JPS614231A - 図形状エツチング装置 - Google Patents

図形状エツチング装置

Info

Publication number
JPS614231A
JPS614231A JP59125850A JP12585084A JPS614231A JP S614231 A JPS614231 A JP S614231A JP 59125850 A JP59125850 A JP 59125850A JP 12585084 A JP12585084 A JP 12585084A JP S614231 A JPS614231 A JP S614231A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
etching apparatus
nozzle
pattern etching
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59125850A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59125850A priority Critical patent/JPS614231A/ja
Publication of JPS614231A publication Critical patent/JPS614231A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術〕 従来、図形状エツチングｆｉ−面接行なう装置は無く、
一旦試料上にホト・リソグラフィー技術とエツチング技
術により図形状にエツチングする方法がとられていた。
〔目的〕
水金明社かかる従来技術の間接的な方法を廃し試料上か
ら直接図形状エツチングする装置を提供する牢を目的と
する。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、図
形状エツチング装置に於て、試料上にイオン線あるいは
電子線を照射す、ると共に、前記試料上に塩素、弗素あ
るいはフレオン等の反応性ガスを導入するノズルを具備
することを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す図形状エツチング装置
の模式図である。
すなわち、ＳＺウェーハ等の試料１の表面にはＡ？−あ
るいはＧα等のイオン・ビーム２が照射されｂと共に１
ノズル８からフレオン・ガスが導入されると、試料１０
表面は溝４がイオン自ビーム２を図形状に走査させるこ
とにより、図形状溝が形成される０本操作は真空内で行
なわれ、ノズル８は外部から導入される。
尚イオン舎ビーム２は電子ビームであっても良い。
更に、導入ガスは試料材質によりて異な゛す、Ａｌの場
合はＢａＩ２　、ｓ’ｚの場合はＣＦ、、５ｚＯ２め場
合はＣＨＦ、等が具体例として上げられる。
尚ノズルのガス体の断熱膨張による冷却を避けるために
ノズルを加熱することもできる。
〔効果〕
本発明の如く図形状溝が試料上に直接形成出来ることに
より、従来のホト−リソグラフィー処理が下架となり、
工数が少なく、且つ高精度で図形状溝が形成できる効果
がある。
し１面の簡単な説明 第１図は本発明の一実施例を示す図形状溝形成装置の模
式図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）試料上に量子線を照射すると共に、前記試料上に
    塩素、弗素あるいはフレオン等の反応性ガスを導入する
    ノズルを具備することを特徴とする図形状エッチング装
    置。
  2. （２）量子線をイオン線となす事を特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の図形状エッチング装置。
  3. （３）量子線を電子線となす事を特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の図形状エッチング装置。
JP59125850A 1984-06-19 1984-06-19 図形状エツチング装置 Pending JPS614231A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125850A JPS614231A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状エツチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125850A JPS614231A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状エツチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS614231A true JPS614231A (ja) 1986-01-10

Family

ID=14920485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59125850A Pending JPS614231A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 図形状エツチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS614231A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265725A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Agency Of Ind Science & Technol 集束イオンビ−ムを用いた半導体基板の加工装置
JPH02183530A (ja) * 1989-01-10 1990-07-18 Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk 半導体素子の作製方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265725A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Agency Of Ind Science & Technol 集束イオンビ−ムを用いた半導体基板の加工装置
JPH02183530A (ja) * 1989-01-10 1990-07-18 Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk 半導体素子の作製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07326562A (ja) 微細パターンの形成方法
TW567394B (en) Apparatus for processing a photomask, method for processing a substrate, and method of employing a plasma reactor to etch a thin film upon a substrate
JP2001521678A (ja) 集束粒子ビーム装置を用いるパターン薄膜修理
JPS5656636A (en) Processing method of fine pattern
JPH08329876A (ja) 観察試料作成方法及びその装置
JPS614231A (ja) 図形状エツチング装置
JPS6351641A (ja) 単結晶または多結晶Ｓｉ膜の微細パタ−ン形成方法
JPS6044825B2 (ja) エツチング方法
JPS614224A (ja) 図形状膜形成装置
JP2699196B2 (ja) Ｘ線露光用マスクの製造方法
JPH0393224A (ja) ドライエッチング方法
JPS60198827A (ja) レ−ザ−ビ−ムエツチング法
JPH0354824A (ja) 半導体加工方法と半導体加工装置
JPH0437129A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JPS6257220A (ja) エツチング装置および方法
JPS62194623A (ja) プラズマエツチング方法
JP3302860B2 (ja) 微細針状構造の加工方法
JPS63124417A (ja) ドライエツチング方法
JP3478739B2 (ja) イオンビーム加工方法およびそれによる被加工物
JPH03129821A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0561185A (ja) フオトマスク
JPS5572036A (en) Preparing semiconductor device
JPS6187336A (ja) イオン・ビ−ム・エツチング法
JPH0472723A (ja) 微細パターン形成方法
JPH06104218A (ja) ドライエッチング方法