JPS6143794B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6143794B2 JPS6143794B2 JP54055209A JP5520979A JPS6143794B2 JP S6143794 B2 JPS6143794 B2 JP S6143794B2 JP 54055209 A JP54055209 A JP 54055209A JP 5520979 A JP5520979 A JP 5520979A JP S6143794 B2 JPS6143794 B2 JP S6143794B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- pattern
- bubbles
- bubble
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置に関し特にその
磁気バブルメモリチツプの改良に関する。
磁気バブルメモリチツプの改良に関する。
一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容易軸
を持つているが、ある種の磁性材料、例えばオル
ソフエライトや磁性ガーネツト等の単結晶はＣ軸
方向にのみ磁化容易軸を有する強い１軸異方性を
もつている。このような材料をＣ軸に垂直な面を
もつ薄膜とした場合、外部から磁界を加えないと
きには第１図ａに示すように上向きの磁化方向の
磁区と下向きの磁区とがほぼ等面積で縞状に交互
に入り交つた状態になつている。この薄膜に下向
きのバイアス磁界ＨBを加えて行くと上向きの磁
区は減り、下向きの磁区が広がつて第１図ｂのよ
うな状態を経て遂には第１図ｃに示すように上向
きの磁区は直径数μｍの小さな円柱状になる。こ
の円柱状の磁区を磁気バブルドメインという。ま
た第１図ｃの状態からさらにバイアス磁界を強く
して行くと磁気バブルドメインはある半径から突
然つぶれて消失してしまう。この状態から新しく
磁気バブルドメインを作るには局部的にバイアス
磁界と反対方向に数千Oeのパルス状の磁界をか
けなければならない。この磁界をニユークリエー
シヨン磁界（ＨN）という。
を持つているが、ある種の磁性材料、例えばオル
ソフエライトや磁性ガーネツト等の単結晶はＣ軸
方向にのみ磁化容易軸を有する強い１軸異方性を
もつている。このような材料をＣ軸に垂直な面を
もつ薄膜とした場合、外部から磁界を加えないと
きには第１図ａに示すように上向きの磁化方向の
磁区と下向きの磁区とがほぼ等面積で縞状に交互
に入り交つた状態になつている。この薄膜に下向
きのバイアス磁界ＨBを加えて行くと上向きの磁
区は減り、下向きの磁区が広がつて第１図ｂのよ
うな状態を経て遂には第１図ｃに示すように上向
きの磁区は直径数μｍの小さな円柱状になる。こ
の円柱状の磁区を磁気バブルドメインという。ま
た第１図ｃの状態からさらにバイアス磁界を強く
して行くと磁気バブルドメインはある半径から突
然つぶれて消失してしまう。この状態から新しく
磁気バブルドメインを作るには局部的にバイアス
磁界と反対方向に数千Oeのパルス状の磁界をか
けなければならない。この磁界をニユークリエー
シヨン磁界（ＨN）という。
磁気バブルメモリ装置はこの磁気バブルドメイ
ンを磁界により磁性薄膜内を自由に動かすことが
できることを利用したもので、基板上にパーマロ
イ薄膜で第２図ａに示す如きテイーバー、あるい
は第２図ｂに示す如きハーフデイスクなどのパタ
ーンを行列させた伝播路を形成しておき磁気バブ
ルのあるところを“１”、ないところを“０”と
して情報を記憶するようになつている。従つて磁
気バブルは記憶すべき情報に従つて発生させる必
要がある。第３図はバブル発生器の１つであるニ
ユークリエーシヨン型バブル発生器を示したもの
で、局部的磁界を発生させる導体パターン１とつ
るはし状のパーマロイパターンとを組合せたもの
である。このバブル発生器は導体パターン１にパ
ルス状電流を流しバイアス磁界と反対方向の磁界
を生じさせてバブル３を発生させるのである。と
ころがこのニユークリエーシヨン型発生器でバブ
ルを発生させる場合、温度の上昇に伴つてニユー
クリエーシヨン磁界（ＨN）が下りバブルが発生
し易くなり、時によつては２個発生したり、ある
いは導体パターンに沿つた所にもバブル４が発生
することがある。このようなバブルが伝播路に混
入すると情報が乱れバブルメモリ動作の信頼性に
大きな悪影響を与えることになる。本発明はこの
欠点を改良するために案出されたものである。
ンを磁界により磁性薄膜内を自由に動かすことが
できることを利用したもので、基板上にパーマロ
イ薄膜で第２図ａに示す如きテイーバー、あるい
は第２図ｂに示す如きハーフデイスクなどのパタ
ーンを行列させた伝播路を形成しておき磁気バブ
ルのあるところを“１”、ないところを“０”と
して情報を記憶するようになつている。従つて磁
気バブルは記憶すべき情報に従つて発生させる必
要がある。第３図はバブル発生器の１つであるニ
ユークリエーシヨン型バブル発生器を示したもの
で、局部的磁界を発生させる導体パターン１とつ
るはし状のパーマロイパターンとを組合せたもの
である。このバブル発生器は導体パターン１にパ
ルス状電流を流しバイアス磁界と反対方向の磁界
を生じさせてバブル３を発生させるのである。と
ころがこのニユークリエーシヨン型発生器でバブ
ルを発生させる場合、温度の上昇に伴つてニユー
クリエーシヨン磁界（ＨN）が下りバブルが発生
し易くなり、時によつては２個発生したり、ある
いは導体パターンに沿つた所にもバブル４が発生
することがある。このようなバブルが伝播路に混
入すると情報が乱れバブルメモリ動作の信頼性に
大きな悪影響を与えることになる。本発明はこの
欠点を改良するために案出されたものである。
このため本発明においては、１軸異方性をもつ
磁性材料にて基板を形成し、その上に磁気バブル
発生器、分割器、伝播路、検出器等のパターンを
薄膜金属により形成したチツプを具備する磁気バ
ブルメモリ装置において、前記チツプには少なく
とも不要バブルの侵出、又は侵入を許容しない部
分の周囲に、前記基板の結晶に対して歪力を与え
て不要バブルをせき止めるバリアが形成されてい
ることを特徴とするものである。
磁性材料にて基板を形成し、その上に磁気バブル
発生器、分割器、伝播路、検出器等のパターンを
薄膜金属により形成したチツプを具備する磁気バ
ブルメモリ装置において、前記チツプには少なく
とも不要バブルの侵出、又は侵入を許容しない部
分の周囲に、前記基板の結晶に対して歪力を与え
て不要バブルをせき止めるバリアが形成されてい
ることを特徴とするものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。
き詳細に説明する。
一般に磁気バブルメモリに用いられるオルソフ
エライト等の磁性薄膜は歪に対し敏感であり、導
体パターンの歪のためにパターンのふちでバブル
が捕捉されることが知られている。本発明はこの
結晶の歪を利用して不要バブルの通過を防ぐため
のバリアとするのである。磁性薄膜に歪を与える
には磁性薄膜と熱膨張係数が大きく異なる材料で
生膜するか、あるいは基板を高温度にしてパター
ンを形成する方法が用いられる。また膜厚やパタ
ーン幅を変えることによつても歪の大きさを変え
ることができる。
エライト等の磁性薄膜は歪に対し敏感であり、導
体パターンの歪のためにパターンのふちでバブル
が捕捉されることが知られている。本発明はこの
結晶の歪を利用して不要バブルの通過を防ぐため
のバリアとするのである。磁性薄膜に歪を与える
には磁性薄膜と熱膨張係数が大きく異なる材料で
生膜するか、あるいは基板を高温度にしてパター
ンを形成する方法が用いられる。また膜厚やパタ
ーン幅を変えることによつても歪の大きさを変え
ることができる。
実施例として熱膨張係数の大きなアルミニウム
パターンをニユークリエーシヨン型磁気バブル発
生器の周囲に配置したチツプの平面図を第４図に
示し、その−線における断面を第５図に示
す。図において５は基板、６は磁気バブル発生器
用の導体パターン、７は磁気バブル発生器用のパ
ーマロイパターン、８は伝播路用パーマロイパタ
ーンであり、９が本発明の要点であるバリアとし
て形成されたアルミニウムのパターンであつてバ
ブル発生器の導体パターンの周囲をかこむように
して基板５の上に直接形成されている。なお１
０，１１，１２，１３はSiO2又はSiOを用いた絶
縁層である。
パターンをニユークリエーシヨン型磁気バブル発
生器の周囲に配置したチツプの平面図を第４図に
示し、その−線における断面を第５図に示
す。図において５は基板、６は磁気バブル発生器
用の導体パターン、７は磁気バブル発生器用のパ
ーマロイパターン、８は伝播路用パーマロイパタ
ーンであり、９が本発明の要点であるバリアとし
て形成されたアルミニウムのパターンであつてバ
ブル発生器の導体パターンの周囲をかこむように
して基板５の上に直接形成されている。なお１
０，１１，１２，１３はSiO2又はSiOを用いた絶
縁層である。
このように形成されたチツプにおいて、バブル
発生器の導体パターン６に通電されると正規のバ
ブル１４の他に余剰のバブル１５が発生すること
がある。この余剰バブル１５はメモリの動作中に
動き出して移動するが、アルミニウムパターン９
は熱膨張係数の大きいこと、直接基板に形成され
ているため基板５に大きな歪を与えており、その
ため前記の余剰バルブ１５はアルミニウムパター
ン９の外に出ることはできない。従つて伝播路へ
の不要バブルの流入は防止されることになる。
発生器の導体パターン６に通電されると正規のバ
ブル１４の他に余剰のバブル１５が発生すること
がある。この余剰バブル１５はメモリの動作中に
動き出して移動するが、アルミニウムパターン９
は熱膨張係数の大きいこと、直接基板に形成され
ているため基板５に大きな歪を与えており、その
ため前記の余剰バルブ１５はアルミニウムパター
ン９の外に出ることはできない。従つて伝播路へ
の不要バブルの流入は防止されることになる。
このようにしてバルブ発生器や分割器あるいは
その導体の隅部などのパターンが混み入つている
ところから発生する不要バブル、又は低バイアス
時のバブルのからまり等による伝播路からのはみ
出しなども抑制することができる。
その導体の隅部などのパターンが混み入つている
ところから発生する不要バブル、又は低バイアス
時のバブルのからまり等による伝播路からのはみ
出しなども抑制することができる。
第６図はMo／Au／Mo（厚さ150／2500／150
Å）とAl−Cu（厚さ2800Å）のパターンによる
バブルの拘束力を示したものである。図の縦軸に
は拘束力をとり横軸の左方にはMo／Au／Moを
丸印により、右方にAl−Cuを×印によりプロツ
トした。なお拘束力は、拘束力＝（パターン下の
バブル通過最小磁場勾配）−（自由バブル移動最小
磁場勾配）で示し、パターンの蒸着時の基板温度
はMo／Au／Moが250／80／80℃で、Al−Cuが
150゜である。図により熱膨張係数の大きいAl−
Cuの方が拘束力の大なることがわかる。
Å）とAl−Cu（厚さ2800Å）のパターンによる
バブルの拘束力を示したものである。図の縦軸に
は拘束力をとり横軸の左方にはMo／Au／Moを
丸印により、右方にAl−Cuを×印によりプロツ
トした。なお拘束力は、拘束力＝（パターン下の
バブル通過最小磁場勾配）−（自由バブル移動最小
磁場勾配）で示し、パターンの蒸着時の基板温度
はMo／Au／Moが250／80／80℃で、Al−Cuが
150゜である。図により熱膨張係数の大きいAl−
Cuの方が拘束力の大なることがわかる。
以上説明した如く本発明は基板の上に基板に歪
を与えたパターンを形成することにより不要バブ
ルの通過を阻止してメモリとしての誤動作を防止
して磁気バブルメモリの信頼性を向上したもので
ある。
を与えたパターンを形成することにより不要バブ
ルの通過を阻止してメモリとしての誤動作を防止
して磁気バブルメモリの信頼性を向上したもので
ある。
第１図は磁気バブル発生の原理図、第２図は磁
気バブル伝播パターンの平面図、第３図は磁気バ
ブル発生器の平面図、第４図は本発明にかかる実
施例の磁気バブルメモリ装置のチツプの一部拡大
平面図、第５図はそのＶ−Ｖ線における断面図、
第６図はパターンのバブル拘束力を示したグラフ
図である。 ５……基板、６……磁気バブル発生器の導体パ
ターン、７……磁気バブル発生器のパーマロイパ
ターン、８……伝播路用パターン、９……アルミ
ニウムパターン、１５……不要バブル。
気バブル伝播パターンの平面図、第３図は磁気バ
ブル発生器の平面図、第４図は本発明にかかる実
施例の磁気バブルメモリ装置のチツプの一部拡大
平面図、第５図はそのＶ−Ｖ線における断面図、
第６図はパターンのバブル拘束力を示したグラフ
図である。 ５……基板、６……磁気バブル発生器の導体パ
ターン、７……磁気バブル発生器のパーマロイパ
ターン、８……伝播路用パターン、９……アルミ
ニウムパターン、１５……不要バブル。
Claims (1)
- １ 強い１軸異方性をもつ磁性材料にて基板を形
成し、その上に磁気バブル発生器、分割器、伝播
路、検出器等のパターンを薄膜金属により形成し
たチツプを具備する磁気バブルメモリ装置におい
て、前記チツプには少なくとも不要バブルの侵出
又は侵入を許容しない部分の周囲に、前記基板の
結晶に対して歪力を与えて不要バブルをせき止め
るバリアが形成されていることを特徴とする磁気
バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520979A JPS55150184A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520979A JPS55150184A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Magnetic bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150184A JPS55150184A (en) | 1980-11-21 |
| JPS6143794B2 true JPS6143794B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=12992245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5520979A Granted JPS55150184A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55150184A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53107241A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-19 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory unit |
| JPS544535A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nec Corp | Magnetic bubble memory device |
| JPS546430A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-18 | Nec Corp | Magnetic bubble memory device |
-
1979
- 1979-05-08 JP JP5520979A patent/JPS55150184A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150184A (en) | 1980-11-21 |
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