JPS6141441B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6141441B2 JPS6141441B2 JP54024751A JP2475179A JPS6141441B2 JP S6141441 B2 JPS6141441 B2 JP S6141441B2 JP 54024751 A JP54024751 A JP 54024751A JP 2475179 A JP2475179 A JP 2475179A JP S6141441 B2 JPS6141441 B2 JP S6141441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- case
- resonant element
- dielectric resonant
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 37
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 37
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1817—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator
- H03B5/1823—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1829—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発振器に関し、特に、たとえば誘電
体共振素子を用いてマイクロ波を発生するような
発振器に関する。
体共振素子を用いてマイクロ波を発生するような
発振器に関する。
最近では、周波数安定度の良好な誘電体共振素
子をたとえば局部発振回路に用いた通信装置が実
用に供されている。
子をたとえば局部発振回路に用いた通信装置が実
用に供されている。
第１図はこの発明の背景となる誘電体共振素子
を用いた発振器の概略図である。図において、従
来の発振器は、誘電体共振素子１１を挾んで一対
の励振棒１２，１３がケース１０内に配置され
る。そして、一方の励振棒１２からコネクタ（図
示せず）を介してたとえば同軸ケーブル１４によ
つて増幅器１５の入力側に接続される。増幅器１
５の出力側からは同軸ケーブル１６によつて方向
性結合器またはＴ型分岐器の一例としてのRFモ
ニタ１７を介して高周波出力が導出される。そし
て、高周波出力の一部がRFモニタ１７によつて
分岐され、コネクタ（図示せず）を介して同軸ケ
ーブル１８によつて他方の励振棒１３に接続され
る。
を用いた発振器の概略図である。図において、従
来の発振器は、誘電体共振素子１１を挾んで一対
の励振棒１２，１３がケース１０内に配置され
る。そして、一方の励振棒１２からコネクタ（図
示せず）を介してたとえば同軸ケーブル１４によ
つて増幅器１５の入力側に接続される。増幅器１
５の出力側からは同軸ケーブル１６によつて方向
性結合器またはＴ型分岐器の一例としてのRFモ
ニタ１７を介して高周波出力が導出される。そし
て、高周波出力の一部がRFモニタ１７によつて
分岐され、コネクタ（図示せず）を介して同軸ケ
ーブル１８によつて他方の励振棒１３に接続され
る。
このように発振器を構成することによつて、増
幅器１５の高周波出力は誘電体共振素子１１を介
して増幅器１５の入力端に正帰還されて発振す
る。この増幅器１５の入力端に帰還される高周波
の位相は励振棒１２，１３間の位相差、同軸ケー
ブル１４，１６，１８の長さおよび増幅器１５の
入・出力位相差によつて決まり、励振棒１２と誘
電体共振素子１１および励振棒１３と誘電体共振
素子１１の結合係数は、誘電体共振素子１１と励
振棒１２との間のギヤツプｇ１および誘電体共振
素子１１と励振棒１３との間のギヤツプｇ２によ
つて決まる。したがつて、位相を調整する場合に
は、増幅器１５を変えたり発振周波数を変えたり
する毎に帰還ループの同軸ケーブル１４，１６，
１８の線路長を変更しなければならない。また、
帰還ループの減衰量を調節する場合には、励振棒
１２，１３と誘電体共振素子１１とのギヤツプｇ
１，ｇ２を変える必要があるため、ケース１０の
大きさを変更する必要がある。また、誘電体共振
素子１１、位相調整用の同軸ケーブル１４，１
６，１８および増幅器１５が別々のブロツクとし
て構成されているため、形状が大きくなるという
欠点があつた。さらに、増幅器１５の高周波出力
の一部を帰還用として取出すために方向性結合器
やRFモニタ１７が必要となる。このRFモニタ１
７によつて帰還用の出力信号を導出すると、帰還
利得が約10〜20dB程度の減衰してしまい、その
分だけ増幅器１５の利得を大きくしなければなら
ないという問題点があつた。
幅器１５の高周波出力は誘電体共振素子１１を介
して増幅器１５の入力端に正帰還されて発振す
る。この増幅器１５の入力端に帰還される高周波
の位相は励振棒１２，１３間の位相差、同軸ケー
ブル１４，１６，１８の長さおよび増幅器１５の
入・出力位相差によつて決まり、励振棒１２と誘
電体共振素子１１および励振棒１３と誘電体共振
素子１１の結合係数は、誘電体共振素子１１と励
振棒１２との間のギヤツプｇ１および誘電体共振
素子１１と励振棒１３との間のギヤツプｇ２によ
つて決まる。したがつて、位相を調整する場合に
は、増幅器１５を変えたり発振周波数を変えたり
する毎に帰還ループの同軸ケーブル１４，１６，
１８の線路長を変更しなければならない。また、
帰還ループの減衰量を調節する場合には、励振棒
１２，１３と誘電体共振素子１１とのギヤツプｇ
１，ｇ２を変える必要があるため、ケース１０の
大きさを変更する必要がある。また、誘電体共振
素子１１、位相調整用の同軸ケーブル１４，１
６，１８および増幅器１５が別々のブロツクとし
て構成されているため、形状が大きくなるという
欠点があつた。さらに、増幅器１５の高周波出力
の一部を帰還用として取出すために方向性結合器
やRFモニタ１７が必要となる。このRFモニタ１
７によつて帰還用の出力信号を導出すると、帰還
利得が約10〜20dB程度の減衰してしまい、その
分だけ増幅器１５の利得を大きくしなければなら
ないという問題点があつた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述の
問題点を解消し得て、比較的構造の簡単な発振器
を提供することである。
問題点を解消し得て、比較的構造の簡単な発振器
を提供することである。
この発明を要約すれば、第１のケースの隔壁に
よつて空洞を形成し、その空洞内に誘電体共振素
子を配置し、第１のケースに対して着脱自在に第
２のケースを設け、この第２のケース内に増幅器
を収納し、第１のケースの隔壁に形成した出力結
合窓を介して増幅器の出力側からの漏洩高周波成
分を誘電体共振素子に結合させ、結合手段によつ
て増幅器の入力側と誘電体共振素子とを結合させ
るようにしたものである。
よつて空洞を形成し、その空洞内に誘電体共振素
子を配置し、第１のケースに対して着脱自在に第
２のケースを設け、この第２のケース内に増幅器
を収納し、第１のケースの隔壁に形成した出力結
合窓を介して増幅器の出力側からの漏洩高周波成
分を誘電体共振素子に結合させ、結合手段によつ
て増幅器の入力側と誘電体共振素子とを結合させ
るようにしたものである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は以下に図面参照して行なう詳細な説明から一
層明らかとなろう。
徴は以下に図面参照して行なう詳細な説明から一
層明らかとなろう。
第２図はこの発明の一実施例の構造を示す断面
図であり、特に第２図ａは横断面図を示し、第２
図ｂは第２図ａの線―に沿う縦断面図であ
る。構成において、ケース２０は第１のケース２
１と第２のケース２２とから構成される。第１の
ケース２１には、隔壁２１１によつて後述の誘電
体共振素子１１を収納するための空洞２１２が形
成され、この空洞２１２内に誘電体共振素子１１
が支持台３１に載置されて配置される。そして、
この隔壁２１１には、後述の増幅器４０の出力側
と誘電体共振素子１１とを電磁結合させるための
出力結合窓２１３が形成され、出力結合窓２１３
が形成された隔壁２１１の側面の隣りの側面に
は、同軸ケーブル５が挿通し得る貫通孔２１４が
形成される。また、この貫通孔２１４が形成され
た隔壁の外面には、一方端が閉じられ他方端が開
放された溝２１５が形成される。
図であり、特に第２図ａは横断面図を示し、第２
図ｂは第２図ａの線―に沿う縦断面図であ
る。構成において、ケース２０は第１のケース２
１と第２のケース２２とから構成される。第１の
ケース２１には、隔壁２１１によつて後述の誘電
体共振素子１１を収納するための空洞２１２が形
成され、この空洞２１２内に誘電体共振素子１１
が支持台３１に載置されて配置される。そして、
この隔壁２１１には、後述の増幅器４０の出力側
と誘電体共振素子１１とを電磁結合させるための
出力結合窓２１３が形成され、出力結合窓２１３
が形成された隔壁２１１の側面の隣りの側面に
は、同軸ケーブル５が挿通し得る貫通孔２１４が
形成される。また、この貫通孔２１４が形成され
た隔壁の外面には、一方端が閉じられ他方端が開
放された溝２１５が形成される。
第２のケース２２には、その内面に両端が閉じ
られた溝２２１が形成され、その他端には同軸ケ
ーブル５がほぼ直角に折り曲がつて挿通し得る貫
通孔２２２が形成される。前記溝２２１には、た
とえば電界効果トランジスタ（以下、FET）か
らなる増幅器４０が収納され、このFET４０の
ドレインは出力側整合回路４１の一端に接続さ
れ、出力側整合回路４１の他端は出力端子６に接
続される。前記FET４０のゲートは入力側整合
回路４２に接続され、FET４０のソースは図示
しないが抵抗とコンデンサとの並列回路によつて
接地される。前記第１のケース２１に形成した溝
２１５、貫通孔２１４および第２のケース２２に
形成した貫通孔２２２には同軸ケーブル５が挿通
され、同軸ケーブル５の中心導体の一端が前記入
力側整合回路４２に接続される。また、同軸ケー
ブル５の中心導体の他端は空洞２１２の誘電体共
振素子１１の近傍に延びて結合ループ５１を形成
し、かつその先端が隔壁２１１に接続される。そ
して、この空洞２１２の上部は蓋２３によつて封
止される。
られた溝２２１が形成され、その他端には同軸ケ
ーブル５がほぼ直角に折り曲がつて挿通し得る貫
通孔２２２が形成される。前記溝２２１には、た
とえば電界効果トランジスタ（以下、FET）か
らなる増幅器４０が収納され、このFET４０の
ドレインは出力側整合回路４１の一端に接続さ
れ、出力側整合回路４１の他端は出力端子６に接
続される。前記FET４０のゲートは入力側整合
回路４２に接続され、FET４０のソースは図示
しないが抵抗とコンデンサとの並列回路によつて
接地される。前記第１のケース２１に形成した溝
２１５、貫通孔２１４および第２のケース２２に
形成した貫通孔２２２には同軸ケーブル５が挿通
され、同軸ケーブル５の中心導体の一端が前記入
力側整合回路４２に接続される。また、同軸ケー
ブル５の中心導体の他端は空洞２１２の誘電体共
振素子１１の近傍に延びて結合ループ５１を形成
し、かつその先端が隔壁２１１に接続される。そ
して、この空洞２１２の上部は蓋２３によつて封
止される。
前記蓋２３の周縁にねじ部が形成されかつ隔壁
２１１の上部にも蓋２３のねじに螺合し得るねじ
部が形成される。この蓋２３を回動して誘電体共
振素子１１に近づけたり遠ざけたりすることによ
つて、誘電体共振素子１１の発振周波数を可変さ
せることができる。また、より好ましくは蓋２３
のほぼ中心部に微調整用ねじ２４を設けて誘電体
共振素子１１の発振周波数の微調整を行なうよう
にしてもよい。さらに、第１のケース２１に形成
した溝２１５をエポキシ樹脂２１６によつて充填
するようにしてもよい。
２１１の上部にも蓋２３のねじに螺合し得るねじ
部が形成される。この蓋２３を回動して誘電体共
振素子１１に近づけたり遠ざけたりすることによ
つて、誘電体共振素子１１の発振周波数を可変さ
せることができる。また、より好ましくは蓋２３
のほぼ中心部に微調整用ねじ２４を設けて誘電体
共振素子１１の発振周波数の微調整を行なうよう
にしてもよい。さらに、第１のケース２１に形成
した溝２１５をエポキシ樹脂２１６によつて充填
するようにしてもよい。
このようにして、発振器を形成することによつ
て、FET４０の出力は出力側整合回路４１を介
して出力端子６から導出されるが、増幅器４０の
出力側、好ましくは出力側整合回路４１と出力端
子６との間にストリツプラインを設け、このスト
リツプラインから出力の一部の高周波成分が洩れ
て出力結合窓２１３を介して誘電体共振素子１１
に電磁結合する。出力側整合回路４１は安定な発
振のためには上述の構造がよいが、小型化のため
出力側整合回路４１から出力の一部の高周波成分
が洩れて出力結合窓２１３を介して誘電体共振素
子１１に電磁結合するようにすることも考えられ
る。また、誘電体共振素子１１の共振電力の一部
が結合ループ５１で拾いあげられ、同軸ケーブル
５を介して入力側整合回路４２に正帰還される。
て、FET４０の出力は出力側整合回路４１を介
して出力端子６から導出されるが、増幅器４０の
出力側、好ましくは出力側整合回路４１と出力端
子６との間にストリツプラインを設け、このスト
リツプラインから出力の一部の高周波成分が洩れ
て出力結合窓２１３を介して誘電体共振素子１１
に電磁結合する。出力側整合回路４１は安定な発
振のためには上述の構造がよいが、小型化のため
出力側整合回路４１から出力の一部の高周波成分
が洩れて出力結合窓２１３を介して誘電体共振素
子１１に電磁結合するようにすることも考えられ
る。また、誘電体共振素子１１の共振電力の一部
が結合ループ５１で拾いあげられ、同軸ケーブル
５を介して入力側整合回路４２に正帰還される。
ここで、同軸ケーブル５の長さを、誘電体共振
素子１１の共振電力の一部がFET４０に帰還さ
れたとき、正帰還となるような位相に調整しかつ
増幅器４０の増幅度が帰還ループの減衰度以上と
なるように選ぶことによつて、誘電体共振素子１
１が発振動作を行なう。この帰還ループの減衰度
は誘電体共振素子１１の共振周波数付近で最小と
なり、この最小減衰度を出力結合窓２１３の開口
の大きさと結合ループ５１の長さを変えて増幅器
４０の増幅度より若干小さく調整すれば（すなわ
ち帰還利得を正にする）発振器の発振条件を満た
す周波数が狭く限定される。したがつて、この発
振器は誘電体共振素子１１の共振周波数付近で発
振することになる。
素子１１の共振電力の一部がFET４０に帰還さ
れたとき、正帰還となるような位相に調整しかつ
増幅器４０の増幅度が帰還ループの減衰度以上と
なるように選ぶことによつて、誘電体共振素子１
１が発振動作を行なう。この帰還ループの減衰度
は誘電体共振素子１１の共振周波数付近で最小と
なり、この最小減衰度を出力結合窓２１３の開口
の大きさと結合ループ５１の長さを変えて増幅器
４０の増幅度より若干小さく調整すれば（すなわ
ち帰還利得を正にする）発振器の発振条件を満た
す周波数が狭く限定される。したがつて、この発
振器は誘電体共振素子１１の共振周波数付近で発
振することになる。
第３図はこの発明の他の実施例の構造を示す断
面図であり、特に第３図ａは横断面図を示し、第
３図ｂは第３図ａに示す線―に沿う縦断面図
である。この実施例は第２図に示した同軸ケーブ
ルをマイクロストリツプライン７１を用いた以外
は第２図と同じである。すなわち、第１のケース
２１の出力結合窓２１３が形成された側面に隣り
合う側面に入力結合窓２１７を形成する。また、
第２のケース２５は第１のケース２１の隣り合う
側面をおおうようなＬ字形状に形成する。そし
て、その内面に溝２５１を形成し、マイクロスト
リツプライン７１が形成されたセラミツク基板７
０を配置する。このマイクロストリツプライン７
１の中心導体７１１の一方端は入力側整合回路４
２に接続し、他端は第２のケース２５に接続す
る。
面図であり、特に第３図ａは横断面図を示し、第
３図ｂは第３図ａに示す線―に沿う縦断面図
である。この実施例は第２図に示した同軸ケーブ
ルをマイクロストリツプライン７１を用いた以外
は第２図と同じである。すなわち、第１のケース
２１の出力結合窓２１３が形成された側面に隣り
合う側面に入力結合窓２１７を形成する。また、
第２のケース２５は第１のケース２１の隣り合う
側面をおおうようなＬ字形状に形成する。そし
て、その内面に溝２５１を形成し、マイクロスト
リツプライン７１が形成されたセラミツク基板７
０を配置する。このマイクロストリツプライン７
１の中心導体７１１の一方端は入力側整合回路４
２に接続し、他端は第２のケース２５に接続す
る。
このようにして構成された発振器は、出力結合
窓２１３を介して増幅器４０の出力側と誘電体共
振素子１１とが結合するが、増幅器４０の入力側
と誘電体共振素子１１との結合は入力結合窓２１
７およびマイクロストリツプライン７１によつて
電磁結合される。そして、位相調整はマイクロス
トリツプライン７１の長さを調整することによつ
て行なう。
窓２１３を介して増幅器４０の出力側と誘電体共
振素子１１とが結合するが、増幅器４０の入力側
と誘電体共振素子１１との結合は入力結合窓２１
７およびマイクロストリツプライン７１によつて
電磁結合される。そして、位相調整はマイクロス
トリツプライン７１の長さを調整することによつ
て行なう。
第４図はマイクロストリツプラインの長さを可
変して位相を調整するための一例を示す要部断面
図である。図において、第４図ａに示す一例はマ
イクロストリツプライン７１の中心導体７１１を
蛇行させてその長さを長くしたものであつて、マ
イクロストリツプライン７１の中心導体７１１の
入力結合窓２１７側の端部は接地されている。ま
た、第４図ｂに示す例はマイクロストリツプライ
ン７１の中心導体７１１の端部を開放したもので
ある。さらに、第４図ｃに示す例はマイクロスト
リツプライン７１の中心導体７１１を直線状に形
成し、その端部を整合抵抗７２を介して第２のケ
ース２５に接続したものである。このように整合
抵抗７２によつて増幅器４０の入力側を接地する
と、誘電体共振素子１１からの共振電力はマイク
ロストリツプライン７１を介して増幅器４０に与
えられるとともに抵抗７２を介して接地されるた
め、反射波がなくなり安定波の生じることがなく
なる。この場合、位相調整は入力結合窓２１５の
位置を変えることによつて行なう。なお、増幅器
４０の入力側を整合抵抗７２によつて接地する
と、帰還ループの減衰度が大きくなるため、その
分だけ増幅器４０の利得を大きくする必要があ
る。第４図ｄに示す例は、マイクロストリツプラ
イン７１の中心導体７１１を均一に蛇行させ、そ
の端部を整合抵抗７２によつて接地したものでか
る。このようにマイクロストリツプライン７１を
均一に蛇行させることによつて、入力結合窓２１
７の移動範囲に対して位相調整範囲を広く取るこ
とができるという利点がある。
変して位相を調整するための一例を示す要部断面
図である。図において、第４図ａに示す一例はマ
イクロストリツプライン７１の中心導体７１１を
蛇行させてその長さを長くしたものであつて、マ
イクロストリツプライン７１の中心導体７１１の
入力結合窓２１７側の端部は接地されている。ま
た、第４図ｂに示す例はマイクロストリツプライ
ン７１の中心導体７１１の端部を開放したもので
ある。さらに、第４図ｃに示す例はマイクロスト
リツプライン７１の中心導体７１１を直線状に形
成し、その端部を整合抵抗７２を介して第２のケ
ース２５に接続したものである。このように整合
抵抗７２によつて増幅器４０の入力側を接地する
と、誘電体共振素子１１からの共振電力はマイク
ロストリツプライン７１を介して増幅器４０に与
えられるとともに抵抗７２を介して接地されるた
め、反射波がなくなり安定波の生じることがなく
なる。この場合、位相調整は入力結合窓２１５の
位置を変えることによつて行なう。なお、増幅器
４０の入力側を整合抵抗７２によつて接地する
と、帰還ループの減衰度が大きくなるため、その
分だけ増幅器４０の利得を大きくする必要があ
る。第４図ｄに示す例は、マイクロストリツプラ
イン７１の中心導体７１１を均一に蛇行させ、そ
の端部を整合抵抗７２によつて接地したものでか
る。このようにマイクロストリツプライン７１を
均一に蛇行させることによつて、入力結合窓２１
７の移動範囲に対して位相調整範囲を広く取るこ
とができるという利点がある。
なお、マイクロストリツプライン７１の中心導
体７１１を蛇行させ線路長を変えて行なう位相調
整や入力結合窓の位置を変えておこなう位相調整
は粗調整であり、設計段階ですでに決定されるも
のである。しかしながら、使用する増幅器４０の
位相特性のばらつきや組立上のばらつきや設計誤
差などを補正するために位相を微調整する必要が
あることもある。
体７１１を蛇行させ線路長を変えて行なう位相調
整や入力結合窓の位置を変えておこなう位相調整
は粗調整であり、設計段階ですでに決定されるも
のである。しかしながら、使用する増幅器４０の
位相特性のばらつきや組立上のばらつきや設計誤
差などを補正するために位相を微調整する必要が
あることもある。
第５図はこの発明の一実施例に含まれる位相調
整手段を示す要部断面図であり、特に第５図ａは
平面断面図を示し、第５図ｂは第５図ａに示す線
―に沿う要部縦断面図である。ここに示す位
相調整手段は、マイクロストリツプライン７１の
中心導体７１１に整合抵抗７２を接続し、この整
合抵抗７２をコンデンサチツプ７４を介して接地
するようにしたものである。このコンデンサチツ
プ７４と整合抵抗７２とを金属片７３によつて接
続する。すなわち、ここに示す例はコンデンサチ
ツプ７４の静電容量を可変することによつて位相
調整を行なうものである。また、コンデンサチツ
プ７４として可変コンデンサを用いてもよい。
整手段を示す要部断面図であり、特に第５図ａは
平面断面図を示し、第５図ｂは第５図ａに示す線
―に沿う要部縦断面図である。ここに示す位
相調整手段は、マイクロストリツプライン７１の
中心導体７１１に整合抵抗７２を接続し、この整
合抵抗７２をコンデンサチツプ７４を介して接地
するようにしたものである。このコンデンサチツ
プ７４と整合抵抗７２とを金属片７３によつて接
続する。すなわち、ここに示す例はコンデンサチ
ツプ７４の静電容量を可変することによつて位相
調整を行なうものである。また、コンデンサチツ
プ７４として可変コンデンサを用いてもよい。
第６図はこの発明に含まれる位相調整手段の他
の例を示す断面図であり、第６図ａは要部平面断
面図であり、第６図ｂは第６図ａに示す線―
に沿う要部縦断面図である。ここに示す例は第２
のケース２５のマイクロストリツプライン７１の
端部側にねじ８を設け、このねじ８を螺合して出
し入れすることによつて、ねじ８とマイクロスト
リツプライン７１の中心導体７１１との間の静電
容量を可変するようにしたものである。したがつ
て、この実施例によれば外部から簡単に位相調整
を行なうことができるという利点がある。なお、
ねじ８およびマイクロストリツプライン７１の間
にたとえばエポキシ樹脂などを充填し、そのエポ
キシ樹脂の量を加減することにより位相調整ねじ
８とマイクロストリツプライン７１の中心導体７
１１との間の静電容量を変化させて位相を調整す
るようにしてもよい。また、エポキシ樹脂はネジ
８をロツクするための作用を兼ねることもでき
る。
の例を示す断面図であり、第６図ａは要部平面断
面図であり、第６図ｂは第６図ａに示す線―
に沿う要部縦断面図である。ここに示す例は第２
のケース２５のマイクロストリツプライン７１の
端部側にねじ８を設け、このねじ８を螺合して出
し入れすることによつて、ねじ８とマイクロスト
リツプライン７１の中心導体７１１との間の静電
容量を可変するようにしたものである。したがつ
て、この実施例によれば外部から簡単に位相調整
を行なうことができるという利点がある。なお、
ねじ８およびマイクロストリツプライン７１の間
にたとえばエポキシ樹脂などを充填し、そのエポ
キシ樹脂の量を加減することにより位相調整ねじ
８とマイクロストリツプライン７１の中心導体７
１１との間の静電容量を変化させて位相を調整す
るようにしてもよい。また、エポキシ樹脂はネジ
８をロツクするための作用を兼ねることもでき
る。
第７図はこの発明の一実施例に含まれる位相調
整手段のさらに他の例を示す縦断面図であり、第
７図ａは要部平面断面図を示し、第７図ｂは第７
図ａに示す線―に沿う要部縦断面図である。
ここに示す実施例はマイクロストリツプライン７
１の中心導体７１１の端部にピン７５を接続した
ものである。そして、位相調整ねじ９に、前記ピ
ン７５が挿通し得る孔９１が形成された絶縁体ブ
ツシング９２を収納する。この絶縁体ブツシング
９２は、たとえばテフロン（登録商標）などによ
つて形成する。そして、ねじ９を螺合してピン７
５と位相調整ねじ９との間の静電容量を変えて位
相を調整する。
整手段のさらに他の例を示す縦断面図であり、第
７図ａは要部平面断面図を示し、第７図ｂは第７
図ａに示す線―に沿う要部縦断面図である。
ここに示す実施例はマイクロストリツプライン７
１の中心導体７１１の端部にピン７５を接続した
ものである。そして、位相調整ねじ９に、前記ピ
ン７５が挿通し得る孔９１が形成された絶縁体ブ
ツシング９２を収納する。この絶縁体ブツシング
９２は、たとえばテフロン（登録商標）などによ
つて形成する。そして、ねじ９を螺合してピン７
５と位相調整ねじ９との間の静電容量を変えて位
相を調整する。
第８図はこの発明のさらに他の実施例を示す平
面断面図である。ここに示す実施例は前述の第３
図と第７図とを組み合わせたものでさらにピン７
５に励振棒としての作用をもおこなわせてある。
すなわち、マイクロストリツプライン７１の中心
導体７１１の端部にピン７５を接続し、このピン
７５が入力結合窓２１７を介して誘電体共振素子
１１と電磁結合する。また、位相調整はマイクロ
ストリツプライン７１の中心導体７１１を前述の
第４図に示したようにたとえば蛇行して形成し、
予め位相を粗調整する。そして、位相の微調整に
はピン７５の先端部に設けられた位相調整ねじ９
を螺合することによつて行なう。
面断面図である。ここに示す実施例は前述の第３
図と第７図とを組み合わせたものでさらにピン７
５に励振棒としての作用をもおこなわせてある。
すなわち、マイクロストリツプライン７１の中心
導体７１１の端部にピン７５を接続し、このピン
７５が入力結合窓２１７を介して誘電体共振素子
１１と電磁結合する。また、位相調整はマイクロ
ストリツプライン７１の中心導体７１１を前述の
第４図に示したようにたとえば蛇行して形成し、
予め位相を粗調整する。そして、位相の微調整に
はピン７５の先端部に設けられた位相調整ねじ９
を螺合することによつて行なう。
なお、ここに示す実施例のマイクロストリツプ
ライン７１の代わりに同軸ケーブル５を用いても
よい。
ライン７１の代わりに同軸ケーブル５を用いても
よい。
以上のように、この発明によれば、第１のケー
スの隔壁によつて空洞を形成して、その空洞内に
誘電体共振素子を配置し、この第１のケースに対
して着脱自在に第２のケースを設け、その第２の
ケース内に増幅器を収納し、第１のケースの隔壁
に形成した出力結合窓を介して増幅器の出力側か
らの漏洩高周波成分を誘電体共振素子に結合さ
せ、結合手段によつて増幅器の入力側と誘電体共
振素子とを結合させることができる。したがつ
て、結合窓の大きさと結合手段の構成とを変える
だけで、帰還利得を調整することができるので、
ケースの外径寸法を変える必要がなく、発振周波
数の異なる発振器を製造する場合であつても外径
寸法を統一することができる。したがつて、多品
種少量生産に有利に用いることができる。また、
誘電体共振素子や増幅器や位相調整手段を第１お
よび第２のケースにより一体化したことによつ
て、ケースの外径寸法を小型化できる。さらに、
増幅器の出力側と誘電体共振素子とを結窓によつ
て結合するようにしているため、従来の発振器の
ように方向性結合器やRFモニタなどを用いる必
要がなくかつしたがつてRFモニタによつて帰還
利得が減衰することなく、その分だけ増幅器の利
得を小さくすることができる。さらに、位相調整
も全体形状をかえることなく達成できる。
スの隔壁によつて空洞を形成して、その空洞内に
誘電体共振素子を配置し、この第１のケースに対
して着脱自在に第２のケースを設け、その第２の
ケース内に増幅器を収納し、第１のケースの隔壁
に形成した出力結合窓を介して増幅器の出力側か
らの漏洩高周波成分を誘電体共振素子に結合さ
せ、結合手段によつて増幅器の入力側と誘電体共
振素子とを結合させることができる。したがつ
て、結合窓の大きさと結合手段の構成とを変える
だけで、帰還利得を調整することができるので、
ケースの外径寸法を変える必要がなく、発振周波
数の異なる発振器を製造する場合であつても外径
寸法を統一することができる。したがつて、多品
種少量生産に有利に用いることができる。また、
誘電体共振素子や増幅器や位相調整手段を第１お
よび第２のケースにより一体化したことによつ
て、ケースの外径寸法を小型化できる。さらに、
増幅器の出力側と誘電体共振素子とを結窓によつ
て結合するようにしているため、従来の発振器の
ように方向性結合器やRFモニタなどを用いる必
要がなくかつしたがつてRFモニタによつて帰還
利得が減衰することなく、その分だけ増幅器の利
得を小さくすることができる。さらに、位相調整
も全体形状をかえることなく達成できる。
第１図はこの発明の背景となる誘電体共振素子
を用いた発振器の概略図である。第２図はこの発
明の一実施例の構造を示す断面図である。第３図
はこの発明の他の実施例を示す構造断面図であ
る。第４図はこの発明の一実施例に含まれる位相
調整手段の一例を示す要部断面図である。第５図
はこの発明の一実施例に含まれる位相調整手段の
他の例を示す要部断面図である。第６図はこの発
明の一実施例に含まれる位相調整手段のさらに他
の例を示す要部断面図である。第７図はこの発明
の一実施例に含まれる位相調整手段のその他の例
を示す要部断面図である。第８図はこの発明のさ
らに他の実施例を示す構造断面図である。 図において、２０はケース、２１１は隔壁、２
１２は空洞、２１３は出力結合合窓、２１４は同
軸ケーブル挿通孔、２１７は入力結合窓、２３は
蓋、１１は誘電体共振素子、４０は増幅器、４１
は出力側整合回路、４２は入力側整合回路、５は
同軸ケーブル、５１は結合ループ、６は出力端
子、７０はセラミツク基板、７１はマイクロスト
リツプライン、７２は励振棒、８，９は位相調整
ねじを示す。
を用いた発振器の概略図である。第２図はこの発
明の一実施例の構造を示す断面図である。第３図
はこの発明の他の実施例を示す構造断面図であ
る。第４図はこの発明の一実施例に含まれる位相
調整手段の一例を示す要部断面図である。第５図
はこの発明の一実施例に含まれる位相調整手段の
他の例を示す要部断面図である。第６図はこの発
明の一実施例に含まれる位相調整手段のさらに他
の例を示す要部断面図である。第７図はこの発明
の一実施例に含まれる位相調整手段のその他の例
を示す要部断面図である。第８図はこの発明のさ
らに他の実施例を示す構造断面図である。 図において、２０はケース、２１１は隔壁、２
１２は空洞、２１３は出力結合合窓、２１４は同
軸ケーブル挿通孔、２１７は入力結合窓、２３は
蓋、１１は誘電体共振素子、４０は増幅器、４１
は出力側整合回路、４２は入力側整合回路、５は
同軸ケーブル、５１は結合ループ、６は出力端
子、７０はセラミツク基板、７１はマイクロスト
リツプライン、７２は励振棒、８，９は位相調整
ねじを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 隔壁によつて形成された空洞を有する第１の
ケース、 前記空洞内に配置される誘電体共振素子、 前記第１のケースに対して、着脱自在に設けら
れる第２のケース、 前記第２のケースに収納される増幅器、 前記第１のケースの隔壁に形成され、前記増幅
器の出力側からの漏洩高周波成分を前記誘電体共
振素子に結合させる出力結合窓、および 前記増幅器の入力側に接続されて、該増幅器の
入力側と前記誘電体共振素子とを結合させる結合
手段を備えた、発振器。 ２ 前記結合手段は、同軸ケーブルを含み、前記
同軸ケーブルの中心導体の一端が前記増幅器の入
力側に接続され、前記中心導体の他端が前記隔壁
を貫通して前記誘電体共振素子近傍に延びて結合
ループを形成し、かつその先端が前記隔壁に接続
されている、特許請求の範囲第１項記載の発振
器。 ３ 前記結合手段は、 前記第１のケースの隔壁の前記出力結合窓とは
異なる位置に形成された入力結合窓と、 その一端が前記増幅器の入力側に接続され、他
端が前記入力結合窓の近傍に延びるマイクロスト
リツプラインとによつて構成される、特許請求の
範囲第１項記載の発振器。 ４ 前記マイクロストリツプラインの前記入力結
合窓側端部には、励振棒が接続される、特許請求
の範囲第３項記載の発振器。 ５ 前記結合手段は、発振条件を満足するように
位相を調整する位相調整手段を含む、特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の発振
器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2475179A JPS55117308A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Oscillator |
| US06/123,061 US4325035A (en) | 1979-03-01 | 1980-02-20 | Oscillator using dielectric resonator |
| DE3007581A DE3007581C2 (de) | 1979-03-01 | 1980-02-28 | Oszillator mit einem dielektrischen Resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2475179A JPS55117308A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55117308A JPS55117308A (en) | 1980-09-09 |
| JPS6141441B2 true JPS6141441B2 (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12146841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2475179A Granted JPS55117308A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Oscillator |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4325035A (ja) |
| JP (1) | JPS55117308A (ja) |
| DE (1) | DE3007581C2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4423397A (en) * | 1980-06-30 | 1983-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator and filter with dielectric resonator |
| FR2502865B1 (ja) * | 1981-03-27 | 1986-08-29 | Thomson Csf | |
| JPS5820009A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-05 | Fujitsu Ltd | 帰還形誘電体発振器 |
| US4540955A (en) * | 1983-03-28 | 1985-09-10 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Dual mode cavity stabilized oscillator |
| JPS60137107A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | マイクロ波固体発振器 |
| IT8622037V0 (it) * | 1986-05-30 | 1986-05-30 | Sebastiano Nicotra | Oscillatore a microonde a risuonatore dielettrico. |
| JPH0648973Y2 (ja) * | 1988-04-12 | 1994-12-12 | アルプス電気株式会社 | 発振器の接続構造 |
| JP2536944Y2 (ja) * | 1990-03-12 | 1997-05-28 | 株式会社村田製作所 | アクティブ共振器 |
| JP3343944B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2002-11-11 | 株式会社村田製作所 | アクティブ帯域通過フィルタ |
| WO2002009269A1 (en) | 2000-07-20 | 2002-01-31 | Paratek Microwave, Inc. | Voltage controlled oscillators including tunable dielectric devices |
| JP2003243930A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | 発振器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047764B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1985-10-23 | ソニー株式会社 | 集積回路化マイクロ波発振器 |
| US4187476A (en) * | 1977-01-31 | 1980-02-05 | Hitachi, Ltd. | SHF band oscillator circuit using FET |
| US4079341A (en) * | 1977-03-01 | 1978-03-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Microwave oscillator having feedback coupled through a dielectric resonator |
| JPS5412553A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Toshiba Corp | Microwave oscillation circuit |
-
1979
- 1979-03-01 JP JP2475179A patent/JPS55117308A/ja active Granted
-
1980
- 1980-02-20 US US06/123,061 patent/US4325035A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-02-28 DE DE3007581A patent/DE3007581C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55117308A (en) | 1980-09-09 |
| DE3007581A1 (de) | 1980-09-04 |
| DE3007581C2 (de) | 1984-09-06 |
| US4325035A (en) | 1982-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2292064C (en) | Line transition device between dielectric waveguide and waveguide, and oscillator and transmitter using the same | |
| US4521746A (en) | Microwave oscillator with TM01δ dielectric resonator | |
| JPH0666589B2 (ja) | 可同調導波管発振器 | |
| US4541120A (en) | Transmitter-receiver module | |
| US5321374A (en) | Transverse electromagnetic mode resonator | |
| US4540955A (en) | Dual mode cavity stabilized oscillator | |
| US6204739B1 (en) | Dielectric resonant apparatus | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| JPS6141441B2 (ja) | ||
| US4321560A (en) | Oscillator using dielectric resonator | |
| US4008446A (en) | Microwave oscillation device whose oscillation frequency is controlled at the resonance frequency of a dielectric resonator | |
| KR20010030828A (ko) | 다중표면 결합형 동축공진기 | |
| JPH027702A (ja) | マイクロ波機器の基板接続構造 | |
| US4143334A (en) | Microwave/millimeter wave oscillator | |
| EP1093217B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
| JP3848860B2 (ja) | 空胴共振器を有する平面回路 | |
| US4386326A (en) | Dielectric-resonator-tuned microwave solid state oscillator | |
| US3533016A (en) | Magnetically tunable negative resistance diode microwave oscillator | |
| US4016507A (en) | Solid state microwave oscillator using coupled TEM transmission lines | |
| US4494087A (en) | Combiner probe providing power flatness and wide locking bandwidth | |
| JPH07336139A (ja) | 発振器 | |
| US4155051A (en) | Harmonically tuned high power voltage controlled oscillator | |
| RU2727277C1 (ru) | Транзисторный генератор СВЧ с электронной перестройкой частоты | |
| US4097822A (en) | Broad-band cavity-tuned transistor oscillator | |
| JPS60242702A (ja) | マイクロ波共振回路 |