JPS6144732A - 基板用ガラス - Google Patents
基板用ガラスInfo
- Publication number
- JPS6144732A JPS6144732A JP16441284A JP16441284A JPS6144732A JP S6144732 A JPS6144732 A JP S6144732A JP 16441284 A JP16441284 A JP 16441284A JP 16441284 A JP16441284 A JP 16441284A JP S6144732 A JPS6144732 A JP S6144732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mol
- substrate
- zro2
- heat resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体、金属等の各種の膜形成がなされる基板
に用いるガラスに関する。
に用いるガラスに関する。
各種の半導体、金属１Ｍ電体の薄膜は現在、電子部品の
ほとんどあらゆる分野に使われている。
ほとんどあらゆる分野に使われている。
これら簿膜は適当な基板に加熱蒸着、スパッタリングな
どの物理的方法や熱分解、光分解などの化学的方法で形
成される。こうした薄膜をオプトエレクトロニクスやデ
ィスプレイなどに使用する場合、基板は透明であること
が必要であり、安価。
どの物理的方法や熱分解、光分解などの化学的方法で形
成される。こうした薄膜をオプトエレクトロニクスやデ
ィスプレイなどに使用する場合、基板は透明であること
が必要であり、安価。
入手が簡単などの理由からガラス基板が多用されている
。
。
ところで、基板用ガラスは薄膜素子の厳しい要求に対応
して以下に示す高度な特性が必要となってきている。
して以下に示す高度な特性が必要となってきている。
■ アルカリを含まないこと。基板ガラス中にアルカリ
が含まれていると、そのイオンが形成した薄膜中に拡散
して特性を劣化させる。 ′■ 耐熱性が高
いこと。基板上に結晶が良好で特性の優れた薄膜を形成
するには高い蒸着温度で行うことが必要である。また、
高温での熱処理工程を行う場合もある。しかるに、現在
、入手できる基板用ガラスの耐熱性は５００〜６００℃
が限界であり、例えばシリコン薄膜トランジスタのよう
に８００℃程度の熱処理を必要とするものには不適当で
ある。
が含まれていると、そのイオンが形成した薄膜中に拡散
して特性を劣化させる。 ′■ 耐熱性が高
いこと。基板上に結晶が良好で特性の優れた薄膜を形成
するには高い蒸着温度で行うことが必要である。また、
高温での熱処理工程を行う場合もある。しかるに、現在
、入手できる基板用ガラスの耐熱性は５００〜６００℃
が限界であり、例えばシリコン薄膜トランジスタのよう
に８００℃程度の熱処理を必要とするものには不適当で
ある。
■ 耐薬品性に優れていること。基板上に形成された薄
膜はフォトリソグラフィなどの手段でエツチングされて
目的とする素子に作られるが、このパターニング工程で
は強酸やアルカリなどの腐蝕性の高い薬品が使われ、こ
の時基板自体が腐蝕（エツチング）されてはならない。
膜はフォトリソグラフィなどの手段でエツチングされて
目的とする素子に作られるが、このパターニング工程で
は強酸やアルカリなどの腐蝕性の高い薬品が使われ、こ
の時基板自体が腐蝕（エツチング）されてはならない。
上述した種々の要求を満たすガラスとしては、従来より
石英ガラスかが知られている。しかしながら、石英ガラ
スは特殊な製法を必要とするため、極めて高価である。
石英ガラスかが知られている。しかしながら、石英ガラ
スは特殊な製法を必要とするため、極めて高価である。
また、低熱膨張という特性を有するが、例えば異種材料
との接合や封着を必要とするデバイスの場合は欠点にな
り易い。
との接合や封着を必要とするデバイスの場合は欠点にな
り易い。
高耐熱性ガラスの公知例として、たとえば特開昭５６−
５４２５２号公報のアルミノ硅酸塩ガラス組成及び特開
昭５６−１６９１４８号公報のＲＯ−ｚｎｏ−Ａｌ１０
３−８ ｉ ０２系組成などがある。しかしながらこれ
ら公知例においても、耐熱性の目安であるガラス転移温
度（ＴＱ）は高々７００℃であり、８００℃を越えるも
のはない。
５４２５２号公報のアルミノ硅酸塩ガラス組成及び特開
昭５６−１６９１４８号公報のＲＯ−ｚｎｏ−Ａｌ１０
３−８ ｉ ０２系組成などがある。しかしながらこれ
ら公知例においても、耐熱性の目安であるガラス転移温
度（ＴＱ）は高々７００℃であり、８００℃を越えるも
のはない。
本発明は耐熱性、耐薬品性が共に優れた、量産的な無ア
ルカリの基板用ガラスを提供するものである。
ルカリの基板用ガラスを提供するものである。
本発明は５ｉＯ２４５〜６０モル％、八β○ｙ２０〜３
５モル％、ＺｒＯ２１〜５モル％。
５モル％、ＺｒＯ２１〜５モル％。
ＭＱ０１０〜２５モル％、ＲＯ（但しＲはＣａ。
Ｂａ、Ｓｒのうちの少なくとも一種）２〜１０モル％、
Ｒ’Ｏ，／ （但しＲ′はＡｓ、、Ｓｂうちの少なくと
も一種）４Ｘ１０４〜４Ｘ１０−３モル％及び０．５〜
５モル％のＰｂＯ，ＺｎＯ又はＢＯの少なくとも一種を
含むものである。なお、スは高アルミナ質のアルカリ土
類−アルミノシリケートに属し、ＺｒＯ２の配合により
耐熱性と耐薬品性の向上がなされ、更にＡＳ２０３゜３
ｂ２０３の少なくとも一種の配合により脱泡清澄化がな
される。ざらに０１５〜５モル％のＰｂＯ，ＺｎＯ又は
Ｂ２０ヨを加える事により、耐熱性や耐薬品性を損わず
に溶融性を向上させ、脱泡をより容易にする事ができる
。
Ｒ’Ｏ，／ （但しＲ′はＡｓ、、Ｓｂうちの少なくと
も一種）４Ｘ１０４〜４Ｘ１０−３モル％及び０．５〜
５モル％のＰｂＯ，ＺｎＯ又はＢＯの少なくとも一種を
含むものである。なお、スは高アルミナ質のアルカリ土
類−アルミノシリケートに属し、ＺｒＯ２の配合により
耐熱性と耐薬品性の向上がなされ、更にＡＳ２０３゜３
ｂ２０３の少なくとも一種の配合により脱泡清澄化がな
される。ざらに０１５〜５モル％のＰｂＯ，ＺｎＯ又は
Ｂ２０ヨを加える事により、耐熱性や耐薬品性を損わず
に溶融性を向上させ、脱泡をより容易にする事ができる
。
次に、上記各成分の作用及びその配合割合の限定理由に
ついて説明する。
ついて説明する。
（Ｉ）ＳｉＯ２
Ｓ ｉ ０２はガラスの主成分をなずものである。
３ ｉ Ｑ ２の配合割合を４５モル％未満にすると耐
薬品性が低下し、例えば濃塩酸を水で１＝１の割合で希
釈した希塩酸中で煮沸すると、表面が曇る。
薬品性が低下し、例えば濃塩酸を水で１＝１の割合で希
釈した希塩酸中で煮沸すると、表面が曇る。
一方、ＳｉＯ２が６０モル％を越えると、高温粘性が顕
著に増加し、１６００℃以下で溶融できなくなり、生産
上の障害となる。
著に増加し、１６００℃以下で溶融できなくなり、生産
上の障害となる。
（ＩＩ）ＡβＯＢ
Ａ （ｌ ＯＭ もガラスの主成分をなすものである
。
。
ガラスの粘性が高くなり、脱泡が事実上不可能ときなく
なる。
なる。
（Ｉ［［）Ｚｒ０２
ＺｒＯ２はガラスの耐熱性の向上に寄与する。
例えばＳ ｉ ０２−ＡｆｌＯｙ ＭＱＯ−ＣａＯ
系ガラス及びこれにＺｎ０（Ｉｌｆ化亜鉛亜鉛どを加え
た低膨張、耐熱性のガラスは公知であるが、実用的な組
成範囲ではガラス転移温度（Ｔｇ）が８００℃に達しな
い。しかし、上記成分系にＺｒＯ２を添加することで、
ガラスの溶融性を損わずにＴｃ＋を８００℃以上にする
ことができた。
系ガラス及びこれにＺｎ０（Ｉｌｆ化亜鉛亜鉛どを加え
た低膨張、耐熱性のガラスは公知であるが、実用的な組
成範囲ではガラス転移温度（Ｔｇ）が８００℃に達しな
い。しかし、上記成分系にＺｒＯ２を添加することで、
ガラスの溶融性を損わずにＴｃ＋を８００℃以上にする
ことができた。
また、ＺｒＯ２は耐薬品性の向上にも寄与する。
こうしたＺｒＯ２の配合割合を１モル％未満にすると、
その効果を充分に達成できず、かといって５モル％をを
越えると、ガラスが失透し易くなる。
その効果を充分に達成できず、かといって５モル％をを
越えると、ガラスが失透し易くなる。
（ＩＶ）ＭｇＯ
ＭＱＯは耐熱性等の向上の点で重要な成分である。ＭＱ
Ｏの配合割合を１０モル％未満にすると、その効果を充
分に発揮できず、かといって２５モル％を越えると、ガ
ラスが失透し易くなる。
Ｏの配合割合を１０モル％未満にすると、その効果を充
分に発揮できず、かといって２５モル％を越えると、ガ
ラスが失透し易くなる。
（Ｖ）ＲＯ
ＲＯはＣａｂ、Ｂａｄ、Ｓ ｉ ０２のうちの少なくと
も一種からなるもので、ＭＱＯの補助成分であり、溶融
性の向上に寄与する。均質かつ安定なガラスを得るには
これら成分を２モル％以上配合することが必要であり、
かといってその量が１０モル％を越えると、ガラスの耐
熱性が劣りＴｐ＝８００℃以上にならなくなる。なお、
ＲＯととして特にＣａＯは上記特性の向上の点で最も有
益である。
も一種からなるもので、ＭＱＯの補助成分であり、溶融
性の向上に寄与する。均質かつ安定なガラスを得るには
これら成分を２モル％以上配合することが必要であり、
かといってその量が１０モル％を越えると、ガラスの耐
熱性が劣りＴｐ＝８００℃以上にならなくなる。なお、
ＲＯととして特にＣａＯは上記特性の向上の点で最も有
益である。
（Ｖｌ）Ｒ’ Ｏｙ
少なくとも一種からなり、これらの配合割合は脱泡、清
澄により均質なガラスを得る上で４×１０−’〜４Ｘ１
０’モル％の範囲にすることが必要である。
澄により均質なガラスを得る上で４×１０−’〜４Ｘ１
０’モル％の範囲にすることが必要である。
（旧ＺｎＯ，Ｐ ｂＯ９Ｂｏｙ
これらの成分は、ガラスの溶解温度を下げ、脱泡を容易
にする成分である。その効果は０．５モル％以上で顕著
になるが、５モル％を越えると耐熱性を低下させ、本発
明の目的からはずれてしまう。
にする成分である。その効果は０．５モル％以上で顕著
になるが、５モル％を越えると耐熱性を低下させ、本発
明の目的からはずれてしまう。
本発明にかかるガラスにおいて、充分な耐熱性を得ルタ
メニハ、Ｓ ｉ Ｏ２＋ Ａ （ｌ Ｏｙ ＋ＺｒＯ
２の和が重要である。この和は少なくとも７０モル％以
上を占める必要がある。しかしながら一方、この和が大
きすぎると、ガラスの溶融温度が高くなり、均質化がき
わめて困難になる。その限界は８６モル％程度の所にあ
る。
メニハ、Ｓ ｉ Ｏ２＋ Ａ （ｌ Ｏｙ ＋ＺｒＯ
２の和が重要である。この和は少なくとも７０モル％以
上を占める必要がある。しかしながら一方、この和が大
きすぎると、ガラスの溶融温度が高くなり、均質化がき
わめて困難になる。その限界は８６モル％程度の所にあ
る。
なお、前述した各種の酸化物は通常のガラス原料をその
まま使用できる。即ち、精製珪砂、水酸化アルミニウム
、マグネシア、ジルコニア、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム、亜鉛華、鉛丹、ホウ酸などを目標組成に調合し、
電気炉などで溶融。
まま使用できる。即ち、精製珪砂、水酸化アルミニウム
、マグネシア、ジルコニア、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム、亜鉛華、鉛丹、ホウ酸などを目標組成に調合し、
電気炉などで溶融。
均質化させる。亜砒酸、酸化アンチモンなどの消。
泡剤を使う場合は、常法どおり成分の一部を硝酸塩の形
で用い、酸化性にする。こうして得られたガラスはロー
ル法、プレス法などで成形し、研磨して基板用ガラスと
する。
で用い、酸化性にする。こうして得られたガラスはロー
ル法、プレス法などで成形し、研磨して基板用ガラスと
する。
本発明によれば、Ｔｇが８００℃以上と耐熱性にすぐれ
、かつ耐薬品性も良好で、更に１６００℃以下で均質に
溶解でき、半導体、金属、誘電体等の薄膜の蒸着に適し
た安価で高性能の基板用ガラスを提供できる。
、かつ耐薬品性も良好で、更に１６００℃以下で均質に
溶解でき、半導体、金属、誘電体等の薄膜の蒸着に適し
た安価で高性能の基板用ガラスを提供できる。
次に本発明の詳細な説明する。
まず、精製珪砂、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化マグネシウム、硝酸マグネシウム、炭酸カルシ
ウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、亜砒酸、三
酸化アンチモン、亜鉛華。
ム、酸化マグネシウム、硝酸マグネシウム、炭酸カルシ
ウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、亜砒酸、三
酸化アンチモン、亜鉛華。
亜丹及びホウ酸を原料とし、これらを調合して下記第１
表に示す試料Ｎ０１１〜１０の組成のガラスを作った。
表に示す試料Ｎ０１１〜１０の組成のガラスを作った。
なお、Ａ３２０Ｂは低濃度であるため、これらを除いた
酸化物の総量を１００とし、これに添加しである。得ら
れたガラスの量は夫々的２Ｋｇで、これらを白金ルツボ
に収容し、酸素−都市ガス炉で１４５０〜１５５０℃で
溶解した。脱泡に要した時間は約６時間である。つづい
て、ガラスを鉄板上でプレスして約１００ａφの円板と
し、８５０℃から徐冷した。
酸化物の総量を１００とし、これに添加しである。得ら
れたガラスの量は夫々的２Ｋｇで、これらを白金ルツボ
に収容し、酸素−都市ガス炉で１４５０〜１５５０℃で
溶解した。脱泡に要した時間は約６時間である。つづい
て、ガラスを鉄板上でプレスして約１００ａφの円板と
し、８５０℃から徐冷した。
得られた１０種の円板ガラスについて熱膨張率。
ガラス転移点、屈伏温度、及び耐薬品性を調べた。
その結果を第２表に示した。なお、熱膨張率は円板ガラ
スを一部切り取り、干渉膨張計により測定した。また、
耐薬品性は表面を研磨、した円板ガラスをコンク塩酸を
水で１＝１となるように希釈した希塩酸中で２時間沸騰
し、表面の変質を観察することにより評価した。また、
溶融性及び脱泡性については得られたガラス板中の残留
泡や脈理の観察から判断した。
スを一部切り取り、干渉膨張計により測定した。また、
耐薬品性は表面を研磨、した円板ガラスをコンク塩酸を
水で１＝１となるように希釈した希塩酸中で２時間沸騰
し、表面の変質を観察することにより評価した。また、
溶融性及び脱泡性については得られたガラス板中の残留
泡や脈理の観察から判断した。
上記第２表から明らかな如く、本発明のガラスはいずれ
も耐熱性の目安であるガラス転移温度が８００℃以上で
あり、かつ耐薬品性も充分であることがわかる。
も耐熱性の目安であるガラス転移温度が８００℃以上で
あり、かつ耐薬品性も充分であることがわかる。
また、得られた各ガラスを１００ｓφＸ １ ｍｍｔの
大きさに研磨し、化学蒸着法によりシリコン薄膜を形成
した。この時、基板（ガラス）湿度を８００℃にして蒸
着したが、基板の変質もなく、その上にμｍオーダの結
晶粒からなる良好な電気特性を有するシリコン薄膜を形
成できた。
大きさに研磨し、化学蒸着法によりシリコン薄膜を形成
した。この時、基板（ガラス）湿度を８００℃にして蒸
着したが、基板の変質もなく、その上にμｍオーダの結
晶粒からなる良好な電気特性を有するシリコン薄膜を形
成できた。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
手続補正書
ｒｓｍ ！”−１８８
特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
１、事件の表示
特願昭５９−１６４４１２号
２、発明の名称
基板用ガラス
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
（３０７）株式会社 東芝
４、代理人
東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル７、
補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。
補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。
（２） 明細書第５頁第１行の「０１５〜５モル％」を
「０．５〜５モル％」と訂正する。
「０．５〜５モル％」と訂正する。
（３） 同第７頁第１９行〜２０行の［５モル％を超え
ると耐熱性を低下させ、」をｒＺｎｏ。
ると耐熱性を低下させ、」をｒＺｎｏ。
ＰｂＯについては５モル％を超えると耐熱性を低下させ
、ＢＯ３／２ については３モル％を超えると脈理が
多くなって不均質になり、」と訂正する。
、ＢＯ３／２ については３モル％を超えると脈理が
多くなって不均質になり、」と訂正する。
２、特許請求の範囲
Ｓ ｉ ０２４５〜６０ モル％、 Ａ １０３７□２
０〜３５モル％、Ｚｒ０２１〜５モル％、ＭＯ０１０〜
２５モル％、ＲＯ（但しＲはＣａ、Ｂａ、Ｓｒのうちの
少なくとも一種）２〜１０モル％。
０〜３５モル％、Ｚｒ０２１〜５モル％、ＭＯ０１０〜
２５モル％、ＲＯ（但しＲはＣａ、Ｂａ、Ｓｒのうちの
少なくとも一種）２〜１０モル％。
Ｒ−０３／２（但しＲ′はＡＳ、３ｂのうちの少なくと
も一種）４Ｘ１０−’〜４Ｘ１０−３モル％。
も一種）４Ｘ１０−’〜４Ｘ１０−３モル％。
１Ｌ笈弘１１１含み、Ｓ ｉ ０２ ＋ＡｆｆｉＯＨ＋
ＺｒＯ２の和が、７０〜８６モル％の範囲にある基板用
ガラス。
ＺｒＯ２の和が、７０〜８６モル％の範囲にある基板用
ガラス。
Claims (1)
- ＳｉＯ＿２４５〜６０モル％、ＡｌＯ＿３＿／＿２２０
〜３５モル％、ＺｒＯ＿２１〜５モル％、ＭｇＯ１０〜
２５モル％、ＲＯ（但しＲはＣａ、Ｂａ、Ｓｒのうちの
少なくとも一種）２〜１０モル％、Ｒ′Ｏ＿３＿／＿２
（但しＲ′はＡｓ、Ｓｂうちの少なくとも一種）４×１
０＾−＾４〜４×１０＾−＾３モル％及び０．５〜５モ
ル％のＰｂＯ、ＺｎＯ又はＢＯ＿３＿／＿２の少なくと
も一種を含み、ＳｉＯ＿２＋ＡｌＯ＿３＿／＿２＋Ｚｒ
Ｏ＿２の和が、７０〜８６モル％の範囲にある基板用ガ
ラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16441284A JPS6144732A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 基板用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16441284A JPS6144732A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 基板用ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144732A true JPS6144732A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0372022B2 JPH0372022B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=15792647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16441284A Granted JPS6144732A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 基板用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144732A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1081540A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-31 | Hoya Corp | 情報記録媒体用基板に用いる材料、この材料を用いた情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法 |
| JPH11116267A (ja) * | 1996-09-04 | 1999-04-27 | Hoya Corp | 高い比弾性率を有するガラス |
| JPWO2016159344A1 (ja) * | 2015-04-03 | 2018-02-01 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
| JP2025061251A (ja) * | 2019-12-13 | 2025-04-10 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16441284A patent/JPS6144732A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1081540A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-31 | Hoya Corp | 情報記録媒体用基板に用いる材料、この材料を用いた情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法 |
| JPH11116267A (ja) * | 1996-09-04 | 1999-04-27 | Hoya Corp | 高い比弾性率を有するガラス |
| JPWO2016159344A1 (ja) * | 2015-04-03 | 2018-02-01 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
| US11261123B2 (en) | 2015-04-03 | 2022-03-01 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass |
| US12157697B2 (en) | 2015-04-03 | 2024-12-03 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass |
| JP2025061251A (ja) * | 2019-12-13 | 2025-04-10 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372022B2 (ja) | 1991-11-15 |
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