般のトラン
ジスタの入出力特性は2mAを越えるエミツタ電
流ＩEにおいて直線性が良くPINダイオード２の
有効動作電流範囲である2mA以下ではトランジ
スタの入出力特性の歪が大きくなる範囲であつて
トランジスタの動作電流の大きい直線性の良好な
範囲でのPINダイオードによる有効な減衰特性が
得られなかつた。
従つて、本考案は上記に鑑み提案されたもので
あり、一般のRF増幅用トランジスタ、好ましく
はトランジスタ動作電流に関しフラツトな入出力
特性、特に低電流でも直線性の良いトランジスタ
を用いるリバースAGC方式のRF増幅回路を提供
する。すなわち、PINダイオードと抵抗の直列回
路に第２のエミツタ抵抗を並列接続してPINダイ
オードの動作電流をトランジスタの動作電流と異
なる状態で使用できるベース接地形トランジスタ
増幅回路を提供することにある。従つて、本考案
の増幅回路によればトランジスタの入出力特性の
直線領域での過大入力の減衰にも役立ち結果的に
混変調特性並びに高調波妨害特性で改良された。
あり、一般のRF増幅用トランジスタ、好ましく
はトランジスタ動作電流に関しフラツトな入出力
特性、特に低電流でも直線性の良いトランジスタ
を用いるリバースAGC方式のRF増幅回路を提供
する。すなわち、PINダイオードと抵抗の直列回
路に第２のエミツタ抵抗を並列接続してPINダイ
オードの動作電流をトランジスタの動作電流と異
なる状態で使用できるベース接地形トランジスタ
増幅回路を提供することにある。従つて、本考案
の増幅回路によればトランジスタの入出力特性の
直線領域での過大入力の減衰にも役立ち結果的に
混変調特性並びに高調波妨害特性で改良された。
以下、本考案に係る実施例について図面を参照
しつつ詳述する。
しつつ詳述する。
第２図は本考案に係る実施例のベース接地形ト
ランジスタ増幅回路の主要部を示す。この回路に
おいて、第１図の従来回路に比べて第２エミツタ
抵抗１０が挿入されるほかは実質的に同じであ
る。すなわち、トランジスタ１１のエミツタと接
地間にはPINダイオード１２と第１エミツタ抵抗
１３の直列回路が挿入されPINダイオード１２と
第１エミツタ抵抗１３の接続点１４に入力端子１
５から結合コンデンサ１６を介して高周波信号が
入力され、コレクタに高周波出力信号が得られ
る。尚１７はAGC信号入力端子である。また高
周波入出力回路は図示省略している。
ランジスタ増幅回路の主要部を示す。この回路に
おいて、第１図の従来回路に比べて第２エミツタ
抵抗１０が挿入されるほかは実質的に同じであ
る。すなわち、トランジスタ１１のエミツタと接
地間にはPINダイオード１２と第１エミツタ抵抗
１３の直列回路が挿入されPINダイオード１２と
第１エミツタ抵抗１３の接続点１４に入力端子１
５から結合コンデンサ１６を介して高周波信号が
入力され、コレクタに高周波出力信号が得られ
る。尚１７はAGC信号入力端子である。また高
周波入出力回路は図示省略している。
この増幅回路は、特にTVチユーナで小型化の
為に入力回路を非同調とする場合にローチヤンネ
ル信号が強力であるとRF増幅段で高調波が生じ
てハイチヤンネル受信時に混信妨害を与える問題
に対して大巾な改善をすることができる。すなわ
ち、本案では第３図に示すトランジスタの入出力
特性に対して、直線性のよい2mA以上の動作範
囲においてもPINダイオード１２の減衰効果が有
効に得られることにある。第４図は１％高調波
（２倍）妨害特性について、第１図の従来回路と
第２図の本考案回路の特性曲線をそれぞれ点線ａ
と実線ｂで示した。この特性曲線は希望波信号Ｄ
に200MHz60dBμ基準に、妨害信号Ｕに100MHzを
用いＤ／Ｕ比を40dB（１％）として測定された
ものである。更に、第５図は１％混変調特性につ
いて、第１図と第２図の回路に対し第４図と同様
に点線ａと実線ｂで示した。この場合の測定条件
は希望波信号に185MHz，60dBμ基準に妨害波信
号の195MHz、変調度30％で行なわれた。これら
の信号周波数は日本チヤンネルの第６及び第８チ
ヤンネルに対応するもので混変調特性に問題を生
じ易い信号である。第４図及び第５図から明らか
なように本考案の回路は特性曲線ｂで示す通り、
いずれの特性でも大巾な改善がなされる。
為に入力回路を非同調とする場合にローチヤンネ
ル信号が強力であるとRF増幅段で高調波が生じ
てハイチヤンネル受信時に混信妨害を与える問題
に対して大巾な改善をすることができる。すなわ
ち、本案では第３図に示すトランジスタの入出力
特性に対して、直線性のよい2mA以上の動作範
囲においてもPINダイオード１２の減衰効果が有
効に得られることにある。第４図は１％高調波
（２倍）妨害特性について、第１図の従来回路と
第２図の本考案回路の特性曲線をそれぞれ点線ａ
と実線ｂで示した。この特性曲線は希望波信号Ｄ
に200MHz60dBμ基準に、妨害信号Ｕに100MHzを
用いＤ／Ｕ比を40dB（１％）として測定された
ものである。更に、第５図は１％混変調特性につ
いて、第１図と第２図の回路に対し第４図と同様
に点線ａと実線ｂで示した。この場合の測定条件
は希望波信号に185MHz，60dBμ基準に妨害波信
号の195MHz、変調度30％で行なわれた。これら
の信号周波数は日本チヤンネルの第６及び第８チ
ヤンネルに対応するもので混変調特性に問題を生
じ易い信号である。第４図及び第５図から明らか
なように本考案の回路は特性曲線ｂで示す通り、
いずれの特性でも大巾な改善がなされる。
第２図の回路は入力非同調回路での利用におい
て特に有効であるが、入力同調回路でも使用でき
る。非同調回路の場合には入力インピーダンスと
の整合があるので必然的に各エミツタ抵抗の抵抗
値が制限される。例えば、テレビジヨンチユーナ
における入力インピーダンスが75Ωで定在波比
VSWRを3.0以下にする場合、入力信号のフルゲ
イン点でのPINダイオードの導通時の抵抗値10Ω
程度とベース接地形トランジスタの入力インピー
ダンス（Ｒ成分）10Ω程度とに対しエミツタ抵抗
１３は無視し得る程度である10倍位の抵抗値に選
定する必要がある。この場合、VSWRは約3.7
（≒７５／１０＋１０）となる。一方、カツトオフ点の
PIN ダイオードは数ｋΩとなるため、第１エミツタ抵
抗１３は入力インピーダンス75ΩとVSWR3.0を
考慮しその抵抗値を225（＝75×３）附近に設定
するのが望ましい。更に、第２エミツタ抵抗１０
はPINダイオードが動作を開始する電圧ＶFであ
る0.7V附近でのエミツタ電流ＩEを決定するよう
に選定する必要がある。すなわち、 の関係式を満足させるように設定する。ここで、
R10は第２エミツタ抵抗１０の抵抗値、R13は第１
エミツタ抵抗１３の抵抗値及びＲDはPINダイオ
ード１２の抵抗値である。
て特に有効であるが、入力同調回路でも使用でき
る。非同調回路の場合には入力インピーダンスと
の整合があるので必然的に各エミツタ抵抗の抵抗
値が制限される。例えば、テレビジヨンチユーナ
における入力インピーダンスが75Ωで定在波比
VSWRを3.0以下にする場合、入力信号のフルゲ
イン点でのPINダイオードの導通時の抵抗値10Ω
程度とベース接地形トランジスタの入力インピー
ダンス（Ｒ成分）10Ω程度とに対しエミツタ抵抗
１３は無視し得る程度である10倍位の抵抗値に選
定する必要がある。この場合、VSWRは約3.7
（≒７５／１０＋１０）となる。一方、カツトオフ点の
PIN ダイオードは数ｋΩとなるため、第１エミツタ抵
抗１３は入力インピーダンス75ΩとVSWR3.0を
考慮しその抵抗値を225（＝75×３）附近に設定
するのが望ましい。更に、第２エミツタ抵抗１０
はPINダイオードが動作を開始する電圧ＶFであ
る0.7V附近でのエミツタ電流ＩEを決定するよう
に選定する必要がある。すなわち、 の関係式を満足させるように設定する。ここで、
R10は第２エミツタ抵抗１０の抵抗値、R13は第１
エミツタ抵抗１３の抵抗値及びＲDはPINダイオ
ード１２の抵抗値である。
本考案の回路によれば、カツトオフ点附近での
利得減衰度が大きくとれ、例えば、一般のフオワ
ードAGC用トランジスタ増幅回路で40dB程度の
減衰を得るのに対しPINダイオードと第２エミツ
タ抵抗を用いた本考案の回路では55dB程度もの
減衰を得られる。これは前述のように第１エミツ
タ抵抗１３を約200Ωに設定すると共に第２エミ
ツタ抵抗１０を数百Ωに設定して付加挿入すると
カツトオフ点近辺でのミスマツチングが大きくな
り、トランジスタに印加される電圧が小さくなつ
て利得減衰が大きくなることによる。
利得減衰度が大きくとれ、例えば、一般のフオワ
ードAGC用トランジスタ増幅回路で40dB程度の
減衰を得るのに対しPINダイオードと第２エミツ
タ抵抗を用いた本考案の回路では55dB程度もの
減衰を得られる。これは前述のように第１エミツ
タ抵抗１３を約200Ωに設定すると共に第２エミ
ツタ抵抗１０を数百Ωに設定して付加挿入すると
カツトオフ点近辺でのミスマツチングが大きくな
り、トランジスタに印加される電圧が小さくなつ
て利得減衰が大きくなることによる。
尚、本考案の実施回路ではPINダイオードに低
価格PINダイオードとして開発された横型構造の
ISV77タイプが使用され、増幅素子としては2SC
−2353タイプの電流による利得変化の少ない一般
増幅用トランジスタが使用された。特に、後者の
トランジスタの使用はAGC用トランジスタを使
用する場合に比べ非直線特性部分でのビート妨害
がなく顕著な効果を奏する。
価格PINダイオードとして開発された横型構造の
ISV77タイプが使用され、増幅素子としては2SC
−2353タイプの電流による利得変化の少ない一般
増幅用トランジスタが使用された。特に、後者の
トランジスタの使用はAGC用トランジスタを使
用する場合に比べ非直線特性部分でのビート妨害
がなく顕著な効果を奏する。
本考案に係る増幅回路はリバースAGC方式の
RF増幅回路を安価な能動素子の使用と回路上の
簡単な構成により、第４図及び第５図に示す様
に、高調波妨害特性及び混変調特性において著し
い改善を達成する。
RF増幅回路を安価な能動素子の使用と回路上の
簡単な構成により、第４図及び第５図に示す様
に、高調波妨害特性及び混変調特性において著し
い改善を達成する。
第１図は本考案の前提となる増幅回路図、第２
図は本考案の実施例である増幅回路図、第３図は
トランジスタ特性図、及び第４及び第５図はそれ
ぞれ第１及び第２図の回路による妨害波に対する
高調波歪、及び混変調特性図である。 １０……第２エミツタ抵抗、１１……トランジ
スタ、１２……PINダイオード、１３……第１エ
ミツタ抵抗、１５……入力側信号端子、１７……
AGC信号端子。
図は本考案の実施例である増幅回路図、第３図は
トランジスタ特性図、及び第４及び第５図はそれ
ぞれ第１及び第２図の回路による妨害波に対する
高調波歪、及び混変調特性図である。 １０……第２エミツタ抵抗、１１……トランジ
スタ、１２……PINダイオード、１３……第１エ
ミツタ抵抗、１５……入力側信号端子、１７……
AGC信号端子。
Claims (1)
- ベース接地形トランジスタのエミツタと接地間
にPINダイオードと第１エミツタ抵抗の直列回路
を設け、PINダイオードと第１エミツタ抵抗の接
続点に高周波入力信号を供給し、ベースにAGC
信号を与え、コレクタに高周波出力信号を得るよ
うにしたリバースAGC方式の高周波増幅回路に
おいて、上記直列回路に第２エミツタ抵抗を並列
接続して前記PINダイオードの有効動作範囲をエ
ミツタ電流の大きい方向に移行させるようにした
ことを特徴とするリバースAGC方式の高周波増
幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP170979U JPS6141298Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP170979U JPS6141298Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55102220U JPS55102220U (ja) | 1980-07-16 |
| JPS6141298Y2 true JPS6141298Y2 (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=28804099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP170979U Expired JPS6141298Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141298Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-01-10 JP JP170979U patent/JPS6141298Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55102220U (ja) | 1980-07-16 |
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