JPS6143787U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタのドライブ回路 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタのドライブ回路

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Publication number
JPS6143787U
JPS6143787U JP12835284U JP12835284U JPS6143787U JP S6143787 U JPS6143787 U JP S6143787U JP 12835284 U JP12835284 U JP 12835284U JP 12835284 U JP12835284 U JP 12835284U JP S6143787 U JPS6143787 U JP S6143787U
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JP
Japan
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gate
current
reverse bias
drive circuit
thyristor
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Pending
Application number
JP12835284U
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English (en)
Inventor
泰英 林
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Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す半断面構造図、第２図
Ａ及び第２図Ｂは第１図における配線長ＩＫＧを変えた
場合のターンオフ時各部電流、電圧波形図、第３図は本
考案における逆バイアス要素の最小電圧Ｖ ｚ ｏとそ
の配線インダクタンスＬＫＣの例を示す特性図である。 ＡＣ・・・補助ＧＴＯサイリスク部、主ＧＴＯ・・・主
ＧＴＯサイリスタ部、Ｄ・・・ダイオード、ＧＯＮ・・
・オンゲート回路、ｃｏＦＦ・・・オフゲート回路、Ｃ
Ｔ，ＣＴ２，ＣＴ３・・・変流路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 主サイリスク部のオンゲート電流を補助サイリスタ部の
    主電流として供給し、主サイリスク部のオフゲート電流
    を補助サイリスタ部のカソードゲート間に設けた逆バイ
    アス要素を通して供給する増幅ゲート構造のゲートター
    ンオフサイリスタにおいて、前記逆バイアス要素はその
    逆バイアス電圧をオフゲート電流が負のピークを経た後
    の電流変化率ｄＩｃＲ／ｄｔと該逆バイアス電流路の配
    線インダクタンスしＫｃとの積によって設定したことを
    特徴とするゲートターンオフサイ−リスクのドライブ回
    路。
JP12835284U 1984-08-24 1984-08-24 ゲ−トタ−ンオフサイリスタのドライブ回路 Pending JPS6143787U (ja)

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JPS6143787U true JPS6143787U (ja) 1986-03-22

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