JPS6142664A - 情報記録装置 - Google Patents
情報記録装置Info
- Publication number
- JPS6142664A JPS6142664A JP16440084A JP16440084A JPS6142664A JP S6142664 A JPS6142664 A JP S6142664A JP 16440084 A JP16440084 A JP 16440084A JP 16440084 A JP16440084 A JP 16440084A JP S6142664 A JPS6142664 A JP S6142664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- laser beam
- pitch
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は被記録情報信号に対応して変調されたレーザー
ビームで電子写真感光体奄走査する情報記録装置に関す
る。
ビームで電子写真感光体奄走査する情報記録装置に関す
る。
（技術背景）
電子写真の光露光光源としてレーザーを用いた情報記録
装置はすでに、よく知られている。
装置はすでに、よく知られている。
光源としてコヒーレントな光であるレーザー光を使用す
ることにより感光体上に非常に小さなスポット径の光照
射を行う事が可能となり、高解像で鮮明な画像記録が可
能となった。
ることにより感光体上に非常に小さなスポット径の光照
射を行う事が可能となり、高解像で鮮明な画像記録が可
能となった。
一方、電子写真に用いられる感光体としては導電体上に
ｃｄｓ、Ｓｅ、ａ−３ｉ （アモルファスシリコン）
、０ｐｃ（宥機半導体）等の光半導体の感光層を積層し
たものが用いられる。感光層は一層だけでなるもの、複
数の層からなる複合半導体機能分離型のタイプがある。
ｃｄｓ、Ｓｅ、ａ−３ｉ （アモルファスシリコン）
、０ｐｃ（宥機半導体）等の光半導体の感光層を積層し
たものが用いられる。感光層は一層だけでなるもの、複
数の層からなる複合半導体機能分離型のタイプがある。
また、さらに必要に応じて表面に保護層、絶縁層等を有
した感光体もある。
した感光体もある。
如上の感光体はくり返し使用される為にドラム状、ベル
ト状の形態で用いられ、いずれの形状の場合も感光層は
均一な膜厚になる。様に製造がなされているが、実際に
は電位等のムラが実用的な範囲内で問題にならない゛程
度に膜厚の場所による差は有しているものである。
ト状の形態で用いられ、いずれの形状の場合も感光層は
均一な膜厚になる。様に製造がなされているが、実際に
は電位等のムラが実用的な範囲内で問題にならない゛程
度に膜厚の場所による差は有しているものである。
膜厚ムラを有する感光体でも、通常の複写機等で用いら
れる光源１例えば蛍光灯、ハロゲンランプ等のコヒーレ
ントでない光で露光している場合には、膜厚ムラによる
干渉パターンが静電像として発生するといった問題は生
じない。
れる光源１例えば蛍光灯、ハロゲンランプ等のコヒーレ
ントでない光で露光している場合には、膜厚ムラによる
干渉パターンが静電像として発生するといった問題は生
じない。
しかし、光源としてコヒーレントな光であるレーザー光
を用いた場合には、レーザー光は感光層内で、干渉を起
こし感光層の膜厚ムラにより縞状の光強度パターンを生
じてしまう。
を用いた場合には、レーザー光は感光層内で、干渉を起
こし感光層の膜厚ムラにより縞状の光強度パターンを生
じてしまう。
（以下膜厚ムラにより発生する干渉パターンを干渉縞と
呼ぶことにする。） 従って干渉縞が生じない様にする為のレーザー記録用の
感光体の製造には、高いレベルの技術が要求される。
呼ぶことにする。） 従って干渉縞が生じない様にする為のレーザー記録用の
感光体の製造には、高いレベルの技術が要求される。
第３図を用いて従来のレーザー記録に於ける干渉縞発生
理由について述べる。
理由について述べる。
第３図に於て実線の矢印で示されるレーザービームｌは
電子写真感光体２に照射される。
電子写真感光体２に照射される。
ここで説明する感光体２は導電性基板３上に、電荷発生
層としての有機光半導体（以下Ｃ０層と呼ぶ）４と、電
荷移動層としての有機光半導体（以下ＣＴ暦と呼ぶ）５
を順に積層したタイプの感光体である。
層としての有機光半導体（以下Ｃ０層と呼ぶ）４と、電
荷移動層としての有機光半導体（以下ＣＴ暦と呼ぶ）５
を順に積層したタイプの感光体である。
感光体２に入射したレーザービームｌは、ＣＴ１５ 、
ＣＧ？４によって吸収されながら感光体層を進行するが
、一部は吸収されなし）で導電体基板表面３に達する０
通常導電体基板は表面を鏡面状に仕上げられている。そ
の為導電体基板３に達したレーザービームは反射される
。
ＣＧ？４によって吸収されながら感光体層を進行するが
、一部は吸収されなし）で導電体基板表面３に達する０
通常導電体基板は表面を鏡面状に仕上げられている。そ
の為導電体基板３に達したレーザービームは反射される
。
またＣＴ層４と００層５間の屈折率が異なる場合には、
その境界面でレーザー光の一部力呪反射される。これら
レーザー光の直進光と反射光とが干渉することになる。
その境界面でレーザー光の一部力呪反射される。これら
レーザー光の直進光と反射光とが干渉することになる。
レーザービームの光は記録光として用いられる時には感
光体に対しｘ−７両方向に走査される。従ってもし感光
体２に膜厚のムラがあると膜厚の等高線と同様な光強度
の縞、所謂干渉縞と生じることになる。
光体に対しｘ−７両方向に走査される。従ってもし感光
体２に膜厚のムラがあると膜厚の等高線と同様な光強度
の縞、所謂干渉縞と生じることになる。
感光体２の半導体層（感光層）内でのビーム吸収が充分
であれば干渉縞は生じない、すなわち膜厚が厚い種子渉
縞が生じ難い傾向にな・る。
であれば干渉縞は生じない、すなわち膜厚が厚い種子渉
縞が生じ難い傾向にな・る。
しかじ製膜の経済性を考えると感光層の膜厚を厚くする
にも限界がある。特に、硅素を主成分として非晶質半導
体感光体、所謂アモルファスシリコン感光体の場合には
、その製膜時間がかかることからコスト的に膜厚限界を
有し、２０ル程度の膜厚とされるのが普通である。
にも限界がある。特に、硅素を主成分として非晶質半導
体感光体、所謂アモルファスシリコン感光体の場合には
、その製膜時間がかかることからコスト的に膜厚限界を
有し、２０ル程度の膜厚とされるのが普通である。
しかし、前記導電体の表面、即ち感光層を積層する側の
面に荒し処理を施し、この面を粗面として到達したレー
ザー光を散乱するようにすると膜厚が薄くても前記干渉
縞防止に効果のあることが見いだされた。しかし、表面
粗さの程度によっては前記干渉縞が消失する一方で、レ
ーザービーム走査と表面粗さのピッチが干渉し合い、新
たな周期的モアレパターン（以下モアレ縞と呼ぶことに
する）が発生することが判明した。
面に荒し処理を施し、この面を粗面として到達したレー
ザー光を散乱するようにすると膜厚が薄くても前記干渉
縞防止に効果のあることが見いだされた。しかし、表面
粗さの程度によっては前記干渉縞が消失する一方で、レ
ーザービーム走査と表面粗さのピッチが干渉し合い、新
たな周期的モアレパターン（以下モアレ縞と呼ぶことに
する）が発生することが判明した。
（目的と構成概要）
本発明は上記欠点すなわち、レーザービームを感光体に
走査露光して記録画像を得る記録装置に於ける感光層の
膜厚ムラによる干渉縞を防ぐとともに、走査露光によっ
て生じるモアレを防止することを目的としている。
走査露光して記録画像を得る記録装置に於ける感光層の
膜厚ムラによる干渉縞を防ぐとともに、走査露光によっ
て生じるモアレを防止することを目的としている。
すなわち、記録ドツトピッチをｄとするときに、
０．７＜ｄ／ｆＬ＜７０
を満足する粗さピッチ文で導電体を粗した感光体を用い
ることにより、前記干渉縞も、モアレパターンも抑制す
る。
ることにより、前記干渉縞も、モアレパターンも抑制す
る。
（実施例）
第２図は本発明を実施したレーザービームプリンタの装
置全体を説明する図である。第２図に於て、半導体レー
ザー１１は原稿読取装置やコンピュータからの被記録情
報信号により変調出力され（変調ピッチｄ）１回転多面
鏡１２により掃引される。レーザービーム１３はｆ−〇
特性を有する結像レンズ１４により矢印方向に回転する
電子写真感光体１６に結像される。尚１５はビーム光路
を折り曲げる為のミラー゛である。感光体１６はコロナ
帯電器１７により表面を均一に帯電された後、レーザー
ビーム１３により感光体回転軸と略平行な方向に走査露
光を受け、静電荷潜像を形成する。前記のようにレーザ
ービームの変調ピッチがｄであるから、感光体上での記
録ドツトピッチ、即ち画素ピッチはｄである。さらに感
光体１６は現像器１８の作用を受けて、トナー像を表面
に形成される。転写紙カセット１９から給紙ローラ２０
、レジストローラ対２１で給紙される転写紙上にトナー
像は転写帯電器２２により転写された後、分離帯電器２
３で転写紙は感光体１６から分離される。転写紙はさら
に搬送ベルト２４で定着器２５まで搬送されてトナー像
が定着され、排紙トレイ２６に排紙される。−１感光体
１６上の残存トナーはクリーナ２７で清掃され、繰り返
し使用される。
置全体を説明する図である。第２図に於て、半導体レー
ザー１１は原稿読取装置やコンピュータからの被記録情
報信号により変調出力され（変調ピッチｄ）１回転多面
鏡１２により掃引される。レーザービーム１３はｆ−〇
特性を有する結像レンズ１４により矢印方向に回転する
電子写真感光体１６に結像される。尚１５はビーム光路
を折り曲げる為のミラー゛である。感光体１６はコロナ
帯電器１７により表面を均一に帯電された後、レーザー
ビーム１３により感光体回転軸と略平行な方向に走査露
光を受け、静電荷潜像を形成する。前記のようにレーザ
ービームの変調ピッチがｄであるから、感光体上での記
録ドツトピッチ、即ち画素ピッチはｄである。さらに感
光体１６は現像器１８の作用を受けて、トナー像を表面
に形成される。転写紙カセット１９から給紙ローラ２０
、レジストローラ対２１で給紙される転写紙上にトナー
像は転写帯電器２２により転写された後、分離帯電器２
３で転写紙は感光体１６から分離される。転写紙はさら
に搬送ベルト２４で定着器２５まで搬送されてトナー像
が定着され、排紙トレイ２６に排紙される。−１感光体
１６上の残存トナーはクリーナ２７で清掃され、繰り返
し使用される。
第ｘｍｔ＊第２図装置に使用した感光体の説明図である
。１３−１はｌ記録ドツト分の被記録情報信号に対応す
るレーザービーム、１３−２は上記信号に続く次の１記
録ドツト分の被記録情報信号に対応するレーザービーム
である。
。１３−１はｌ記録ドツト分の被記録情報信号に対応す
るレーザービーム、１３−２は上記信号に続く次の１記
録ドツト分の被記録情報信号に対応するレーザービーム
である。
ビーム１３−１．１３−２間のピッチ、即ち記録ドツト
ピッチはｄである。
ピッチはｄである。
一第１図で、感光体１６は導電体（例えばアルミニウム
）の基板６に光導電性感光層７を積層したものである。
）の基板６に光導電性感光層７を積層したものである。
感光層７としてはアモルファスシリコンを利用できる。
この場合アモルファスシリコン感光体の層構成態様とし
ては、アルミニウム基板上に必要に応じて高抵抗ブロッ
キング・層を設け、この上にシランガス等の活性水素の
存在下でグロー放電法、スパッタ法等によりａ−Ｓｔ層
を設けることが出来る。又、ブロッキング層をａ−５ｉ
上に設けて良いのは勿論である。
ては、アルミニウム基板上に必要に応じて高抵抗ブロッ
キング・層を設け、この上にシランガス等の活性水素の
存在下でグロー放電法、スパッタ法等によりａ−Ｓｔ層
を設けることが出来る。又、ブロッキング層をａ−５ｉ
上に設けて良いのは勿論である。
又、さらに上記ａ−５ｉ層が例えばアルミニウム、イン
ジウム、ガリウム、砒素等の周期律表第ｍ族元素により
ドープされたＰ型ａ−Ｓｔ層や１例えば燐、砒素、アン
チモン等の周期律表第ｍ族元素がドープされたＮ型ａ−
５ｔ’層を含むものであってもよい、又、ａ−５ｔ層の
上層に耐久性向上の為に保１５を設けること・が出来る
。
ジウム、ガリウム、砒素等の周期律表第ｍ族元素により
ドープされたＰ型ａ−Ｓｔ層や１例えば燐、砒素、アン
チモン等の周期律表第ｍ族元素がドープされたＮ型ａ−
５ｔ’層を含むものであってもよい、又、ａ−５ｔ層の
上層に耐久性向上の為に保１５を設けること・が出来る
。
感光層７は色素増感された酸化亜鉛、セレン粉体、ポリ
ビニルカルバゾール、フタロシアニ −ン顔料、オキシ
サジアゾール顔料等を必要に応じて結着剤樹脂と共に塗
布形成した感光体で、あっても構わない、又、接着性向
上、塗工性向上、基体保護、基体欠陥被覆等の為に必要
に応じて導電層と感光層との間に下引き層を設けられる
。
ビニルカルバゾール、フタロシアニ −ン顔料、オキシ
サジアゾール顔料等を必要に応じて結着剤樹脂と共に塗
布形成した感光体で、あっても構わない、又、接着性向
上、塗工性向上、基体保護、基体欠陥被覆等の為に必要
に応じて導電層と感光層との間に下引き層を設けられる
。
而して、基板６の感光Ｎ７が積層される側の面６′には
、この積層前に予め荒し処理が施されている。この荒し
処理法としては切削、エツチング等、通常金属表面の荒
し処理に使用される方法はいずれのものでも採用できる
。
、この積層前に予め荒し処理が施されている。この荒し
処理法としては切削、エツチング等、通常金属表面の荒
し処理に使用される方法はいずれのものでも採用できる
。
そして、このようにして形成された粗面の平均粗さピッ
チを文とすると、ｄｌｌが０．３よりも小さいと粗さピ
ッチが大き過ぎてＳ感光層の膜厚ムラが殆どそのまま前
記干渉縞として発生するようになる。又ｄ／ｌ＞７０に
なるに従って導電体基板はレーザー光に対し殆ど鏡面と
なる為に散乱の効果が無くなってしまう為、膜厚ムラに
よる干渉縞コントラストが大きくなる。
チを文とすると、ｄｌｌが０．３よりも小さいと粗さピ
ッチが大き過ぎてＳ感光層の膜厚ムラが殆どそのまま前
記干渉縞として発生するようになる。又ｄ／ｌ＞７０に
なるに従って導電体基板はレーザー光に対し殆ど鏡面と
なる為に散乱の効果が無くなってしまう為、膜厚ムラに
よる干渉縞コントラストが大きくなる。
一方、ｄｌｌが０．７よりも小さいと、前記モアレ縞の
コントラストが大きくなる。
コントラストが大きくなる。
そこで０．７ ＜ ｄ ／ ｕ ＜ ７０の条件を満た
すように導電体基板の表面を荒すと、前記干渉縞もモア
レ縞七十分に抑制された良質の記録画像を得ることがで
きる。
すように導電体基板の表面を荒すと、前記干渉縞もモア
レ縞七十分に抑制された良質の記録画像を得ることがで
きる。
尚、導電体基板の粗し方向は感光体回転軸方向でも、回
転周方向でも、あるいは斜方向でも良い。
転周方向でも、あるいは斜方向でも良い。
又、荒しパターンとしては一方向スパイラル、メツシュ
（網目状）、格子、いずれであっても良い。
（網目状）、格子、いずれであっても良い。
又、導電体は別の基板上にａ層形成された場合でも実質
的に導電体表面が０．７＜ｄｌｌ＜７０を満足するよう
に粗れていれば構わない。
的に導電体表面が０．７＜ｄｌｌ＜７０を満足するよう
に粗れていれば構わない。
（効果）
以上本発明を実施する事により、干渉縞・を防止できる
ばかりでなく、モアレ縞を防止した記録装置が得られる
ようになった。とりわけ感光体の製造上困難であった薄
膜の均一性による歩留まりも飛躍的に向上した。因？て
、得られる感光体も低コストとなりランニングコストの
低下も可能となった。
ばかりでなく、モアレ縞を防止した記録装置が得られる
ようになった。とりわけ感光体の製造上困難であった薄
膜の均一性による歩留まりも飛躍的に向上した。因？て
、得られる感光体も低コストとなりランニングコストの
低下も可能となった。
第１図は本発明の実施例の要部、第２図は本発明の実施
例、第３図は従来例、を夫々説明する為の図にして、１
１はレーザー、１６は電子写真感光体、２２は導電体、
２３は感光層である。
例、第３図は従来例、を夫々説明する為の図にして、１
１はレーザー、１６は電子写真感光体、２２は導電体、
２３は感光層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電体上に感光層を有する電子写真感光体を被記録情報
信号に対応して変調されたレーザービームで走査する情
報記録装置に於いて、 上記電子写真感光体の導電体には、記録ドットピッチを
ｄとすると、０．７＜ｄ／ｌ＜７０を満足する平均粗さ
ピッチｌを有する粗面となるように荒し処理が施されて
いることを特徴とする情報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16440084A JPS6142664A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16440084A JPS6142664A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 情報記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142664A true JPS6142664A (ja) | 1986-03-01 |
Family
ID=15792406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16440084A Pending JPS6142664A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142664A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107247A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Ricoh Co Ltd | Image recording method |
| JPS57165844A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic recorder |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16440084A patent/JPS6142664A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107247A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Ricoh Co Ltd | Image recording method |
| JPS57165844A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic recorder |
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