JPS614224A - 図形状膜形成装置 - Google Patents

図形状膜形成装置

Info

Publication number
JPS614224A
JPS614224A JP59125848A JP12584884A JPS614224A JP S614224 A JPS614224 A JP S614224A JP 59125848 A JP59125848 A JP 59125848A JP 12584884 A JP12584884 A JP 12584884A JP S614224 A JPS614224 A JP S614224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
forming apparatus
film forming
nozzle
patterned film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59125848A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59125848A priority Critical patent/JPS614224A/ja
Publication of JPS614224A publication Critical patent/JPS614224A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術〕 従来、図形状膜を試料上に直接形成する装置は無く、一
旦、試料上に膜形成後、該膜をホト−リゾグラフィー技
術とエツチング技術により図形状に形成する方法がとら
れていた。
〔目的〕
本発明にかかる従来技術の間接的な方法を廃し試料上に
直接図形状膜を形成する装置を提供する事を目的とする
。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、図
形状膜形成装置に於て、試料上に、イオン線または電子
線を照射すると共に１前記試料上に金属化合物ガスある
いは酸素、窒素あるいは炭素化合物等のガスを導入する
ノズルを具備することを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す図形状膜形式装置の模
式図である。
すなわち、ＳＺウェー八への試料ｌの表面にはＡ？−あ
るいはＧ（ｚ等のイオン・ビーム２が照射されると共に
、ノズル８からｓ　６　Ｈ，等のガスが導入されると、
試料ｌの表面忙はＳ＜膜４がイオン・ビーム２を図形状
に走査させることにより図形状膜が形成される。本操作
は真空内で行なわれ、ノズル８は外部から導入される。
尚イオン−ビーム２は電子ビームであっても良い。
更に、導入ガスを５ＯＵ４と０１とすると８（口２等の
絶縁膜を図形状に形成出来、その他の図形状膜の例とし
て、Ａｔ、ｗ、ｎｏ、Ａｓ、ｃ等あらゆる金属膜あるい
は絶縁膜等を図形状に形成することができる。
尚、ノズルのガス体の断熱膨張圧よる冷却を避けるため
にノズルを加熱することもできる。
〔効果〕
本発明の如く図形状膜が試料上に直接形成出来ることＫ
より、従来のホト・リゾグラフィー処理やエツチング処
理の工程が不要となり、工数が少なく、且つ高精度で図
形状膜が形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す図形状膜形成装置の模
式図である。 １・・・試料 ２Φ・・イオンあるいは電子ビーム ８・・Φノズル ４・・・図形状膜 以　　　上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）試料上に量子線を照射すると共に、前記試料上に
    金属化合物ガスあるいは酸素、窒素あるいは炭素化合物
    等のガスを導入するノズルを具備する事を特徴とする図
    形状膜形成装置。
  2. （２）量子線をイオン線となす事を特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の図形状膜形成装置。
  3. （３）量子線を電子線となす事を特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の図形状膜形成装置。
JP59125848A 1984-06-19 1984-06-19 図形状膜形成装置 Pending JPS614224A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125848A JPS614224A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125848A JPS614224A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS614224A true JPS614224A (ja) 1986-01-10

Family

ID=14920436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59125848A Pending JPS614224A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS614224A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033351A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Sony Corp 配線形成方法
JPH06283535A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法
JPH06283534A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子における配線接続装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033351A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Sony Corp 配線形成方法
JPH06283535A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法
JPH06283534A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子における配線接続装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0496222A (ja) 半導体装置の製造方法
US5139606A (en) Laser bilayer etching of GaAs surfaces
JPS614231A (ja) 図形状エツチング装置
KR930020593A (ko) 고체 표면 가공방법
JPS5877043U (ja) プラズマ処理装置
JPS61203642A (ja) ドライエツチング方法
Dalbeck et al. Ex-situ TDS investigation of carbon monoxide electrosorbed on polycrystalline platinum
JP2699196B2 (ja) Ｘ線露光用マスクの製造方法
JPS58152241A (ja) 高精度マスクの製造方法
JPS6153335A (ja) プラスチツクのドライエツチング法
JPH0452613B2 (ja)
JPH08292197A (ja) 高圧環境下走査式プローブ顕微鏡
JPH03188629A (ja) 半導体の微細パターン形成方法
JPS6187336A (ja) イオン・ビ−ム・エツチング法
JPH0461114A (ja) Ｘ線マスクの製造方法
JPH04323387A (ja) イオンビームエッチング方法
JPH04323388A (ja) イオンビームエッチング方法
JPS62177926A (ja) マスク作製方法
JPH04211125A (ja) ドライエッチング装置
JPH02153083A (ja) エッチング方法
JPS5967623A (ja) 半導体装置の加工方法
JPH01288853A (ja) ドライエッチング方法
JPS59156910A (ja) シリコン酸化膜の形成法
JPS63198327A (ja) 電子ビ−ム脱離による吸着層の超微細パタ−ン形成方法
JPS59110120A (ja) パタ−ン形成方法