JPS6047764B2

JPS6047764B2 - 集積回路化マイクロ波発振器

Info

Publication number: JPS6047764B2
Application number: JP52006159A
Authority: JP
Inventors: 義和村上; 康俊小松
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1977-01-21
Filing date: 1977-01-21
Publication date: 1985-10-23
Also published as: GB1587683A; DE2802461C2; NL190038B; JPS5390850A; DE2802461A1; CA1101085A; NL190038C; US4149127A; NL7800790A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は３端子能動素子を発振素子として用いた高密度
化された集積回路化マ・ｆクロ波発振器に関し、特に簡
単な構成にて温度変化に対して頗る安定に動作するもの
を提案せんとするものてある。

Ｊマイクロ波発振器としては２端子の負性抵抗素子を
発振素子として用いた発振器、又は３端子の能動素子、
例えばガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下ＧａＡ
ｓ−ＦＥＴと略称する）を発振素子として用いた発振器
が知られている。

このＧａＡｓｉ−ＦＥＴを用いた発振器は例えば、１９
７５年８月に刊行された前田、他著ＲＧａＡＳショット
キーゲート電界効果型トランジスタを用いたマイクロ波
帯発振器の設計とその性能ョ■ＥＥＥＭＴＴ−２３Ｎ０
．８、６６１頁〜６６７頁にその設計方針が示されてい
る。又、ＧａＡｓ−ＦＥＴを用いた発振器の利点として
はガンダイオードやインパットダイオードを用いた場合
と比較して低雑音、高効率、低バイアス電圧の特長を有
することがあげられる。そして、３端子の能動素子を発
振素子として用いたマイクロ波発振回路には第１図及び
第２図の等価回路に示すように、直列帰還型発振回路及
び並列帰還型発振回路の２種類がある。

先ず以下にこれ等について説明しよう。

第１図に示す直列帰還型発振回路において、１は発振素
子として３端子能動素子のＧａＡｓ−ＦＥＴであり、２
はそのゲート端子、３はドレイン端子、４はソース端子
である。５は正帰還回路としての直列帰還回路であり、
これは誘導性又は容量性素子６，７より構成されており
、これ等素子６，７はいづれか一方が誘導性であるとき
他方は容量性となるように選定されている。

そして、ゲート端子２は正帰還回路５の容量性、又は誘
導性素子６に接続され、ソース端子４は同様に正帰還回
路５の誘導性又は容量性素子７に接続され、更にドレイ
ン端子３は負荷インピーダンス素子８に接続され、こ−
れ等素子６，７，８の他端は共通に接続される。又、第
２図の並列帰還型回路において、１は同様に発振素子と
して３端子能動素子のＧａＡｓ一ＦＥＴてあり、９は正
帰還回路としての並列帰還回路である。この並列帰還回
路９は誘導性又は容ｊ量性素子１０，１１より構成され
ており、素子１０，１１は一方が誘導性てあるとき他方
は容量性であるように選定されている。誘導性又は容量
性素子１０は３端子能動素子のＧａＡｓ−ＦＥＴｌのゲ
ート端子２とソース端子４との間に接続され、他！の容
量性又は誘導性素子１１はＧａＡｓ−ＦＥＴｌのゲート
端子２とドレイン端子３との間に接続される。そして、
負荷アドミッタンス素子１２はＧａＡｓ−ＦＥＴのドレ
イン端子３とソース端子４との間に接続される。
ク上述した第１図及ひ第２図の
発振回路はその正帰還回路５，９マイクロストリップ●
ライン等の線路を用いて製作することにより集積回路化
マイクロ波発振器を構成することができる。次に、第１
図に示す直列帰還型発振器の具体的な構成例を、第３図
を参照して説明しよう。

１３はマイクロ波用集積回路の基板であり、例えばアル
ミナＡｌ２Ｏ３より成る誘電体の裏面に一様に導電層が
形成され、誘電体の表面に所望のパターンの導電層が形
成されているものである。

そして、この基板１３上には３端子の発振用能動素子と
してのＧａＡｓ−ＦＥＴｌが設けられている。ＧａＡｓ
−ＦＥＴｌのゲート端子２は第１図における素子６）を
構成する先端開放のマイクロストリップライン１５に接
続され、ソース端子４は素子７を構成する先端短絡のマ
イクロストリップライン１６に接続される。即ち、マイ
クロストリップライン１６の先端はアース導体１７に接
続されていることに−より短絡されるように成されてい
る。一方、ドレイン端子３はマイクロストリップライン
１８に接続され、このマイクロストリップライン１８は
直流阻止用のギャップ容量１９を介して高周波数出力端
子２０に接続される。又、基板１３上には高インプーダ
ンスリード線２１，２２が設けられており、その先端は
ゲート端子２に接続されたマイクロストリップライン１
５及びドレイン端子３に接続されたマイクロストリップ
ライン１８に接続される。

そして、これ等リード線２１，２２を介して外部よりＧ
ａＡｓ−ＦＥＴｌのゲートとドレインに夫々負及び正の
直流バイアスが印加されている。尚、上述した構成にお
いてマイクロストリップライン１５，１６，１８はその
長さによつてマイクロ波の波長との関係により容量性素
子又は誘導性素子と成り得るものてあり、マイクロスト
リップライン１５，１６，１８の長さは適宜選定されて
いる。

ところで、第１図の直列帰還型発振器の等価回路は上述
したように第１図で示されるから、今、第１図を参照し
ながらその動作を述べる。

負荷インピーダンス素子８の両端から正帰還回路５をも
含めて能動素子１側を見た出カインピ−タンスをＺＯｕ
ζ負荷インピーダンス素子８のインピーダンスをＺＬと
すると回路の発振周波数Ｆ。は周波数発振条件てある（
１）式を満足する周波数として定まる。又、図示は省略
するが第２図の等価回路で示される並列帰還型発振器の
場合にあつては回路の発振周波数ちは同様に（２）式を
満足する周波数として定まる。

（１）又は（２）の左辺の関数をＦとするとこれは角周
波数ω、能動素子及びマイクロストリップライン等の受
動素子など発振器を構成する総ての回路パラメータを変
数とする関数である。

一方、各々の回路パラメータは温度Ｔの変化によつて変
化することから温度Ｔの関数であり、関数Ｆは角周波数
ω及び温度Ｔの関数であるから、関数ＦはＦ（ω、Ｔ）
て表わすことができる。このとき発振条件は次の（３）
式で表わされる。従つて、（３）式より発振周波数の角
周波数ωの温度変化尊は（４）式て表わすことができる
。

これより、（４）式から発振周波数の角周波数ωの温度
変化ε卜を小さくするには謀を小さくするかあるいはα
？を大きくすれば良い。ところて第３図に示すように従
来の集積回路化マイクロ波発振器ではマイクロストリッ
プライン等の線路を単に先端開放または先端短絡させて
帰還回路を構成しており、この場合には（４）式におけ
る？眉の値はさ程大きく選ぶことができず、従つて発振
周波数の温度変化寺をあまり小さくすることはできなか
つた。

斯かる点に鑑み、本発明は簡単な構成により容易に温度
の変化に拘わらす発振周波数を安定化させることのでき
るこを種集積回路化マイクロ波発振器を提供せんとする
ものである。

第１の本発明は、第１及び第２の端子並びに出力電極と
なる第３の端子を有する発振用能動素子と、第１及び第
２の端子並ひに第３の端子にそれぞれ接続された複数の
帰還素子とを有し、この複数の帰還素子は誘電体基板上
に形成されたマイクロストリップラインを含んで構成さ
れ、第１及び第２の端子に接続された帰還素子の一つは
、マイクロストリップラインとこのマイクロストリップ
ラインに磁界結合された誘電体共振器とを含む帰還素子
部分を有すると共に、この帰還素子部分と第１または第
２の端子とは所要の線路部分を介して接続されて成り、
誘電体共振器の共振周波数において、帰還素子部分が純
抵抗として機能すると共に、第１または第２の端子に接
続された帰還素子のリアクタンスが発振条件を満たすよ
うになした集積回路化マイクロ波発振器である。

第２の発明は、第１及び第２の端子並びに出力電極とな
る第３の端子を有する発振用能動素子と、第１、第２の
端子間、第１、第３の端子間及び第２、第３の端子間に
それぞれ接続された複数の帰還素子とを有し、この複数
の帰還素子は誘電体基板上に形成されたマイクロストリ
ップラインを含んで構成され、第１、第２の端子間及び
第１、第３の端子間に接続された帰還素子の一つは、マ
イクロストリップラインとこのマイクロストリップライ
ンに磁界結合された誘電体共振器とを含む帰還素子部分
を有すると共に、この帰還素子部分と第１または第２の
端子とは所要の線路部分を介して接続されて成り、誘電
体共振器の共振周波数において、帰還素子部分が純抵抗
として機能すると共に、第１、第２の端子間及び第１、
第３の端子間に接続された帰還素子の一つのリアクタン
スが発振条件を満たすようになされた集積回路化マイク
ロ波発振器である。

以下に第４図及び第５図を参照して本発明の一ノ実施例
を説明する。

第４図は本発明集積回路化マイクロ波発振器の一例の具
体構成を示す平面図である。又、第５図は第４図の等価
回路図であるが、上述の図と対応する部分には同一符号
を付して説明する。第４図において、発振素子としての
７３端子能動素子１としては高周波数特性の優れたＧａ
Ａｓ−ＦＥＴが用いられており、又線路としてはマイク
ロストリップラインが用いられている。更に、２４は誘
電体共振器てあり、例えば誘電率が３０〜４０であつて
円筒型のものである。そして、フＧａＡｓ−ＦＥＴｌの
第２の端子としてのソース端子４はマイクロストリップ
ライン１６に接続され、その先端はアース導体１７に接
続されて短絡されることによりインピーダンス素子２７
が構成される。ＧａＡｓ−ＦＥＴｌの第１の端子として
のゲート端子２はマイクロストリップライン２３に接続
され、このマイクロストリップライン２３の先には誘電
体共振器２４が結合され、その先端は開放されることに
よりインピーダンス素子２６が構成される。又、Ｇａ．
Ａｓ−ＦＥＴｌの第３の端子としてのドレイン端子３は
マイクロストリップライン１８に接続されることにより
負荷としての素子２８が構成され、マイクロストリップ
ライン１８は直流阻止用のギャップ容量１９を介して高
周波出力端子２０に接続される。そして、この出力端子
２０とアース導体１７との間には例えば５０Ωの負荷抵
抗が接続され、ここに高周波出力が供給される。そして
、これ等インピーダンス素子２６，２７及び負荷として
の素子２８によつて直列帰還回路５が構成される。更に
、第３図に示す従来の発振器の場合と同様にして基板１
３上には高インピーダンスリード線２１，２２が設けら
れており、これ等によつてＧａ．Ａｓ−ＦＥＴｌのゲー
ト端子２とドレイン端子３に負及び正の直流バイアス電
圧が印加されている。次に、マイクロストリップライン
２３，１６，１８及び誘電体共振器２４の具体的な位置
関係について説明しよう。

今、設計された発振周波数における伝播波長をλ８とす
ると、ゲート端子２に接続されたマイクロストリップラ
イン２３の長さはこの伝播波長λ，と等しく選定されて
おり、ゲート端子２の末端てあるＡ点からヤの位置てあ
るＢ点には周波数調整用のスタブ２５が設けられる。更
に、スタブ２５からケ離れたＣ点でマイクロストリップ
ライン２３は誘電率が３０〜４０である円筒形の誘電体
共振器２４と結合される。これはマイクロストリップラ
イン２３上ではこの結合点において電流分布が最大とな
り、マイクロストリップライン２３と誘電体共振器２４
との結合が最も強くなるからである。そして、この結合
点からヤ離れたマイクロストリップライン２３の端部は
開放されるように成されている。尚、集積回く路化マイ
クロ波発振器ては誘電率等で伝播波長λ，が変化して短
かくなるように成されている。マイクロストリップライ
ン２３上のスタブの設けられたＢ点から誘電体共振器２
４側を見たインピーダンス、即ちマイクロストリップラ
イン２３と、Ｂ点からヤの位置においてこのマイクロス
トリップライン２３と磁界結合された誘電体共振器２４
の合成インピーダンスは純抵抗分Ｒとなり、帰還素子部
分を構成する。ところで、このＲの値は誘電体共振器２
４の負荷Ｑの値及び結合係数とから定まり、マイクロ波
集積回路の線路てあるマイクロストリップラインの特性
インピーダン）スｂに比べて十分に大きな値である。又
、Ｂ点から午離れた点Ａから帰還回路５側を見たインピ
ーダンス乙は抵抗分が１１Ｒ、リアクタンス分、即ちＡ
点からヤのマイクロストリップライン２３とスタブ２５
によつて形成された所要の線路部分のリアクタンス分が
スタブ２５の線路長から定まるある値Ｘ１となる。従つ
て、第４図に示すこの発振器の等価回路は第５図のよう
に表わすこと゛ができる。第５図の等価回路はＧａＡｓ
−ＦＥＴｌのゲート端子２が誘電体共振器２４のインピ
ーダンスに相当するインピーダンス素子２６に接続され
、ソース端子４がインピーダンス素子２７に接続され、
ドレイン端子３が負荷としての素子２８に接続され、こ
れ等の素子２６，２７及び負荷２８の他端は接地される
。尚、点Ａから帰還回路５側を見たインピーダンス乙の
抵抗分１１Ｒの値が十分に小さくないと、設計上の発振
周波数において出力インピーダンスＺＯｕｔの実数頂部
分が負、即ちＲｅ（ＺＯｕｔ）〈０とはならず、この周
波数で発振する発振器を構成することはできない。

しかし、抵抗分１ノＲの値が十分に小さければ、スタブ
２５の長さを適当に定めることにより、インピーダンス
乙のリアクタンス分Ｘ１を設計周波数で上述した周波数
条件を満足するような値にして、目的とする発振器を構
成することが可能となる。次に、本発明の他の実施例を
第６図を参照して説明しよう。

即ち、第６図においては上述した第４図において、Ｇａ
Ａｓ−ＦＥＴｌのゲート端子の接続されるマイクロスト
リップライン２３の先端を無反射終端２９で終端するよ
うにしているものである。このように構成することによ
り、誘電体共振器２４の共振周波数以外の周波数では、
スタブ２５により共振する周波数を除いてＡ点から帰還
回路５を見たインピーダンス乙の抵抗分はマイクロスト
リップライン２３の特性インピーダンスＺ。にほぼ等し
くなる。従つて、負荷インピーダンスＺＯｕｔの実数頂
部分が正、即ちＲｅ（んＵｔ）〉０となつて上述した発
振条件を全く満足しないため、マイクロ波発振器は寄生
発振の発生を抑えることが可能となる。次に、本発明の
更に他の実施例を第７図を参照して説明しよう。

即ち、ここにおいては第６図においてマイクロストリッ
プライン２３をコ字形に折曲げて延長させ、マイクロス
トリップライン２３上でケの寄数倍だけ離れた２点即ち
点Ｃ１点Ｄにおいてマイクロストリップライン２３と誘
電体共振器２４とを結合させている。そして、折曲げら
れたマイクロストリップライン２３の端部は開放されて
いる。尚、ここでλ２はマイクロ波の発振周波数の伝播
波長である。即ち、このように構成することにより、マ
イクロストリップラインー２３と誘電体共振器２４とは
結合度大にして結合され、共振周波数においてＢ点から
誘電体共振器２４側を見た抵抗Ｒを第４図の場合よりも
更に大きくすることができる。従つて、Ａ点から帰還回
路５側を見たインピーダンス乙の抵抗分１１Ｒを非常に
小さくすることが可能となる。この結果、能動素子とし
て高周波特性が特に優れたものを使用しない場合であつ
ても、ドレイン端子３から直列型帰還回路５をも含めて
能動素子１側を見た出力インピーダンスＺＯｕｔの実数
項が負、即ちＲｅ（んＵｔ）〈０となり、電力出力発振
条件か満足される。更に、本発明は第８図に示すように
構成することもできる。

即ち、この場合は、第７図において折曲げられたマイク
ロストリップライン２３の端部は無反射終端２９によつ
て終端されており、このように構成することにより、マ
イクロ波発振器では寄生発振の可能性が抑えられる。と
ころで、上述の例においては本発明を全て直列帰還型マ
イクロ波発振器に適用した例についてのみ説明したが、
本発明は第９図に示すように並列帰還型マイクロ波発振
器に適用することもできる。

即ち、この場合には、発振用能動素子としてのＧａＡｓ
−ＦＥＴｌの第１の端子としてのゲート端子２はマイク
ロ波の発振周波数の伝播波長λ，の長さを有するマイク
ロストリップライン２３に接続され、ゲート端子２の基
部点Ａから３１４λ８だけ離れた点Ｃにおいてマイクロ
ストリップライン２３と誘電体共振器２４とが結合され
る。又、ＧａＡｓ−ＦＥＴｌの端子としてのソース端子
４はその基部から直接アース導体１７に接続される。こ
の例においても、マイクロストリップライン２３−λｇ
と、Ｂ点かケΣの位置においてこのマイクロストリップ
ライン２３と磁界結合された誘電体共振器２４の合成イ
ンピーダンスは、共振周波数において純抵抗Ｒを有する
帰還素子部分となる。

更に、マイクロストリップライン２３のゲート端子２の
基部の点Ａからヤだけ離れた点Ｂから直角にマイクロス
トリップライン３２が延長され、ｙの点で更に直角に折
曲げられる。又、トレイン端子３に接続されたマイクロ
ストリップライン１８のドレイン端子３の基部から午だ
け離れた点から直角にマイクロストリップライン３３が
延長され、ケの点で更に直角に折曲げられる。そして、
マイクロストリップライン３２と３３との間にはギャッ
プ３４が設けられ、これにより第２の帰還回路Ｆ２が構
成される。又、上述の場合と同様にして基板１３上には
高インピーダンスリーａド線２１，２２が設けられてお
り、これ等によつてＧａＡｓ−ＦＥＴｌのゲート端子２
とドレイン端子３とに負及び正の直流バイアスが供給さ
れる。上述した第９図の例の等価回路は上述の第２図と
同様に示され、マイクロストリップライン２３ノとこれ
に結合された誘電体共振器２４とでインピーダンス素子
１０が構成される。又、マイクロストリップライン３２
，３３及びこれ等の間に設けられたギャップ容量３４と
でインピーダンス素子１１が構成される。更に、マイク
ロストリツプラ２イン１８によりインピーダンス素子１
２が構成される。次に、第１０図を参照して本発明マイ
クロ波発振器によつて発振周波数が安定化された効果を
説明しよう。

即ち、第１０図は発振周波数の安定化が図られていない
第３図に示す従来のマイクロ波発振器と、誘電体共振器
が設けられて発振周波数の安定化が図られた第８図に示
す本発明マイクロ波発振器の一例とにおいて、温度で変
化するパラメータとして相互コンダクタンスＧｍを選び
ＧａＡｓ−ＦＥＴｌの相互コンダクタンス胛を中心値か
ら±１０％変化させた場合における夫々の発振周波数の
温度変化を比較して示したものである。図中、横軸には
相互コンダクタンス胛の変化量ΔＧｒ［１／ＧｒＴｌＯ
をとり、縦軸には設計された発振周波数１１ＧＨｚから
の発振周波数の偏位Δｆ／ＦＯをとつている。即ち、こ
れにより第３図に示す従来のマイクロ波発振器の周波数
変動は曲線３０で示され、第８図に示す本発明マイクロ
波発振器の一例の周波数変動は曲線３１て示されており
、本発明の場合は従来の場合に比較して温度変化に対す
る周波数変動は５．７％程度に改善されたことが理解さ
れよう。尚、上述において第４図、第６図、第７図、第
８図ではスタブ２５を設けることにより、設計発振周波
数で周波数発振条件が満足されるように成されている。

しかし、ここでマイクロストリップライン２３と誘電体
共振器２４との結合を十分に大きくとつておきさえすれ
ば、点Ａ及びＢ間の長さを適宜調整することにより、ス
タブ２５を取り除いた所要の線路部分を構成することも
勿論可能であり、このとき点Ａから帰還回路５側を見た
インピーダンス４の抵抗分はそれ程大きくならずに済む
。そして、スタブ２５を取り除いてマイクロストリップ
ライン２３の先端を無反射終端２９で。終端すれば、ス
タブによる共振はなく、誘電体共振器２４の共振周波数
以外の周波数て寄生発振する可能性は全くない。斯くし
て、本発明集積回路化マイクロ波発振器によれは発振用
能動素子の第１及び第２の端子並．びに出力電極となる
第３の端子にそれぞれ帰還素子を接続し、第１及び第２
の端子に接続された帰還素子の一つは、マイクロストリ
ップラインとこのマイクロストリップラインに磁界結合
された誘電体共振器とを含む帰還素子部分を有すると共
（に、この帰還素子部分と第１または第２の端子とは所
要の線路部分を介して接続されて成り、誘電体共振器の
共振周波数において、帰還素子部分が純抵抗として機能
すると共に、第１または第２の端子に接続された帰還素
子のリアクタンスが発振条件を満たすようになされたの
で、帰還回路を構成するマイクロストリップラインの一
部を設計された発振周波数て共振するような誘電体共振
器と結合させることにより、発振周波数付近で帰還回路
のリアクタンス分を大きく変化させることができ、上述
した（４）式におけるＲ？を大きく設定することによつ
て発振周波数を温度変化に対して頗るｌ安定化させるこ
とができる。

又、誘電体共振器を温度係数か零となるようにあるいは
発振器の温度特性を補償する温度係数となるように設定
すれば、発振周波数はよソー層安定化される。

更に、本発明は発振用能動素子の第１、第２の端子間第
１、第３の端子間及ひ第２、第３の端子間にそれぞれ帰
還素子を接続し、第１、第２の端子間及び第１、第３の
端子間に接続された帰還素子の一つは、マイクロストリ
ップラインとこのマ”イクロストリツプラインに磁界結
合された誘電体共振器とを含む帰還素子部分を有すると
共に、この帰還素子部分と第１または第２の端子とは所
要の線路部分を介して接続されて成り、誘電体共振器の
共振周波数において、帰還素子部分が純抵抗として機能
すると共に、第１、第２の端子間及び第１、第３の端子
間に接続された帰還素子の一つのリアクタンスが発振条
件を満たすようにした場合にあつても同様にして発振周
波数付近で帰還回路のリアクタンス分を大きく変化させ
ることができ、発振周波数を安定化させることができる
。

尚、上述した第６図、第８図に示す実施例において無反
射終端２９を基板１３上において構成したが、これは必
ずしも基板１３上において構成する必要はなく、基板１
３の外部で同軸無反射終端を用いて構成しても周波数を
安定化させる効果は同様である。更に、また、誘電体共
振器２４としては本実施例のように円筒形の誘電体共振
器だけでなく、直方体の誘電体共振器を用いたとしても
全く同様にして安定化された集積回路化マイクロ波発振
器を構成することができる。更に、上述した例において
はＧａＡｓ−ＦＥＴｌのゲート端子２が接続されるマイ
クロストリップライン１５に結合させて誘電体共振器２
４を設けたが、この誘電体共振器２４はソース端子４が
接続されるマイクロストリップライン１６に結合させて
設けても良く、この場合も上述と同様な結果が得られる
。

又、上述において第４図、第６図、第７図、第８図は直
列帰還型発振回路を例にとつて示し、第９図は並列帰還
型発振回路を例にとつて示したが、これ等直列帰還型及
び並列帰還型を併用して用いても良く、この場合にも温
度変化に対し周波数を高安定にして発振させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の３端子半導体能動素子を用いた直列帰還
型マイクロ波発振器の等価回路を示す回路図、第２図は
同じく並列帰還型マイクロ波発振器の等価回路を示す回
路図、第３図は従来の集積回路化マイクロ波発振器の構
成を示す平面図、第４図は本発明集積回路化マイクロ波
発振器の一例の具体構成を示す平面図、第５図は第４図
の等価回路を示す回路図、第６図、第７図、第８図及び
第９図は本発明の他の実施例の具体構成を示す平面図、
第１０図は本発明集積回路化マイクロ波発振器の発振周
波数の安定度を従来の発振器の場合と比較して示した特
性曲線図である。１は発振用能動素子としてのＧａＡｓ−ＦＥＴｌｌ５，
ｌ６，ｌ８，２３，２５，３２，３３はマイクロストリ
ップライン、２４は誘電体共振器である。

Claims

【特許請求の範囲】１第１及び第２の端子並びに出力電極となる第３の端
子を有する発振用能動素子と、上記第１及び第２の端子
並びに第３の端子にそれぞれ接続された複数の帰還素子
とを有し、該複数の帰還素子は誘電体基板上に形成され
たマイクロストリップラインを含んで構成され、上記第
１及び第２の端子に接続された上記帰還素子の一つは、
上記マイクロストリップラインと該マイクロストリップ
ラインに磁界結合された誘電体共振器とを含む帰還素子
部分を有すると共に、該帰還素子部分と上記第１または
第２の端子とは所要の線路部分を介して接続されて成り
、上記誘電体共振器の共振周波数において、上記帰還素
子部分が純抵抗として機能すると共に、上記第１または
第２の端子に接続された帰還素子のリアクタンスが発振
条件を満たすようになされたことを特徴とする集積回路
化マイクロ波発振器。２第１及び第２の端子並びに出力電極となる第３の端
子を有する発振用能動素子と、上記第１、第２の端子間
、上記第１、第３の端子間及び上記第２、第３の端子間
にそれぞれ接続された複数の帰還素子とを有し、該複数
の帰還素子は誘電体基板上に形成されたマイクロストリ
ップラインを含んで構成され、上記第１、第２の端子間
及び上記第１、第３の端子間に接続された上記帰還素子
の一つは、上記マイクロストリップラインと該マイクロ
ストリップラインに磁界結合された誘電体共振器とを含
む帰還素子部分を有すると共に、該帰還素子部分と上記
第１または第２の端子とは所要の線路部分を介して接続
されて成り、上記誘電体共振器の共振周波数において、
上記帰還素子部分が純抵抗として機能すると共に、上記
第１、第２の端子間及び上記第１、第３の端子間に接続
された帰還素子の一つのリアクタンスが発振条件を満た
すようになされたことを特徴とする集積回路化マイクロ
波発振器。