JPS6144477A - 高耐候性非晶質シリコン太陽電池 - Google Patents
高耐候性非晶質シリコン太陽電池Info
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- JPS6144477A JPS6144477A JP59167036A JP16703684A JPS6144477A JP S6144477 A JPS6144477 A JP S6144477A JP 59167036 A JP59167036 A JP 59167036A JP 16703684 A JP16703684 A JP 16703684A JP S6144477 A JPS6144477 A JP S6144477A
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- electrode
- solar cells
- amorphous silicon
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１ユｐμ月亘互
本発明は非晶質シリコン太陽電池に関する。更に詳しく
は、耐候性を改良した非晶質シリコン太陽電池に係る。
は、耐候性を改良した非晶質シリコン太陽電池に係る。
従来の技術
光起電力効果を利用した太陽電池装置は、太陽エネルギ
ーあるいはその他の光エネルギーを電気エネルギーに変
換するものであり、今後のエネルギ一対策の一環として
有力な技術の１つとして注目され、期待されている。こ
の太陽電池による、太陽エネルギー等の電気エネルギー
への変換は、まず、太陽電池に入射した太陽光等が太陽
電池の活性領域に吸収され、そこで電子と正孔とを形成
する。かくして発生した電子と正孔は太陽電池の接合な
どによる内部電界によって分離され、光電流もしくは光
電位として外部に取出すことができる。
ーあるいはその他の光エネルギーを電気エネルギーに変
換するものであり、今後のエネルギ一対策の一環として
有力な技術の１つとして注目され、期待されている。こ
の太陽電池による、太陽エネルギー等の電気エネルギー
への変換は、まず、太陽電池に入射した太陽光等が太陽
電池の活性領域に吸収され、そこで電子と正孔とを形成
する。かくして発生した電子と正孔は太陽電池の接合な
どによる内部電界によって分離され、光電流もしくは光
電位として外部に取出すことができる。
内部電界は各種の手段により実現可能であり、例えばｐ
型、真性い型）、ｎ型の水素添加非晶質シリコンの活性
領域を有する半導体層（いわゆるｐｉｎ型太陽電池）、
ショットキー障壁などがよく知られている。
型、真性い型）、ｎ型の水素添加非晶質シリコンの活性
領域を有する半導体層（いわゆるｐｉｎ型太陽電池）、
ショットキー障壁などがよく知られている。
ｐｉｎ型太陽電池では、真性領域中で適当なバンドギャ
ップの太陽光が吸収されると電子−正孔対が発生し、ｎ
型領域に向って電子が移動し、一方ｐ型領域に向って正
孔が移動し、その結果光エネルギーの吸収により形成さ
れた電子−正孔対が分離されて光電流および光起電力が
発生することになる。
ップの太陽光が吸収されると電子−正孔対が発生し、ｎ
型領域に向って電子が移動し、一方ｐ型領域に向って正
孔が移動し、その結果光エネルギーの吸収により形成さ
れた電子−正孔対が分離されて光電流および光起電力が
発生することになる。
第２図（ａ）およびら）に従来の非晶質シリコン（以下
簡単化のためにａ−３ｉという）型太陽電池の例を断面
図で示した。
簡単化のためにａ−３ｉという）型太陽電池の例を断面
図で示した。
第２図はｐｉｎｌｎ型層ｉ太陽電池の２つの異る態様を
示すものであり、（ａ）ではガラス基板１と、その上の
透明電極２、および該電極２上のｐｉｎ接合を構成する
半導体層３（ｐ型層 Ｓ＋） 、４（１型ａ −３ｉ
）および５（ｎ型層 −３ｉ ）と金属電極６並びに
半導体層５上に設けられた金属電極７から構成されてい
る。
示すものであり、（ａ）ではガラス基板１と、その上の
透明電極２、および該電極２上のｐｉｎ接合を構成する
半導体層３（ｐ型層 Ｓ＋） 、４（１型ａ −３ｉ
）および５（ｎ型層 −３ｉ ）と金属電極６並びに
半導体層５上に設けられた金属電極７から構成されてい
る。
また第２図ら）の例は電極としても機能するステンレス
基板ｌＯとその上に形成されたｐ型層 −３ｉ層１１．
１型ａ−３ｉ層１２およびｎ型層 −３ｉ層１３とで構
成されるｐｉｎ接合と透明電極１４とから構成されてい
る。
基板ｌＯとその上に形成されたｐ型層 −３ｉ層１１．
１型ａ−３ｉ層１２およびｎ型層 −３ｉ層１３とで構
成されるｐｉｎ接合と透明電極１４とから構成されてい
る。
これら２つの型のｐｉｎ型太陽電池において、一般に１
型層は約５．０００人程度、ｐ型およびｎ型層は約１０
０Ａまたは５００人程度である。
型層は約５．０００人程度、ｐ型およびｎ型層は約１０
０Ａまたは５００人程度である。
この種のｐｉｎ型太陽電池等は大きな出力を得るために
、一般的には多数の第２図に示したような素子を大きな
パネル上に設け、これらを直列もしくは並列に接続して
用いられる。
、一般的には多数の第２図に示したような素子を大きな
パネル上に設け、これらを直列もしくは並列に接続して
用いられる。
しかしながら、このような従来のｐｉｎｌｎ型層Ｓｉ太
陽電池では、時間の経過に伴う出力の低下が著しく大き
いことが知られている。これは、特に屋外での長期に亘
る使用の際に出力低下が顕著であることから、ａ−３ｉ
膜中の潜在的な欠陥が、高エネルギー光、特に紫外線そ
の他の短波長光の照射により顕在化されることによるも
のと思われる。
陽電池では、時間の経過に伴う出力の低下が著しく大き
いことが知られている。これは、特に屋外での長期に亘
る使用の際に出力低下が顕著であることから、ａ−３ｉ
膜中の潜在的な欠陥が、高エネルギー光、特に紫外線そ
の他の短波長光の照射により顕在化されることによるも
のと思われる。
従って、この欠点を解消し、長期に亘る出力維持を図る
ことは太陽電池の信頼性を高め、応用範囲を拡大する上
で大きな意義がある。
ことは太陽電池の信頼性を高め、応用範囲を拡大する上
で大きな意義がある。
発明が解決しようとする問題点
以上詳しく述べたように、太陽電池は今後の重要な新エ
ネルギー資源開発の一環として大きな期待がもたれてお
り、−Ｒでは既に実用化されている。
ネルギー資源開発の一環として大きな期待がもたれてお
り、−Ｒでは既に実用化されている。
しかしながら、従来の太陽電池は、屋外で使用する場合
、あるいは高エネルギーの光、特に紫外線等の短波長光
が照射された場合に、出力が大きく劣化するという欠点
を有していた。
、あるいは高エネルギーの光、特に紫外線等の短波長光
が照射された場合に、出力が大きく劣化するという欠点
を有していた。
本発明はこのような欠点を改良した新規な高耐候性の太
陽電池を提供することを目的とするものである。
陽電池を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明者等は、従来のａ −３ｉ太陽電池の上記のよう
な現状に鑑みて、高耐候性のａ −３ｉ太陽電池を開発
すべく種々検討、研究した結果、従来のａ−３ｉ太陽電
池では光入射側のｐ型層もしくはｎ型−層の膜厚が約１
００八程度と著しく薄いために、紫外線等の短仮長元が
真性層に達し、それによって禁制帯中に準位をもつ局在
状態が顕在化され、一旦形成された電子−正孔対が捕獲
されてしまうことに基き、出力が劣化するものであると
考え、またこの局在状態の顕在化が上記光入射側のｐ型
層またはｎ型層を厚くし、紫外線等の短波長光が活性領
域即ち真性層へ達するのを防止することが、上記目的達
成のために極めて有効であることを知り、本発明を完成
した。
な現状に鑑みて、高耐候性のａ −３ｉ太陽電池を開発
すべく種々検討、研究した結果、従来のａ−３ｉ太陽電
池では光入射側のｐ型層もしくはｎ型−層の膜厚が約１
００八程度と著しく薄いために、紫外線等の短仮長元が
真性層に達し、それによって禁制帯中に準位をもつ局在
状態が顕在化され、一旦形成された電子−正孔対が捕獲
されてしまうことに基き、出力が劣化するものであると
考え、またこの局在状態の顕在化が上記光入射側のｐ型
層またはｎ型層を厚くし、紫外線等の短波長光が活性領
域即ち真性層へ達するのを防止することが、上記目的達
成のために極めて有効であることを知り、本発明を完成
した。
即ち、本発明の高耐候性ａ −３ｉ太陽電池は基板と、
該基板上に順次設けられた電極、ｐｉｎ接合を構成する
ａ −３ｉ層および前記電極と対をなすもう一つの電極
を含み、該ｐｉｎ接合を構成するａ−３ｉ層における光
入射側のｐ型層またはｎ型層の膜厚が５００Å〜２，０
００人の範囲内にあることを特徴とする。
該基板上に順次設けられた電極、ｐｉｎ接合を構成する
ａ −３ｉ層および前記電極と対をなすもう一つの電極
を含み、該ｐｉｎ接合を構成するａ−３ｉ層における光
入射側のｐ型層またはｎ型層の膜厚が５００Å〜２，０
００人の範囲内にあることを特徴とする。
前記光入射側のｐ型層またはｎ型層の厚さを５００Å〜
２，０００人の範囲内に制限したのは、該膜厚が５００
人に満たない場合には高耐候性のａ −３ｉ太陽電池を
得ることができず、一方膜厚が２．０００人を越えた場
合には該層での光吸収量が大きすぎる゛ので、出力が低
下してしまうからである。
２，０００人の範囲内に制限したのは、該膜厚が５００
人に満たない場合には高耐候性のａ −３ｉ太陽電池を
得ることができず、一方膜厚が２．０００人を越えた場
合には該層での光吸収量が大きすぎる゛ので、出力が低
下してしまうからである。
本発明による高耐候性ａ−３ｉ太陽電池の２つの態様を
第１図（ａ）およびｂ）に示した。これらは夫々第２図
（ａ）および（ｂ）に示した従来のａ −３ｉ太陽電池
と構成においてまったく同じである（従って参照番号も
同じとした）が、第１図（ａ）ではｐ型層 −３ｉ層の
厚さが従来の太陽電池における厚さく約１００人）より
も一層厚く、５００〜２．０００人とされている。
第１図（ａ）およびｂ）に示した。これらは夫々第２図
（ａ）および（ｂ）に示した従来のａ −３ｉ太陽電池
と構成においてまったく同じである（従って参照番号も
同じとした）が、第１図（ａ）ではｐ型層 −３ｉ層の
厚さが従来の太陽電池における厚さく約１００人）より
も一層厚く、５００〜２．０００人とされている。
また、同様に第１図（ｂ）ではｎ型層−３ｉ層の厚さが
従来のものよりも大きくしである。
従来のものよりも大きくしである。
本発明による高耐候性ａ −３ｉ太陽電池は従来公知の
各種方法のいずれかに従って形成することができる。
各種方法のいずれかに従って形成することができる。
基板としては、例えば軟鋼、Ａｌ、 Ｃｕ等の金属また
は合金、ガラス、セラミック、プラスチック、ステンレ
ス鋼、モリブデン等いずれを使用することもできるが、
耐候性、加工性等各種特性を考慮すれば、プラスチック
以外のものを使用することが望ましい。
は合金、ガラス、セラミック、プラスチック、ステンレ
ス鋼、モリブデン等いずれを使用することもできるが、
耐候性、加工性等各種特性を考慮すれば、プラスチック
以外のものを使用することが望ましい。
基板材料が透明であり、かつ非導電性である場合には第
１図（ａ）に示したように、光は基板側から入射する。
１図（ａ）に示したように、光は基板側から入射する。
この態様では、基板上に透明電極が蒸着法等により形成
され、次いで、光電流または充電圧取出し用の電極（八
１など）が同様な方法で形成される。次いで、まずｐ型
層を形成するが、これはシラン（ＳｉＨ，）または、ジ
シラン（ＳｉｚＨｓ）にジボラン（Ｂ、Ｈ，）等を例え
ば１％混入させ、ＤＣ，ＲＦ等によるグロー放電中で３
００℃以下の比較的低温で形成することができる。
され、次いで、光電流または充電圧取出し用の電極（八
１など）が同様な方法で形成される。次いで、まずｐ型
層を形成するが、これはシラン（ＳｉＨ，）または、ジ
シラン（ＳｉｚＨｓ）にジボラン（Ｂ、Ｈ，）等を例え
ば１％混入させ、ＤＣ，ＲＦ等によるグロー放電中で３
００℃以下の比較的低温で形成することができる。
ａ−３ｉ層の形成はグロー放電で行うことが最も適して
いるとされているが、真空蒸着、スパッタ、イオンブレ
ーティング等の各種方法を適宜改良して利用することも
できる（特開昭５７−２１１２７９号公報参照）。
いるとされているが、真空蒸着、スパッタ、イオンブレ
ーティング等の各種方法を適宜改良して利用することも
できる（特開昭５７−２１１２７９号公報参照）。
更にｐ型層−３ｉ層の形成後、ｌ型層−３ｉ、ｎ型層−
３ｉ層をこの順序で形成するが、これは前記ｐ型層−５
ｉ ただし、ｎ型層−５ｉ層の形成の際には８２Ｆ６の代り
にボスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ−）、Ｓｂ
（ＣＨ３） ３ 、Ｂｉ （Ｃ）＋３＞ ３ 、Ｎａ
Ｈ等を使用す。
３ｉ層をこの順序で形成するが、これは前記ｐ型層−５
ｉ ただし、ｎ型層−５ｉ層の形成の際には８２Ｆ６の代り
にボスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ−）、Ｓｂ
（ＣＨ３） ３ 、Ｂｉ （Ｃ）＋３＞ ３ 、Ｎａ
Ｈ等を使用す。
る（０．１〜１．０容量％）。
ｐ型、ｉ型およびｎ型層−３ｉ層の厚さは、例えば夫々
５００〜２， ０００人、約５， ０００人および約５
００八である。
５００〜２， ０００人、約５， ０００人および約５
００八である。
かくして、ａ−３ｉ層を形成した後、もう一方の電極（
へ１等）をｎ型層の面上に形成して、太陽電池素子が得
られる。これも蒸着法等の各種公知法に従って実施でき
る。
へ１等）をｎ型層の面上に形成して、太陽電池素子が得
られる。これも蒸着法等の各種公知法に従って実施でき
る。
一方、第１図（５）に示す型のａ −８ｉ太陽電池は基
板としてステンレス鋼を使用した例であり、ここでは基
板自体が光電流、光電圧の取出し用電極として機能する
。その他のｐ型（約５００人）、１型（約５， ０００
人）およびｎ型（ ５００〜２，０００人）ａ−３ｉ層
並びに透明電極の形成は第１図（ａ）のものと同様に行
うことができる。
板としてステンレス鋼を使用した例であり、ここでは基
板自体が光電流、光電圧の取出し用電極として機能する
。その他のｐ型（約５００人）、１型（約５， ０００
人）およびｎ型（ ５００〜２，０００人）ａ−３ｉ層
並びに透明電極の形成は第１図（ａ）のものと同様に行
うことができる。
第１図には基板上にｐ型、ｉ型、ｎ型なる順序でａ−３
ｉ層を積層した例を示したが、これはまったく逆の順序
、即ち基板側からｎ型、ｉ型、ｐ型の順序で形成するこ
とも可能である。更に、第２図（ａ）、ら）における透
明電極層２および１４はＩＴ○（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）で構成し、これに反射防止コーティング
の機能と電極の機能とを兼備させた構成とすることもで
きる。
ｉ層を積層した例を示したが、これはまったく逆の順序
、即ち基板側からｎ型、ｉ型、ｐ型の順序で形成するこ
とも可能である。更に、第２図（ａ）、ら）における透
明電極層２および１４はＩＴ○（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）で構成し、これに反射防止コーティング
の機能と電極の機能とを兼備させた構成とすることもで
きる。
罫月
本発明の高耐候性ａ−３ｉ太陽電池は、既に繰返し述べ
たように、光入射側のｐ型層またはｎ型層の膜厚を５０
０〜２．０００人と大巾に厚くしたことにある。
たように、光入射側のｐ型層またはｎ型層の膜厚を５０
０〜２．０００人と大巾に厚くしたことにある。
これら膜の厚さを厚くしたことにより、該膜により高エ
ネルギー光、特に紫外線等の短波長光が吸収され、その
真性層への到達が完全に防止されるので、従来の太陽電
池にふいてみられたような局在状態の顕在化が抑制され
、長期間の使用によっても出力の低下はみられなくなる
。
ネルギー光、特に紫外線等の短波長光が吸収され、その
真性層への到達が完全に防止されるので、従来の太陽電
池にふいてみられたような局在状態の顕在化が抑制され
、長期間の使用によっても出力の低下はみられなくなる
。
一般にａ −Ｓｉ型太陽電池では可視光領域の光に対す
る吸収係数が著しく優れているので、紫外線等の短波長
光がｐ型層またはｎ型層により吸収されたとしても、何
部太陽電池の出力（もしくは変換効率）には影響がない
。
る吸収係数が著しく優れているので、紫外線等の短波長
光がｐ型層またはｎ型層により吸収されたとしても、何
部太陽電池の出力（もしくは変換効率）には影響がない
。
更に、本発明の太陽電池においては、特にｐ型層におい
てはホウ素がドープされているので、耐候性がよい。ま
た、ｌ型層−３ｉ層においても、ｐ型層−３ｉ層の形成
の際使用されるホウ素が一部取込まれ、その作用も当然
耐候性の向上に寄与する。
てはホウ素がドープされているので、耐候性がよい。ま
た、ｌ型層−３ｉ層においても、ｐ型層−３ｉ層の形成
の際使用されるホウ素が一部取込まれ、その作用も当然
耐候性の向上に寄与する。
また、光入射側に反射防止膜を設けることによって光の
吸収効率を更に高めることが可能となる。
吸収効率を更に高めることが可能となる。
反射防止膜形成材料としては、例えば５ｉＯ１Ｓ１０２
、ＺｒＯ２、ＺｎＳ、 ５１３Ｎ４、Ｔａｘｅｓ、Ａｌ
ｚＯｉ、５ｂ２０３、ＴｉＯ２その他多層構造、例えば
Ｔａ２０５／５ｉＯ−等を使用することができる。
、ＺｒＯ２、ＺｎＳ、 ５１３Ｎ４、Ｔａｘｅｓ、Ａｌ
ｚＯｉ、５ｂ２０３、ＴｉＯ２その他多層構造、例えば
Ｔａ２０５／５ｉＯ−等を使用することができる。
反射防止膜の形成方法は各材料の特性に応じて最適の手
段を選ぶことができ、例えば各種真空蒸着法、スパッタ
法等により実施できる。
段を選ぶことができ、例えば各種真空蒸着法、スパッタ
法等により実施できる。
この反射防止膜の厚さｄとしては、光の波長をλ、材料
の屈折率をｎ、とじた場合にｄ＝λ／４ｎ。
の屈折率をｎ、とじた場合にｄ＝λ／４ｎ。
を満足するように選ぶことが有利であることが知られて
いる。従って屈折率の異る材料の膜を２層以上形成する
ことにより、より一層広範囲の光に対して反射率を低下
させることも可能である。
いる。従って屈折率の異る材料の膜を２層以上形成する
ことにより、より一層広範囲の光に対して反射率を低下
させることも可能である。
本発明の特にｐｉｎｌｎ型層３ｉ太陽電池においては可
視光に対する反射防止膜としてＭｇ Ｆ ２などの単層
膜を使用すれば、相乗効果として更に耐候性のよい太陽
電池を得ることができる。更に、Ａｇ−ＭｇＦ２（λ／
２ ） −八ｇなどの干渉フィルターによって可視〜
近赤外光のみを選択的に入射させるように工夫すること
も可能であり、同様に優れた効果を期待することができ
る。
視光に対する反射防止膜としてＭｇ Ｆ ２などの単層
膜を使用すれば、相乗効果として更に耐候性のよい太陽
電池を得ることができる。更に、Ａｇ−ＭｇＦ２（λ／
２ ） −八ｇなどの干渉フィルターによって可視〜
近赤外光のみを選択的に入射させるように工夫すること
も可能であり、同様に優れた効果を期待することができ
る。
本発明に従って光入射側の半導体層の厚さを大きくし、
紫外線その他の短波長光の入射を防止し、その結果太陽
電池を高耐候性にするという技術思想は、上で述べたａ
−３ｉｐｉｎ型太陽電池の他、ｐｉｎ型素子を複数積層
したもの、多結晶Ｓｉ型太陽電池等においても応用する
ことができ、同様な優れた効果を期待することができる
。
紫外線その他の短波長光の入射を防止し、その結果太陽
電池を高耐候性にするという技術思想は、上で述べたａ
−３ｉｐｉｎ型太陽電池の他、ｐｉｎ型素子を複数積層
したもの、多結晶Ｓｉ型太陽電池等においても応用する
ことができ、同様な優れた効果を期待することができる
。
ス鵠男
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明。
する。ただし、本発明は以下の実施例により何等制限さ
れない。
れない。
例
既に述べた方法に従って、第１図（ａ）に記載のような
構成のａ−３ｉ型太陽電池を作製した。ただし、ｐ型層
にはドーパントとしてＢ ＝ Ｈｓを使用し、金属電極
として１ｔＡＩを用いた。またｐ型層の厚さは７００人
とした。
構成のａ−３ｉ型太陽電池を作製した。ただし、ｐ型層
にはドーパントとしてＢ ＝ Ｈｓを使用し、金属電極
として１ｔＡＩを用いた。またｐ型層の厚さは７００人
とした。
同様に、ｐ型層−３ｉ層を１００人とした以外は上記と
まったく同様の操作に従って、従来のａ −３ｉ太陽電
池をも作製した。
まったく同様の操作に従って、従来のａ −３ｉ太陽電
池をも作製した。
これら２つの太陽電池につき変換効率の経時変化を測定
した。結果を以下の第１表に示す。また第３図にグラフ
で更に詳しい変化を示した。
した。結果を以下の第１表に示す。また第３図にグラフ
で更に詳しい変化を示した。
第１表
これらの結果から明らかな如く、本発明のａ −３ｉ型
太陽電池では初期効率において従来のものよりもわずか
に劣っているものの、−年後においても効率は殆ど劣化
せず、耐候性が著しく改善されていることがわかる。
太陽電池では初期効率において従来のものよりもわずか
に劣っているものの、−年後においても効率は殆ど劣化
せず、耐候性が著しく改善されていることがわかる。
発明の効果
以上詳しく記載したように、本発明の太陽電池では、光
入射側のｐ型またはｎ型ａ −３ｉ層の厚さを５００〜
２．０００人と、従来例と比較してかなり厚くしたこと
により、耐候性を大巾に改善することが可能となった。
入射側のｐ型またはｎ型ａ −３ｉ層の厚さを５００〜
２．０００人と、従来例と比較してかなり厚くしたこと
により、耐候性を大巾に改善することが可能となった。
即ち、１年間の試験期間を通して、変換効率は殆ど変化
せず、長期に亘る安定性を有することがわかった。
せず、長期に亘る安定性を有することがわかった。
更に、光入射面に反射防止膜、干渉フィルタ等を設ける
ことにより、耐候性の改善効果を一層向上させることも
できる。
ことにより、耐候性の改善効果を一層向上させることも
できる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明のａ−３ｉ型太陽電池の
２゛つの異る態様を概略的な断面図で示したものであり
、 第２図（ａ）、（ｂ）は従来の同様なａ −３ｉ型太陽
電池の２つの態様を概略的に断面図で示したものであり
、 第３図は本発明のおよび従来のａ −３ｉ型太陽電池の
変換効率の経時変化を示すクラブである。 （主な参照番号） １ ガラス基板、 ２．１４ 透明電極、３．１１
ｐ型ａ −３ｉ層、 ４．１２１型ａ −５ｔ層、５．
１３− ｎ型ａ −３ｉ層、 ６．７ 金属電極、１０
ステンレス基板 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 （ａ） 凡 （ｂ） 第２図 九 （ｂ）
２゛つの異る態様を概略的な断面図で示したものであり
、 第２図（ａ）、（ｂ）は従来の同様なａ −３ｉ型太陽
電池の２つの態様を概略的に断面図で示したものであり
、 第３図は本発明のおよび従来のａ −３ｉ型太陽電池の
変換効率の経時変化を示すクラブである。 （主な参照番号） １ ガラス基板、 ２．１４ 透明電極、３．１１
ｐ型ａ −３ｉ層、 ４．１２１型ａ −５ｔ層、５．
１３− ｎ型ａ −３ｉ層、 ６．７ 金属電極、１０
ステンレス基板 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 （ａ） 凡 （ｂ） 第２図 九 （ｂ）
Claims (5)
- （１）基板と、該基板上に順次設けられた電極層、ｐｉ
ｎ接合を構成する非晶質シリコン層および前記電極と対
をなす電極層を含み、該ｐｉｎ接合において光入射側の
ｐ型層またはｎ型層の膜厚が５００Å〜２，０００Åの
範囲内にあることを特徴とする高耐候性非晶質シリコン
太陽電池。 - （２）前記基板が導電性であり、電極としての機能を併
せもつことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の太
陽電池。 - （３）前記光入射側に反射防止膜または干渉フィルタを
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の太陽電池。 - （４）前記ｐｉｎ接合を構成する非晶質シリコン層が、
前記基板側からｐ型、ｉ型、ｎ型の各非晶質シリコン層
をこの順序で設けることにより形成されることを特徴と
する特許請求の範囲第１〜３項のいずれか１項に記載の
太陽電池。 - （５）前記ｐｉｎ接合を構成する非晶質シリコン層が、
前記基板側からｎ型、ｉ型、ｐ型の各非晶質シリコン層
をこの順序で設けることにより形成されることを特徴と
する特許請求の範囲第１〜３項のいずれか１項に記載の
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167036A JPS6144477A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 高耐候性非晶質シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167036A JPS6144477A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 高耐候性非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144477A true JPS6144477A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15842194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167036A Pending JPS6144477A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 高耐候性非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004095669A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Toyota Motor Corp | 光電変換素子 |
| JP2011077306A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池及びその製造法 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167036A patent/JPS6144477A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004095669A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Toyota Motor Corp | 光電変換素子 |
| JP2011077306A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池及びその製造法 |
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