JPS6143870A

JPS6143870A - 密着センサ

Info

Publication number: JPS6143870A
Application number: JP60173261A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Hosaka; 保坂　靖夫
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-08-08
Filing date: 1985-08-08
Publication date: 1986-03-03
Also published as: JPH0216073B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕この発明は、画像等の読取装置に係わり、特に高速密着
センサに関する。

〔発明の従来技術及びその問題点〕

コンピュータに代表される情報処理装置は非常な勢いで
進歩し、その処理能力は分野を限れば人間をはるかに変
質している。しかしこの情報処理装置に情報を入力させ
る装置は進歩が充分とは云えなかった。

このような状況の中で、ファクシミリの分野では現実的
要求から画像の読取装置の開発に力が注がれてきた。そ
の技術目標は、高分解能を達成すると同時に装置を小型
化にすることであった。又、カラー画像の読取も１つの
目的であった。

更に、複写機の分野においては、従来の電子写真方式と
は異なり、感熱転写方式等のようにドツトタイプで画素
形成する方式が検討されている。

この時には、入力装置に対して通常のファクシミリ装置
よりも高速、高分解能であることが要求されるようにな
った。

このような要求に応える技術として固体走査方式がある
。例えば、光電変換用のホトダイオードアレイとＭＯＳ
スイッチとを組み合わせたものと、デバイス自身で画素
分解機能と光情報蓄積機能を兼ね備えた半導体機能素子
を用いたものとがある。

このような固体撮像素子は、高集積化されているので１
チツプの大きさが原稿よりも非常に小さくなってしまい
、縮小光学系を用いなければならなかった。特に特開昭
５４−７９５１１号公報の第２頁左欄下段には、「市販
の光ダイオードアレイやＣＣＤセンサは集積化されてい
るため原稿の読取には縮少光学系を使わなければならな
い。このために光学系部分が大型化することはさけられ
ず、これは小型の原稿読取装置を作るためには極めて都
合の悪いことである。それでは１；１の原稿結像光学系
、具体的にはセルフォックレンズを使えるような原稿幅
大の受光素子プレイを採用しさえすれば小型にできるか
と言うとそうではない。市販の単品半導体スイッチを使
って読取回路を作ろうとすれば、部品の大きさ、個数か
ら判断してかなり大型且つ高価なものＫなってしまう。

」という記載がなされている。この記載は、この分野に
おける状況を端的に表わしており、このような認識の上
に密着センサが開発された。密着センサはレンズ系を省
略し、対象物体である原稿とセンサとが１：１に直接対
応する構成をとる。この密着センサはレンズ系を用いな
くてもよいことから装置は小型化される。ところが原稿
とセンサとの密着が確実に行われ、例えば何１０μｍの
オーダに収まっていないと、読取画像の質が非常に低下
してしまった。又、センサ材料の応答性が充分ではなく
高速読取ができなかった。

〔発Ｉ男の目的〕

この発明は以上の欠点を除去し、高分解の読取が可能で
あって、安価な密着センサを提供することを目的とする
。

〔発明の概要〕

この発明は、密着センサにおいて読取ろうとする画像を
同じ大きさで正立の実像のままＩＣイメージセンサチッ
プ上に結像させ、この像を複数のＩＣイメージセンサチ
ップで読み取る装置であって、光学系、基板そして光源
とを一体化構造とすると共に、搬送可能とするものであ
る。

好ましくは、光電変換素子の個々の大きさをこの密着セ
ンサに要求される画素の大きさの２分の１以下とする。

〔発明の効果〕

この発明は、２列以上の光電変換素子列によって一走査
線を覆うので大きな画像の読取が可能となる。又、読取
画像をそのままの大きさと向きで複数の光電変換素子列
上に渡って結像させるので光電変換素子の大きさに依存
した分解能が実現される。例えば、Ｓｉ系からなる光電
変換素子列を用いれば現状の技術によって容易に微細高
集積化されたものが入手可能だからである。

又、転送部は複数の光電変換素子列毎に対応して設けら
れているので、共通の転送部によって電気信号を転送す
る場合と比較して、信号の転送は並列となりより高速と
なる。同時に転送距離が短いので誤りの発生する確率も
少なくなる。

〔発明の実施例〕

次に、この発明の実施例を図面に従って説明する。この
実施例での密着センサは、Ａ４判の大きさのカラー原稿
を読取可能なものである。

この密着センサは、光電変換素子及びこの光電変換素子
により変換された電荷を転送する転送部と、光電変換素
子上に１対１の正立の実像を結像しうる光学系としての
集束性ロッドレンズアレイ及び線状光源とから構成され
る。

この実施例では光電変換素子及び転送部としての電荷結
合素子を含むものをＣＣＤ　（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌ
ｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）と呼ぶ。これらは同一チップ上に
形成される。更に、この実施例では光電変換素子、即ち
、ホトダイオードをＣ−８ｉで形成する。

このＣ−３ｉにょるホトダイオードは光電変換速度が高
く、ｌ　ｍ　Ｓ　ｅ　Ｃ以下である。又、以下の説明で
は光電変換素子をＣＣＤセンサと呼ぶ。

このＣＣＤセンサバ１４μｍのピッチで設けられ１チツ
プに２０４８素子設けられている。このようｆｚ　ＣＣ
Ｄ　ｆ　７プ（ｌｌａ）乃至（ｏｈ）を８個、第１図に
示すようにセラミック基板（１２上に千鳥状に設ける。

ＣＣＤチップ（１１ａ）乃至（ｌｌｈ）は全体とじて少
なくともＡ４判の幅を覆うｔ＝２１０ｍｍ　　の長さが
必要である。又、この実施例では各ＣＣＤチップ（ｌｌ
ａ）乃至（ｌｌｂ）は重なりｄ　＝　２．３８ｍｍ、　
　これはＣＣＤセンサの１７０素子分に相当する、を許
して配列される。

このようなＣＣＤチップ（ｌｌａ）乃至（ｌｌｈ）に対
し、第２図に示すように、２枚の集束性ロッドレンズア
レイ（商品名セルフォックレンズ、日本板硝子製）　（
２１ａ）、　（２１ｂ）をＶ字形釦配列する。個々の集
束性ロンドレンズアレイ（２ｘａ）、　（２１ｂ）　ｕ
、長さがＡ４判の原稿の幅以上とし、８個のＣＣＤチッ
プけｌａ）乃至（ｏｈ）の全体としての長さと同一にし
ておく。又、この集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）
、　（２１ｂ）　ノ高さｈは、設計上２０ｍｍ乃至５０
ｍｍが適当である。この値は、この集束性ロッドレンス
アレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）の焦点深度を深くする
ためである。特に５０ｍｍの時は焦点深度が深い。

集束性ロッドレンズアレイ（２ｔａ）、　（２１ｂ）　
Ｂ、ａ電板状である。しかし、この実施例では２つの集
束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）が噛
み合うように、集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、
　（２１ｂ）　（７）稜を削り取る。このようにすると
削り取る斜面の角度を調節することによって、２つの集
束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）のな
す角度を調節できる。しかも、これらの集束性ロッドレ
ンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）の占める空間が小
さくなる。

但し、削り取られた斜面からは光が入り込まないようＫ
している。

密着センナとして、線状光源（３１ａ）、　（３ｔｂ）
が必要である。線状光源＜３１８）、　（３１ｂ）は第
３図に示すように集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）
、　（２１ｂ）　Ｋ近接して平行に設けられる。

この線状光源（３１ａ）、　（３１ｂ）　、集束性ロッ
ドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）及びセラミッ
ク基板（１２が一体となって密着センサを構成する。こ
の密着センサは原稿（３２）を横断するように配置され
、１ラインづつを読み取っていく。

線状光源（３１ａ）、　（３１ｂ）からの光は原稿の１
ラインに照射される。照射された光は原稿（３２）上で
反射し集束性ロンドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１
ｂ）で受光される。集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ
）、　（２１ｂ）は原稿（３２）上の画像をＣＣＤセン
サ上に結像する。

集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）は
焦点深度が大きいので、集束性ロッドレンズアレイ（２
１ａ）。

（２１ｂ）と原稿（３２）との距離が一定ではなく、多
少の変動があってもＣＣＤセンサ上に鮮明な画像を結（
ｉさせる。しかも、集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ
）、　（２１ｂ）は原稿（３２）上ノ画像ヲ縮小スルコ
トなく１対１でＣＣＤセンサ上に結像させる。

次に、具体的かつ好ましい構造を説明する。第４図に示
すようにＣＣＤ　チｙブ（ｌｌａ）乃至（Ｈｈ）が装着
された基板（１１）に、窓（３３ａ）乃至（３３ｈ）が
設けられた蓋（３４）を承す付ける。との蓋（３４）は
窓（３３ａ）乃至（３３ｈ）以外からは光を通さない。

窓（３３ａ）乃至（３３ｈ）はＣＣＤチップ（ｌｌａ）
乃至（ｌｌｈ）に対応して設けられている。

このような基板性１）及び蓋（３４）に対して、第５図
に示すように支持部（３５）を取り付ける。この支持部
（３５）は窓（３３ａ）乃至（３３ｈ）に対応した土壁
に穴（３６）が設けられている。この穴（３６）の上部
に、集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ
）が位置するように集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ
）、　（２１ｂ）を支持部（３５）に取り付ける。

一方、この支持部（３５）には１本の線状光源（３１ａ
）を一体に取り付ける。この線状光源（３１ａ）は第５
図に示すように一部のみから光が放射されるようにして
いる。即ち、原稿（３２）　Ｋ対し４５°の角度付近か
らの光が放射されるように窓（３７）を設ける。

他の部分からの光の照射はない。

このような密着センサは原稿（３２）に対し、第６図に
示されるように配置される。即ち、集束性ロッドレンズ
アｖ　イ（２１ａ）、　（２１ｂ）　カ原稿（３２）　
Ｋ対向するように配置され、かつ線状光源（３１ａ）の
窓（３７）が原稿（３２）に対し４５°の位置になるよ
うに配置される。

密着センサの大きさは、第６図に示すように原稿（３２
）から基板（１２１迄の距離りが約５９ｍｍ、支持部（
３５）の端から線状光源（３１ａ）の端迄の距離Ｗ１が
６０ｍｍ、支持部（３５）の端から線状光源（３１ａ）
の点灯回部（３８）の端迄の距離Ｗ、がｌＱＱｍｍであ
る。

次に、ＣＣＤセンサの配列ピッチについて説明する。

この実施例での密着センサの解像度は１２本／ｍｍとす
る。この時の１画素は約８４μｍである。

この１画素の大きさは、第７図に示すように集束性Ｏｙ
ドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）　ＫよってＣ
ＣＤセンサ上でもやはり８４μｍである。こ（７）ＣＣ
Ｄ　センサは１４μｍのピッチで設けられている（実質
上、ＣＣＤセンサは７２本／ｍ　ｒｎの分解能がある。

）ので、１画素の大きさの中に６エレメントのセンサが
含まれることになる。

この１画素を構成する６エレメントに対し、ホワイト（
Ｗ）、シアン（Ｃ）　、　　イエロ（Ｙ）のフィルタを
第４図に示すようにこの順で２枚づつ貼り付ける。但し
端の６エレメントには黒のフィルりを貼９付けておく。

後述するようにこの実施例でのフィルタの貼り付けは、
１枚のフ、イルタを貼抄付ける場合に比べ相当の誤差が
許される。

次にこのよりなＣＣＤからの信号を処理する回路につい
て説明する。この回路は第５図に示すように入力部（５
りと、この入力部（５りからの出力を色毎に積分する積
分部（接）と、この積分部（誓）からの出力を増幅する
増幅部（嬰）と、この増幅部（按）からの出力をディジ
タル信号に変換するＡ−Ｄ変換部（暑）と、このＡ−Ｄ
変換部（因）からの信号を収納する記憶部（嬰）とから
成る。

入力部（５１）は、シリアル信号を出力する第１乃至第
８　ノＣＣＤ　ｆ　、、、プ（ｌｌａ）乃至（ｌｌｂ）
と、’４ｖベルクランプ回路としてのサンプリングホー
ルド回ｊｅｔｓ　（５６ａ）乃至（５６ｈ）及び差動増
幅器（５７ａ）乃至（５７ｈ）とから構成される。１つ
のＣＣＤチップ（１ｔａ）乃至（ｌｌｈ）の出力信号の
各々は、サンプリングホールド回路（５６ａ）乃至（５
６ｈ）の各々と、差動増幅器（５７ａ）乃至（５７ｈ）
の各々に入力する。又す／ブリングホールド回路（５６
ａ）乃至（５６ｈ）の出力は差動増幅器のもう１つの入
力となる。

積分部（接）は、差動増幅器（５７ａ）乃至（５７ｈ）
の出力を色毎に分離するマルチプレクサ（５８ａ）乃至
（５８ｈ）と、コノマルチプレクｔ　（５８ａ）乃至（
５８ｈ）からの色毎の出力信号を積分する積分器（５９
１ａ）　。

（５９１ｂ）、　（５９１Ｃ）　（Ｋ　１のＣＣＤチッ
プ（ｔｔａ）　ｏ出力信号に対応）、（ｓｃ＋２ａ）、
　（ｓ９ｚｂ）、　（５９２Ｃ）　（第２のＣＣＤ　ｆ
　、、、プ（ｆｌｂ）　（Ｄ出力信号に対応）　、（５
９３ａ）。

（５９３ｂ）、　（５９３Ｃ）　（第３のＣＣＤチップ
（ＩＩＣ）の出力信号に対応）、（５９４ａ）、　（５
９４ｂ）、　（５９４Ｃ）　（第４のＣＣＤ　チ、、、
ブ（１１Ｃ）　＋７）出力信号に対応）　、（５９５ａ
）。

（５９５ｂ）、　（５９５Ｃ）　（第５のＣＣＤチップ
（ｌｉｄ）の出力信号に対応）、（ｓ９６ａ）、　（ｓ
ｃ＋６ｂ）、　（５９６Ｃ）　（第６のＣＣＤチップ（
ｌｘｅ）の出力信号に対応）　、（ｓ９７ａ）。

（５９７１））、　（５９７ｃ）　（第７のＣＣＤチッ
プ（ｌｌｆ）の出力信号に対応）、（５９８ａ）、　（
５９８ｂ）、　（５９８Ｃ）　（第８のＣＣＤチップ（
ｌ１ｇ）の出力信号に対応）とから成るＯ増幅部（娶）は、積分器（５９１ａ）乃至（５９８Ｇ）
からの色毎の出力信号を増幅する増幅器（５３１ａ）、
　（５３１ｂ）。

（５３１Ｃ）、　（ｓ３ｚａ）、　（５３２ｂ）、　（
５３２Ｃ）、　（５ａａａ）、　（５３３ｂ）。

（５３３Ｃ）、　（５３４ａ）、　（５３４ｂ）、　（
５３４Ｃ）、　（５３５ａ）、　（５３５ｂ）。

（５３５Ｃ）、　　（ｓ３６ａＬ　　（５３６ｂＬ　　
（５３６Ｃ）、　　（５３７ａ、）、　　（５３７ｂ）
。

（５３７ｃ）、　（５３８ａ）、　（５３８ｂ）、　（
５３８Ｃ）とから成る。

Ａ−Ｄ変換部（す）は、３色毎に増幅された信号を時分
割で切り換えて出力するセレクタ（５４１ａ）乃至（５
４１ｈ）とこのセレクタ（５４１ａ）乃至（５４１ｈ）
からのアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ
変換器（５４２ａ）乃至（５４２ｈ）とから成る。

記憶部（嬰）はホワイト、シアン、イエロ毎のメモリを
有し各色毎に２ライン分設けられており、Ａ／Ｄ変換器
（５４２ａ）乃至（５４２ｈ）の出力信号を記憶してい
く。

さてこのような回路の動作について、白色原稿を読取る
場合を例に上げ、第１のＣＣＤチップ（１ｔａ）の出力
信号を中心に説明する。

第１乃至第８のＣＣＤチップ（ｌｌａ）乃至（ｌｌｈ）
には図示し碌いＣＣＤ走査パルス発生器からのパルス信
号が供給される。このパルス信号に同期して、ＣＣＤセ
ンサで光電変換された信号がＣＣＤチップ（ＩＸａ）乃
至（ｌｌｂ）から出力される。

第１のＣＣＤチップ（ｌｌａ）からシリアルに出力され
る信号は、第６図に示されるように最初の６ドツト分は
黒のフィルタがＣＣＤセンサ上に貼り付けであるので、
出力信号の電圧はＶ、である。この電圧はＣＣＤセンサ
の暗電流に伴う電圧である。

多くの場合、６乃至８ボルトである。これに対し、Ｗ、
Ｙ、Ｃのフィルタが貼り付けられたＣＣＤセンサの出力
信号の電圧は■１に対し、１０　Ｑｒｎ’Ｖのオーダの
変化端しかない。以下では電圧Ｖ、を基準電圧と呼ぶ。

このような信号群のうち、黒のフィルタが貼り付けられ
たＣＣＤセンサからの信号がサンプリングホールド回路
（５６ａ）で保持される。このサンプリングホールド回
路（５６ａ）は、２０４８４［）ＣＣＤセンサからの出
力信号が差動増幅器（５７ａ）に全て送出されるまでの
間、基準電圧■、を有する信号を差動増幅器（５７ａ）
に送出する。

従ツーＣ１差動増幅器（５７ａ）はＷ、Ｃ，Ｙのフィル
タが貼り付けられたＣＣＪ）センサでの出力信号の電圧
と基準電圧との差をとり、同時のこの差の電圧を適当に
増幅する。

この時の差動増幅器（５７ａ）の出力は、第７図に示す
ようにＷのフィルタが貼り付けられたＣＣＤセンサから
の信号（７１Ｗ）、Ｙのフィルタが貼り付けられたＣＣ
Ｄセンサからの信号（７１ｙ）　、ｃのフィルタが貼り
付けられたＣＣＤセンサからの信号（７１Ｃ）の順序で
連続している。但しこれらの信号（７１Ｗ）、　（７ｔ
Ｙ）、　（７１Ｃ）　Ｂ　２ａノＣＯＤ　七ンｔカラノ
出力である。従って、この時のＣＣＤセンサの画小読取
画素の大きさくカラーであることを考慮しなければ分解
能）ｌ−１，，２８，ｃｕａ（３６本／ｍｍ）　　であ
る０このような連続したアナログ信号が、マルチプレクサ（
５８ａ）に於いて色毎に分離する。第８図（ａ）に示さ
れるようなＷのフィルタが貼り付けられたＣＣＤ−ｔ＝
７ｔからの信号（７１Ｗ）は積分器（５９１ａ）に入力
する。第８図（ｂ）に示されるようなＹのフィルタが貼
ゆ付けられたＣＣＤセンサからの信号（７１Ｙ）は積分
器（５９１ｂ）に入力する。第８図（Ｃ）に示されるよ
うなＣＣＤセンサからの信号（７１Ｃ）は積分器（５９
１Ｇ）に入力する。

積分器（ｓ９ｔａ）、　（５９１ｂ）、　（５９１Ｃ）
　　にこの中に含まれるコンデンサ（図示しない）に電
荷を蓄積する。

第９図に示されるように積分器（５９４ａ）、　（５９
１ｂ）。

（５９１Ｃ）に信号が入力される時間ｔ０の間積分動作
を行う。積分が終了した時には、第９図の実線で示され
るようなこの時の電圧値を保持して増幅器（５３１ａ）
、　（５３１ｂ）、　（５３１Ｃ）に送出する。

積分器（ｓ９ｘａ）、　（５９１ｂ）、　（５９１Ｃ）
は次のような効果を有する。例えば第１０図に示される
ように積分器（ｓ９１ａ）、　（５９ｔｂ）、　（５９
１ｃ）　Ｋ入力ｔル以前［、ノスルが信号に乗ってしま
う場合を考える。　このような信号が積分器（５９ｘａ
）、　（５９１ｂ）、　（５９１Ｇ）に入力すると、第
９図の点線で示されるように、積分値に微小な変動があ
るだけでノイズの影響はほとんどなくなってしまう。

このように、ノイ区の影響がなくなった信号が増幅器（
ｓ３ｔａ）、　（ｓ３ｔｂ）、　（５３１Ｃ）に供給さ
れる。この増幅器（ｓａｌａ）、　（ｓ３ｘｂ）、　（
５３１Ｃ）の個々の増幅率は色毎の出力の電圧が同一に
なるように調整される。

従って、増幅器（５３１ａ）、　（５３１ｂ）、　（５
３１Ｃ）の出力が原稿が全て白画偉の場合同一電圧Ｖ、
の信号が出力される。

このような信号が、セレクタ（５４１ａ）に供給される
。セレクタ（５４１ａ）　　は一種のスイッチである。

このセレクタ（５４１ａ）は、ＣＣＤ走査パルス発生器
からのパルス信号の周期の２倍の周期でスイッチ動作、
即ち切り換え動作を行う。従ってセレクタ（５４１ａ）
からは、第１４図（ａ）　（ｂ）　（Ｃ）に示され；ｂ
ヨ’）ｆｘ時分割された信号が多重化されて出力される
。

このように時分割された信号が、Ａ／Ｄ変換器（５４２
ａ）に供給される。３個の増幅器（５３１ａ）、　（５
３１ｂ）。

（５３１Ｃ）　Ｋ対応して１１［）Ａ／Ｄ変換器（５４
２ａ）を時分割で用いている。Ａ／Ｄ変換器（５４２ａ
）は高価であり、少ない方が好ましい。

Ａ／Ｄ変換器（５４２ａ）の出力は、記憶部（嬰）に収
納される。この記憶部（嬰）は前述のように、ホワイ）
　、　イｚｏ、　シ’ｙ７毎ｏメモ’）　（１２１Ｗ）
、　（１２１Ｙ）。

（１２１Ｃ）が用意さ五ている。更にこの記憶部（す）
にはゲートが設けられている。仁のゲートは、セレクタ
（５４１ａ）乃至（５４１ｈ）での信号切換と対応しテ
イル。即ち、Ａ／Ｄ変換器（５４２８）乃至（５４２ｈ
）からのディジタル信号は、ＣＣＤセンサに貼り付けら
れたフィルタの色に応じて、ゲートが開かれ、ホワイト
、イエロ、ンアン毎のメモリ（１２１〜’／）、　（１
２１Ｙ）。

（１２１Ｃ）　Ｋ収納サレル。？−１）Ｊ　モ＋）　（
１２１Ｗ）、　（１２１Ｙ）。

（１２１Ｃ）には２０４８Ｘ８個の信号が記憶される訳
ではない。前述のように同一色のフィルタを２個のＣＣ
Ｄセンサに貼り付けているので信号数は２分１になる。

更に、３色の色毎に信号を完全に分離して記憶するので
色毎のメモリ（１２１Ｗ）、　（１２１Ｙ）。

（１２１Ｃ）　Ｋ収納される信号数は、更に３分の１と
なる。従って全体として色毎のメモリ（１２１〜■）。

（１２１Ｙ）、　（１２１Ｃ）には、全ＣＣＤセンサの
６分の１の数の信号数分だけを収納する能力があればよ
い。

このような色毎のメモリ（１２ｉＷ）、　（１２１Ｙ）
、　（１２１Ｃ）に収納された信号は、同一記憶容量を
有する読み出（、用メモ！Ｊ　（１２２Ｗ）、　（１２
２Ｙ）、　（１２２Ｃ）　Ｋハ５　Ｌ／　ｋに供給され
る。この読み出し用メモリ（１２２Ｗ）。

（１２２Ｙ）、　（１２２Ｃ）からの読み出しに際して
は次のことを注意する。第１図に示されるように第１乃
至第８１７）ＣＣＤチップ（１１ａ）乃至（１１ｈ）カ
、画像読取の走査線上でＣＯＤセンナ数で１７Ｑ工レメ
ント分光学的に重なっている。従って、この部分を除去
しながら読み出す必要がある。

この実施例では、第１及び第８のＣＣＤチップ（ｌｌａ
）乃至（ｌｌｂ）をハイブリッド技術により設ける際に
重なり部分がわかるので、この重なりに対応する画素を
除去すればよい。但し、ＣＣＤチップ（ｌｌａ）乃至（
ｌｌｂ）上で画素と言及する時は、ＷＩＣ，Ｙのフィル
タが貼り付けられた６個のＣＣＤセンサ群を指す。

例えば第１３図に示すように第１のＣＣＤチップ（ｌｌ
ａ）左端からｎ番目の画素迄は、第２のＣＣＤチップ（
ｌｌｂ）とは重ならず、（ｎ＋１）番目の画素からは第
２のＣＣＤチップ（１ｔｂ）と重なる場合を説明する。

この実施例では（ｎ＋１　）番目以降の画素には全てＣ
のフィルタを貼り付けておく。

メモリ（１２１Ｗ）、　＜１２１Ｙ）、　（１２１Ｃ）
及び読み出し用メモリ（１２２Ｗ）、　（１２２Ｙ）、
　（１２２Ｃ）の各々には、１画素に対して１つの信号
が収納される。従って（ｎ＋１）番目からＣＣＤチップ
（ｈａ）上の端の画素（ｎｏ番目の画素とする。）まで
の信号を除去すればよい。

これは、読み出しの際にスキップさせればよい。

このスキップを各色毎の読み出しメモ！Ｊ　（１２２Ｗ
）。

（１２２Ｙ）、　（１２２Ｃ）からの読み出し時に用い
る。

重なり部分の識別は、例えばＷの信号について言えば、
ハイブリット化した後、ＣＯＤカラーセンサで８０ｈ程
度の細い縦線の原稿を読み取り、Ｗメモリ中からのディ
ジタル信号をＤ／Ａ変換してアナログ値として出力する
と、その出力信号が２つの信号として得られるので、こ
れを１つの信号になるようにＣＣＤセンサ後端部のメモ
リのアドレスを除去することにより容易に行える。

次に、以上の回路をどこに配置するかＫついて説明する
。この実施例では入力部（５１）をセラミック基板ｔｔ
ａ上に設ける。但し第１図には、第１乃至第８のＣＣＤ
チップ（ｌｌａ）乃至（ｉｔｈ）のみを示している。積
分部（５２）　、増幅部（５３）、Ａ−Ｄ変換部及び記
憶部（５５）は密着センサを構成する基板（ｌり上には
設けず、基板＠外部に設ける。そしてこれらの回路と入
力部（５りとをコードで電気的に接続する。

この利点は（１）ＣＣＤチップ（ｌｌａ）乃至（ｌｌｈ）　、　サ
ップリングホールド回路（５６ａ）乃至（５６ｈ）及び
差動増幅器（ｓ７ａ）乃至（５７ｈ）そして線状光源　
（３１ａ）、　（３１ｂ）。

集束性ロッドレンズアレイ（２１ａ）、　（２１ｂ）が
基板０りと一体に設けられるので軽量である。

（Ｉｔ）コードでノイズが拾わられても積分部（５２）
　Ｋよりノイズが実質上打ち消される。

の２点である。

又、２つのＣＣＤセンサに同一色のフィルタを貼り付け
ているので、一方のＣＣＤセンサに欠陥があっても他方
のＣＣＤセンサからの信号を用いればよい。実際、ＣＣ
Ｄは２０４８素子を１チツプに形成すると２乃至３個の
欠陥素子が発生することはよくある。この場合には、不
良品として廃棄していたがこのように利用すると欠陥素
子があっても実質上、欠陥素子はないのと等価である。

これは、白黒の原稿を読取る際により効果を発揮する。

欠陥がない場合には、２つのＣＣＤセンサからの信号を
用いるとＳ／Ｎが上昇する。もつとも、１画素を３個の
ＣＣＤセンサにより読取ってもよい。その時にはＷ、Ｙ
、Ｃのフィルタを１枚づつＣＣＤセンサに貼り付ける。

白黒の原稿を読取る場合には１画素をＩ　ＣＣＤセンサ
で読取ってもよい０更に、同一色のフィルタを１画素中に貼り付けると、フ
ィルタの貼り付は誤差が多少あっても色分離が確実にで
きる。

この実施例での回路上の特徴をまとめると次の通りであ
る。

（１）ノイズに強い。

（ＩＩ）Ａ／Ｄ変換器が少なくて済む。

（ｉｉｌ）色毎の信号の調整が可能である。

ｈ）移動する基板上に設けられる構成要素が少く基板の
移動の支障とならない。

（１）及び６ｖ）の利点は関連があり、色に応じた信号
のみを取り出すと同時に適当に増幅する入力部（５りの
みを基板に設けているので基板重量は軽い。

ここで得られた信号を信号線により積分部（照）Ｋ送る
ので、信号線でノイズが拾われても積分部（５２）でノ
イズが消される。

そしてノイズが消された後に増幅部（替）で増幅するの
でノイズの影響は表われない。

（１１）の利点は、時分割で用いているためである。

（ｌｉｌ）の利点は、色毎に増幅器を設けているためで
ある。

又、この実施例ではＣＯＤにより信号の転送を行ってい
るがＣＯＤは転送速度が速い。又、例えば人４刊の大き
さの原稿の読取に際し、この大きさのＣＯＤを１個用い
るよりも、この実施例のように８個のＣＯＤを用いた方
が並列に信号転送を行うので転送時間が短かい。余分に
読取ってしまった信号は、前述のように読み出し用メモ
リ（１２２Ｗ）、　（１２２Ｙ）、　（１２２Ｃ）　　
カラ＋７）信号ノ読ミ出シヲ選択して行えばよく、しか
もそれは大きなＣＯＤを１個用いた場合に対して読み取
りに要する時間は同じである。

以上、この発明の実施例について説明したが、実施例に
は何等拘束されるものではない。実施例では光電変換素
子列と転送部とをＣＯＤにより実現したが、ＣＴ　Ｄ　
（Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　；
ｌｉ荷転送素子）を用いてもよい。例えばＢ　Ｂ　Ｄ（
ＢｕｃｌｃｅｔＢｒｉｇａｄｅ　Ｄｅｖｉｃｅ）　、　
　ＣＩ　Ｄ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｄ
ｅｖｉｃｅ）。

Ｌ　ＣＤ　（Ｌｉｇｈｔ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃ
ｅ）　、　Ｐ　ＣＤ（Ｐｌａｓｍａ　ＣｏｕｐｌｅｄＤ
ｅｖｉｃｅ）　、　　スキャンターである。又、光電変
換素子列は、千鳥状に配列しなくとも読取領域を位うよ
うに３列に配置してもよく、いかなる複数個の配置をと
ってもよい。

光学系は、集束性ロッドレンズアレイには限定され々い
。光源も２個ではなく１個でもよく、数には限定されな
い。又、光源としては螢光灯。

ＬＥＤ　（Ｌｉｇｈｔ　ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）
テもヨイ。要すルニ、この発明の職旨を逸脱しない限φ
どのような変形をもこの発明に含まれる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１６図は、実施例に係る密着センサを示し
、第１図は８個のＣＣＤチップの配置を示す図、第２図
はＣＣＤチップと集束性ロッドレンズアレイとの位置関
係を示す模式斜視図、第３図は、ＣＣＤチップ上への結
像を説明するための密着センサの模式断面図、第４図は、ＣＣＤチップが設けられた基板を密着センサ
として構成する際の組立図、第５図は、密着センサの斜視図、第６図は、第５図に示される密着センサの側面図、第７
図は、ＣＣＤセンサ上へのフィルタの貼り付は方を示す
図、第８図は、この密着センサの電気回路図、第９図乃至第
１４図は、この電気回路図内の各部の信号を示す図、第１５図は、記憶部を示す図、第１６図は、ＣＣＤチップの重なりを示す図である。（ｈａ）、　（ｎｂ）、　（ＩＩＣ）、　（ｌｉｄ）、
　（ｈｅ）、　（ｏｆ）、　（ｏｇ）。（４ｔｈ）・・・ＣＣＤチップ（ｚｘａ）、　（２１ｂ）・・・集束性ロッドレンズア
レイ（３ｔａ）、　（３１ｂ）　−・・線状光源代理人
　弁理士　則　近　憲　佑（ほか１名）第１図第２図第３図第４図第５図：　　　　　　　　　：￥−＋−Ｗｆ　−一一一第６図 □へμｍ□ 第７図ｒ−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−、。第８図第９図第１３図喝チー第１４図（２２Ｃ第１５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光源と、この光源からの光が照射される原稿に対向して設けられ
た基板と、この基板上に前記原稿幅を隙間なく覆うようにして千鳥
状に配列された複数のＩＣイメージセンサチップと、この複数のＩＣイメージセンサチップ上に前記原稿上の
被照射走査線部からの反射光が１対１の正立の実像とし
て結像させる光学系とを備え、この光学系、前記基板そ
して前記光源とを一体化構造とすると共に、搬送可能と
して、前記原稿に対して配置して成ることを特徴とする
密着センサ。