JPS6145377B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6145377B2 JPS6145377B2 JP55119963A JP11996380A JPS6145377B2 JP S6145377 B2 JPS6145377 B2 JP S6145377B2 JP 55119963 A JP55119963 A JP 55119963A JP 11996380 A JP11996380 A JP 11996380A JP S6145377 B2 JPS6145377 B2 JP S6145377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- jig
- apiezon wax
- phenyl salicylate
- apiezon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するも
ので、特に所望の能動領域が形成された後で、主
として、後半の組立工程を容易にする等のため、
半導体ウエハ（以下単にウエハという）全体の厚
みを制御する工程において、ウエハと治具との接
着方法の改良に係るものである。
ので、特に所望の能動領域が形成された後で、主
として、後半の組立工程を容易にする等のため、
半導体ウエハ（以下単にウエハという）全体の厚
みを制御する工程において、ウエハと治具との接
着方法の改良に係るものである。
従来、ウエハの厚みを制御する工程において、
ウエハと治具とを接着させる場合には、アピエゾ
ンワツクスが主として用いられていた。以下、こ
のアピエゾンワツクスを用いた場合の接着方法を
第１図ａ，ｂにより説明する。
ウエハと治具とを接着させる場合には、アピエゾ
ンワツクスが主として用いられていた。以下、こ
のアピエゾンワツクスを用いた場合の接着方法を
第１図ａ，ｂにより説明する。
平面度の精度が良い円板状の治具（例えばガ
ラス製またはステンレススチール製）１を約80
℃以上に昇温し、表面にアピエゾンワツクス３
を塗布し、ウエハ２に応じた大きさに広げる
（第１図ａ）。
ラス製またはステンレススチール製）１を約80
℃以上に昇温し、表面にアピエゾンワツクス３
を塗布し、ウエハ２に応じた大きさに広げる
（第１図ａ）。
ウエハ２の裏面部（削り取りたい部分）を上
向きにして、アピエゾンワツクス３上にウエハ
２を載せる（第１図ｂ）。
向きにして、アピエゾンワツクス３上にウエハ
２を載せる（第１図ｂ）。
第項の工程終了後のウエハ２と治具１とを
自然冷却してアピエゾンワツクス３を固めて接
着を完了する。
自然冷却してアピエゾンワツクス３を固めて接
着を完了する。
ウエハ２上についているアピエゾンワツクス
３の余分な部分をトリクレン、塩化メチレン等
の溶剤で拭き取る。
３の余分な部分をトリクレン、塩化メチレン等
の溶剤で拭き取る。
所望の公知の技術（エツチング法、ラツピン
グ法等）を用いてウエハ２全体を所望の厚みに
制御する。
グ法等）を用いてウエハ２全体を所望の厚みに
制御する。
第項の工程終了後、治具１を熱板の上で約
80℃以上に温めてアピエゾンワツクス３を溶か
し、ピンセツト等で治具１からウエハ２を取り
はずす。
80℃以上に温めてアピエゾンワツクス３を溶か
し、ピンセツト等で治具１からウエハ２を取り
はずす。
トリクレン等の溶剤でアピエゾンワツクス３
を溶かし、所望の溶剤でウエハ２を洗浄する。
を溶かし、所望の溶剤でウエハ２を洗浄する。
上記のように、アピエゾンワツクス３を用いた
接着方法においては、 (イ) アピエゾンワツクス３が溶けた場合は粘度が
高すぎるため治具１にウエハ２を適度の力で押
しつけないとウエハ２全体がうまく接着されな
い。
接着方法においては、 (イ) アピエゾンワツクス３が溶けた場合は粘度が
高すぎるため治具１にウエハ２を適度の力で押
しつけないとウエハ２全体がうまく接着されな
い。
(ロ) アピエゾンワツクス３はトリクレンボイル等
の洗浄を用ても完全に除去されにくいため、ア
ピエゾンワツクス３の残渣による後工程での不
良（組立工程でのワイヤボンデイング不良な
ど）が発生することがある。
の洗浄を用ても完全に除去されにくいため、ア
ピエゾンワツクス３の残渣による後工程での不
良（組立工程でのワイヤボンデイング不良な
ど）が発生することがある。
(ハ) 上記第項の工程において、治具１からのウ
エハ２の取りはずしの際にアピエゾンワツクス
３が熱板から離れた際にすぐに固まりはじめる
ため、厚さが薄くなつたウエハ２がピンセツト
のハンドリングのときに割れることがある。
エハ２の取りはずしの際にアピエゾンワツクス
３が熱板から離れた際にすぐに固まりはじめる
ため、厚さが薄くなつたウエハ２がピンセツト
のハンドリングのときに割れることがある。
(ニ) アピエゾンワツクス３を熱板上で溶かす際に
温度が高すぎるとこげ付き、そのため取りはず
しができなくなることがある。
温度が高すぎるとこげ付き、そのため取りはず
しができなくなることがある。
等の欠点があつた。
この発明は上記の欠点を除去するためになされ
たもので、アピエゾンワツクスの代りにサルチル
酸フエニル（C13H10O3）：通称ザロールを使用す
る方法を提供するものである。以下、この発明を
図面に基づいて説明する。
たもので、アピエゾンワツクスの代りにサルチル
酸フエニル（C13H10O3）：通称ザロールを使用す
る方法を提供するものである。以下、この発明を
図面に基づいて説明する。
まず、サルチル酸フエニルの特性についてその
概略を説明する。サルチル酸フエニルは、常温で
白色の結晶もしくは粉末であり、比重は1.25、融
点は41〜43℃である。水には溶けにくく、１ｇを
溶かすのに水6670mlを要するが、アルコール、ベ
ンゼン、アセトン、クロロフオルム等の有機溶剤
に溶けやすい。
概略を説明する。サルチル酸フエニルは、常温で
白色の結晶もしくは粉末であり、比重は1.25、融
点は41〜43℃である。水には溶けにくく、１ｇを
溶かすのに水6670mlを要するが、アルコール、ベ
ンゼン、アセトン、クロロフオルム等の有機溶剤
に溶けやすい。
以下に、このサルチル酸フエニルをシリコン半
導体ウエハのラツピング作業に適用した一実施例
を第２図ａ，ｂ，ｃにより説明する。
導体ウエハのラツピング作業に適用した一実施例
を第２図ａ，ｂ，ｃにより説明する。
平面度の良好な円板状の治具（例えばガラス
製円板）１を熱板上などで約45℃以上に昇温
し、サルチル酸フエニル４をその上に適量だけ
置き、溶融させた後、ウエハ２の形状を少なく
ともカバーできる大きさ以上に拡げる（第２図
ａ）。
製円板）１を熱板上などで約45℃以上に昇温
し、サルチル酸フエニル４をその上に適量だけ
置き、溶融させた後、ウエハ２の形状を少なく
ともカバーできる大きさ以上に拡げる（第２図
ａ）。
所望の工程を終了したウエハ２の削り取る面
を上向きにして第項の状態のサルチル酸フエ
ニル４上に載せる。
を上向きにして第項の状態のサルチル酸フエ
ニル４上に載せる。
第項の工程終了後のウエハ２を治具１とも
熱板上から取りはずし、ウエハ２より大きな形
状のろ紙５をウエハ２上に置き、適度なおもり
６をその上に置き、約20分ほど自然冷却させ、
ウエハ２と治具１を接着させる（第２図ｂ）。
熱板上から取りはずし、ウエハ２より大きな形
状のろ紙５をウエハ２上に置き、適度なおもり
６をその上に置き、約20分ほど自然冷却させ、
ウエハ２と治具１を接着させる（第２図ｂ）。
所定の時間終了後、おもり６とろ紙５とを取
りはずし、公知の技術を用いてウエハ２を所望
の厚みまでラツピングして削る（第２図ｃ）。
りはずし、公知の技術を用いてウエハ２を所望
の厚みまでラツピングして削る（第２図ｃ）。
第項の工程終了後のウエハ２を接着させた
ままの治具１を熱板の上で約45℃以上に昇温
し、サルチル酸フエニル４を再び溶かした後、
熱板上から治具１をおろし、ウエハ２上から、
例えばアセトン等の有機溶剤を数滴たらし溶融
させた後、ピンセツト等で治具１からウエハ２
を取りはずす。
ままの治具１を熱板の上で約45℃以上に昇温
し、サルチル酸フエニル４を再び溶かした後、
熱板上から治具１をおろし、ウエハ２上から、
例えばアセトン等の有機溶剤を数滴たらし溶融
させた後、ピンセツト等で治具１からウエハ２
を取りはずす。
アセトン等の溶剤で第項の工程終了後、ウ
エハ２を洗浄する。
エハ２を洗浄する。
以上でこの発明によるサルチル酸フエニル４を
用いた方法によるウエハ２と治具１との接着と、
取りはずす工程を終了する。
用いた方法によるウエハ２と治具１との接着と、
取りはずす工程を終了する。
なお、上記の実施例では、シリコン半導体ウエ
ハをラツピング処理により厚みを制御する例を述
べたが、この発明はこれに限らず、例えばGaAs
等の別の半導体ウエハに対しても適用可能であ
り、しかもラツピング等の機械的研磨法だけでな
く、化学エツチングにより厚みを制御する場合に
も適用可能である。
ハをラツピング処理により厚みを制御する例を述
べたが、この発明はこれに限らず、例えばGaAs
等の別の半導体ウエハに対しても適用可能であ
り、しかもラツピング等の機械的研磨法だけでな
く、化学エツチングにより厚みを制御する場合に
も適用可能である。
以上説明したようにこの発明は、アピエゾンワ
ツクスにおいては約80℃以上の高温にしないとア
ピエゾンワツクスが溶けないが、サルチル酸フエ
ニルにおいては約45℃の比較的低温で溶ける。ま
た、アピエゾンワツクスはどのような有機溶剤を
用いても比較的残渣が残りやすいのに比べ、サル
チル酸フエニルにおいてはアセトン等の有機溶剤
等によりほぼ残渣が生じない。さらに、アピエゾ
ンワツクスに比べサルチル酸フエニルは溶融した
後の粘度が低いため適度のおもりを用いれば最終
の半導体ウエハの厚みのばらつきを小さくするこ
とが可能である等の利点を有する。
ツクスにおいては約80℃以上の高温にしないとア
ピエゾンワツクスが溶けないが、サルチル酸フエ
ニルにおいては約45℃の比較的低温で溶ける。ま
た、アピエゾンワツクスはどのような有機溶剤を
用いても比較的残渣が残りやすいのに比べ、サル
チル酸フエニルにおいてはアセトン等の有機溶剤
等によりほぼ残渣が生じない。さらに、アピエゾ
ンワツクスに比べサルチル酸フエニルは溶融した
後の粘度が低いため適度のおもりを用いれば最終
の半導体ウエハの厚みのばらつきを小さくするこ
とが可能である等の利点を有する。
第１図ａ，ｂは従来のアピエゾンワツクスを用
いた接着方法の工程を示す断面図、第２図ａ，
ｂ，ｃはこの発明の一実施例の工程を示す断面図
である。 図中、１は治具、２は半導体ウエハ、４はサル
チル酸フエニル、５はろ紙、６はおもりである。
なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
いた接着方法の工程を示す断面図、第２図ａ，
ｂ，ｃはこの発明の一実施例の工程を示す断面図
である。 図中、１は治具、２は半導体ウエハ、４はサル
チル酸フエニル、５はろ紙、６はおもりである。
なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ 治具上に半導体ウエハを接着した後、前記半
導体ウエハを所要の厚みになるように加工する半
導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハ
と治具との接着にサルチル酸フエニルを用いるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55119963A JPS5743427A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55119963A JPS5743427A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5743427A JPS5743427A (en) | 1982-03-11 |
| JPS6145377B2 true JPS6145377B2 (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=14774527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55119963A Granted JPS5743427A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5743427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178030U (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-25 | ||
| JPH0653514U (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-22 | 株式会社アマダ | 製品等収納装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003201913A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-30 | Api Corporation | Heat-sensitive pressure-sensitive adhesive composition |
-
1980
- 1980-08-28 JP JP55119963A patent/JPS5743427A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178030U (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-25 | ||
| JPH0653514U (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-22 | 株式会社アマダ | 製品等収納装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5743427A (en) | 1982-03-11 |
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