JPS614284A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS614284A JPS614284A JP59125613A JP12561384A JPS614284A JP S614284 A JPS614284 A JP S614284A JP 59125613 A JP59125613 A JP 59125613A JP 12561384 A JP12561384 A JP 12561384A JP S614284 A JPS614284 A JP S614284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short circuit
- photovoltaic element
- short
- location
- junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は太陽電池の電気的短絡箇所を検知する不良解析
法及び不良部分の修復方法に関するものである。
法及び不良部分の修復方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
最近、太陽電池材料としてアモルファスＳｉ（以下ａ
−３ｔ と称す）が注目を集め、電卓や腕時泪などの
／Ｊ％型民生民生機器用電源用されている。
−３ｔ と称す）が注目を集め、電卓や腕時泪などの
／Ｊ％型民生民生機器用電源用されている。
ａ−３Ｌ材料は電子及び正孔の電気移動度が小さく、か
つ正孔のライフタイムも小さいこと、一方吸収係数が大
きいことなどの理由からｐｉｎ接合型構造が工業的に利
点があり、これが王に採用されている。しかもｐ型、ｉ
型、ｎ型ａ −８ｔ の膜厚はそれぞれほぼ１００人、
５ｏｏｏ人、６００Ａ程度であり、この製造はプラズマ
ＣＶＤ装置でシランガスを分解堆積することで行なわれ
ることは周知の事項である。このようにａ −３ｉ の
ｐｉｎ太陽電池は薄膜接合型のために、大面積化に伴な
い接合部での短絡が発生しやすく、従って接合部の短絡
箇所を検知して、その短絡箇所を除去することは、デバ
イスの製作上や短絡現象を解析する上で重要である。こ
の点に関してこれまで、好適な方法及び装置はなかった
。
つ正孔のライフタイムも小さいこと、一方吸収係数が大
きいことなどの理由からｐｉｎ接合型構造が工業的に利
点があり、これが王に採用されている。しかもｐ型、ｉ
型、ｎ型ａ −８ｔ の膜厚はそれぞれほぼ１００人、
５ｏｏｏ人、６００Ａ程度であり、この製造はプラズマ
ＣＶＤ装置でシランガスを分解堆積することで行なわれ
ることは周知の事項である。このようにａ −３ｉ の
ｐｉｎ太陽電池は薄膜接合型のために、大面積化に伴な
い接合部での短絡が発生しやすく、従って接合部の短絡
箇所を検知して、その短絡箇所を除去することは、デバ
イスの製作上や短絡現象を解析する上で重要である。こ
の点に関してこれまで、好適な方法及び装置はなかった
。
発明の目的・パ
本発明は、上述した薄膜接合型太陽電池の接合部におけ
る短絡箇所の検知ならびにその短絡部分の絶縁化による
修復をレーザ照射により達成するものである。
る短絡箇所の検知ならびにその短絡部分の絶縁化による
修復をレーザ照射により達成するものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成する手段として、光起電力素子
である太陽電池の受光面の任意の領域及び箇所に検査用
の第１のレーザを照射してその部分の電気的短絡の有無
を検知し、短絡発生箇所には第２のレーザを照射してそ
の部分を絶縁化するものである。この方法によれば、助
嘆接合型太陽電池のように接合部における短絡箇所が多
く発生するような大面積素子でも、その短絡箇所の修復
が容易で生産歩留りを高めることができる。
である太陽電池の受光面の任意の領域及び箇所に検査用
の第１のレーザを照射してその部分の電気的短絡の有無
を検知し、短絡発生箇所には第２のレーザを照射してそ
の部分を絶縁化するものである。この方法によれば、助
嘆接合型太陽電池のように接合部における短絡箇所が多
く発生するような大面積素子でも、その短絡箇所の修復
が容易で生産歩留りを高めることができる。
実施例の説明
以下、図面により本発明の実施例を記載する。
第１図はａ−３ｔ接合型太陽電池の平面図であり、第２
図はその断面略図を示す。太陽電池の製作は、ガラスな
どの透光性絶縁基板１０片面上に酸化インジウム又は酸
化錫などからなる透光性の第１電極２を形成し、次にａ
−８ｉ３をプラズマＣＶＤなどにより堆積し、最後に
アルミニウムやチタンなどの第２電極４を形成する工程
からなる。
図はその断面略図を示す。太陽電池の製作は、ガラスな
どの透光性絶縁基板１０片面上に酸化インジウム又は酸
化錫などからなる透光性の第１電極２を形成し、次にａ
−８ｉ３をプラズマＣＶＤなどにより堆積し、最後に
アルミニウムやチタンなどの第２電極４を形成する工程
からなる。
この太陽電池デバイスは一般に外部から光をデバイス内
部に導入して、光電変換された光起電力を外部に取出す
ように工夫されている。外部に光起電力を取出すために
、第１電極２の一部、第２電極４の一部の７と８にそれ
ぞれ半田付けなどでリード線を接続することにより行な
う。太陽電池を小型民生機器用電源に使用する場合の必
要面積は、一般に電卓用で１ ｄ ｘ ４個、腕時計用
で０．２５Ｃ１Ａ×４個が標準である。第２図で絶縁基
板１に形成した第１電極２．第２電極４の厚さはそれぞ
れ１０００八、４０００八が標準であり、ａ −３ｔ
膜３の厚と合せてトータル１μ工程度である。従って
第２図の断面略図でけＺ方向のスケールはＸ、Ｙ方向と
同程度のスケールにみえるが説明上模式的に示しである
。このように１μｍ程度の薄膜の場合は、基板上に微細
なゴミなどが付着することが原因でｐｉｎ接合が形成さ
れず、局部的に電気的短絡を生じる割合が多いことが短
所である。そしてこの短絡が変換効率を低下させる原因
になる。
部に導入して、光電変換された光起電力を外部に取出す
ように工夫されている。外部に光起電力を取出すために
、第１電極２の一部、第２電極４の一部の７と８にそれ
ぞれ半田付けなどでリード線を接続することにより行な
う。太陽電池を小型民生機器用電源に使用する場合の必
要面積は、一般に電卓用で１ ｄ ｘ ４個、腕時計用
で０．２５Ｃ１Ａ×４個が標準である。第２図で絶縁基
板１に形成した第１電極２．第２電極４の厚さはそれぞ
れ１０００八、４０００八が標準であり、ａ −３ｔ
膜３の厚と合せてトータル１μ工程度である。従って
第２図の断面略図でけＺ方向のスケールはＸ、Ｙ方向と
同程度のスケールにみえるが説明上模式的に示しである
。このように１μｍ程度の薄膜の場合は、基板上に微細
なゴミなどが付着することが原因でｐｉｎ接合が形成さ
れず、局部的に電気的短絡を生じる割合が多いことが短
所である。そしてこの短絡が変換効率を低下させる原因
になる。
局部的に短絡を生じた箇所は光学顕微鏡でも検出が難か
しい。しかし第１図、第２図に示す如く受光面に局部的
にレーザ光６を照射じながら、−照射箇所をＸ、Ｙ方向
に走査させる。短絡箇所に検出用の第１のレーザが照射
した時には光起電力出力６に変化が生じる。この出力変
化が生じた箇所に第２のレーザを照射して短絡箇所を絶
縁化することにより除去する。
しい。しかし第１図、第２図に示す如く受光面に局部的
にレーザ光６を照射じながら、−照射箇所をＸ、Ｙ方向
に走査させる。短絡箇所に検出用の第１のレーザが照射
した時には光起電力出力６に変化が生じる。この出力変
化が生じた箇所に第２のレーザを照射して短絡箇所を絶
縁化することにより除去する。
発明の詳細
な説明した如く、薄膜大面積のｐｉｎ接合型光起電力素
子では素子内に微少な短絡箇所が発生する割合が多く、
これが素子の特性を劣化させる原因になっていたが、本
発明により短絡箇所を実質的に除去し、特性劣化の解消
により歩留向上も期待できる。
子では素子内に微少な短絡箇所が発生する割合が多く、
これが素子の特性を劣化させる原因になっていたが、本
発明により短絡箇所を実質的に除去し、特性劣化の解消
により歩留向上も期待できる。
第１図は本発明の実施例における光起電力素子の上面図
、第２図はその断面略図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・透光性の第１電
極、３・・・・・・アモルファスＳｉ 、 ４・・・・
・第２電極、５・・・・・・レーザ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ７！；
、第２図はその断面略図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・透光性の第１電
極、３・・・・・・アモルファスＳｉ 、 ４・・・・
・第２電極、５・・・・・・レーザ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ７！；
Claims (1)
- 光起電力素子受光面の任意の領域及び箇所に検査用の第
１のレーザを照射し、光起電力発生の有無で上記領域及
び箇所の電気的短絡を検知した後に、短絡箇所に第２の
レーザを照射してその部分を絶縁化することを特徴とす
る光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125613A JPS614284A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125613A JPS614284A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614284A true JPS614284A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14914419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125613A Pending JPS614284A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614284A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376442A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-06 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体装置の短絡欠陥を不動態化する方法 |
| JP2014197564A (ja) * | 2000-12-28 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59125613A patent/JPS614284A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376442A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-06 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体装置の短絡欠陥を不動態化する方法 |
| JP2014197564A (ja) * | 2000-12-28 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US9412948B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
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