JPS6142123A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6142123A JPS6142123A JP16379584A JP16379584A JPS6142123A JP S6142123 A JPS6142123 A JP S6142123A JP 16379584 A JP16379584 A JP 16379584A JP 16379584 A JP16379584 A JP 16379584A JP S6142123 A JPS6142123 A JP S6142123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- deposition substrate
- transported
- region
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタ装置に係り、特に絶縁性の高い硬質
炭素膜をスパッタ法で成膜するためのスパッタ装置に関
するものであって、薄膜半導体としても用いる。とので
きる欠陥の少ない均一な膜を成膜することの可能な装置
を提供することを目的としている。
炭素膜をスパッタ法で成膜するためのスパッタ装置に関
するものであって、薄膜半導体としても用いる。とので
きる欠陥の少ない均一な膜を成膜することの可能な装置
を提供することを目的としている。
絶縁性の高い硬質炭素膜をス・くツタ法で成膜する技術
においては、膜中の欠陥発生の抑制、炭素含有量の増加
、成膜速度の向上等のため、投入電力を大きくすること
は有効である。この従来の技術に用いられるスパッタ装
置は、例えば特願昭５６−７０２００号（％開昭５７−
２０５３１２号）＝米国特許第４，４３１，５６２号＝
ＥＰ出願１９８２年公開第６４７６ＯＡに提案したもの
に明示されている。
においては、膜中の欠陥発生の抑制、炭素含有量の増加
、成膜速度の向上等のため、投入電力を大きくすること
は有効である。この従来の技術に用いられるスパッタ装
置は、例えば特願昭５６−７０２００号（％開昭５７−
２０５３１２号）＝米国特許第４，４３１，５６２号＝
ＥＰ出願１９８２年公開第６４７６ＯＡに提案したもの
に明示されている。
しかるに、上記提案の従来の技術においては、膜を形成
する堆積基板がターゲット電極と対向する電極上に配置
されるような構造になっていた。
する堆積基板がターゲット電極と対向する電極上に配置
されるような構造になっていた。
そのため、ターゲット電極と対向電極の間で発生するプ
ラズマに直接場されてしまうので、デボジツションとイ
オン及び電子によるボンバードメントが同時に同一場所
で行われることにより、膜中にそれに起因する無数の欠
陥が生じるという問題があった。
ラズマに直接場されてしまうので、デボジツションとイ
オン及び電子によるボンバードメントが同時に同一場所
で行われることにより、膜中にそれに起因する無数の欠
陥が生じるという問題があった。
また、斯かる状況のもとでは、成膜速度も遅く、この点
においても改善する必要があった。
においても改善する必要があった。
本発明は、上記の従来の技術において問題とされていた
ところの、膜中の欠陥をなくシ、均質なＨ，膜を可能な
らしめることと、併せて成膜速度の迅速化を図るもので
ある。
ところの、膜中の欠陥をなくシ、均質なＨ，膜を可能な
らしめることと、併せて成膜速度の迅速化を図るもので
ある。
即ち、本発明においては、薄膜半導体として充分使用に
耐えるための、欠陥が少なく均一な硬質炭素膜を、しか
も能率良く成膜することのできる装置に関するものであ
る。
耐えるための、欠陥が少なく均一な硬質炭素膜を、しか
も能率良く成膜することのできる装置に関するものであ
る。
先ず、本発明に対する理解を深めるために、第２図に示
した模式図により本発明のスパッタ装置の要旨について
説明する。図中の符号（１）は真空管、２Ｄは雰囲気ガ
ス導入管、圓は排気管で、図示してない真空ポンプに直
結されている。（７）は接地電位の電子引抜き対向電極
、Ｕυは炭素質ターゲット電極であシ、マツチングボッ
クス（至）を介して高周波（ＲＦ）電源ｇ５に接続され
ている。＋９１ Ｖｉ従来の技術とは異なシ、容器内で
かつプラズマによる励起ソースのトランスポートする領
域よ勺外＠に配置した堆積基板である。尚、雰囲気ガス
導入管Ｑυからは水素ガスが送られるものとする。
した模式図により本発明のスパッタ装置の要旨について
説明する。図中の符号（１）は真空管、２Ｄは雰囲気ガ
ス導入管、圓は排気管で、図示してない真空ポンプに直
結されている。（７）は接地電位の電子引抜き対向電極
、Ｕυは炭素質ターゲット電極であシ、マツチングボッ
クス（至）を介して高周波（ＲＦ）電源ｇ５に接続され
ている。＋９１ Ｖｉ従来の技術とは異なシ、容器内で
かつプラズマによる励起ソースのトランスポートする領
域よ勺外＠に配置した堆積基板である。尚、雰囲気ガス
導入管Ｑυからは水素ガスが送られるものとする。
ここで、本発明においては、容器即ち真空室（１１内を
概念的に図に示すＡ部、Ｂ部、０部の６つの領域に分け
て考えている。Ａ部は曲線ａで囲まれた範囲を示し、市
、極間及びその周辺に発生しているプラズマ状態の領域
であり、この領域ではターゲット１極から発生したＣ＊
ＣＨ＋ ＣＨ２＋ ＣＨ３ｒ ＣＨ４＋Ｃ２山、 Ｃ
１Ｈａ 等の炭素原子２個以内から成る水素付加物が生
成している。Ｂ部は曲線すで囲まれた電極（７）αυ側
の範囲を示し、プラズマ中に存在する上記の粒子がトラ
ンスポートする領域であって、その速度は雰囲気ガスの
圧力及び電極開市圧によシ決定される。０部はＡ部、Ｂ
部を除いた部分を示し、さらに上記のトランスポートさ
れた粒子が容器内壁に配置した堆積基板上にソフトにデ
ボジツションする領域である。なお、この領域はトラン
スポートされた粒子中の大部分からなる荷電粒子が電界
等の影響を受は易いので、実施に当っては均一な電位例
えば接地電位近傍とするなどの配慮が必要である。
概念的に図に示すＡ部、Ｂ部、０部の６つの領域に分け
て考えている。Ａ部は曲線ａで囲まれた範囲を示し、市
、極間及びその周辺に発生しているプラズマ状態の領域
であり、この領域ではターゲット１極から発生したＣ＊
ＣＨ＋ ＣＨ２＋ ＣＨ３ｒ ＣＨ４＋Ｃ２山、 Ｃ
１Ｈａ 等の炭素原子２個以内から成る水素付加物が生
成している。Ｂ部は曲線すで囲まれた電極（７）αυ側
の範囲を示し、プラズマ中に存在する上記の粒子がトラ
ンスポートする領域であって、その速度は雰囲気ガスの
圧力及び電極開市圧によシ決定される。０部はＡ部、Ｂ
部を除いた部分を示し、さらに上記のトランスポートさ
れた粒子が容器内壁に配置した堆積基板上にソフトにデ
ボジツションする領域である。なお、この領域はトラン
スポートされた粒子中の大部分からなる荷電粒子が電界
等の影響を受は易いので、実施に当っては均一な電位例
えば接地電位近傍とするなどの配慮が必要である。
以上説明したように、本発明のスパッタ装置においては
、従来のスパッタ装置のようにターゲット電極と対向す
る電極上に堆積基板を置き、ターゲット電極からたたき
出された粒子が該基板上に堆積させるのとは異なシ、タ
ーゲット電極及び対向電極はスパッタのための水素付加
物を含む炭素粒子及びエネルギーを供給するだけの役目
をするのみで、ターゲット電極からたたき出された水素
付加物を含む炭素粒子は、プラズマ雰囲気中をトランス
ポートシ、該トランスポート領域の外側の容器壁郷に配
置されている堆積基板にソフトランディングさせること
により、半導体パッシベーション膜、又はそれ自体を水
素付加物を含む炭素の薄膜半導体として提供することの
可能なすぐれた膜を成膜できる。
、従来のスパッタ装置のようにターゲット電極と対向す
る電極上に堆積基板を置き、ターゲット電極からたたき
出された粒子が該基板上に堆積させるのとは異なシ、タ
ーゲット電極及び対向電極はスパッタのための水素付加
物を含む炭素粒子及びエネルギーを供給するだけの役目
をするのみで、ターゲット電極からたたき出された水素
付加物を含む炭素粒子は、プラズマ雰囲気中をトランス
ポートシ、該トランスポート領域の外側の容器壁郷に配
置されている堆積基板にソフトランディングさせること
により、半導体パッシベーション膜、又はそれ自体を水
素付加物を含む炭素の薄膜半導体として提供することの
可能なすぐれた膜を成膜できる。
（１）実施９１ｉ−１
第１図は本発明のスパッタ装置の実施例を示す断面図で
ある。図中第２図と同一符号の箇所は、同一もしくは相
当部分を示す。（］）はＯリング＠などによりシールさ
れる６個のフランジ付円筒からなる金属製真空室即ち容
器である。（２）は金Ｊ！ｊｉ製の上★で、０リング＠
によって気密シールされる。
ある。図中第２図と同一符号の箇所は、同一もしくは相
当部分を示す。（］）はＯリング＠などによりシールさ
れる６個のフランジ付円筒からなる金属製真空室即ち容
器である。（２）は金Ｊ！ｊｉ製の上★で、０リング＠
によって気密シールされる。
Ｏｅは前記上蓋（２）と同材質ｍ１シール構造の下蓋で
、共にシール部を特別に設けた開口部分以外は、溶接な
どの手段により気密保持可能な構造にしである。（３）
は絶縁端子、＋４１＋８１はサスセプター、＋５１＋９
１は絶縁物又は金属製の堆積基板、ｆ６１００はその支
え部材である。この実施例においては、前記堆積基板＋
５）＋９１の配置位置が、プラズマ発光部及びトランス
ポート領域の外側になっている真空室（１１の土壁及び
周壁になっているけれども、これは第２図ＫＣ部として
示したプラズマによる励起ソースのスパッタ粒子がトラ
ンスポートする領域の外側であればよい訳であるから、
必ずしもこの例の位置にのみ限定されるものではない。
、共にシール部を特別に設けた開口部分以外は、溶接な
どの手段により気密保持可能な構造にしである。（３）
は絶縁端子、＋４１＋８１はサスセプター、＋５１＋９
１は絶縁物又は金属製の堆積基板、ｆ６１００はその支
え部材である。この実施例においては、前記堆積基板＋
５）＋９１の配置位置が、プラズマ発光部及びトランス
ポート領域の外側になっている真空室（１１の土壁及び
周壁になっているけれども、これは第２図ＫＣ部として
示したプラズマによる励起ソースのスパッタ粒子がトラ
ンスポートする領域の外側であればよい訳であるから、
必ずしもこの例の位置にのみ限定されるものではない。
ｕＩ）は炭素質ターゲット、（１ｚは電極箱、（１３は
マグネトロン、ｉ＋４１は供給側金属製冷却水管、（（
９は前記冷却水管（１（イ）と同材個装の排水側冷却水
管で、冷却水管ｆｌ！１９の真空室外の−端が冷却水供
給管に溶接で水密にシールされている。
マグネトロン、ｉ＋４１は供給側金属製冷却水管、（（
９は前記冷却水管（１（イ）と同材個装の排水側冷却水
管で、冷却水管ｆｌ！１９の真空室外の−端が冷却水供
給管に溶接で水密にシールされている。
＠は冷却水入口、弼は冷却水出口である。嗜は絶縁材、
０ηはターゲットシールドで、０リング＠によって気密
シールされている。また、（７）は前記ターゲット０υ
と対向する電俸であり、前記ターゲット電極箱ａｚには
真空室（１）の外部に高筒波（ＲＦ）電源の接続部Ｑ２
が設けられている。図示は省略しであるが、この先に第
１図に示すマツチングボックス（２ｈ）直間ｔｌ（ＲＦ
’）電源ｃ５が設けである。（Ｉｆけ熱電対である。Ｑ
υは前記真空室（１）Ｋ設けられた雰囲気ガス導入管で
、ここから水素もしくは水素と弗素等の雰囲気ガンが導
入されるようになっている。■は回じ〈前記真空室ｆｌ
ｌＫ設けられている排気管で、ここから図示しない真空
ポンプに直接接続されていて容器（１１内の減圧が行わ
れるようになっている。
０ηはターゲットシールドで、０リング＠によって気密
シールされている。また、（７）は前記ターゲット０υ
と対向する電俸であり、前記ターゲット電極箱ａｚには
真空室（１）の外部に高筒波（ＲＦ）電源の接続部Ｑ２
が設けられている。図示は省略しであるが、この先に第
１図に示すマツチングボックス（２ｈ）直間ｔｌ（ＲＦ
’）電源ｃ５が設けである。（Ｉｆけ熱電対である。Ｑ
υは前記真空室（１）Ｋ設けられた雰囲気ガス導入管で
、ここから水素もしくは水素と弗素等の雰囲気ガンが導
入されるようになっている。■は回じ〈前記真空室ｆｌ
ｌＫ設けられている排気管で、ここから図示しない真空
ポンプに直接接続されていて容器（１１内の減圧が行わ
れるようになっている。
上記の堆積基板配置（更に比較のため従来と同様対向電
極位置に基板を配置）をした本発明のスパッタ装置にお
いて、１５５．５ＭＨｚの高Ｒ波（ＲＦ）電源を用い、
高純度水素（９９，９９９％）を雰囲気ガスとして導入
しながらスパッタを２ｈ行った。スパッタ条件は次の如
くであった。
極位置に基板を配置）をした本発明のスパッタ装置にお
いて、１５５．５ＭＨｚの高Ｒ波（ＲＦ）電源を用い、
高純度水素（９９，９９９％）を雰囲気ガスとして導入
しながらスパッタを２ｈ行った。スパッタ条件は次の如
くであった。
スパッタ条件：
（１）ターゲット・対向１１！！ｌｉ間距離 ６５■
（１１）水素圧 ２６．７α（０，２Ｔｏｒｒ）Ｇ
ＩＤ 陽極ＩＥ圧２．３ｋＶ （１ｖ）陽極電流 ０．５５ Ａ（Ｖ） 堆積
基板温度 １００℃ 上記スパッタによる基板の各配置位置の特性値を次表に
示す。
（１１）水素圧 ２６．７α（０，２Ｔｏｒｒ）Ｇ
ＩＤ 陽極ＩＥ圧２．３ｋＶ （１ｖ）陽極電流 ０．５５ Ａ（Ｖ） 堆積
基板温度 １００℃ 上記スパッタによる基板の各配置位置の特性値を次表に
示す。
（ＩＩＩ 実施例−２
第１図に示す本発明のスノ（ツタ装置において、雰囲気
ガスとして導入する水素ガスの代りに弗素ガスあるいは
水素・弗素混合ガスを用いるほかは、すべて実施例−１
と同一条件でスパッタを行ったところ、 結果として、耐熱性（光学ギャップが減少を開始する温
度）が、アモルファスＣ：Ｈ（α−Ｃ：Ｈ）膜の６００
℃から、水素・弗素混合ガスを用いた場合の５００℃Ｋ
、又ターゲットにフッ化カーボンを用いた場合も５００
℃と向上した。
ガスとして導入する水素ガスの代りに弗素ガスあるいは
水素・弗素混合ガスを用いるほかは、すべて実施例−１
と同一条件でスパッタを行ったところ、 結果として、耐熱性（光学ギャップが減少を開始する温
度）が、アモルファスＣ：Ｈ（α−Ｃ：Ｈ）膜の６００
℃から、水素・弗素混合ガスを用いた場合の５００℃Ｋ
、又ターゲットにフッ化カーボンを用いた場合も５００
℃と向上した。
上記実権例−１及び実施例−２の結果から明らかなよう
に、本発明のスパッタ装置によれば、次の効果がもたら
されることがＮ認された。
に、本発明のスパッタ装置によれば、次の効果がもたら
されることがＮ認された。
（＆）堆積基板をプラズマに曝されない箇所へ配置した
ことによシ炭素膜の成膜速度が速くなり、均質でかつダ
ングリングボンドの少ない膜の成膜が可能となった。
ことによシ炭素膜の成膜速度が速くなり、均質でかつダ
ングリングボンドの少ない膜の成膜が可能となった。
（ｂ）容器壁部に基板を配置することにより、従来と比
べ利用面積が広くなり、その結果コスト低下に寄与する
。
べ利用面積が広くなり、その結果コスト低下に寄与する
。
第１図は本発明のスパッタ装置の実施例を示す断面図、
第２図は本発明の要旨を模式的に示した断面図である。 （１）・・・真空室（容器）、（２）・・・上蓋、（３
）・・・絶縁端子、（４）・・・サスセプター、（５）
・・・基板、（６）・・・支え部材、（７）・・・対向
電極、（８）・・・サスセプター、（９）・・・基板、
Ｑｌ・・・支え部材、０ｖ・・・炭素質ターゲット、（
１２・・・ターゲット電極箱、（１３・・・マグネトロ
ン、（１４＋・・・冷却水供給管、（１９・・・冷却水
排出管、αｅ・・・絶縁材、０７！・・・ターゲットシ
ールド、０８・・・下蓋、０ト・・熱電対、■・・・排
気管、Ｑυ・・・雰囲気ガス導入管、■・・・ＲＦ電源
の接続部、（ハ）・・・冷却水入口、シ４・・・冷却水
出口、（ハ）・・・ＲＦ電源、Ｉ２ｅ・・・マツチング
ボックス、（２）・・・０リング。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第１図 第２図
第２図は本発明の要旨を模式的に示した断面図である。 （１）・・・真空室（容器）、（２）・・・上蓋、（３
）・・・絶縁端子、（４）・・・サスセプター、（５）
・・・基板、（６）・・・支え部材、（７）・・・対向
電極、（８）・・・サスセプター、（９）・・・基板、
Ｑｌ・・・支え部材、０ｖ・・・炭素質ターゲット、（
１２・・・ターゲット電極箱、（１３・・・マグネトロ
ン、（１４＋・・・冷却水供給管、（１９・・・冷却水
排出管、αｅ・・・絶縁材、０７！・・・ターゲットシ
ールド、０８・・・下蓋、０ト・・熱電対、■・・・排
気管、Ｑυ・・・雰囲気ガス導入管、■・・・ＲＦ電源
の接続部、（ハ）・・・冷却水入口、シ４・・・冷却水
出口、（ハ）・・・ＲＦ電源、Ｉ２ｅ・・・マツチング
ボックス、（２）・・・０リング。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第１図 第２図
Claims (1)
- 雰囲気ガス導入管及び排気管を有する容器内に互いに
対向する一対の電極を設けてなるスパッタ装置において
、堆積基板の配置位置を前記容器内であつてかつプラズ
マによる励起ソースのトランスポートする領域より外側
にしたことを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16379584A JPS6142123A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | スパツタ装置 |
| CA000476208A CA1232228A (en) | 1984-03-13 | 1985-03-11 | Coating film and method and apparatus for producing the same |
| US06/711,018 US4597844A (en) | 1984-03-06 | 1985-03-12 | Coating film and method and apparatus for producing the same |
| DE8585301709T DE3586465T2 (de) | 1984-03-13 | 1985-03-13 | Ueberzugsfilm, verfahren und vorrichtung zur herstellung dieses filmes. |
| EP85301709A EP0155178B1 (en) | 1984-03-13 | 1985-03-13 | A coating film and method and apparatus for producing the same |
| CA000537450A CA1243275A (en) | 1984-03-13 | 1987-05-19 | Apparatus for coating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16379584A JPS6142123A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142123A true JPS6142123A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15780843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16379584A Pending JPS6142123A (ja) | 1984-03-06 | 1984-08-06 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142123A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141930A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Device for formation of thin film |
| JPS58213875A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | スパツタリング方法 |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16379584A patent/JPS6142123A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141930A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Device for formation of thin film |
| JPS58213875A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | スパツタリング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3329601A (en) | Apparatus for coating a cathodically biased substrate from plasma of ionized coatingmaterial | |
| US4173661A (en) | Method for depositing thin layers of materials by decomposing a gas to yield a plasma | |
| US8613828B2 (en) | Procedure and device for the production of a plasma | |
| US3767551A (en) | Radio frequency sputter apparatus and method | |
| US5102523A (en) | Arrangement for the production of a plasma | |
| US5073241A (en) | Method for carbon film production | |
| US5006219A (en) | Microwave cathode sputtering arrangement | |
| CN103764868B (zh) | 溅射薄膜形成装置 | |
| US3892650A (en) | Chemical sputtering purification process | |
| JPH0353065A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS6346575B2 (ja) | ||
| US3839182A (en) | Triode device for sputtering material by means of a low voltage discharge | |
| GB2191787A (en) | Process and arrangement for sputtering a material by means of high frequency | |
| US3532615A (en) | Rf cathode sputtering method | |
| US6495000B1 (en) | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode | |
| JPS5947728A (ja) | プラズマ付着方法および装置 | |
| TWI878239B (zh) | 具有減少電弧的物理氣相沉積(pvd)腔室 | |
| JPH10168565A (ja) | イオン化ｐｖｄ装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2001164360A (ja) | Ｄｃスパッタリング装置 | |
| JPS6380534A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2832360B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2002030432A (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JP3360590B2 (ja) | 高周波イオン源 | |
| JPS5992995A (ja) | 高融点金属シリサイド膜の形成方法 | |
| JPH05206071A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |