JPS6141445B2 - - Google Patents
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- JPS6141445B2 JPS6141445B2 JP12260678A JP12260678A JPS6141445B2 JP S6141445 B2 JPS6141445 B2 JP S6141445B2 JP 12260678 A JP12260678 A JP 12260678A JP 12260678 A JP12260678 A JP 12260678A JP S6141445 B2 JPS6141445 B2 JP S6141445B2
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- Japan
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- film
- interdigital
- etching
- acoustic wave
- surface acoustic
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面フイルターの強固なワイヤー
ボンデイング部を形成する製造方法に関するもの
である。
ボンデイング部を形成する製造方法に関するもの
である。
弾性表面波フイルターを高周波帯域（UHF
帯、ＧHz帯等）で使用する場合当然、その高周波
性からすだれ状電極幅の微細化、音速の分散性か
らより低膜厚化が必要である。弾性表面波フイル
ターの製造プロセスにおいて、電極となる金属層
の低膜厚化はそのワイヤーボンデイング強度さら
にその素子の信頼性に大きく影響する。例へば膜
厚2000Å程度のアルミニウム膜に25〓〓の金線を
超音波ボンデングするとその歩留りは約20〜30％
程度、膜厚1000Åではほとんどボンデングは不可
能となる。このため従来は、膜厚2000Å以下のす
だれ状電極を形成する場合所定の電極パターンを
形成後、ボンデイングパツト部だけをマスク再度
マスク蒸着しボンデイング可能な膜厚を確保して
いた。この方法は電極パターン表面を特殊なマス
クで覆いボンデイングパツト部分に再蒸着する方
法あるいは、電極パターン上に再度ホトレジスト
工程を行いボンデイングパツト部分を除いた部分
をレジストで覆つた後、蒸着を行うリフトオフ法
等を用いており、工程が複雑でありかつ、量産性
に欠ける欠点があつた。
帯、ＧHz帯等）で使用する場合当然、その高周波
性からすだれ状電極幅の微細化、音速の分散性か
らより低膜厚化が必要である。弾性表面波フイル
ターの製造プロセスにおいて、電極となる金属層
の低膜厚化はそのワイヤーボンデイング強度さら
にその素子の信頼性に大きく影響する。例へば膜
厚2000Å程度のアルミニウム膜に25〓〓の金線を
超音波ボンデングするとその歩留りは約20〜30％
程度、膜厚1000Åではほとんどボンデングは不可
能となる。このため従来は、膜厚2000Å以下のす
だれ状電極を形成する場合所定の電極パターンを
形成後、ボンデイングパツト部だけをマスク再度
マスク蒸着しボンデイング可能な膜厚を確保して
いた。この方法は電極パターン表面を特殊なマス
クで覆いボンデイングパツト部分に再蒸着する方
法あるいは、電極パターン上に再度ホトレジスト
工程を行いボンデイングパツト部分を除いた部分
をレジストで覆つた後、蒸着を行うリフトオフ法
等を用いており、工程が複雑でありかつ、量産性
に欠ける欠点があつた。
本発明は上記した従来技術の欠点をなくし、強
固でかつ製造の容易なボンデイングパツト部を有
する弾性表面波フイルターの製造方法を提供する
にある。
固でかつ製造の容易なボンデイングパツト部を有
する弾性表面波フイルターの製造方法を提供する
にある。
本発明の要点は、圧電性基板上に種類の異なつ
た金属膜を多層形成し、最初にすだれ状電極と配
線電極部となる領域以外の多層金属膜の部分をエ
ツチングにより除去し、しかる後レジスト膜を残
したまま上記基板上の第２層目の金属層をケミカ
ルエツチングにより配線電極部５を残して除去し
第１層目金属層によるすだれ状電極を形成するよ
うにした弾性表面波フイルタの製造方法である。
た金属膜を多層形成し、最初にすだれ状電極と配
線電極部となる領域以外の多層金属膜の部分をエ
ツチングにより除去し、しかる後レジスト膜を残
したまま上記基板上の第２層目の金属層をケミカ
ルエツチングにより配線電極部５を残して除去し
第１層目金属層によるすだれ状電極を形成するよ
うにした弾性表面波フイルタの製造方法である。
以下、本発明を実施例に基づき図面により説明
する。
する。
第１図、第２図、第３図は本発明による製造プ
ロセスの主要工程におけるデバイス構造の断面を
示す図である。第１図に示す如く圧電性基板１上
に第１層目の金属膜、膜厚2000Åのアルミニウム
膜２を形成し、第２層目に膜厚500Å程度のクロ
ム膜３を形成しさらに第３層目に膜厚2000Åの金
属膜４を形成する。かゝる多層構造膜金属面上に
よく知られたホトレジスト工程により配線電極部
５とすだれ状電極部６とからなる所定のレジスト
パターンをワン・マスク・レベルで形成する。つ
いで第２図に示す如くレジストパターンをマスク
にしてドライブプロセス乾式プロセスによるエツ
チング、イオンエツチングにより不要部分を除去
する。この場合、プラズマエツチングまたは反応
スパツタ技術によつてでもよい。上記不要部分を
除去されたパターンの配線電極部５はすだれ状電
極部に比べ２倍以上の断面積を有して形成されて
いる。つぎに、圧電性基板１側から数えて第２層
目に形成されているクロム膜３のすだれ状電極部
分を完全に除去するまでよく知られたクロム用エ
ツチヤントにより所定時間のケミカルエツチング
を行なう。上記工程で配線電極部５はすだれ状電
極部６に比較して応面積のためエツチングによる
損復はほとんどない。
ロセスの主要工程におけるデバイス構造の断面を
示す図である。第１図に示す如く圧電性基板１上
に第１層目の金属膜、膜厚2000Åのアルミニウム
膜２を形成し、第２層目に膜厚500Å程度のクロ
ム膜３を形成しさらに第３層目に膜厚2000Åの金
属膜４を形成する。かゝる多層構造膜金属面上に
よく知られたホトレジスト工程により配線電極部
５とすだれ状電極部６とからなる所定のレジスト
パターンをワン・マスク・レベルで形成する。つ
いで第２図に示す如くレジストパターンをマスク
にしてドライブプロセス乾式プロセスによるエツ
チング、イオンエツチングにより不要部分を除去
する。この場合、プラズマエツチングまたは反応
スパツタ技術によつてでもよい。上記不要部分を
除去されたパターンの配線電極部５はすだれ状電
極部に比べ２倍以上の断面積を有して形成されて
いる。つぎに、圧電性基板１側から数えて第２層
目に形成されているクロム膜３のすだれ状電極部
分を完全に除去するまでよく知られたクロム用エ
ツチヤントにより所定時間のケミカルエツチング
を行なう。上記工程で配線電極部５はすだれ状電
極部６に比較して応面積のためエツチングによる
損復はほとんどない。
上記の工程およびレジスト除去工程を経て第３
図に示す如く第１層目のアルミニウム金属膜２か
らなるすだれ状電極と第２層目クロム金属膜と金
膜３とからなる十分な膜厚を有する配線電極部６
を形成する。
図に示す如く第１層目のアルミニウム金属膜２か
らなるすだれ状電極と第２層目クロム金属膜と金
膜３とからなる十分な膜厚を有する配線電極部６
を形成する。
以上説明した如く本発明による弾性表面波フイ
ルターの製造方法は従来技術の欠点をなくし、製
造容易な量産性のある配線電極部の高膜厚を確得
できるので、強固なワイヤーボンデイングが自由
に可能となり、信頼度の高い外部回路との接続が
可能である。
ルターの製造方法は従来技術の欠点をなくし、製
造容易な量産性のある配線電極部の高膜厚を確得
できるので、強固なワイヤーボンデイングが自由
に可能となり、信頼度の高い外部回路との接続が
可能である。
第１図、第２図、第３図は本発明による製造プ
ロセスにおける弾性表面波フイルタの各工程にお
ける断面構造の説明図である。 １：圧電性基板、２：アルミニウム金属膜、
３：クロム金属膜、４：金 金属膜、５：配線電
極部形成のレジスト膜、６：すだれ状電極部形成
のレジスト膜。
ロセスにおける弾性表面波フイルタの各工程にお
ける断面構造の説明図である。 １：圧電性基板、２：アルミニウム金属膜、
３：クロム金属膜、４：金 金属膜、５：配線電
極部形成のレジスト膜、６：すだれ状電極部形成
のレジスト膜。
Claims (1)
- １ 圧電性基板上にすだれ状電極と該電極と外部
回路とを電気的に接続する電線配線部とを形成す
る弾性表面波フイルターの製造方法において、上
記基板上に種類の異なる金属膜を２層以上形成
し、ついでレジストパターンをマスクとして上記
多層金属膜の上記すだれ状電極と電線配線部以外
の不要部分をエツチングにより除去し、さらに上
記基板側から第２層目に形成された金属膜のすだ
れ状電極部の全部をエツチングにより除去する工
程を経て配線電極部のみを高膜厚化した弾性表面
波フイルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12260678A JPS5550717A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Manufacture for surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12260678A JPS5550717A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Manufacture for surface acoustic wave filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5550717A JPS5550717A (en) | 1980-04-12 |
| JPS6141445B2 true JPS6141445B2 (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=14840097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12260678A Granted JPS5550717A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Manufacture for surface acoustic wave filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5550717A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124912A (en) * | 1981-12-16 | 1982-08-04 | Hitachi Ltd | Manufacture for surface acoustic wave device |
| JPS5920722U (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | 株式会社東芝 | 弾性表面波デバイス |
| JPS61284991A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム／銅複合箔張基板の回路形成法 |
-
1978
- 1978-10-06 JP JP12260678A patent/JPS5550717A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5550717A (en) | 1980-04-12 |
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